JPH02203519A - 化合物半導体結晶の成長方法 - Google Patents
化合物半導体結晶の成長方法Info
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- JPH02203519A JPH02203519A JP2086589A JP2086589A JPH02203519A JP H02203519 A JPH02203519 A JP H02203519A JP 2086589 A JP2086589 A JP 2086589A JP 2086589 A JP2086589 A JP 2086589A JP H02203519 A JPH02203519 A JP H02203519A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、有機金属気相成長法により、１ｇドープ化合
物半導体層及びＭｇをドープしない化合物半導体層を積
層する結晶成長方法に関する。
物半導体層及びＭｇをドープしない化合物半導体層を積
層する結晶成長方法に関する。
（従来の技術）
有機金属気相成長法（ＯＭＶＰＥ法）は、有機金属化合
物と金属水素化合物を反応炉の中で熱分解させることに
より、基板結晶上に薄膜の単結晶を成長させる方法であ
る。この方法は、超薄膜の多層構造の形成が容易であり
、量産性も高いので、化合物半導体を用いたヘテロ接合
デバイス用ウェハの作製に用いられている。ヘテロ接合
デバイスの巾でも、ヘテロ・バイポーラ・トランジスタ
（ｉｆ Ｂ Ｔ ）は超高速で動作するので、盛んに開
発されている。
物と金属水素化合物を反応炉の中で熱分解させることに
より、基板結晶上に薄膜の単結晶を成長させる方法であ
る。この方法は、超薄膜の多層構造の形成が容易であり
、量産性も高いので、化合物半導体を用いたヘテロ接合
デバイス用ウェハの作製に用いられている。ヘテロ接合
デバイスの巾でも、ヘテロ・バイポーラ・トランジスタ
（ｉｆ Ｂ Ｔ ）は超高速で動作するので、盛んに開
発されている。
第３図は、ＨＢＴの１例を示す断面構造図である。この
ＨＢＴは、半絶縁性ＧａＡｓ基板６０の上にｎ”−Ｇａ
Ａｓ層６１及びｎ−ＧａＡｓ６２を積層し、さらにその
上にｐ”−ＧａＡｓのベース層６３及びｎ−ＡｌＧａＡ
ｓのエミツタ層６４を積層してｐｎ接合を形成する。コ
レクタ電極６６はｎ−ＧａＡｓ層６２の上に、ベース電
極６７はベース層６３の上に、エミブタ電極６８はエミ
ツタ層６３の上に積層したｒ＋−ＧａＡｓ層６５上に形
成する。
ＨＢＴは、半絶縁性ＧａＡｓ基板６０の上にｎ”−Ｇａ
Ａｓ層６１及びｎ−ＧａＡｓ６２を積層し、さらにその
上にｐ”−ＧａＡｓのベース層６３及びｎ−ＡｌＧａＡ
ｓのエミツタ層６４を積層してｐｎ接合を形成する。コ
レクタ電極６６はｎ−ＧａＡｓ層６２の上に、ベース電
極６７はベース層６３の上に、エミブタ電極６８はエミ
ツタ層６３の上に積層したｒ＋−ＧａＡｓ層６５上に形
成する。
このようなＨＢＴの特性は、ベース層６３とエミツタ層
６４の間のｐｎ接合の急峻性に大きく左右され、ｐｎ接
合界面が急峻であるは゛ど優れた特性を得ることができ
る。
６４の間のｐｎ接合の急峻性に大きく左右され、ｐｎ接
合界面が急峻であるは゛ど優れた特性を得ることができ
る。
従来、ＯＭＶＰＥ法ではｐ型ドーパントとしてＺｎが用
いられてきたが、Ｚｎは拡散係数が大きいため、成長中
にベース領域からエミ、ツタ領域への拡散を避けること
ができず、急峻なｐｎ接合を得ることができないという
間習があった。分子線エピタキシャルｍ （ＭＢＥ法＞
テは、拡散係数の小さなりｅが一般的に用いられている
が、０ｔＶＰＥ法では安全性の観点から、Ｂｅを用いる
ことは困難である。そのため、Ｚｎに比べて拡散係数が
５桁程度小さいＭｇ元素がドーパントとして検討されて
いる。
いられてきたが、Ｚｎは拡散係数が大きいため、成長中
にベース領域からエミ、ツタ領域への拡散を避けること
ができず、急峻なｐｎ接合を得ることができないという
間習があった。分子線エピタキシャルｍ （ＭＢＥ法＞
テは、拡散係数の小さなりｅが一般的に用いられている
が、０ｔＶＰＥ法では安全性の観点から、Ｂｅを用いる
ことは困難である。そのため、Ｚｎに比べて拡散係数が
５桁程度小さいＭｇ元素がドーパントとして検討されて
いる。
このようなＭｇドーパントの原料としては、ビスシクロ
ペンタジェニルマグネシウム（ＣｐｔＭｇ）又はビスメ
チルシクロペンタジェニルマグネシウム（ｙｔｃｐｒｙ
ｇ）を用いることができる。これらの原料は、液体又は
固体の有機金属化合物であり、キャリアガスである水素
によって、化合物半導体の原料である有機金属化合物及
び金属水素化物とともに反応管内に導入され、基板結晶
上で熱分解されて結晶中に取り込まれる。
ペンタジェニルマグネシウム（ＣｐｔＭｇ）又はビスメ
チルシクロペンタジェニルマグネシウム（ｙｔｃｐｒｙ
ｇ）を用いることができる。これらの原料は、液体又は
固体の有機金属化合物であり、キャリアガスである水素
によって、化合物半導体の原料である有機金属化合物及
び金属水素化物とともに反応管内に導入され、基板結晶
上で熱分解されて結晶中に取り込まれる。
第４図は、このようなＯＭＶＰＥ法を実施するだめの装
置の概念図である。反応管１にはサセプタ２が設けられ
、サセプタ２の上には基板結晶３が置かれている。反応
管１の周囲に１？Ｆコイル４が設けられている。キャリ
アガスの水素ガスは、配管５１より導入され、流量計２
２を介し配管５２を経て反応管１に供給するとともに、
流量計２１を介し配管５３を経て排気管５９より糸外に
排気される。■族元素の原料であるＡ８Ｈ３は、容器１
１に収容されており、圧力調整器３１、流量計２３、配
管５６及びバルブ３８を経て、配管５２から反応管ｌに
供給するとともに、配管５６から分岐したバルブ３９を
介して配管５３から排気管５９を経て排気される。ｍ族
元素の原料であるトリメチルガリウム（ＴＭＧ）は、容
器１２に収容され、キャリアガスの水素ガスを配管５１
及び５４と流量計２４、バルブ３２を経てトリメチルガ
リウム中に吹き込み、水素ガスに随伴させてバルブ３３
及び配管５７を介し、さらに、バルブ４０及び配管５２
を経て反応管１に供給するとともに、バルブ４１及び配
管５３から排気管５９を経て排気可能とする。ドーパン
トのＭｇ元素の原料であるＣｐｔＭｇは容器１３に収容
され、配管５１及び５５と流量計２５、バルブ３５を介
して導入される水素ガスにより搬送され、バルブ３６、
配管５８、バルブ４２及び配管５２を介して反応管１に
供給するとともに、配管５８から分岐したバルブ４３を
介して配管５３及び排気管５９を経て排気可能とする。
置の概念図である。反応管１にはサセプタ２が設けられ
、サセプタ２の上には基板結晶３が置かれている。反応
管１の周囲に１？Ｆコイル４が設けられている。キャリ
アガスの水素ガスは、配管５１より導入され、流量計２
２を介し配管５２を経て反応管１に供給するとともに、
流量計２１を介し配管５３を経て排気管５９より糸外に
排気される。■族元素の原料であるＡ８Ｈ３は、容器１
１に収容されており、圧力調整器３１、流量計２３、配
管５６及びバルブ３８を経て、配管５２から反応管ｌに
供給するとともに、配管５６から分岐したバルブ３９を
介して配管５３から排気管５９を経て排気される。ｍ族
元素の原料であるトリメチルガリウム（ＴＭＧ）は、容
器１２に収容され、キャリアガスの水素ガスを配管５１
及び５４と流量計２４、バルブ３２を経てトリメチルガ
リウム中に吹き込み、水素ガスに随伴させてバルブ３３
及び配管５７を介し、さらに、バルブ４０及び配管５２
を経て反応管１に供給するとともに、バルブ４１及び配
管５３から排気管５９を経て排気可能とする。ドーパン
トのＭｇ元素の原料であるＣｐｔＭｇは容器１３に収容
され、配管５１及び５５と流量計２５、バルブ３５を介
して導入される水素ガスにより搬送され、バルブ３６、
配管５８、バルブ４２及び配管５２を介して反応管１に
供給するとともに、配管５８から分岐したバルブ４３を
介して配管５３及び排気管５９を経て排気可能とする。
このように化合物半導体の原料であるＡｓＨｓ、トリメ
チルガリウム及び０９２１１１ｇが水素ガスとともに反
応管に導入され、加熱された基板結晶３上で熱分解され
、Ｍｇドープ化合物半導体結晶を成長させる。所定の厚
みのｐ型化合吻半導体層を形成した後、アンドープ化合
物半導体結晶を成長させるときには、バルブ４３を開放
し、バルブ４２を閉鎖することにより、Ｃｐ ｔ Ｍｇ
ガスは系外に排気される。
チルガリウム及び０９２１１１ｇが水素ガスとともに反
応管に導入され、加熱された基板結晶３上で熱分解され
、Ｍｇドープ化合物半導体結晶を成長させる。所定の厚
みのｐ型化合吻半導体層を形成した後、アンドープ化合
物半導体結晶を成長させるときには、バルブ４３を開放
し、バルブ４２を閉鎖することにより、Ｃｐ ｔ Ｍｇ
ガスは系外に排気される。
この装置では、Ｍｇ原料として用いる有機金属化合物が
室温状態の配管や反応管の内壁に吸着されるため、Ｍｇ
原料を反応管に供給を開始しても、内壁への吸着が飽和
するまで、化合前半導体へのドーピング量が一定になら
ず、また、Ｍｇ原料を反応管から排気管に切り換えた後
も、配管や反応管の内壁に吸着したＭｇ原料が徐々に脱
離して基板結晶表面に運ばれるために、Ｍｇ元素が引き
続きドーピングされる。
室温状態の配管や反応管の内壁に吸着されるため、Ｍｇ
原料を反応管に供給を開始しても、内壁への吸着が飽和
するまで、化合前半導体へのドーピング量が一定になら
ず、また、Ｍｇ原料を反応管から排気管に切り換えた後
も、配管や反応管の内壁に吸着したＭｇ原料が徐々に脱
離して基板結晶表面に運ばれるために、Ｍｇ元素が引き
続きドーピングされる。
それ故、Ｍｇ元素のドーピングによりｐ型半導体を形成
しようとするときに、急峻なドーピング・プロファイル
を得ることができないという問題があった。
しようとするときに、急峻なドーピング・プロファイル
を得ることができないという問題があった。
このような問題を解決するために、Ｊ、 Ｃｒｙｓｔ。
Ｇｒｏｗｔｈ、 Ｖｏｌ、 ７７ ｐ、 ３７〜４１（
１９８６）、 Ｍ、 １． Ｔｉｍｍｏｎｓｅｔ ａｔ
、では、原料ガスの切換バルブを反応管に近ずける工夫
をしている。しかし、これによりドーピング・プロファ
イルの立ち上がりを若干改善することができたが、立ち
下がりは改善されなかった。
１９８６）、 Ｍ、 １． Ｔｉｍｍｏｎｓｅｔ ａｔ
、では、原料ガスの切換バルブを反応管に近ずける工夫
をしている。しかし、これによりドーピング・プロファ
イルの立ち上がりを若干改善することができたが、立ち
下がりは改善されなかった。
また、Ｊ、 Ｅｌｅｃｔｒｏｎ、 Ｍａｔｅｒ、 Ｖｏ
ｌ、 １７ ｐ、 ３１ｆ〜３１４（１９８ｇ）、Ｍ、
Ｒａ５ｋ ｅｔ ａｌ、では、■ドーピング層を形成す
る前後で成長を中断することにより、プロファイルの急
峻性を改善しようとしているが、立ち下がり部で正孔密
度の差が約２桁に止どまっている。
ｌ、 １７ ｐ、 ３１ｆ〜３１４（１９８ｇ）、Ｍ、
Ｒａ５ｋ ｅｔ ａｌ、では、■ドーピング層を形成す
る前後で成長を中断することにより、プロファイルの急
峻性を改善しようとしているが、立ち下がり部で正孔密
度の差が約２桁に止どまっている。
このような立ち下がり部の改善は、ＨＢＴのようにｐ層
の上にｎ層を積層する場合には、特に大きな問題となる
。
の上にｎ層を積層する場合には、特に大きな問題となる
。
本発明は、上記の間型を解消し、Ｍｇドープ化合物半導
体層を有する結晶成長を行うときに、ｐ層の前後で急峻
なドーピング・プロ・ファイルを得ることのできる化合
物半導体結晶の成長方法を提供しようとするものである
。
体層を有する結晶成長を行うときに、ｐ層の前後で急峻
なドーピング・プロ・ファイルを得ることのできる化合
物半導体結晶の成長方法を提供しようとするものである
。
（課題を解決するための手段）
本発明は、（■）基板結晶上にＭｇドープ化合物半導体
層さらに輩ｇをドープしない化合物半導体層を気相成長
させる方法において、Ｍｇドープ化合物半導体層を形成
した後、基板結晶温度を上昇させてＭｇをドープしない
化合物半導体層を形成することを特徴とする化合物半導
体結晶の成長方法、及び、（２）ｊｉｇドープ化合官半
導体層を形成した後、ｍ族元素原料の供給を停止して気
相成長を中断してから、基板結晶温度を上昇させ、ｍ族
元素原料を再び供給して高温の基板結晶にＭｇをドープ
しない化合前半導体を気相成長させることを特徴とする
上記（１）記載の化合物半導体結晶の成長方法である。
層さらに輩ｇをドープしない化合物半導体層を気相成長
させる方法において、Ｍｇドープ化合物半導体層を形成
した後、基板結晶温度を上昇させてＭｇをドープしない
化合物半導体層を形成することを特徴とする化合物半導
体結晶の成長方法、及び、（２）ｊｉｇドープ化合官半
導体層を形成した後、ｍ族元素原料の供給を停止して気
相成長を中断してから、基板結晶温度を上昇させ、ｍ族
元素原料を再び供給して高温の基板結晶にＭｇをドープ
しない化合前半導体を気相成長させることを特徴とする
上記（１）記載の化合物半導体結晶の成長方法である。
（作用）
本発明者等は、一定量のＭｇ原料を流した状態で成長温
度を変化させるときに、高温でＭｇのドーピング効率が
低くなることに気付き、Ｍｇドーピングの成長温度依存
性に着目して本発明の成長方法を発明するに至った。即
ち、本発明は、Ｍｇドープ化合物半導体層形成後、基板
結晶の温度を上昇させ、成長温度を高くすることにより
、内壁より脱離してくるＭｇ原料からの口の結晶への取
り込みを抑制しようとするものである。１１１ｇドーピ
ング時とアンド−ピング時の成長温度の差は、大きいほ
どＭｇの取り込みが減少するが、アンド−ピング時の成
長温度が余り高くすると１１１ｇドーピング層からのＭ
ｇの拡散が大きくなるので、温度差は５０〜１５０℃の
範囲が適当であり、特ニ８０−１００℃が好ましい。
度を変化させるときに、高温でＭｇのドーピング効率が
低くなることに気付き、Ｍｇドーピングの成長温度依存
性に着目して本発明の成長方法を発明するに至った。即
ち、本発明は、Ｍｇドープ化合物半導体層形成後、基板
結晶の温度を上昇させ、成長温度を高くすることにより
、内壁より脱離してくるＭｇ原料からの口の結晶への取
り込みを抑制しようとするものである。１１１ｇドーピ
ング時とアンド−ピング時の成長温度の差は、大きいほ
どＭｇの取り込みが減少するが、アンド−ピング時の成
長温度が余り高くすると１１１ｇドーピング層からのＭ
ｇの拡散が大きくなるので、温度差は５０〜１５０℃の
範囲が適当であり、特ニ８０−１００℃が好ましい。
この方法によりＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、 ＩｎＰ、Ｇ
ａＩｎＡｓ等のＩＩＩ−Ｖ族化合官半導体に急峻なＭｇ
ドーピング層を形成することができる。
ａＩｎＡｓ等のＩＩＩ−Ｖ族化合官半導体に急峻なＭｇ
ドーピング層を形成することができる。
（実施例）
第４図の装置を用いてＧａＡｓ基板上にアンドープＧａ
Ａｓ層、ＭｇドープＧａＡｓ層及びアンドープＧａＡｓ
層を積層した。予め反応管にアルシン（Ａｓ １１ ｓ
）ガスを流した状態で、ＧａＡｇ基板を成長温度の６
５０℃に加熱し、アンドープＧａＡｓ層を３ａ分間成長
させた。その後、ＴｋｌＧを排気管に切り換えてＧａＡ
ｓの成長を中断するとともに、予め排気管に流していた
Ｃ９２Ｍｇを反応管に導入し、２０分後にＴＭＧを排気
管から反応管に切り換えて１０分間ＭｇドープＧａＡｓ
層を成長させた。
Ａｓ層、ＭｇドープＧａＡｓ層及びアンドープＧａＡｓ
層を積層した。予め反応管にアルシン（Ａｓ １１ ｓ
）ガスを流した状態で、ＧａＡｇ基板を成長温度の６
５０℃に加熱し、アンドープＧａＡｓ層を３ａ分間成長
させた。その後、ＴｋｌＧを排気管に切り換えてＧａＡ
ｓの成長を中断するとともに、予め排気管に流していた
Ｃ９２Ｍｇを反応管に導入し、２０分後にＴＭＧを排気
管から反応管に切り換えて１０分間ＭｇドープＧａＡｓ
層を成長させた。
それから、ＴＭＧ及びＣｐ２Ｍｇをともに排気管に切り
換えて成長を中断し、成長温度を７３０℃に上げ、３０
分間成長を中断した。次いで、ＴｌｆＧを反応管に切り
換えてアンドープＧａＡｓ層を３０分間成長させ、再び
ＴＭＧを排気管に切り換え、基板温度を室温に戻して成
長を終了させた。
換えて成長を中断し、成長温度を７３０℃に上げ、３０
分間成長を中断した。次いで、ＴｌｆＧを反応管に切り
換えてアンドープＧａＡｓ層を３０分間成長させ、再び
ＴＭＧを排気管に切り換え、基板温度を室温に戻して成
長を終了させた。
この間の基板温度を第１図（ａ）に、ＡｓＨａ流量を（
ｂ）に、ＴＭＧ流量を（ｃ）に、ＣｐｔＭｇ流量を（ｄ
）に示すように制御した。
ｂ）に、ＴＭＧ流量を（ｃ）に、ＣｐｔＭｇ流量を（ｄ
）に示すように制御した。
成長したＧａＡｓの厚さ方向のキャリア密度をＣ−■測
定したところ、第１図（ｅ）のような急峻なＭｇドープ
ＧａＡｓ層が形成されたことが分かる。また、ドーピン
グ後のキャリア密度の立ち下がりは３桁以上低くなって
いた。
定したところ、第１図（ｅ）のような急峻なＭｇドープ
ＧａＡｓ層が形成されたことが分かる。また、ドーピン
グ後のキャリア密度の立ち下がりは３桁以上低くなって
いた。
比較のために、成長温度を６５０’Ｃに保ち、第２図（
ａ）〜（ｄ）に示すようにへｓｒｓ流量、ＴＭＧ流量及
びＣＩ）ｔＭｇ流量を制御することにより、上記と同様
にアンドープＧａＡｓ層、ｗｇドープＧａＡｓ層及びア
ンドープＧａＡｓ層を積層したところ、第２図（ｅ）に
みるようにｐ層のプロファイルが急峻でな（、特にドー
ピング後ｐ型のままでキャリア密度が高（なり、その後
のキャリア密度の低下も１桁に満たないものであった。
ａ）〜（ｄ）に示すようにへｓｒｓ流量、ＴＭＧ流量及
びＣＩ）ｔＭｇ流量を制御することにより、上記と同様
にアンドープＧａＡｓ層、ｗｇドープＧａＡｓ層及びア
ンドープＧａＡｓ層を積層したところ、第２図（ｅ）に
みるようにｐ層のプロファイルが急峻でな（、特にドー
ピング後ｐ型のままでキャリア密度が高（なり、その後
のキャリア密度の低下も１桁に満たないものであった。
（発明の効果）
本発明は、上記の構成を採用することにより、Ｍｇドー
ピング層形成時に比べてアンド−ピング層形成時の基板
結晶の温度を高くするというｖｔ￥１な温度操作で、急
峻な２層プロファイルを形成することができ、成長の中
断と組み合わせるときには一層の急峻なプロファイルを
得ることができた。
ピング層形成時に比べてアンド−ピング層形成時の基板
結晶の温度を高くするというｖｔ￥１な温度操作で、急
峻な２層プロファイルを形成することができ、成長の中
断と組み合わせるときには一層の急峻なプロファイルを
得ることができた。
第１図（ａ）〜（ｄ）は実施例の基板温度及び原料ガス
流量の経時的条件を示した図、第１図（ｅ）はそこで得
たｎｐｎ接合のブｃ７アイルを示した図、第２図（ａ）
〜（ｄ）は比較例の基板温度及び原料ガス流量の経時的
条件を示した図、第２図（ｅ）はそこで得たｎｐｎ接合
のプロファイルを示した図、第３図はＨＢＴの断面構造
図、第４図はＯＭＶＰＥ装置の概念図である。 基板力゛らのＭさ（μｍ） 基板からの厚み（μｍ）
流量の経時的条件を示した図、第１図（ｅ）はそこで得
たｎｐｎ接合のブｃ７アイルを示した図、第２図（ａ）
〜（ｄ）は比較例の基板温度及び原料ガス流量の経時的
条件を示した図、第２図（ｅ）はそこで得たｎｐｎ接合
のプロファイルを示した図、第３図はＨＢＴの断面構造
図、第４図はＯＭＶＰＥ装置の概念図である。 基板力゛らのＭさ（μｍ） 基板からの厚み（μｍ）
Claims (4)
- （１）基板結晶上にＭｇドープ化合物半導体層さらにＭ
ｇをドープしない化合物半導体層を気相成長させる方法
において、Ｍｇドープ化合物半導体層を形成した後、基
板結晶温度を上昇させてＭｇをドープしない化合物半導
体層を形成することを特徴とする化合物半導体結晶の成
長方法。 - （２）Ｍｇドープ化合物半導体層を形成した後、III族
元素原料の供給を停止して気相成長を中断してから、基
板結晶温度を上昇させ、III族元素原料を再び供給して
、高温の基板結晶にＭｇをドープしない化合物半導体を
気相成長させることを特徴とする請求項（１）記載の化
合物半導体結晶の成長方法。 - （３）Ｍｇドープ化合物半導体層を形成した後、基板結
晶温度を５０℃以上上昇させて、Ｍｇをドープしない化
合物半導体層を形成することを特徴とする請求項（１）
又は（２）記載の化合物半導体結晶の成長方法。 - （４）請求項（１）又は（２）又は（３）記載の成長方
法により、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＰ及びＧａＩ
ｎＡｓからなる群より選ばれる１種類以上の化合物半導
体結晶を気相成長させる方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2086589A JPH02203519A (ja) | 1989-02-01 | 1989-02-01 | 化合物半導体結晶の成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2086589A JPH02203519A (ja) | 1989-02-01 | 1989-02-01 | 化合物半導体結晶の成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02203519A true JPH02203519A (ja) | 1990-08-13 |
Family
ID=12039041
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2086589A Pending JPH02203519A (ja) | 1989-02-01 | 1989-02-01 | 化合物半導体結晶の成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02203519A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03150294A (ja) * | 1989-11-02 | 1991-06-26 | Nippon Mining Co Ltd | 化合物半導体の気相成長方法 |
| US5360760A (en) * | 1992-04-02 | 1994-11-01 | Nec Corporation | Vapor phase epitaxial growth method of a compound semiconductor |
-
1989
- 1989-02-01 JP JP2086589A patent/JPH02203519A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03150294A (ja) * | 1989-11-02 | 1991-06-26 | Nippon Mining Co Ltd | 化合物半導体の気相成長方法 |
| US5360760A (en) * | 1992-04-02 | 1994-11-01 | Nec Corporation | Vapor phase epitaxial growth method of a compound semiconductor |
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