JPH03150294A - 化合物半導体の気相成長方法 - Google Patents
化合物半導体の気相成長方法Info
- Publication number
- JPH03150294A JPH03150294A JP28661689A JP28661689A JPH03150294A JP H03150294 A JPH03150294 A JP H03150294A JP 28661689 A JP28661689 A JP 28661689A JP 28661689 A JP28661689 A JP 28661689A JP H03150294 A JPH03150294 A JP H03150294A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- growth
- semiconductor layer
- compound semiconductor
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 40
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 15
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 title claims description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 9
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims description 7
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 abstract description 11
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 abstract description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 49
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 10
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 2
- SDTHIDMOBRXVOQ-UHFFFAOYSA-N 5-[bis(2-chloroethyl)amino]-6-methyl-1h-pyrimidine-2,4-dione Chemical compound CC=1NC(=O)NC(=O)C=1N(CCCl)CCCl SDTHIDMOBRXVOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、エピタキシャル成長技術さらには不純物をド
ープした半導体層の気相成長技術に関し例えば■−ｖ族
化合物半導体のエピタキシャル成長方法に利用して有効
な技術に関する。
ープした半導体層の気相成長技術に関し例えば■−ｖ族
化合物半導体のエピタキシャル成長方法に利用して有効
な技術に関する。
［従来の技術］
従来、不純物をドーピングしたＧａＡｓ、ＧａＰ、Ｉｎ
Ｐ、ＩｎＡｓ等のｍ−ｖ族化合物半導体を基板上にエピ
タキシャル成長させる技術として液相エピタキシャル成
長法（ＬＰＥ）や気相エピタキシャル成長法（ＶＰＥ）
、有機金属熱分解法（ＭＯＣＶＤ） 、分子線エピタキ
シー（ＭＢＥ）等が開発されている。第３図にはこのう
ちＭＯＣＶＤ！置の概略構成を示す。
Ｐ、ＩｎＡｓ等のｍ−ｖ族化合物半導体を基板上にエピ
タキシャル成長させる技術として液相エピタキシャル成
長法（ＬＰＥ）や気相エピタキシャル成長法（ＶＰＥ）
、有機金属熱分解法（ＭＯＣＶＤ） 、分子線エピタキ
シー（ＭＢＥ）等が開発されている。第３図にはこのう
ちＭＯＣＶＤ！置の概略構成を示す。
すなわち、このＭＯＣＶＤ装置は、円筒状をなす石英製
の反応管ｌと、高周波コイル２とからなり、反応管１に
は成長用基板３を載置するゲラファイト製サセプタ４が
設けられ、サセプタ４上の基板３を高周波コイル２によ
って加熱できるように構成されている。
の反応管ｌと、高周波コイル２とからなり、反応管１に
は成長用基板３を載置するゲラファイト製サセプタ４が
設けられ、サセプタ４上の基板３を高周波コイル２によ
って加熱できるように構成されている。
一方、反応管ｌの上端には、原料ガスやドーパントガス
を基板３の上流に供給するためのガス導入管６ａ、６ｂ
、６ｃとが設けられている。上記ガス導入管６Ｃには第
１のガス供給路７ａと第２のガス供給路７ｂが接続され
ている。
を基板３の上流に供給するためのガス導入管６ａ、６ｂ
、６ｃとが設けられている。上記ガス導入管６Ｃには第
１のガス供給路７ａと第２のガス供給路７ｂが接続され
ている。
そして、ガス導入管６ａ、６ｂおよびガス供給路７ａ、
７ｂの途中にはマスフローコントローラ９ａ、９ｂ、９
ｃ、９ｄが、またガス供給路７ａの途中には■族元素の
有機化合物であるトリメチルインジムやトリメチルガリ
ウムの入ったバブラ８が介装されている。ガス供給路７
ａには、Ｈ。
７ｂの途中にはマスフローコントローラ９ａ、９ｂ、９
ｃ、９ｄが、またガス供給路７ａの途中には■族元素の
有機化合物であるトリメチルインジムやトリメチルガリ
ウムの入ったバブラ８が介装されている。ガス供給路７
ａには、Ｈ。
ガスが導入され、バブラ８内へＨ３ガスを吹き込むこと
によって原料とＨ，の混合ガスを反応管ｌ内に供給でき
るように構成されている。ガス導入管６ａはドーパント
ガス供給用に、まｈ、ガス導入管６ｂはＶ族元素の供給
用に使用される。そのため、ガス導入Ｗ６ａ、６ｂには
それぞれドーパントガスおよびＶ族元素の水素化物の入
ったボンベｌＯａ、ｌＯｂが接続されている。なお、バ
ブラ８は温度制御可能な恒温槽１２に入れ、温度を制御
することによって■族原料の蒸発量を制御するようにし
である。１１は反応ｇ１の下端に接続された排気管であ
る。
によって原料とＨ，の混合ガスを反応管ｌ内に供給でき
るように構成されている。ガス導入管６ａはドーパント
ガス供給用に、まｈ、ガス導入管６ｂはＶ族元素の供給
用に使用される。そのため、ガス導入Ｗ６ａ、６ｂには
それぞれドーパントガスおよびＶ族元素の水素化物の入
ったボンベｌＯａ、ｌＯｂが接続されている。なお、バ
ブラ８は温度制御可能な恒温槽１２に入れ、温度を制御
することによって■族原料の蒸発量を制御するようにし
である。１１は反応ｇ１の下端に接続された排気管であ
る。
［発明が解決しようとする課題］
従来、上記のような構成のＭＯＣＶＤ装置により高濃度
の不純物を添加した化合物半導体層をエピタキシャル成
長させると、半導体層が島状に成長し、基板表面に凹凸
が生じ、平滑性が悪くなるという欠点があった。
の不純物を添加した化合物半導体層をエピタキシャル成
長させると、半導体層が島状に成長し、基板表面に凹凸
が生じ、平滑性が悪くなるという欠点があった。
本発明は上記欠陥を解決すべくなされたもので、その目
的とするところは、不純物濃度の高い化合物半導体層を
気相成長法でエピタキシャル成長させる際に、半導体層
の平滑性を向上させることにある。
的とするところは、不純物濃度の高い化合物半導体層を
気相成長法でエピタキシャル成長させる際に、半導体層
の平滑性を向上させることにある。
［課題を解決するための手段］
本発明者は、高濃度の半導体層をエピタキシャル成長さ
せる場合に、表面の平滑性が損なわれる原因について考
察した。
せる場合に、表面の平滑性が損なわれる原因について考
察した。
その結果、従来第３図に示すようなＭＯＣＶＤ装置によ
り不純物を添加した■−ｖ族化合物半導体の気相成長を
行なう場合、各ガス導入管の長さの違いやガス導入部の
構造あるいは供給するガスの流量比によっては、エピタ
キシャル成長開始時にドーパントガスの方が原料ガスよ
りも早く基板表面に到達してしまうことがある。そして
その場合、ドーパント量が多いと成長開始時に結晶表面
の熱力学的に安定な格子位置を、不純物の原子が占めて
しまう確率が高くなる。その結果、本来、半導体層の構
成原子が占めるべき格子位置が失われ、３次元的に島状
に成長して結晶表面に凹凸を生じるようになることが分
かった。
り不純物を添加した■−ｖ族化合物半導体の気相成長を
行なう場合、各ガス導入管の長さの違いやガス導入部の
構造あるいは供給するガスの流量比によっては、エピタ
キシャル成長開始時にドーパントガスの方が原料ガスよ
りも早く基板表面に到達してしまうことがある。そして
その場合、ドーパント量が多いと成長開始時に結晶表面
の熱力学的に安定な格子位置を、不純物の原子が占めて
しまう確率が高くなる。その結果、本来、半導体層の構
成原子が占めるべき格子位置が失われ、３次元的に島状
に成長して結晶表面に凹凸を生じるようになることが分
かった。
本発明は、上記知見に基づいてなされたもので、化合物
半導体層のエピタキシャル成長に際し、不純物の導入開
始時期を遅らせて、半導体層が少なくとも１分子層以上
成長した後に、不純物の導入を開始させることを提案す
るものである。 ′なお、１分子層単位では厳密な制御
を必要とすること、及び半導体層の成長が安定して進行
するようになるのは通常数分子層以上成長した後である
ことから、望ましくは不純物の添加開始時期は半導体層
が数分子層以上、具体的には５分子層以上成長した後に
設定するのがよい。
半導体層のエピタキシャル成長に際し、不純物の導入開
始時期を遅らせて、半導体層が少なくとも１分子層以上
成長した後に、不純物の導入を開始させることを提案す
るものである。 ′なお、１分子層単位では厳密な制御
を必要とすること、及び半導体層の成長が安定して進行
するようになるのは通常数分子層以上成長した後である
ことから、望ましくは不純物の添加開始時期は半導体層
が数分子層以上、具体的には５分子層以上成長した後に
設定するのがよい。
一方、不純物の添加時期と半導体層成長開始時期の時間
差は長くするほど半導体層の表面状態の改善に寄与する
ことが予想される。しかるに、得られた半導体層の成長
方向のキャリア密度のプロファイルは、成長開始と同時
に不純物を添加した場合と同じプロファイルにしたいこ
とから、好ましくは不純物を添加しない層の厚みは数十
分子層以内にするのがよい。
差は長くするほど半導体層の表面状態の改善に寄与する
ことが予想される。しかるに、得られた半導体層の成長
方向のキャリア密度のプロファイルは、成長開始と同時
に不純物を添加した場合と同じプロファイルにしたいこ
とから、好ましくは不純物を添加しない層の厚みは数十
分子層以内にするのがよい。
［作用］
上記した手段によれば、反応管内基板近傍には半導体層
成長開始直後に不純物が存在しないため、基板表面の熱
力学的に安定な格子位置が不純物で占められることがな
く、すべての安定な格子位置が半導体層の構成原子によ
り占められるようになるため、半導体層が島状に成長し
て結晶表面の平滑性が損なわれるのを防止できる。
成長開始直後に不純物が存在しないため、基板表面の熱
力学的に安定な格子位置が不純物で占められることがな
く、すべての安定な格子位置が半導体層の構成原子によ
り占められるようになるため、半導体層が島状に成長し
て結晶表面の平滑性が損なわれるのを防止できる。
［実施例］
一例として、ＭＯＣＶＤ （有機金属熱分解法）法でＳ
ｉドープＩｎＰ層の気相成長を行なった。
ｉドープＩｎＰ層の気相成長を行なった。
成長用基板として、（１００）面を主面とするＩｎＰ基
板を用意し、これをＭＯＣＶＤ装置内に設置し、成長温
度６２５℃、圧カフ６Ｔｏｒｒの条件を設定した。原料
のＩｎ源としては（ＣＨ，）、 Ｉ ｎを、Ｐ源として
はＰＨ，、ドーパントのＳｉ源としてＳｉＨ，を用い、
（ＣＨ，） 、 Ｉ ｎはＨ８をキャリアガスとして、
各々マスフローコントローラで装置内に流量を制御しな
がら導入した。
板を用意し、これをＭＯＣＶＤ装置内に設置し、成長温
度６２５℃、圧カフ６Ｔｏｒｒの条件を設定した。原料
のＩｎ源としては（ＣＨ，）、 Ｉ ｎを、Ｐ源として
はＰＨ，、ドーパントのＳｉ源としてＳｉＨ，を用い、
（ＣＨ，） 、 Ｉ ｎはＨ８をキャリアガスとして、
各々マスフローコントローラで装置内に流量を制御しな
がら導入した。
第１図および第２図に、気相成長時の原料ガスの流量の
変化を、また第２図にそのときの基板温度の変化を示す
。
変化を、また第２図にそのときの基板温度の変化を示す
。
まず、Ｈｌガスをｌ ＯＱ ／ｗｉｎの割合で装置内に
導入して内部をＨｌガスで置換した後、ＰＨ，ガスを０
．５Ｑ／ｗｉｎの割合で供給して基板からのＰの解離を
防止しながら高周波誘導加熱でサセプタを昇温し、基板
が７００℃になった時点で昇温を停止した。この状態を
ｌＯ分程度保持することで基板表面の酸化膜を熱エッチ
ングで除去した。このとき上記ＰＨ，ガスの供給量は、
７００℃でＰの平衡蒸気圧以上となるように決定した。
導入して内部をＨｌガスで置換した後、ＰＨ，ガスを０
．５Ｑ／ｗｉｎの割合で供給して基板からのＰの解離を
防止しながら高周波誘導加熱でサセプタを昇温し、基板
が７００℃になった時点で昇温を停止した。この状態を
ｌＯ分程度保持することで基板表面の酸化膜を熱エッチ
ングで除去した。このとき上記ＰＨ，ガスの供給量は、
７００℃でＰの平衡蒸気圧以上となるように決定した。
その後Ｈ，ガスとＰＨ，ガスを流し続けたまま基板温度
６２５℃まで下げた。次に、基板温度を６２５℃に維持
しつつ原料ガスとしての（ＣＨｓ）、 Ｉ ｎをｌ×１
０−″ｇ／＠ｉｎの割合で導入した。（ＣＨ，）、 Ｉ
ｎガスの流量と半導体層の成長速度は比例するので、
成長速度がおよそ１μｍ／ｈｒとなるように（ＣＨ，）
、Ｉｎガスの流量を決定した、（ＣＨ，）、Ｉ ｎガス
導入開始後ｌＯ秒経過した時点１．でドーパントガスと
してのＳ ｉ Ｈ，ガスの導入を開始した。上記ｌＯ秒
はＩｎＰが１０分子層成長するのに要する時間に相当す
る。一方、ＩｎＰ成長層のキャリア密度はＳｉＨ，ガス
の流量に比例するので、キャリア密度がｌ Ｘ １０”
０１１−となるよう、ＳｉＨ。
６２５℃まで下げた。次に、基板温度を６２５℃に維持
しつつ原料ガスとしての（ＣＨｓ）、 Ｉ ｎをｌ×１
０−″ｇ／＠ｉｎの割合で導入した。（ＣＨ，）、 Ｉ
ｎガスの流量と半導体層の成長速度は比例するので、
成長速度がおよそ１μｍ／ｈｒとなるように（ＣＨ，）
、Ｉｎガスの流量を決定した、（ＣＨ，）、Ｉ ｎガス
導入開始後ｌＯ秒経過した時点１．でドーパントガスと
してのＳ ｉ Ｈ，ガスの導入を開始した。上記ｌＯ秒
はＩｎＰが１０分子層成長するのに要する時間に相当す
る。一方、ＩｎＰ成長層のキャリア密度はＳｉＨ，ガス
の流量に比例するので、キャリア密度がｌ Ｘ １０”
０１１−となるよう、ＳｉＨ。
ガスの流量を１ｘｌＯ−ｆｆｉ／鳳ｉｎとした。
比較のため、温度および圧力、ガス流量等の条件を上記
プロセスと同一にし、ドーパントガス（ＳｉＨ，）の導
入開始時期のみを、からシ、（成長用ガスの導入開始時
点）へ変えて従来法によるＳｉドーブＩｎＰ層の成長も
行なった。
プロセスと同一にし、ドーパントガス（ＳｉＨ，）の導
入開始時期のみを、からシ、（成長用ガスの導入開始時
点）へ変えて従来法によるＳｉドーブＩｎＰ層の成長も
行なった。
成長後の基板表面を光学顕微鏡で観察したところ、原料
ガス（ＣＨ，）、 Ｉ ｎの導入開始とドーパントガス
Ｓ ｉ Ｈ，の導入開始を同時に行なう従来方法でエピ
タキシャル成長した基板表面には島状の凹凸が観察され
た。これに対し、本実施例の方法でエピタキシャル成長
した基板表面には凹凸が見られす、平滑性の良好な基板
が得られた。
ガス（ＣＨ，）、 Ｉ ｎの導入開始とドーパントガス
Ｓ ｉ Ｈ，の導入開始を同時に行なう従来方法でエピ
タキシャル成長した基板表面には島状の凹凸が観察され
た。これに対し、本実施例の方法でエピタキシャル成長
した基板表面には凹凸が見られす、平滑性の良好な基板
が得られた。
なお、上記実施例ではＭＯＣＶＤ法によりＳｉドープＩ
ｎＰ層のエピタキシャル成長を行なったものについて説
明したが、ＩｎＰ以外の■−ｖ族化合物半導体層をエピ
タキシャル成長させる場合やＳｉ以外の不純物を添加す
る場合にも本発明を適用でき、同様の効果が得られる。
ｎＰ層のエピタキシャル成長を行なったものについて説
明したが、ＩｎＰ以外の■−ｖ族化合物半導体層をエピ
タキシャル成長させる場合やＳｉ以外の不純物を添加す
る場合にも本発明を適用でき、同様の効果が得られる。
また、基板上に化合物半導体層を一層のみ成長する場合
のみならず、異なる組成の化合物半導体層（３元系、４
元系を含む）を２層以上成長する場合で、不純物を添加
したい層があるときに適用することができる。
のみならず、異なる組成の化合物半導体層（３元系、４
元系を含む）を２層以上成長する場合で、不純物を添加
したい層があるときに適用することができる。
さらに、適用する気相成長方法もＭＯＣＶＤ法に限定さ
れず、クロライドＣＶＤ法によるエピタキシャル成長に
も適用することが可能である。
れず、クロライドＣＶＤ法によるエピタキシャル成長に
も適用することが可能である。
［発明の効果］
以上説明したようにこの発明は、半導体基板を設置した
反応管中へエピタキシャル成長用ガスとドーピングガス
とを供給して、上記半導体基板上に不純物を添加した化
合物半導体層を気相成長させるにあたり、ドーピングガ
スの導入開始時期をエピタキシャル成長用ガスの導入開
始時期よりも遅らせ、少なくとも不純物を含まない半導
体層が１分子層以上成長した後にドーピングガスを導入
させるようにしたので、反応管内基板近傍には半導体層
成長開始直後に不純物が存在しないため、基板表面の熱
力学的に安定な格子位置が不純物で占められることがな
く、すべての安定な格子位置が半導体層の構成原子によ
り占められるようになるため、半導体層が島状に成長し
て結晶表面の平滑性が損なわれるのを防止できるという
効果がある。
反応管中へエピタキシャル成長用ガスとドーピングガス
とを供給して、上記半導体基板上に不純物を添加した化
合物半導体層を気相成長させるにあたり、ドーピングガ
スの導入開始時期をエピタキシャル成長用ガスの導入開
始時期よりも遅らせ、少なくとも不純物を含まない半導
体層が１分子層以上成長した後にドーピングガスを導入
させるようにしたので、反応管内基板近傍には半導体層
成長開始直後に不純物が存在しないため、基板表面の熱
力学的に安定な格子位置が不純物で占められることがな
く、すべての安定な格子位置が半導体層の構成原子によ
り占められるようになるため、半導体層が島状に成長し
て結晶表面の平滑性が損なわれるのを防止できるという
効果がある。
第１図および第２図は本発明方法をＭＯＣＶＤ法により
ＳｉドーブＩｎＰエピタキシャル層の成長に適用した場
合の原料ガスおよびドーパントガスの流量および温度の
変化を示す制御タイミング図、 第３図はＭＯＣＶＤ装置の一例を示す概略構成図である
。 ｌ−・・・反応管、２−・・・高周波コイル、３・・・
・基板、６ａ〜６Ｃ・・−・ガス導入管、８・・・・バ
ブラ、９ａ〜９ｄ・・−・マスフローコントローラ。 第３図 ７ｂ ６ｃ Ｉ 亨辛 半環 ・・ ＰＨｓ ｊ ｌ ｌ ！３ｉＨ４（ｄｏｐａｎ
ｔ）手続補正書印釦 １、事件の表示 平成１年特許願第２８６６１６号 ２、発明の名称 化合物半導体の気相成長方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 日本鉱業株式会社 ４、代理人 〒１６２ 住 所 東京都新宿区市谷本村町３番２０号５、補正
の対象 （１）明細書の［発明の詳細な説明」の欄６、補正の内
容 （１）明細書の第８頁第５行目に、［ｌＯ分子層Ｊとあ
るのを、［５分子層Ｊと補正する。 −一−１−〜
ＳｉドーブＩｎＰエピタキシャル層の成長に適用した場
合の原料ガスおよびドーパントガスの流量および温度の
変化を示す制御タイミング図、 第３図はＭＯＣＶＤ装置の一例を示す概略構成図である
。 ｌ−・・・反応管、２−・・・高周波コイル、３・・・
・基板、６ａ〜６Ｃ・・−・ガス導入管、８・・・・バ
ブラ、９ａ〜９ｄ・・−・マスフローコントローラ。 第３図 ７ｂ ６ｃ Ｉ 亨辛 半環 ・・ ＰＨｓ ｊ ｌ ｌ ！３ｉＨ４（ｄｏｐａｎ
ｔ）手続補正書印釦 １、事件の表示 平成１年特許願第２８６６１６号 ２、発明の名称 化合物半導体の気相成長方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 日本鉱業株式会社 ４、代理人 〒１６２ 住 所 東京都新宿区市谷本村町３番２０号５、補正
の対象 （１）明細書の［発明の詳細な説明」の欄６、補正の内
容 （１）明細書の第８頁第５行目に、［ｌＯ分子層Ｊとあ
るのを、［５分子層Ｊと補正する。 −一−１−〜
Claims (1)
- 半導体基板を設置した反応管中へエピタキシャル成長
用ガスとドーピングガスとを供給して、上記半導体基板
上に不純物を添加した化合物半導体層を気相成長させる
にあたり、ドーピングガスの導入開始時期をエピタキシ
ャル成長用ガスの導入開始時期よりも遅らせ、少なくと
も不純物を含まない半導体層が１分子層以上成長した後
にドーピングガスを導入させることを特徴とする化合物
半導体の気相成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1286616A JP2847198B2 (ja) | 1989-11-02 | 1989-11-02 | 化合物半導体の気相成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1286616A JP2847198B2 (ja) | 1989-11-02 | 1989-11-02 | 化合物半導体の気相成長方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03150294A true JPH03150294A (ja) | 1991-06-26 |
| JP2847198B2 JP2847198B2 (ja) | 1999-01-13 |
Family
ID=17706717
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1286616A Expired - Lifetime JP2847198B2 (ja) | 1989-11-02 | 1989-11-02 | 化合物半導体の気相成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2847198B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0703605A3 (en) * | 1994-09-02 | 1998-03-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for etching semiconductor, method for fabricating semiconductor device, method for fabricating semiconductor laser, and semiconductor laser |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02203519A (ja) * | 1989-02-01 | 1990-08-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 化合物半導体結晶の成長方法 |
-
1989
- 1989-11-02 JP JP1286616A patent/JP2847198B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02203519A (ja) * | 1989-02-01 | 1990-08-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 化合物半導体結晶の成長方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0703605A3 (en) * | 1994-09-02 | 1998-03-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for etching semiconductor, method for fabricating semiconductor device, method for fabricating semiconductor laser, and semiconductor laser |
| US5872022A (en) * | 1994-09-02 | 1999-02-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for etching a semiconductor method for fabricating semiconductor device method for fabricating semiconductor laser and semiconductor laser |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2847198B2 (ja) | 1999-01-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2764040C2 (ru) | ВЫРАЩИВАНИЕ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО 3C-SiC НА МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОМ КРЕМНИИ | |
| JPH02211620A (ja) | 化合物半導体単結晶薄膜の成長方法 | |
| JP3879173B2 (ja) | 化合物半導体気相成長方法 | |
| JPH01162326A (ja) | β−炭化シリコン層の製造方法 | |
| JPS6134928A (ja) | 元素半導体単結晶薄膜の成長法 | |
| JPH05291140A (ja) | 化合物半導体薄膜の成長方法 | |
| JPH0331678B2 (ja) | ||
| JP2789861B2 (ja) | 有機金属分子線エピタキシャル成長方法 | |
| US5221412A (en) | Vapor-phase epitaxial growth process by a hydrogen pretreatment step followed by decomposition of disilane to form monocrystalline Si film | |
| JP3946805B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法 | |
| JPH03150294A (ja) | 化合物半導体の気相成長方法 | |
| JP2845464B2 (ja) | 化合物半導体の成長方法 | |
| JPH01290221A (ja) | 半導体気相成長方法 | |
| JPH01179788A (ja) | Ｓｉ基板上への３−５族化合物半導体結晶の成長方法 | |
| JPH02221196A (ja) | ３―ｖ族化合物半導体薄膜の形成方法 | |
| JP2743351B2 (ja) | 気相エピタキシヤル成長方法 | |
| JPS63239937A (ja) | 半導体多結晶膜の形成方法 | |
| JP2704224B2 (ja) | 半導体素子及びその製法 | |
| JPH03290925A (ja) | 化合物半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH09213635A (ja) | ヘテロエピタキシャル半導体基板の形成方法、かかるヘテロエピタキシャル半導体基板を有する化合物半導体装置、およびその製造方法 | |
| JPS6052574B2 (ja) | エピタキシヤル成長方法 | |
| JP3645952B2 (ja) | 液相成長法 | |
| JPS6218708A (ja) | 炭化硅素層の成長方法 | |
| JPS61131434A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0686355B2 (ja) | 第▲ｉｉｉ▼・ｖ族化合物半導体の気相成長法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081106 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081106 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091106 Year of fee payment: 11 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |