JPH0219617B2 - - Google Patents

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JPH0219617B2
JPH0219617B2 JP13850984A JP13850984A JPH0219617B2 JP H0219617 B2 JPH0219617 B2 JP H0219617B2 JP 13850984 A JP13850984 A JP 13850984A JP 13850984 A JP13850984 A JP 13850984A JP H0219617 B2 JPH0219617 B2 JP H0219617B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
photomask
pattern
dust
defect
dirt
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP13850984A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS6117147A (ja
Inventor
Koji Uchiumi
Hideo Kikuchi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
Nippon Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Electric Co Ltd filed Critical Nippon Electric Co Ltd
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Publication of JPS6117147A publication Critical patent/JPS6117147A/ja
Publication of JPH0219617B2 publication Critical patent/JPH0219617B2/ja
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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
    • G03F1/84—Inspecting

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明はフオトマスクのパターン検査方法に関
し、とくに印刷配線板用のフオトマスク面に付着
するごみ・ほこりによる誤欠陥検出対策に関す
る。
〔従来技術〕
従来、高速フオトマスク検査装置を用いて印刷
配線板のフオトマスクのパターン検査を行なう場
合にごみ・ほこりも欠陥箇所として検出されるた
め、無塵布等でフオトマスク面を拭きごみ・ほこ
りを払つてからフオトマスクのパターン検査を行
なうが、フオトマスク面に静電気等で付着したご
み・ほこりは、十分拭きとれずに欠陥箇所として
検出され、真の欠陥箇所が数個単位であるのに対
し数十個から数百個の欠陥箇所が存在するように
誤判定されてしまう欠点があつた。そのため、フ
オトマスク検査装置によるフオトマスクの仮想の
欠陥箇所へのマーキング工数及び後工程における
作業者のチエツク工数が膨大になる欠点があつ
た。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、かかる従来欠点を解決したフ
オトマスクのパターン検査方法を提供することに
ある。
〔発明の構成〕
本発明によれば、フオトマスク検査装置を用い
て１回目のフオトマスク面のパターンを検査して
欠陥の位置座標を検出する工程と、フオトマスク
面を布等で拭く工程と、２回目のフオトマスク面
のパターンを検査して１回目の検査結果と比較し
て同一箇所に存在する欠陥の位置座標を真の欠陥
と判定する工程とを含むことを特徴とするフオト
マスクのパターン検査方法が得られる。
〔実施例〕
以下、本発明の一実施例を図面を参照して詳細
に説明する。第１図は、１回目のフオトマスクの
パターンの検査状態を示す図である。フオトマス
ク１に描画された回路パターン２にピンホール
３、欠損部４等の欠陥とごみ・ほこり５が存在し
た場合の１回目のフオトマスクのパターン検査
で、ピンホール３、欠損部４、ごみ・ほこり５を
も欠陥として検出しそれぞれの位置座標が（X1、
Y1）、（X2、Y2）、（X3、Y3）として記憶され
る。
第２図は２回目のフオトマスクのパターンの検
査状態を示す図で、２回目のフオトマスクのパタ
ーン検査はごみ・ほこり５を１回目のパターン検
査の箇所から移動させるためにフオトマスク１の
面を無塵布等で拭いてから行なう。この場合真の
欠陥箇所は移動せずごみ・ほこり５′だけが拭き
とられて除去されるか移動するため２回目のパタ
ーン検査では移動しなかつたピンホール３欠損部
４と移動したごみ・ほこり５′を欠陥として検出
し、ピンホール３、欠損部４、ごみ・ほこり５′
のそれぞれの位置座標が（X1、Y1）、（X2、
Y2）、（X3′、Y3′）として記憶される。
１回目のパターン検査による欠陥の位置座標と
２回目のパターン検査による欠陥の位置座標を比
較してチエツクすると、真の欠陥箇所は移動しな
いため欠陥箇所の位置座標は同じであるがごみ・
ほこりは拭きとり工程により除去されるか移動す
るため、１回目のパターン検査の欠陥箇所の位置
座標と２回目のパターン検査の欠陥箇所の位置座
標が異つて検出できる。すなわち２回目のパター
ン検査を行ない１回目のパターン検査と同一箇所
に存在する欠陥部を真の欠陥部と判定すればご
み・ほこり５の誤検出を除去できる。
〔発明の効果〕
以上、本発明によりごみ・ほこりの箇所を欠陥
と誤検出することがなくなりフオトマスク検査装
置によるフオトマスクの欠陥箇所へのマーキング
工数及び作業者のチエツク工数が大幅に低減でき
実用的効果が大である。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の１回目のフオトマスクパター
ン検査の平面図。第２図は本発明の２回目のフオ
トマスクパターン検査の平面図。 １……フオトマスク、２……回路パターン、３
……ピンホール、４……欠損部、５，５′……ご
み・ほこり。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ フオトマスク検査装置を用いて１回目のフオ
    トマスク面のパターンを検査して欠陥の位置座標
    を検出する工程と、フオトマスク面を拭く工程
    と、２回目のフオトマスク面のパターンを検査し
    て１回目の検査結果と比較して同一箇所に存在す
    る欠陥の位置座標を真の欠陥と判定する工程とを
    含むことを特徴とするフオトマスクのパターン検
    査方法。
JP59138509A 1984-07-04 1984-07-04 フオトマスクのパタ−ン検査方法 Granted JPS6117147A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59138509A JPS6117147A (ja) 1984-07-04 1984-07-04 フオトマスクのパタ−ン検査方法

Applications Claiming Priority (1)

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JP59138509A JPS6117147A (ja) 1984-07-04 1984-07-04 フオトマスクのパタ−ン検査方法

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Publication Number Publication Date
JPS6117147A JPS6117147A (ja) 1986-01-25
JPH0219617B2 true JPH0219617B2 (ja) 1990-05-02

Family

ID=15223797

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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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JP2005116762A (ja) 2003-10-07 2005-04-28 Fujitsu Ltd 半導体装置の保護方法及び半導体装置用カバー及び半導体装置ユニット及び半導体装置の梱包構造
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Publication number Publication date
JPS6117147A (ja) 1986-01-25

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