JPH02203380A - 液晶表示素子の製造方法 - Google Patents

液晶表示素子の製造方法

Info

Publication number
JPH02203380A
JPH02203380A JP63322565A JP32256588A JPH02203380A JP H02203380 A JPH02203380 A JP H02203380A JP 63322565 A JP63322565 A JP 63322565A JP 32256588 A JP32256588 A JP 32256588A JP H02203380 A JPH02203380 A JP H02203380A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
short
lines
circuiting
line
circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP63322565A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2610328B2 (ja
Inventor
Yoshiaki Komatsubara
小松原　吉明
Masanaru Abe
阿部　昌匠
Tsuyoshi Iyama
剛志 井山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP32256588A priority Critical patent/JP2610328B2/ja
Priority to US07/453,802 priority patent/US5019001A/en
Priority to DE68922483T priority patent/DE68922483T2/de
Priority to EP89123682A priority patent/EP0376165B1/en
Priority to KR1019890019431A priority patent/KR940006156B1/ko
Publication of JPH02203380A publication Critical patent/JPH02203380A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2610328B2 publication Critical patent/JP2610328B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/1306—Details
    • G02F1/1309—Repairing; Testing
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136204—Arrangements to prevent high voltage or static electricity failures
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136254—Checking; Testing

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Testing Of Short-Circuits, Discontinuities, Leakage, Or Incorrect Line Connections (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、アクティブマトリクス形の液晶表示素子の製
造方法に関する。
（従来の技術） アクティブマトリクス形の液晶表示装置では、各画素の
駆動、制御を行なうため、ＴＰＴ（薄膜トランジスタ）
、ＭＩＭ等の能動素子を集積したものが用いられている
。
第１１図はＴＦＴアレイを備えた一般的な液晶表示装置
の断面図、第１２図はその回路図を示している。
この液晶表示装置は、ガラス等からなる透明な基板１１
上に多数のゲート線（アドレス線）１２が平行的に形成
されているとともに、基板１１上に上記各ゲート線１２
を覆って絶縁膜１３が形成され、この絶縁膜１３上に各
ゲート１ｉ１１２と交差する多数のデータ線１４が平行
的に形成されている。そして、上記各ゲート線１２と各
データ線１４との交点付近において、上記ゲート線１２
と一体のゲート１ｉ極１２ａ上に絶縁膜１３を介して半
導体層１５が形成され、この半導体層１５上に、上記デ
ータ線１４と一体のドレインｌ　橿１４ａおよびソース
電極１６が対向するように形成されて、非線形能！ＩＩ
　ｉｋ子としてのＴＦＴ１７が構成されている。
そして、このようなＴＦＴ１７のソース電極１６は、上
記絶縁膜１３上に形成された透明画素電極１８に導通形
成され、また、上記半導体層１５、ドレイン電極１４ａ
、ソースＴｉ極１６は絶縁性の保護膜１９により覆われ
、さらに、この上部の全面にわたって液晶配向膜２０が
形成されている。
他方、ガラス等からなる透明な基板２１上に透明対向共
通電極２２および液晶配向Ｉｌ！２３が順次形成されて
いる。ここで、カラー表示を行なう場合は、透明対向共
通電極２２の下に更にカラーフィルタを形成する。
そして、上記基板１１．２１は、所定の間隙を保って周
辺部が封着され、この間隙内に液晶２４が封入されてい
る。
上記のように、ＴＦＴ１７は、基本的にグーミル電極１
２ａ、絶縁膜１３、半導体層１５、ドレイン電極１４ａ
およびソース電極１６から構成されてａ３す、これらは
成膜工程Ｊ３よびフォトエツチング工程をくり返してつ
くられる。
ところで、このようなＴＦＴアレイを用いた液晶表示装
置の問題の一つに線欠陥がある。この線欠陥は、各信号
配線としてのゲート線およびデータ線の断線、線間の短
絡、眉間の短絡等によって生じる。この原因としては、
製造工程で入り込むごみ、フォトエツチング不良等があ
るが、層間の短絡は静電気による静電破壊でも起る。こ
の静電破壊に対しては、これを防止するため、従来、第
１２図に示ずように、工程途中で各ゲート線１２と各デ
ータ線１４とを短絡線２５．２６によって短絡し、絶縁
膜１３をはさ／、だ上下の導体が同電位になるようにし
ている。しかし、この方法は、静電気に対しては有効で
あるが、他の原因による断線、線間の短絡等までは防止
できない。
そして、各信号配線としてのゲート線およびデータ線が
何らかの理由により断線した場合には、これらの信号配
線に複数個の能動素子としてのＴＰＴが接続されている
ので、断線個所から先のＴＰＴは駆動されず、画像表示
上において致命的欠陥となる。また、隣り合った信号配
線が途中で短絡した場合も、信号漏れにより同様に欠陥
となる。
このようなことから、信号配線の形成後に、断線および
短絡の有無を検査する必要があり、これは不良品の早期
排除という観点から重要である。
（発明が解決しようとする課題） 上記の検査方法としては、通常、各信号配線の両端の引
き出し電極部にヂエック用の電極パッドを設け、全ての
信号配線について抵抗値を測定し、断線の有無をチエツ
クする方法が用いられている。この場合、作業能率を高
めるため、信号配線の抵抗値を数十本単位でまとめて測
定することができるプローブカードを用いるのが導通で
ある。
しかし、プローブカード作成には厳しい精度が要求され
るため、−度に測定できる配線数に限りがあり、測定に
かなりの時間を費やし、また、１＋先の傷みによる測定
値の不安性などの問題が生じる。
さらに、ゲート線およびデータ線、づなわら、行方向お
よび列方向の各信号配線が絶縁膜を介して立体交差して
いることから、静電気による絶縁破壊を防止するため、
上記のように信号配線（よ１べて短絡されていて、隣り
合った信号配線間の短絡の有無をチエツクづるのは困難
である。
本発明は、上記の問題を解決しようとするもので、静電
気による絶縁破壊を防止するとともに、信号配線の断線
および短絡の有無を短時間で確実に検査できるようにす
ることを目的とするものである。
〔発明の構成〕
（課題を解決するための手段） 請求項１の発明は、基板上に複数のゲート線およびこの
各ゲート線と交差する複数のデータ線を形成し、この各
ゲート線と各データ線との交点に能動素子をそれぞれ設
けた液晶表示素子の製造にあたって、−Ｆ記名ゲート線
と各データ線とを短絡線によって一連に短絡し、かつ、
上記各グー１−線の短絡線と上記各データ線の短絡線と
の間に、これらの短Ｉ８線とそれぞれ接続した短絡用電
極を絶縁膜を介して対向した短絡予定部を設け、上記各
ゲート線の短絡線と各データ線の短絡線との間の一部を
レーＩＦ照射により切断して断線および短絡の検査を行
なった後、上記短絡予定部の短絡用電極間をレーザ照射
によって短絡するものである。
また、請求項２の発明は、上記のＪ：うな液晶表示素子
の製造にあたって、上記ゲート線およびデータ線におい
てそれぞれ奇数番目および偶数番目のものを直列に接続
し、かつ、上記ゲート線およびデータ線においてそれぞ
れ奇数直列配線と偶数直列配線との片端間を短絡して、
ｌｉ線および短絡の検査を行なうものである。
（作用） 請求項１の発明では、各ゲート線と各データ線とを短絡
線により短絡して静電気対策を施すとともに、この短絡
線の一部をいったん切断し、電気的な断線、短絡の検査
を行なった後、再び短絡予定部において短絡線を接続し
、静電気に対して安全な状態とする。
請求項２の発明では、ゲート線およびデータ線において
、奇数番目と偶数番目のものとに分けてそれぞれ直列に
接続し、ゲート線とデータ線どでそれぞれ各２本の独立
した直列配線とする。そして、ゲート線とデータ線とに
おいて、各２本の直列配線のいずれかの片端を短絡し、
電気的な断線、短絡の検査を行なう。
（実施例） 以下、本発明の一実施例を図面を参照して説明する。
第１図はマトリクスＴＦＴアレイを備えた液晶表示素子
の一部の平面図、第２図は第１図ｎ−■部の断面図、第
３図は第１図■−■部の断面図、第４図および第５図は
説明図である。
この装置は、基本的には前記第１１図および第１２図に
示した構成を同様に備えており、ガラス等からなる透明
な基板１１上に多数のゲート線１２およびこの各ゲート
線１２と交差する多数のデータ線１４が絶縁膜１３を介
して形成され、かつ、各ゲート線１２と各データ線１４
との交点に、前記のようにゲート電橋、半導体層、ドレ
イン］Ｌソース電極を有して透明画素電極と接続した能
動素子としてのＴＰＴがそれぞれ形成され、マトリクス
ＴＦＴアレイ１７＾を構成している。また、上記各ゲー
ト線１２の外端部は短絡線２５によって短絡接続されて
いるとともに、各データ線１４の外端部は短絡線２６に
よって短絡接続され、この各短絡線２５．２６は各コー
ナ部で一連に短絡接続され、静電気による眉間の短絡を
防止している。
そして、上記短絡線２５．２６の形成にあたっては、第
１図および第２図に示すように、まず、基板１１上にゲ
ート線１２とともに、その外端の端子部３１を一体に形
成し、ついで、この上に絶縁膜１３を形成した模に、デ
ータ線１４とともにその外端の端子部３２、短絡線２５
．２６およびゲート線１２の端子部３１上に位置する端
子部３３を同材料で一体に形成する。このとき、ゲート
線１２の端子部３１と端子部３３とは、絶縁膜１３を加
工して得られたスルーホール３４を介して接続される。
また、各ゲート線１２の短絡線２５と各データ線１４の
短絡？！２６との間において、その短絡線２５．２６の
コーナ部に短絡予定部３６を形成１“る。この短絡予定
部３６は、第１図および第３図に示すように、基板１１
上に上記ゲート線１２の形成時にこれと同材料で短絡用
電極３１およびこの短絡用電極３７の一側に接続部３８
を一体に形成し、この上に上記絶縁膜１３を形成した侵
に、上記データ線１４の形成時にこれと同材料で短絡線
２６に接続して上記短絡用電極３８上に位置する短絡用
ｆｆｉ極３９および上記短絡線２５に接続して上記接続
部３８上に位置する接続部４０を形成し、かつ、接続部
３８とこの上に絶縁Ｉ！１３を介して位置した接続部４
０とをスルーホール４１を介して接続する。これによっ
て、短絡予定部３６はゲート線１２側の短絡線２５に接
続した短絡用電極３７と、データ線１４側の短絡線２６
に接続した短絡用電極３９とが絶縁膜１３を介して非導
通状態で上下に対向している。
そして、上記のようにしてＴＦＴアレイが完成するが、
この際、各ゲートＢ１２および各データ線１４は、端子
密度等の関係から１、実際には、第４図に示すように配
置される。ずなわら、各ゲート線１２および各データ線
１４は櫛形に配置され、ゲート線１２およびデータ線１
４はそれぞれ１本おきに、すなわち奇数番目のものと偶
数番目のものが互いに反対側においてそれぞれ短絡１１
ｉ１２５．２６に接続されている。
そして、電気的な測定検査を行なうに際しては、第４図
の状態において、第５図のように各コーナ部で短絡線２
５．２６の接続部をレーザ照射により切断する。
この状態で、各短絡線２５．２６からなる４辺をａ、ｂ
、ｃ、ｄ、　開放端をａ　ｒ　、　ｂ／　、　ｃ　ｌｄ
′とすると、まず、断線はａ−ａ’ｂ−ｂ’ｃ−ｃ’　
、ｄ−ｄ’　間を、また、線間の短絡はａ−ｂ、ｃ−６
間を、さらに、層間の短絡はａ−ｃ。
ａ−ｄ、　ｂ−ｃ、　ｂ−６間を電気的に測定する。
これにより、全ての断線および短絡を電気的に検査する
ことができる。
ついで、この電気的な測定検査の終了後、再び各短絡［
９２５，２６間を短絡する。すなわら、各コーナ部にお
ける短絡予定部３６において、絶縁膜１３をはさんだ上
下の短絡用電極３７．３９に対しレーザを照射し、これ
らを層間で短絡させる。このときの接続抵抗は、数Ω〜
・数百〇と良好である。これによって、各短絡線２５．
２６は再び一連に接続され、静電気対策を施された状態
となる。
なお、各短絡線２５．２６および短絡予定部３６による
短絡部分は、液晶表示素子として組立てる際に切除する
。
次に、本発明の他の実施例を第６図ないし第１０図を参
照して説明する。
第６図ないし第８図は工程説明図、第９図および第１０
図は第８図の等価回路図である。
この実施例は、前記実施例と同様に、基板上に複数のゲ
ート線およびこの各ゲート線と交差する複数のデータ線
を形成し、この各ゲート線と各データ線との交点に能動
素子をそれぞれ設けた液晶表示素子の製造にあたって、
各ゲート線および各データ線を短絡し、断線および短絡
の電気的な測定検査を行なうものであるが、その短絡接
続方法および検査方法の他の例を示すものである。
まず、第６図に示すように、基板上に行方向の信号配線
としての各ゲート線１２を形成する。
この各ゲート線１２は、奇数番目のものと偶数番目のも
のにおいてそれぞれ互いの反対側に端子部５１を設ける
とともに、この端子部５１の反対側において１個おきに
位置するゲート線１２同志を２個１組として短絡部５２
で接続し、この２個１組とした奇数番目および偶数番目
のゲート１ｉｌ１２が櫛刃状に交互に組合わされた配線
パターンを形成する。
次に・、この各ゲート線１２を形成した基板上に絶縁膜
を全面にわたって着膜し、かつ、第７図にポリように、
各ゲート線１２の端子部５１にコンタクト用のスルーボ
ール５３を形成する。
次に、上記絶縁膜上に列方向の信号配線としてのデータ
線を形成層るが、このデータ線を形成する工程にＪ３い
て、第８図に示すように、奇数番目Ｊ３よび偶数番目の
隣接づる各組のゲート線１２の端子部５１間を短絡線５
４によって接続し、各奇数番目のゲート線１２ｆ３Ｊ：
び各偶数番目のゲーｉ・線１２をそれぞれ直列に接続す
るとともに、同時に奇数番目と偶数番目の一端に位置す
る端子部５１間を短絡線５５によって接続し、これによ
って、奇数番目の直列配線と偶数番目の直列配線とを短
絡して、全てのゲートＩ！！１２を直列に接続する。
このようにして、まず、ゲートＢ１２の？ｉ列回路の両
端に位置する端子部５１の電極バッド△、Ｄ間の抵抗値
を測定づることにより、全配線における断線の有無をチ
エツクする。
また、配線間の短絡をチエツクする。第９図は、第８図
の各ゲート線１２間の短絡がない場合の等価回路である
。この場合、ｆｌｉ極バッドＡ、Ｃに定電流１を流して
も電極バッドＢ、Ｄ間には電圧は検出されない。
次に、第１０図は、配線間に短絡がある場合の等価回路
である。この場合、電極パッドＡ、Ｃ間に定電流ｉを流
すと、短絡部分より先は、電流がｉｌ、ｉ２に分岐して
流れるため、電極バッドＢ、Ｄ間には■＝ｉ２　・Ｒ２
なる電圧が検出され、配線間の短絡の有無が簡単にチエ
ツクできる。
上記説明は、行方向の信号配線としてのゲート線１２に
ついて説明しだが、列方向の信号配線としてのデータ線
にも同様に適用する。この場合、静電気による絶縁破壊
を防止するため、ゲート線１２とデータ線１４は電気的
に接続されていてもよい。
さらに、ゲート線とデータ線における奇ａ番および偶数
番の直列配線を順に接続し、全体で１本の直列配線とし
た場合も同様に測定することができる。
なお、各ゲート線とデータ線の短絡部分は、液晶表示装
置として組立てる際に切除する。
〔発明の効果〕
本発明によれば、アクティブマトリクス形液晶表示素子
の静電気対策を行ない、かつ、全信号配線における電気
的な断線、短絡の有無を短時間のうちに容易かつ確実に
行なうことができ、後工程での不良を大幅に減少させ、
生産性を大幅に向上させることができ、液晶表示素子が
人形化、あるいは高精細化した場合にはとくに有効であ
る。
また、請求項２の発明においては、ゲート線とデータ線
の各２本の直列配線の抵抗値を測定するだけで、全信号
配線の断線の有無をチエツクすることができ、さらに、
ゲート線とデータ線のそれぞれ２本の直列配線間におい
て、抵抗値等を測定することにより、隣り合った配線間
の短絡の有無をも瞬時にチエツクすることができ、測定
にかかる時間を大幅に短縮することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例を示す液晶表示素子の一部の
平面図、第２図は第１図ＩＩ−ＩＩ部の断面図、第３図
は第１図ｌｌｌ−ｌｌ１部の断面図、第４図Ｊ３よび第
５図はその電気的検査を行なう状態の説明図、第６図な
いし第８図は本発明の他の実施例を示す工程説明図、第
９図および・第１０図は第８図の等価回路図、第１１図
は一般的な液晶表示装置の断面図、第１２図は第１１図
の回路図である。 １・・基板、１２・・ゲート線、１３・・絶縁膜、１４
・・データ線、１１・・能動素子、２５．２６・・短絡
線、３６・・短絡予定部、３７．３９・・短絡用電極。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）基板上に複数のゲート線およびこの各ゲート線と
    交差する複数のデータ線を形成し、この各ゲート線と各
    データ線との交点に能動素子をそれぞれ設けた液晶表示
    素子の製造にあたつて、上記各ゲート線と各データ線と
    を短絡線によつて一連に短絡し、 かつ、上記各ゲート線の短絡線と上記各データ線の短絡
    線との間に、これらの短絡線とそれぞれ接続した短絡用
    電極を絶縁膜を介して対向した短絡予定部を設け、 上記各ゲート線の短絡線と各データ線の短絡線との間の
    一部をレーザ照射により切断して断線および短絡の検査
    を行なった後、 上記短絡予定部の短絡用電極間をレーザ照射によつて短
    絡する ことを特徴とする液晶表示素子の製造方法。
  2. （２）基板上に複数のゲート線およびこの各ゲート線と
    交差する複数のデータ線を形成し、この各ゲート線と各
    データ線との交点に能動素子をそれぞれ設けた液晶表示
    素子の製造にあたつて、上記ゲート線およびデータ線に
    おいてそれぞれ奇数番目および偶数番目のものを直列に
    接続し、かつ、上記ゲート線およびデータ線においてそ
    れぞれ奇数直列配線と偶数直列配線との片端間を短絡し
    て、断線および短絡の検査を行なう ことを特徴とする液晶表示素子の製造方法。
JP32256588A 1988-12-21 1988-12-21 液晶表示素子の製造方法 Expired - Fee Related JP2610328B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP32256588A JP2610328B2 (ja) 1988-12-21 1988-12-21 液晶表示素子の製造方法
US07/453,802 US5019001A (en) 1988-12-21 1989-12-20 Method for manufacturing liquid crystal display device
DE68922483T DE68922483T2 (de) 1988-12-21 1989-12-21 Herstellungsmethode für eine Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung.
EP89123682A EP0376165B1 (en) 1988-12-21 1989-12-21 Method for manufacturing a liquid crystal display device
KR1019890019431A KR940006156B1 (ko) 1988-12-21 1989-12-21 액정표시소자 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP32256588A JP2610328B2 (ja) 1988-12-21 1988-12-21 液晶表示素子の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH02203380A true JPH02203380A (ja) 1990-08-13
JP2610328B2 JP2610328B2 (ja) 1997-05-14

Family

ID=18145102

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP32256588A Expired - Fee Related JP2610328B2 (ja) 1988-12-21 1988-12-21 液晶表示素子の製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5019001A (ja)
EP (1) EP0376165B1 (ja)
JP (1) JP2610328B2 (ja)
KR (1) KR940006156B1 (ja)
DE (1) DE68922483T2 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02186321A (ja) * 1989-01-13 1990-07-20 Sharp Corp アクティブマトリクス基板の検査方法
JPH05313194A (ja) * 1992-05-13 1993-11-26 Nec Kagoshima Ltd 薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法
JPH09251169A (ja) * 1996-03-15 1997-09-22 Toshiba Corp 表示装置、アクティブマトリクス型表示装置およびその製造方法
US5777348A (en) * 1995-07-27 1998-07-07 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate and inspecting method thereof

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2792634B2 (ja) * 1991-06-28 1998-09-03 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板の検査方法
JPH05210109A (ja) * 1992-01-31 1993-08-20 Canon Inc 液晶表示装置の製造方法
JPH081502B2 (ja) * 1993-06-21 1996-01-10 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 液晶表示装置
GB9416899D0 (en) * 1994-08-20 1994-10-12 Philips Electronics Uk Ltd Manufacture of electronic devices comprising thin-film circuitry
WO1996014599A1 (fr) * 1994-11-08 1996-05-17 Citizen Watch Co., Ltd. Affichage a cristaux liquides
KR0145902B1 (ko) * 1995-01-27 1998-09-15 김광호 박막트랜지스터 액정디스플레이 소자의 저항부 및 그 제조방법
KR0166894B1 (ko) * 1995-02-20 1999-03-30 구자홍 액정표시장치
US6613650B1 (en) 1995-07-31 2003-09-02 Hyundai Electronics America Active matrix ESD protection and testing scheme
US5668032A (en) * 1995-07-31 1997-09-16 Holmberg; Scott H. Active matrix ESD protection and testing scheme
JP3642876B2 (ja) * 1995-08-04 2005-04-27 株式会社半導体エネルギー研究所 プラズマを用いる半導体装置の作製方法及びプラズマを用いて作製された半導体装置
US6229140B1 (en) 1995-10-27 2001-05-08 Canon Kabushiki Kaisha Displacement information detection apparatus
JP3838722B2 (ja) * 1997-01-13 2006-10-25 ローム株式会社 強制動作機能付き制御回路を有する半導体装置
WO1998031050A1 (en) * 1997-01-13 1998-07-16 Image Quest Technologies, Inc. Improved active matrix esd protection and testing scheme
TW472165B (en) * 1997-09-19 2002-01-11 Toshiba Corp Array substrate for display device, liquid crystal display device having array substrate and the manufacturing method of array substrate
US6215541B1 (en) * 1997-11-20 2001-04-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal displays and manufacturing methods thereof
KR100277501B1 (ko) * 1998-02-16 2001-01-15 윤종용 액정표시장치및그제조방법
US5976978A (en) * 1997-12-22 1999-11-02 General Electric Company Process for repairing data transmission lines of imagers
JPH11271790A (ja) * 1998-03-26 1999-10-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示装置とその製造方法
JP4632383B2 (ja) * 1998-08-31 2011-02-16 キヤノン株式会社 光電変換装置に用いられる半導体装置
JP4156115B2 (ja) * 1998-12-25 2008-09-24 シャープ株式会社 マトリクス配線基板及び液晶表示装置用基板
TW457690B (en) * 1999-08-31 2001-10-01 Fujitsu Ltd Liquid crystal display
KR100390456B1 (ko) * 2000-12-13 2003-07-07 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 디스플레이 패널 및 그 제조방법
JP5628139B2 (ja) * 2011-10-18 2014-11-19 シャープ株式会社 配線欠陥検査方法
KR102296073B1 (ko) * 2015-01-06 2021-08-31 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
JP2019117315A (ja) * 2017-12-27 2019-07-18 シャープ株式会社 表示装置、表示装置の製造方法、及び、表示装置の検査方法。

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS634589U (ja) * 1986-06-25 1988-01-13
JPS63292113A (ja) * 1987-05-26 1988-11-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd アクテイブマトリクス表示装置の製造方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2824308A1 (de) * 1978-06-02 1979-12-13 Siemens Ag Verfahren zum einpraegen einer spannung mit einem elektronenstrahl
US4455739A (en) * 1982-04-19 1984-06-26 Texas Instruments Incorporated Process protection for individual device gates on large area MIS devices
JPS6188557A (ja) * 1984-10-05 1986-05-06 Nippon Soken Inc 薄膜トランジスタマトリツクスアレイ
EP0267688A1 (en) * 1986-10-13 1988-05-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Improvements relating to liquid crystal devices
US4820222A (en) * 1986-12-31 1989-04-11 Alphasil, Inc. Method of manufacturing flat panel backplanes including improved testing and yields thereof and displays made thereby
JPS63208023A (ja) * 1987-02-25 1988-08-29 Alps Electric Co Ltd 液晶表示素子の製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS634589U (ja) * 1986-06-25 1988-01-13
JPS63292113A (ja) * 1987-05-26 1988-11-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd アクテイブマトリクス表示装置の製造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02186321A (ja) * 1989-01-13 1990-07-20 Sharp Corp アクティブマトリクス基板の検査方法
JPH05313194A (ja) * 1992-05-13 1993-11-26 Nec Kagoshima Ltd 薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法
US5777348A (en) * 1995-07-27 1998-07-07 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate and inspecting method thereof
JPH09251169A (ja) * 1996-03-15 1997-09-22 Toshiba Corp 表示装置、アクティブマトリクス型表示装置およびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US5019001A (en) 1991-05-28
EP0376165B1 (en) 1995-05-03
EP0376165A2 (en) 1990-07-04
KR940006156B1 (ko) 1994-07-08
JP2610328B2 (ja) 1997-05-14
EP0376165A3 (en) 1991-07-24
DE68922483D1 (de) 1995-06-08
DE68922483T2 (de) 1995-09-07
KR900010455A (ko) 1990-07-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH02203380A (ja) 液晶表示素子の製造方法
KR101137863B1 (ko) 박막트랜지스터 어레이 기판
JP2715936B2 (ja) 薄膜トランジスタ型液晶表示装置とその製造方法
KR20070002147A (ko) 액정표시장치 검사공정
KR100490040B1 (ko) 두개이상의쇼팅바를갖는액정표시장치및그제조방법
KR100576629B1 (ko) 액정표시장치의 ｔｆｔ어레이 기판 및 그 검사방법
JP2834935B2 (ja) アクティブマトリクス型表示素子及びその製造方法
JP3586049B2 (ja) 液晶表示パネル
JPH09244048A (ja) 液晶パネル基板及び液晶パネルの製造方法
US7049527B1 (en) Conductor-pattern testing method, and electro-optical device
JP3014915B2 (ja) 多面取り薄膜トランジスタアレイ基板及びその検査方法
JPH05333370A (ja) アクティブマトリクス型液晶表示素子
JPH0394223A (ja) アクティブマトリクス表示装置の製造方法
JPH02251931A (ja) アクティブマトリックスアレイ
KR200179140Y1 (ko) 액정표시장치
JP6724503B2 (ja) 表示装置用基板およびその製造方法、表示パネルならびに表示装置
JP3313684B2 (ja) 液晶表示基板、その配線検査方法およびその配線修理方法
KR940009136B1 (ko) 액정표시소자의 패턴전극 검사방법
JPH023022A (ja) 液晶ディスプレイ装置
JPH0569430B2 (ja)
JP2612444B2 (ja) 液晶表示装置用基板検査装置
JPH1020334A (ja) 液晶表示装置の検査方法およびその検査修正装置
JPH04355729A (ja) 液晶表示装置用アレイ基板の製造方法
JPH03191330A (ja) ２端子型スイッチングアレーの製造方法
JPH0434491A (ja) アクティブマトリクス基板試験方法及びその試験対向電極基板

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees