JPH0221013B2 - - Google Patents
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- JPH0221013B2 JPH0221013B2 JP56120806A JP12080681A JPH0221013B2 JP H0221013 B2 JPH0221013 B2 JP H0221013B2 JP 56120806 A JP56120806 A JP 56120806A JP 12080681 A JP12080681 A JP 12080681A JP H0221013 B2 JPH0221013 B2 JP H0221013B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F7/00—Methods or arrangements for processing data by operating upon the order or content of the data handled
- G06F7/38—Methods or arrangements for performing computations using exclusively denominational number representation, e.g. using binary, ternary, decimal representation
- G06F7/48—Methods or arrangements for performing computations using exclusively denominational number representation, e.g. using binary, ternary, decimal representation using non-contact-making devices, e.g. tube, solid state device; using unspecified devices
- G06F7/50—Adding; Subtracting
- G06F7/501—Half or full adders, i.e. basic adder cells for one denomination
- G06F7/503—Half or full adders, i.e. basic adder cells for one denomination using carry switching, i.e. the incoming carry being connected directly, or only via an inverter, to the carry output under control of a carry propagate signal
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F2207/00—Indexing scheme relating to methods or arrangements for processing data by operating upon the order or content of the data handled
- G06F2207/38—Indexing scheme relating to groups G06F7/38 - G06F7/575
- G06F2207/3804—Details
- G06F2207/386—Special constructional features
- G06F2207/3872—Precharge of output to prevent leakage
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は桁上げ回路に関し、例えば並列2進加
算器における桁上げ信号の伝搬に用いられるチエ
ーン形リツプル桁上げ発生回路に用いられる桁上
げ回路に係る。
算器における桁上げ信号の伝搬に用いられるチエ
ーン形リツプル桁上げ発生回路に用いられる桁上
げ回路に係る。
公知のチエーン形リツプル回路発生回路は直列
接続された複数の段を持ち、各段は伝送ゲートを
用いて桁上げ信号の各段にわたる伝搬を制御する
が、このような回路は高速の桁上げ伝搬ができる
こと、回路構成が単純であること、集積回路内で
レイアウトが小型化できることなどの利点を持
つ。典型的なチエーン形桁上げ回路の各段は、入
力桁上げ信号を受信するための入力端子と、出力
桁上げ信号を出力するための出力端子と、該入力
及び出力端子の間に接続された導通路を持つ伝送
ゲートと、出力端子とVDD電源端子との間に接
続された導通チヤネルを持ちクロツクが印加され
る負荷トランジスタと、出力端子に接続され被加
数及び加数信号に応動して適切な出力桁上げ信号
を発生する桁上げ出力論理回路とを含んでいる。
接続された複数の段を持ち、各段は伝送ゲートを
用いて桁上げ信号の各段にわたる伝搬を制御する
が、このような回路は高速の桁上げ伝搬ができる
こと、回路構成が単純であること、集積回路内で
レイアウトが小型化できることなどの利点を持
つ。典型的なチエーン形桁上げ回路の各段は、入
力桁上げ信号を受信するための入力端子と、出力
桁上げ信号を出力するための出力端子と、該入力
及び出力端子の間に接続された導通路を持つ伝送
ゲートと、出力端子とVDD電源端子との間に接
続された導通チヤネルを持ちクロツクが印加され
る負荷トランジスタと、出力端子に接続され被加
数及び加数信号に応動して適切な出力桁上げ信号
を発生する桁上げ出力論理回路とを含んでいる。
桁上げ回路の各段は桁上げ伝搬路に対して直列
抵抗及び並列静電容量を与えるため、復数の段か
ら成る桁上げ回路における桁上げ信号の伝搬遅延
時間は段数とともに急速に増加する。さらに、動
的な桁上げ回路での桁上げ伝搬は、固定された動
作時間内にのみ起こるため、長い桁上げ回路を伝
搬した桁上げ信号の遅延が大きくなりすぎて、動
作時間の終了時までに十分な論理レベルにまで達
せず、減衰を生じる。従つて、動的桁上げ回路に
おける大きすぎる桁上げ信号伝搬遅延のために、
桁上げ信号減衰の問題が生じ、これによつて回路
の最小動作時間及び回路に含まれる最大の段数に
対して制限が課せられてしまう。
抵抗及び並列静電容量を与えるため、復数の段か
ら成る桁上げ回路における桁上げ信号の伝搬遅延
時間は段数とともに急速に増加する。さらに、動
的な桁上げ回路での桁上げ伝搬は、固定された動
作時間内にのみ起こるため、長い桁上げ回路を伝
搬した桁上げ信号の遅延が大きくなりすぎて、動
作時間の終了時までに十分な論理レベルにまで達
せず、減衰を生じる。従つて、動的桁上げ回路に
おける大きすぎる桁上げ信号伝搬遅延のために、
桁上げ信号減衰の問題が生じ、これによつて回路
の最小動作時間及び回路に含まれる最大の段数に
対して制限が課せられてしまう。
このようなチエーン形桁上げ回路における桁上
げ信号の減衰の問題に対する従来技術による解決
方法においては、長い桁上げ回路を短い部分に分
割し、これらの部分間にバツフアアンプを挿入し
て桁上げ信号の論理レベルを回復させている。し
かし、この方法は、各非反転バツフアアンプが桁
上げ回路内の桁上げ信号の伝搬時間に対してほぼ
ゲート2つ分の遅延を与え、バツフアアンプ自体
が桁上げ信号伝搬遅延の主たる原因になつてしま
うという点で不利である。さらに、桁上げ回路内
にバツフアアンプを付加することにより、集積回
路で用いる時により大きな面積を必要とし、集積
回路の製造コストを増加させてしまう。従つて、
チエーン形リツプル桁上げ発生回路の桁上げ信号
減衰の問題に関し、以上の欠点を克服して小さな
桁上げ伝搬遅延を実現するとともに、集積回路で
用いられる時に小さなレイアウトの可能な解決方
法が要求されている。
げ信号の減衰の問題に対する従来技術による解決
方法においては、長い桁上げ回路を短い部分に分
割し、これらの部分間にバツフアアンプを挿入し
て桁上げ信号の論理レベルを回復させている。し
かし、この方法は、各非反転バツフアアンプが桁
上げ回路内の桁上げ信号の伝搬時間に対してほぼ
ゲート2つ分の遅延を与え、バツフアアンプ自体
が桁上げ信号伝搬遅延の主たる原因になつてしま
うという点で不利である。さらに、桁上げ回路内
にバツフアアンプを付加することにより、集積回
路で用いる時により大きな面積を必要とし、集積
回路の製造コストを増加させてしまう。従つて、
チエーン形リツプル桁上げ発生回路の桁上げ信号
減衰の問題に関し、以上の欠点を克服して小さな
桁上げ伝搬遅延を実現するとともに、集積回路で
用いられる時に小さなレイアウトの可能な解決方
法が要求されている。
本発明に従えば、桁上げ回路は入力端子と出力
端子とを持つ段を複数個含み、最終段を除く各段
の出力端子が次の段の入力端子に接続されてお
り、入力及び出力端子の間に接続された導通路と
制御端子とを持つ伝送ゲート手段が各段に含まれ
ており、伝送ゲート手段は制御端子における制御
信号に応動して導通路を比較的低抵抗にし、また
再生手段が入力端子上の桁上げ信号に応動して入
力端子を第1の予め定めたレベルに制御的にセツ
トする。
端子とを持つ段を複数個含み、最終段を除く各段
の出力端子が次の段の入力端子に接続されてお
り、入力及び出力端子の間に接続された導通路と
制御端子とを持つ伝送ゲート手段が各段に含まれ
ており、伝送ゲート手段は制御端子における制御
信号に応動して導通路を比較的低抵抗にし、また
再生手段が入力端子上の桁上げ信号に応動して入
力端子を第1の予め定めたレベルに制御的にセツ
トする。
各段の各々は、出力端子に接続され第1の信号
に応動して出力端子を第1の論理状態を表わす第
2の予め定めたレベルにセツトするための負荷手
段と、出力端子に接続され第2及び第3の信号に
応動して第2及び第3の信号がともに第1の論理
状態を示すレベルにある時に第2の論理状態を示
すレベルを出力端子に発生するための第1の論理
手段と、伝送ゲート手段の制御端子に接続され第
2及び第3の信号に応動して第2及び第3の信号
がそれぞれ逆の論理状態を示すレベルにある時に
第1の論理状態を示す制御信号を発生するため第
2の論理手段を含んでおり、また再生回路は、第
1の信号と入力端子のレベルとに応動し、第1の
信号のレベルと入力端子のレベルとがともに第2
の論理状態を表わすレベルにある時に第1の論理
状態を示すレベルを発生するための第3の論理手
段と、第3の論理手段から発生する第1の論理状
態を示すレベルに応動して入力端子を第1の供給
端子に結合するスイツチングの手段とを含んでお
り、第1の供給端子は第2の論理状態を示す第1
の予め定めたレベルにおいてバイアス電位を受信
する。第1の論理手段は出力端子に対してナンド
機能を与える手段を含み、第2の論理手段は伝送
ゲート手段の制御端子に対して排他的論理和機能
を与える手段を含み、第3の論理手段はスイツチ
ング手段に対してノア機能を与える手段を含んで
いる。各段においては第2の予め定めたレベルに
おける第2のバイアス電位を受けるための第2の
供給端子が含まれており、負荷手段は第2の供給
端子と出力端子との間に接続された導通チヤネル
と第1の信号を受信するためのゲート電極とを持
つ第1の導通形式の第1のFETを含み伝送ゲー
ト手段は入力及び出力端子間に接続された導通チ
ヤネルと上記排他的論理和機能を与える手段に接
続されたゲート電極とを持つ第1の導通形式の第
2のFETを含んでおり、スイツチング手段は入
力端子と第1の供給端子との間に接続された導通
チヤネルと上記ノア機能を与える手段に接続され
たゲート電極とを持つ第1の導通形式の第3の
FETを含んでいる。
に応動して出力端子を第1の論理状態を表わす第
2の予め定めたレベルにセツトするための負荷手
段と、出力端子に接続され第2及び第3の信号に
応動して第2及び第3の信号がともに第1の論理
状態を示すレベルにある時に第2の論理状態を示
すレベルを出力端子に発生するための第1の論理
手段と、伝送ゲート手段の制御端子に接続され第
2及び第3の信号に応動して第2及び第3の信号
がそれぞれ逆の論理状態を示すレベルにある時に
第1の論理状態を示す制御信号を発生するため第
2の論理手段を含んでおり、また再生回路は、第
1の信号と入力端子のレベルとに応動し、第1の
信号のレベルと入力端子のレベルとがともに第2
の論理状態を表わすレベルにある時に第1の論理
状態を示すレベルを発生するための第3の論理手
段と、第3の論理手段から発生する第1の論理状
態を示すレベルに応動して入力端子を第1の供給
端子に結合するスイツチングの手段とを含んでお
り、第1の供給端子は第2の論理状態を示す第1
の予め定めたレベルにおいてバイアス電位を受信
する。第1の論理手段は出力端子に対してナンド
機能を与える手段を含み、第2の論理手段は伝送
ゲート手段の制御端子に対して排他的論理和機能
を与える手段を含み、第3の論理手段はスイツチ
ング手段に対してノア機能を与える手段を含んで
いる。各段においては第2の予め定めたレベルに
おける第2のバイアス電位を受けるための第2の
供給端子が含まれており、負荷手段は第2の供給
端子と出力端子との間に接続された導通チヤネル
と第1の信号を受信するためのゲート電極とを持
つ第1の導通形式の第1のFETを含み伝送ゲー
ト手段は入力及び出力端子間に接続された導通チ
ヤネルと上記排他的論理和機能を与える手段に接
続されたゲート電極とを持つ第1の導通形式の第
2のFETを含んでおり、スイツチング手段は入
力端子と第1の供給端子との間に接続された導通
チヤネルと上記ノア機能を与える手段に接続され
たゲート電極とを持つ第1の導通形式の第3の
FETを含んでいる。
本発明について以下に図面を参照しながらその
実施例について説明する。
実施例について説明する。
第1図において、金属一酸化物―半導体
(MOS)トランジスタにより実現された並列2進
加算器1000の1部が示されておりこれは2つ
の排他的ノア1001及び1002と、チエーン
形リツプル桁上げ発生回路の1段1003とを含
んでいる。桁上げ回路段1003は、桁上げ入力
反転ビツトioを受信するための入力端子100
4と、桁上げ出力反転ビツトputを発生するため
の出力端子1005と、トランジスタQ1から成
りその導通チヤネルが該入力及び出力端子間に直
列に接続されている伝送ゲートと、その導通チヤ
ネルがVDD電源端子と該出力端子との間に接続
されているクロツク印加負荷トランジスタQ2
と、それぞれのチヤネルが該出力端子とアース端
子との間に直列に接続されている2つのトランジ
スタQ3及びQ4から成る桁上げ出力論理回路と
を含んでいる。
(MOS)トランジスタにより実現された並列2進
加算器1000の1部が示されておりこれは2つ
の排他的ノア1001及び1002と、チエーン
形リツプル桁上げ発生回路の1段1003とを含
んでいる。桁上げ回路段1003は、桁上げ入力
反転ビツトioを受信するための入力端子100
4と、桁上げ出力反転ビツトputを発生するため
の出力端子1005と、トランジスタQ1から成
りその導通チヤネルが該入力及び出力端子間に直
列に接続されている伝送ゲートと、その導通チヤ
ネルがVDD電源端子と該出力端子との間に接続
されているクロツク印加負荷トランジスタQ2
と、それぞれのチヤネルが該出力端子とアース端
子との間に直列に接続されている2つのトランジ
スタQ3及びQ4から成る桁上げ出力論理回路と
を含んでいる。
この桁上げ回路は、負荷トランジスタQ2のゲ
ートに印加される予備充電クロツク信号φによつ
て周期的に付勢及び消勢される。φ信号が論理
“1”レベルにある時には、桁上げ回路は動作せ
ず、トランジスタQ2は導通状態にあつて、出力
端子1005を実質的にVDDに引き上げている。
φ信号が論理“0”レベルにある時には、桁上げ
回路は動作状態であり、トランジスタQ2はカツ
トオフ状態となつて出力端子をVDD電源端子か
ら分離する。
ートに印加される予備充電クロツク信号φによつ
て周期的に付勢及び消勢される。φ信号が論理
“1”レベルにある時には、桁上げ回路は動作せ
ず、トランジスタQ2は導通状態にあつて、出力
端子1005を実質的にVDDに引き上げている。
φ信号が論理“0”レベルにある時には、桁上げ
回路は動作状態であり、トランジスタQ2はカツ
トオフ状態となつて出力端子をVDD電源端子か
ら分離する。
桁上げ回路が動作状態にあると、加算部は同じ
桁の被加数及び加数ビツトA1及びA2を受信す
る。ビツトA1及びA2は桁上げ出力論理回路の
トランジスタQ3及びQ4のゲートに印加され
る。A1及びA2がともに論理“1”レベルであ
ると、Q3及びQ4はともに導通状態となり、出
力端子は論理“0”レベルであるアース電位とな
る。よつて桁上げ出力論理回路はビツトA1及び
A2に対してナンド論理機能を果す。ビツトA1
及びA2は第1の排他的ノアゲート1001にも
印加されており、このゲートは部分和ビツトを計
算してその出力節点1007に印加する。この部
分和ビツトは、ioビツトをインバータ1006
で反転したビツトとともに第2の排他的ノアゲー
ト1002に印加され、この第2の半加算器が和
ビツトSを計算する。
桁の被加数及び加数ビツトA1及びA2を受信す
る。ビツトA1及びA2は桁上げ出力論理回路の
トランジスタQ3及びQ4のゲートに印加され
る。A1及びA2がともに論理“1”レベルであ
ると、Q3及びQ4はともに導通状態となり、出
力端子は論理“0”レベルであるアース電位とな
る。よつて桁上げ出力論理回路はビツトA1及び
A2に対してナンド論理機能を果す。ビツトA1
及びA2は第1の排他的ノアゲート1001にも
印加されており、このゲートは部分和ビツトを計
算してその出力節点1007に印加する。この部
分和ビツトは、ioビツトをインバータ1006
で反転したビツトとともに第2の排他的ノアゲー
ト1002に印加され、この第2の半加算器が和
ビツトSを計算する。
節点1007における部分和ビツトは別のイン
バータ1008で反転されて伝送ゲートトランジ
スタQ1のゲートに印加される。部分和ビツトが
論理“0”レベルであると、Q1は導通状態とな
り、この段の入力端子におけるioビツトがこの
段の出力端子へ通過する。従つて、ビツトA1及
びA2が相互に逆の論理状態にあると、第1の排
他的ノアゲート1001とインバータ1008と
の組合せによつてQ1のゲートには論理“1”レ
ベルが印加され、ioビツトは入力から出力へ通
過する。
バータ1008で反転されて伝送ゲートトランジ
スタQ1のゲートに印加される。部分和ビツトが
論理“0”レベルであると、Q1は導通状態とな
り、この段の入力端子におけるioビツトがこの
段の出力端子へ通過する。従つて、ビツトA1及
びA2が相互に逆の論理状態にあると、第1の排
他的ノアゲート1001とインバータ1008と
の組合せによつてQ1のゲートには論理“1”レ
ベルが印加され、ioビツトは入力から出力へ通
過する。
桁上げ回路の各段を伝搬する桁上げ信号は主と
してトランジスタQ1の導通時抵抗から成る直列
抵抗と、主としてQ1のゲート・チヤネル間容
量、インバータ1006の入力容量、及びQ1の
ソース・ドレイン間、Q2のソース、及びQ3の
ドレインに付随する浮遊容量からなるアースに対
する並列静電容量とに遭遇する。各段における直
列抵抗と並列容量のために、桁上げ反転ビツトに
伝搬遅延を生じ、これは桁上げ回路の段数がふえ
るに従つて大きくなる。桁上げの伝搬は桁上げ回
路が動作中である一定の時間内にのみ行われるた
め、桁上げ反転ビツトが桁上げ回路の多くの段を
伝搬するのに必要な時間が一定の時間を越えてし
まい、桁上げ反転ビツトがこれらの段を伝搬した
後ではその完全な論理レベルを伝える前に上記一
定の時間が終了してしまう可能性がある。この結
果桁上げ反転ビツトの伝搬中の減衰を生じ、長い
桁上げ回路では桁上げ反転ビツトの桁上げ信号の
論理レベルが劣化し、これを受信する加算部で正
しく検出できない可能性がある。従つて、桁上げ
信号の伝搬遅延によつて、最小動作時間間隔と桁
上げ回路の最大段数とに制限が加えられてしま
う。
してトランジスタQ1の導通時抵抗から成る直列
抵抗と、主としてQ1のゲート・チヤネル間容
量、インバータ1006の入力容量、及びQ1の
ソース・ドレイン間、Q2のソース、及びQ3の
ドレインに付随する浮遊容量からなるアースに対
する並列静電容量とに遭遇する。各段における直
列抵抗と並列容量のために、桁上げ反転ビツトに
伝搬遅延を生じ、これは桁上げ回路の段数がふえ
るに従つて大きくなる。桁上げの伝搬は桁上げ回
路が動作中である一定の時間内にのみ行われるた
め、桁上げ反転ビツトが桁上げ回路の多くの段を
伝搬するのに必要な時間が一定の時間を越えてし
まい、桁上げ反転ビツトがこれらの段を伝搬した
後ではその完全な論理レベルを伝える前に上記一
定の時間が終了してしまう可能性がある。この結
果桁上げ反転ビツトの伝搬中の減衰を生じ、長い
桁上げ回路では桁上げ反転ビツトの桁上げ信号の
論理レベルが劣化し、これを受信する加算部で正
しく検出できない可能性がある。従つて、桁上げ
信号の伝搬遅延によつて、最小動作時間間隔と桁
上げ回路の最大段数とに制限が加えられてしま
う。
次に、第2図は、チエーン形桁上げ回路におけ
る桁上げ信号の減衰の問題に対する従来技術によ
る解決方法をブロツク図で示している。ブロツク
2001乃至2005は桁上げ回路におけるN段
を表わしており、各段は第1図に示した桁上げ回
路段1003の構成を取つている。桁上げ回路は
3つの段グループに分割され、各グループの後に
は非反転バツフアアンプが設けられ、桁上げ信号
をその完全な論理レベルに戻すことによつて、桁
上げ信号の減衰の問題を解決している。このバツ
フアアンプは通常2つのインバータを直列接続す
る構成のため、2つの論理ゲートに相当する伝搬
遅延を発生する。この桁上げ回路全体での遅延
は、各グループでの遅延がバツフアアンプの遅延
にほぼ等しくなるよう各グループの段数を選択す
ることによつて最小化される。よつて、最適化さ
れた回路のバツフアアンプは桁上げ回路の遅延の
ほぼ半分を発生することになる。
る桁上げ信号の減衰の問題に対する従来技術によ
る解決方法をブロツク図で示している。ブロツク
2001乃至2005は桁上げ回路におけるN段
を表わしており、各段は第1図に示した桁上げ回
路段1003の構成を取つている。桁上げ回路は
3つの段グループに分割され、各グループの後に
は非反転バツフアアンプが設けられ、桁上げ信号
をその完全な論理レベルに戻すことによつて、桁
上げ信号の減衰の問題を解決している。このバツ
フアアンプは通常2つのインバータを直列接続す
る構成のため、2つの論理ゲートに相当する伝搬
遅延を発生する。この桁上げ回路全体での遅延
は、各グループでの遅延がバツフアアンプの遅延
にほぼ等しくなるよう各グループの段数を選択す
ることによつて最小化される。よつて、最適化さ
れた回路のバツフアアンプは桁上げ回路の遅延の
ほぼ半分を発生することになる。
さらに、バツフアアンプは集積回路上の面積も
増加させる。この増加はバツフアアンプ自体の余
分な回路素子の面積のみならず、同一の段からな
る桁上げ回路の簡単さが失われることによる増加
も大きい。
増加させる。この増加はバツフアアンプ自体の余
分な回路素子の面積のみならず、同一の段からな
る桁上げ回路の簡単さが失われることによる増加
も大きい。
次に第3図は、改善された桁上げ回路の1段3
001を含む並列加算器の一部3000の回路図
を示している。第1図と第3図で同等の参照記号
は対応する素子を示している。加算器部はデプレ
シヨンモードの負荷トランジスタを用いたnチヤ
ネルMOS技術によつて実現されている。排他的
ノアゲート1001及び1002はインバータ1
008とともに公知の構成をとつている。この桁
上げ回路の改善点は、ioビツトの論理“0”レ
ベルをこの場合アースレベルである完全な値にす
るために、トランジスタQ10,Q11,Q1
2,及びQ13から成る再生回路を各段に付加し
たことである。各段の入力端子は、桁上げ回路が
動作状態になる前に直前の段の負荷トランジスタ
によつて実質的にVDDに等しい値に予備充電さ
れるために、io信号の論理“1”レベルに関し
ては再生を必要としない。
001を含む並列加算器の一部3000の回路図
を示している。第1図と第3図で同等の参照記号
は対応する素子を示している。加算器部はデプレ
シヨンモードの負荷トランジスタを用いたnチヤ
ネルMOS技術によつて実現されている。排他的
ノアゲート1001及び1002はインバータ1
008とともに公知の構成をとつている。この桁
上げ回路の改善点は、ioビツトの論理“0”レ
ベルをこの場合アースレベルである完全な値にす
るために、トランジスタQ10,Q11,Q1
2,及びQ13から成る再生回路を各段に付加し
たことである。各段の入力端子は、桁上げ回路が
動作状態になる前に直前の段の負荷トランジスタ
によつて実質的にVDDに等しい値に予備充電さ
れるために、io信号の論理“1”レベルに関し
ては再生を必要としない。
再生回路は、トランジスタQ10,Q11及び
Q13から成るノアゲートを含み、φ及びio信
号を受信して節点A及びQ12のゲートにおいて
ノア論理機能を果す。このノアゲートはioビツ
トを反転して第2の排他的ノアゲート1002へ
印加する働きもする。桁上げ回路が動作状態でな
く、φが論理“1”レベルにあると、Q11が導
通状態となり節点Aをアースレベルにするととも
に、Q12を非導通状態にする。桁上げ回路が動
作状態になつてφが論理“0”レベルになり、ま
たioが論理“1”レベルにあると、Q11はそ
の非導通状態となるが、Q10は導通状態とな
る。この条件のもとでは、節点Aは実質的にアー
スレベルのままであり、Q12は非導通のままと
なる。しかし、桁上げ回路が動作状態である時
に、ioが充分低レベルになると、Q10のコン
ダクタンスが減少しQ13は節点Aを高いレベル
に引き上げ、Q12はその導通状態となる。これ
により入力端子1004はQ12によつて論理
“0”レベルの最下限である実質的なアースレベ
ルにまで引き下げられる。よつて、入力端子の信
号レベルが、ノアゲートの論理“0”スイツチン
グしきい値レベルよりも小さくなると、再生回路
は信号レベルを実質的なアースレベルに引き下げ
る。このノアゲートの論理“0”スイツチングし
きい値は、トランジスタQ13及びQ10の相互
コンダクタンスβの比によつて決定され、この値
は、論理“0”状態に対して望ましいしきい値レ
ベルを与えるよう調整することができる。
Q13から成るノアゲートを含み、φ及びio信
号を受信して節点A及びQ12のゲートにおいて
ノア論理機能を果す。このノアゲートはioビツ
トを反転して第2の排他的ノアゲート1002へ
印加する働きもする。桁上げ回路が動作状態でな
く、φが論理“1”レベルにあると、Q11が導
通状態となり節点Aをアースレベルにするととも
に、Q12を非導通状態にする。桁上げ回路が動
作状態になつてφが論理“0”レベルになり、ま
たioが論理“1”レベルにあると、Q11はそ
の非導通状態となるが、Q10は導通状態とな
る。この条件のもとでは、節点Aは実質的にアー
スレベルのままであり、Q12は非導通のままと
なる。しかし、桁上げ回路が動作状態である時
に、ioが充分低レベルになると、Q10のコン
ダクタンスが減少しQ13は節点Aを高いレベル
に引き上げ、Q12はその導通状態となる。これ
により入力端子1004はQ12によつて論理
“0”レベルの最下限である実質的なアースレベ
ルにまで引き下げられる。よつて、入力端子の信
号レベルが、ノアゲートの論理“0”スイツチン
グしきい値レベルよりも小さくなると、再生回路
は信号レベルを実質的なアースレベルに引き下げ
る。このノアゲートの論理“0”スイツチングし
きい値は、トランジスタQ13及びQ10の相互
コンダクタンスβの比によつて決定され、この値
は、論理“0”状態に対して望ましいしきい値レ
ベルを与えるよう調整することができる。
この再生回路は、桁上げ伝搬路に論理ゲートを
挿入することなく各段内で桁上げ信号を再生させ
る。遅延は、再生回路を接続したことによる入力
端子の静電容量の増加分だけ増加しているにすぎ
ない。従つて、桁上げ信号を再生するのにバツフ
アアンプを使用している回路より早い桁上げ伝搬
が達成される。
挿入することなく各段内で桁上げ信号を再生させ
る。遅延は、再生回路を接続したことによる入力
端子の静電容量の増加分だけ増加しているにすぎ
ない。従つて、桁上げ信号を再生するのにバツフ
アアンプを使用している回路より早い桁上げ伝搬
が達成される。
本発明の望ましい実施例では、同一の形の段を
持つ桁上げ回路の単純さによつて得られるレイア
ウト上の利点を得るために、桁上げ回路の各段に
再生回路が含まれている。しかし、多くの場合、
桁上げ信号の減衰の問題を解決するためにすべて
の段に桁上げ信号再生回路を設ける必要はなく、
桁上げ回路内の素子の数をへらすために減衰を一
定値以下に保つのに必要な数の段にのみ再生回路
を設ければ良い場合もある。通常、すべての段に
再生回路を設けるために必要とする面積は、同一
の段を持つ桁上げ回路の利点によつて節約される
ことが多い。
持つ桁上げ回路の単純さによつて得られるレイア
ウト上の利点を得るために、桁上げ回路の各段に
再生回路が含まれている。しかし、多くの場合、
桁上げ信号の減衰の問題を解決するためにすべて
の段に桁上げ信号再生回路を設ける必要はなく、
桁上げ回路内の素子の数をへらすために減衰を一
定値以下に保つのに必要な数の段にのみ再生回路
を設ければ良い場合もある。通常、すべての段に
再生回路を設けるために必要とする面積は、同一
の段を持つ桁上げ回路の利点によつて節約される
ことが多い。
場合によつては、桁上げ回路の各段に1つ以上
の伝送ゲートを設け、各伝送ゲートを桁上げ回路
の入力及び出力端子の間で直列接続することが望
しいこともある。
の伝送ゲートを設け、各伝送ゲートを桁上げ回路
の入力及び出力端子の間で直列接続することが望
しいこともある。
本発明の望ましい実施例では、桁上げ回路によ
つて伝搬される桁上げ信号は桁上げ反転ビツト
であるが、論理回路設計の業者にとつては、本発
明を修正して、伝搬される桁上げ信号を桁上げビ
ツトにすることは容量である。この場合には、再
生回路は劣化した論理“1”レベルをVDD電位
にまで再生するよう修正される。
つて伝搬される桁上げ信号は桁上げ反転ビツト
であるが、論理回路設計の業者にとつては、本発
明を修正して、伝搬される桁上げ信号を桁上げビ
ツトにすることは容量である。この場合には、再
生回路は劣化した論理“1”レベルをVDD電位
にまで再生するよう修正される。
当業者に取つては、上記及び他の修正及び変形
は容易であることは明らかである。例えば、回路
は、Pチヤネル金属―酸化物―半導体(PMOS)
技術やコンプリメンタリ・金属―酸化物―半導体
(CMOS)技術のような他の電界効果トランジス
タ技術によつても実現することができる。
は容易であることは明らかである。例えば、回路
は、Pチヤネル金属―酸化物―半導体(PMOS)
技術やコンプリメンタリ・金属―酸化物―半導体
(CMOS)技術のような他の電界効果トランジス
タ技術によつても実現することができる。
第1図は、チエーン形リツプル桁上げ発生回路
の1段を含む典型的な公知の並列2進加算器の一
部を示す回路図であり、第2図は桁上げ信号の論
理レベルを回復するためにバツフアアンプを用い
た公知のチエーン形桁上げ回路を示すブロツク図
であり、第3図は本発明を実現するチエーン形リ
ツプル桁上げ発生回路の1段を含む並列2進加算
器の一部を示す回路図である。 主要部分の符号の説明、入力端子…第3図の入
力端子1004、出力端子…第3図の出力端子1
005、段…第3図の段3001、伝送ゲート手
段…第3図のトランジスタQ1、再生手段…第3
図のトランジスタQ10,Q11,Q12,Q1
3、第1の信号…第3図の信号φ、負荷手段…第
3図のトランジスタQ2、第2の信号…第3図の
信号A1、第3の信号…第3図の信号A2、第1
の論理手段…第3図のトランジスタQ3,Q4、
第2の論理手段…第3図のゲート1001及びイ
ンバータ1008、第3の論理手段…第3図のト
ランジスタQ10,Q11、スイツチング手段…
第3図のトランジスタQ12、第1の供給端子…
第3図のアース端子、ナンド機能を与える手段…
第3図のトランジスタQ3,Q4、排他的論理和
機能を与える手段…第3図のゲート1001及び
インバータ1008、ノア機能を与える手段…第
3図のトランジスタQ10,Q11、第2の供給
端子…第3図のVDD端子、第1のFET…第3図
のトランジスタQ2、第2のFET…第3図のト
ランジスタQ1、第3のFET…第3図のトラン
ジスタQ12。
の1段を含む典型的な公知の並列2進加算器の一
部を示す回路図であり、第2図は桁上げ信号の論
理レベルを回復するためにバツフアアンプを用い
た公知のチエーン形桁上げ回路を示すブロツク図
であり、第3図は本発明を実現するチエーン形リ
ツプル桁上げ発生回路の1段を含む並列2進加算
器の一部を示す回路図である。 主要部分の符号の説明、入力端子…第3図の入
力端子1004、出力端子…第3図の出力端子1
005、段…第3図の段3001、伝送ゲート手
段…第3図のトランジスタQ1、再生手段…第3
図のトランジスタQ10,Q11,Q12,Q1
3、第1の信号…第3図の信号φ、負荷手段…第
3図のトランジスタQ2、第2の信号…第3図の
信号A1、第3の信号…第3図の信号A2、第1
の論理手段…第3図のトランジスタQ3,Q4、
第2の論理手段…第3図のゲート1001及びイ
ンバータ1008、第3の論理手段…第3図のト
ランジスタQ10,Q11、スイツチング手段…
第3図のトランジスタQ12、第1の供給端子…
第3図のアース端子、ナンド機能を与える手段…
第3図のトランジスタQ3,Q4、排他的論理和
機能を与える手段…第3図のゲート1001及び
インバータ1008、ノア機能を与える手段…第
3図のトランジスタQ10,Q11、第2の供給
端子…第3図のVDD端子、第1のFET…第3図
のトランジスタQ2、第2のFET…第3図のト
ランジスタQ1、第3のFET…第3図のトラン
ジスタQ12。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 入力端子1004と出力端子1005とをそ
の各々が有する複数の段であつて、最終段を除く
各段の出力端子が次段の入力端子へ結合されてい
るものである複数の段; 第1と第2の信号A1,A2を夫々が受信する
第1と第2の端子; 第1の所定レベルでの電位を受信する第3の端
子; クロツク信号φを受信するクロツク端子; 該出力端子に結合され該クロツク信号に応答し
て該出力端子を第2の所定レベルに制御可能に設
定する負荷手段Q2; 該入力と出力端子との間に直列に結合された導
通路と制御電極とを有する伝送ゲート手段であつ
て、該制御電極に印加された制御信号に応答して
該導通路間に低抵抗を提供する伝送ゲート手段Q
1; 該出力端子に結合され、該第1と第2の信号に
応答して該出力端子に桁上げ信号を提供する第1
の論理手段Q3,Q4; 該伝送ゲート手段の制御電極に結合され該第1
と第2の信号に応答して該制御信号を提供する第
2の論理手段1001,1008、及び 該入力端子での桁上げ信号CINに応答して該ク
ロツク信号のないとき、作動信号Aを発生する第
3の論理手段Q10,Q11,Q13と該入力端
子に結合され該作動信号に応答して該入力端子を
該第3の端子へ結合するスイツチング手段Q12
とを含む再生回路とからなる桁上げ回路。 2 特許請求の範囲第1項に記載の桁上げ回路に
おいて、 各段にあつて該第1の論理手段Q3,Q4は該
出力端子にナンド機能を提供する手段を含み、そ
して該第2の論理手段は1001,1008は該
伝送ゲート手段Q1の制御電極に排他的論理和機
能を提供する手段を含み、 該再生手段にあつて該第3の論理手段Q10,
Q11,Q13は該スイツチ手段にノア機能を提
供する手段を含んでいる桁上げ回路。 3 特許請求の範囲第2項に記載の桁上げ回路に
おいて、 各段にあつて該第2の所定のレベル(VDDの電
位を受信する第4の端子が設けられており、該負
荷手段が該第4の端子と該出力端子1005との
間に直列に結合された導通チヤネルと該クロツク
端子に結合されたゲート電極とを有する第1の電
界効果トランジスタQ2を含み、該伝送ゲート手
段は該入力と出力端子1004,1005との間
の導通チヤネルと該排他的論理和機能を提供する
手段1008とに結合されたゲート電極とを有す
る第2の電界効果トランジスタQ1を含んでお
り、該再生手段にあつて該スイツチ手段は該入力
端子1004と該第3の端子との間に結合された
導通チヤネルと該ノア機能を提供する手段Q1
0,Q11,Q13に結合されたゲート電極とを
有する第3の電界効果トランジスタを含むもので
ある桁上げ回路。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US06/175,056 US4357675A (en) | 1980-08-04 | 1980-08-04 | Ripple-carry generating circuit with carry regeneration |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5752945A JPS5752945A (en) | 1982-03-29 |
JPH0221013B2 true JPH0221013B2 (ja) | 1990-05-11 |
Family
ID=22638673
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56120806A Granted JPS5752945A (en) | 1980-08-04 | 1981-08-03 | Carry circuit |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4357675A (ja) |
JP (1) | JPS5752945A (ja) |
CA (1) | CA1167936A (ja) |
DE (1) | DE3130330A1 (ja) |
FR (1) | FR2488006B1 (ja) |
GB (1) | GB2081945B (ja) |
NL (1) | NL8103665A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03108515U (ja) * | 1990-02-23 | 1991-11-07 |
Families Citing this family (21)
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WO2009015296A1 (en) | 2007-07-24 | 2009-01-29 | The Regents Of The University Of California | Microfabricated dropley generator |
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- 1981-07-29 CA CA000382753A patent/CA1167936A/en not_active Expired
- 1981-07-30 FR FR8114859A patent/FR2488006B1/fr not_active Expired
- 1981-07-31 DE DE19813130330 patent/DE3130330A1/de not_active Withdrawn
- 1981-08-03 JP JP56120806A patent/JPS5752945A/ja active Granted
- 1981-08-03 GB GB8123739A patent/GB2081945B/en not_active Expired
- 1981-08-03 NL NL8103665A patent/NL8103665A/nl not_active Application Discontinuation
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Also Published As
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CA1167936A (en) | 1984-05-22 |
US4357675A (en) | 1982-11-02 |
DE3130330A1 (de) | 1982-04-15 |
GB2081945A (en) | 1982-02-24 |
NL8103665A (nl) | 1982-03-01 |
FR2488006A1 (fr) | 1982-02-05 |
JPS5752945A (en) | 1982-03-29 |
GB2081945B (en) | 1984-06-27 |
FR2488006B1 (fr) | 1988-07-22 |
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