JPH0516740B2 - - Google Patents

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JPH0516740B2
JPH0516740B2 JP61211925A JP21192586A JPH0516740B2 JP H0516740 B2 JPH0516740 B2 JP H0516740B2 JP 61211925 A JP61211925 A JP 61211925A JP 21192586 A JP21192586 A JP 21192586A JP H0516740 B2 JPH0516740 B2 JP H0516740B2
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JP
Japan
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foreign
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semiconductor wafer
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JP61211925A
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JPS6366447A (ja
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Toshiaki Yanai
Ryoji Nemoto
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Hitachi High Tech Corp
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Hitachi Electronics Engineering Co Ltd
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/94Investigating contamination, e.g. dust

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Facsimile Scanning Arrangements (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、半導体ウエハなどの表面の異物を
検出する異物検査装置に関する。
[従来の技術] 従来、半導体ウエハ表面の異物検査を行う異物
検査装置においては、半導体ウエハの輪郭パター
ン重ねて、検出した異物をプロツトした異物マツ
プをデイスプレイ画面に表示したり、またはプリ
ントアウトするようになつている。
[解決しようとする問題点] 半導体ウエハの表面は、複数のチツプ領域に区
画されており、異物管理が真に必要な部分は各チ
ツプ領域の周辺部を除いた領域(有効領域)であ
る。
換言すれば、半導体ウエハの周辺部や、チツプ
領域の周辺部に存在する異物は重要ではなく、真
に重要なことは、各チツプ領域の有効領域内にお
ける異物の個数などを把握して、各チツプ領域が
利用可能か否かを知ることである。
しかるに、従来の異物検査装置によつて得られ
る異物マツプからは、半導体ウエハ表面全体にお
ける異物の分布などを把握することはできても、
各チツプ領域を使用可能であるか否かを容易に判
断することはできない。
[発明の目的] したがつて、この発明の目的は、そのような問
題点を解消し、半導体ウエハ表面の各チツプ領域
の利用可否などを容易に判断できるようにした異
物検査装置を提供することにある。
[問題点を解決するための手段] この目的を達成するために、この発明による異
物検査装置は、被検査面上の異物を検査する手段
と、被検査面内の区画を示すパターンをデイスプ
レイ画面またはプリント紙に出力させる手段と、
検出された異物のうち区画の有効領域内の異物だ
けを有効異物として抽出する手段と、その有効異
物の個数を各区画毎にカウントする手段と、各区
画毎の有効異物の個数またはそれに関連したパタ
ーンをデイスプレイ画面またはプリント紙に前記
区画のパターンと重ねて出力させる手段とを有す
る構成とされる。[作用] このような構成であるから、例えば半導体ウエ
ハの表面を被検査面とし、区画をチツプ領域とし
た場合、各チツプ領域の有効領域内の異物の個数
またはそれに関連したパターンと、チツプ領域の
輪郭パターンとを重ねた異物マツプが得られる。
このような異物マツプによれば、半導体ウエハ
上の各チツプ領域の真に問題となる異物の個数を
チツプ領域対応に把握できるから、各チツプ領域
が利用可能であるか否かを容易に判断できる。
[実施例] 以下、図面を参照し、この発明の一実施例につ
いて詳細に説明する。
第1図は、この発明による半導体ウエハ用異物
検査装置の概要図である。
この図において、10は半導体ウエハ表面を光
学的に観測するための観測部である。この観測部
10について説明すれば、12は半導体ウエハ1
4を移動させるための移動ステージ機構である。
16および18はS偏光レーザビームを半導体ウ
エハ14の表面に斜めに照射するためのS偏光レ
ーザ発振器である。
移動ステージ機構12によつて半導体ウエハ1
4をX方向およびY方向に移動させることによ
り、半導体ウエハ14の表面はS偏光レーザビー
ムによつてXY走査される。移動ステージ機構1
2は、その走査位置を検出するための位置エンコ
ーダを内蔵しており、その位置情報を外部に出力
されるようになつている。
20は対物レンズ、22はS偏光カツトフイル
タ、24はホトマルチプライヤである。半導体ウ
エハ表面からのほぼ垂直方向への散乱光は、対物
レンズ20を介してS偏光カツトフイルタ22に
入射し、そのP偏光成分だけが抽出されてホトマ
ルチプライヤ24に入射し、電気信号に変換され
る。
走査点に異物が存在する場合、異物表面は微小
な凹凸があるため、散乱光のP偏光成分が多くな
るが、異物が存在しない場合は散乱光のP偏光成
分は充分に少ない。なお、パターンのエツジ部に
おいても、垂直方向の散乱光が増加するが、その
エツジ部はミクロ的に見ると平滑であるから、散
乱光のP偏光成分は充分に少ない。
その結果、ホトマルチプライヤ24の出力信号
レベルから、半導体ウエハ表面のパターンと弁別
して異物の有無を判定できる。
また、ホトマルチプライヤ24の出力信号レベ
ルは、その視野内における散乱光のP光成分の平
均レベルに比例するから、ホトマルチプライヤ2
4の出力レベルから異物のサイズも判定できる。
26はそのような判定を行うためのレベル比較
回路である。このレベル比較回路26は、ホトマ
ルチプライヤ24の出力信号を異物サイズ対応の
複数の閾値とレベル比較を行い、サイズ対応の異
物データを出力する。
28は移動ステージ12の駆動用モータなどの
駆動制御を行う駆動制御回路である。
30は処理制御部である。この処理制御部30
は、マイクロプロセツサ32、メモリ34、イン
ターフエイス回路38をバス46で相互に接続し
た構成である。
レベル比較回路26から出力される異物データ
は、インターフエイス回路38を通じて処理制御
部30に入力される。
駆動制御回路28に対する制御指令は、インタ
ーフエイス回路38を介して処理制御部30から
出力される。また、このインターフエイス回路3
8を介して、移動ステージ機構12から位置情報
が入力される。
48はキーボードであり、このキーボード48
からインターフエイス回路38を介して処理制御
部30に情報を入力できる。
50は異物マツプなどの表示のためのデイスプ
レイユニツトである。52はそのコントローラで
あり、バス46に接続される。このコントローラ
52は、デイスプレイ画面の表示データをビツト
マツプの形で記憶するための画像メモリ54を内
蔵している。この画像メモリ54はマイクロプロ
セツサ32によつてアクセス可能であり、コント
ローラ52は、画像メモリ54の記憶データをビ
デオ信号に変換してデイスプレイユニツト50へ
送出し、そのデイスプレイ画面に表示させる。
第2図は、処理制御部30の処理の流れを示す
概略フローチヤートである。以下、このフローチ
ヤートを参照しながら、この異物検査装置の動作
を説明する。
半導体ウエハ14が移動ステージ機構12に位
置決め固定された状態で、キーボード48の特定
キーが押下されると、処理制御部30のマイクロ
プロセツサ32は第2図に示すような処理および
制御のためのプログラム(メモリ34に格納され
ている)の実行を開始する。
なお、予め検査対象の半導体ウエハ14のサイ
ズ情報、チツプ配列定義情報がキーボード48か
ら処理制御部30に入力され、その入力情報か
ら、走査終了座標と、各チツプ領域の輪郭座標、
および各チツプ領域の有効領域の輪郭座標が計算
され、メモリ34上の座標テーブル34bに記憶
されている。
まず、メモリ34上の一群の異物カウンタ34
aなどのクリア、画像メモリ52のクリアなどの
初期化が行われる(ステツプ100)。
ステツプ102において、移動ステージ機構1
2を走査開始位置に移動させるように、駆動制御
回路28に制御指令が送られる。
この走査開始位置への位置決めが完了すると、
ステツプ104において、走査開始指令が駆動制
御回路28へ送られる。これにより、移動ステー
ジ機構12がX方向およびY方向に移動し、半導
体ウエハ表面のS偏光レーザビームによるXY走
査が始まる。
この走査開始後、一定の周期で、レベル比較回
路26による判定データおよび移動ステージ機構
12から送出される走査位置情報がサンプリング
され、マイクロプロセツサ32内部レジスタに保
持される(ステツプ106)。
マイクロプロセツサ32において、サンプリン
グした判定データがいずれかのサイズの異物を示
すコードであるか判定される(ステップ108)。
異物のコードであれば、ステツプ110におい
て、サンプリングした走査位置情報(走査位置の
座標)と、座標テーブル34bに記憶されている
各チツプ領域の有効領域の輪郭座標との比較が行
われ、走査位置がいずれかのチツプ領域の有効領
域内であるか調べられる。
有効領域内であれば、ステツプ112におい
て、その異物が属するチツプ領域に対応した異物
カウンタ34aがインクリメントされ、ステツプ
106へ戻る。
ステツプ108において異物のコードでないと
判定された場合、または、ステツプ110におい
てチツプ領域の有効領域でないと判定された場
合、ステツプ114に進む。このステツプにおい
ては、走査位置情報と座標テーブル34bに記憶
されている走査終了座標とが比較され、走査終了
の判定が行われる。終了でなければ、ステツプ1
06に戻るが、終了ならばステツプ116に進
む。
このように、検出された異物のうち、チツプ領
域の有効領域内の異物だけが抽出され、チツプ領
域毎にカウントされる。換言すれば、チツプ領域
の有効領域外で検出された異物、つまりチツプ領
域の周辺部および半導体ウエハの周辺部で検出さ
れた異物はマスキングされ、カウントされない。
ステツプ116において、駆動制御回路28に
対して走査停止指令が送られ、移動ステージ機構
12は停止させられる。
次のステツプ118において、マイクロプロセ
ツサ32は、座標テーブル34bに記憶されてい
る座標情報に従い、半導体ウエハの輪郭パターン
と各チツプ領域の輪郭パターンを画像メモリ52
上に生成する。
この処理が終わると、チツプ領域毎の有効異物
個数を示す数字パターンと、その有効異物個数が
規定数以上を越えたことを示すパターンの表示処
理が開始する。
まずステツプ120において、一群のカウンタ
34aの最初のカウンタから、有効異物の個数が
マイクロプロセツサ32に読み込まれ、その有効
個数を示す数字パターンが生成され、画像メモリ
54の対応チツプ領域位置に書き込まれる。ただ
し、個数がゼロの場合、そのパターンは生成され
ない。
次のステツプ122において、その有効異物個
数と規定値とが比較される。
規定値以上ならば、その旨を示す文字、記号な
どのパターンがマイクロプロセツサ32により生
成され、画像メモリ54の対応チツプ領域位置に
書き込まれる。有効異物個数が規定値未満なら
ば、ステージ124はスキツプされる。
最後のカウンタ34aまで同様の処理が実行さ
れると、ステツプ126で終了と判定され、処理
を終了する。
このようにして、デイスプレイユニツト50の
画面には、第3図に示すような異物マツプが表示
される。この図において、60は半導体ウエハの
輪郭パターン、62はチツプ領域の輪郭パターン
である。64はチツプ領域における有効異物個数
を示す数字パターン、66は有効異物個数が規定
値を越えたことを示すパターンである。
このような異物マツプによれば、各チツプ領域
に対応して、その有効領域内の異物の個数などを
把握し、各チツプ領域を利用可能であるか否かを
容易に判断できる。
以上、一実施例について説明したが、この発明
はそれだけに限定されるものではなく、その要旨
を逸脱しない範囲内で様々に変形して実施できる
ものである。
例えば、前記実施例においては、異物マツプを
デイスプレイ画面に表示したが、プリントアウト
してもよい。
前記実施例においては、半導体ウエハの輪郭パ
ターンも表示したが、必ずしも表示しなくともよ
い。
前記実施例では、チツプ領域毎の有効異物個数
を示すパターンと、それが規定値を越えたか否か
を示すパターンの両方が表示されたが、その一方
だけを表示することもできる。
前記実施例においては、異物の判定データの読
込みの都度、チツプ有効領域内の異物の抽出(そ
れ以外の異物のマスキング)を行つている。しか
し、検出された異物を無条件に記憶し、後に有効
異物の抽出処理を一括して行うこともできる。
前記実施例においては、半導体ウエハ表面の
XY走査を行つたが、螺旋走査を行つてもよい。
さらに、前記実施例においては、半導体ウエハ
のX,Y方向および回転方向の位置ずれがないと
説明したが、そのような位置ずれを考慮する必要
がある場合は、適当な処理段階で異物検出位置の
補正処理を行えばよい。
また、この発明は、半導体ウエハ以外の被検査
物の表面の異物検査を行うための装置にも同様に
適用できるものである。
[発明の効果] 以上説明したように、この発明によれば、異物
検査装置は、被検査面上の異物を検出する手段
と、被検査面内の区画を示すパターンをデイスプ
レイ画面またはプリント紙に出力させる手段と、
検出された異物のうち区画の有効領域内の異物だ
けを有効異物として抽出する手段と、その有効異
物の個数を各区画毎にカウントする手段と、各区
画毎の有効異物の個数またはそれに関連したパタ
ーンをデイスプレイ画面またはプリント紙に前記
区画のパターンと重ねて出力させる手段とを有す
る構成とされるから、その異物マツプから、例え
ば半導体ウエハの各チツプ領域の有効領域内の異
物の個数、または、その個数が規定値以上である
か否かをチツプ領域対応に把握できるから、各チ
ツプ領域が利用可能であるか否かを容易に判断で
きるなど、従来装置の問題点を解消した異物検査
装置を実現できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、この発明による異物検査装置の概要
図、第2図は処理制御部の処理および制御を説明
するための概略フローチヤート、第3図は異物マ
ツプの説明図である。 10…観測部、14…半導体ウエハ、12…移
動ステージ機構、16,18…S偏光レーザ発振
器、24…ホトマルチプライヤ、26…レベル比
較回路、30…処理制御部、32…マイクロプロ
セツサ、34…メモリ、34a…異物カウンタ、
34b…座標テーブル、50…デイスプレイユニ
ツト、52…コントローラ、24…画像メモリ。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 被検査面上の異物を検出する手段と、被検査
    面内の区画を示すパターンをデイスプレイ画面ま
    たはプリント紙に出力させる手段と、検出された
    異物のうち区画の有効領域内の異物だけを有効異
    物として抽出する手段と、その有効異物の個数を
    各区画毎にカウントする手段と、各区画毎の有効
    異物の個数またはそれに関連したパターンをデイ
    スプレイ画面またはプリント紙に前記区画のパタ
    ーンと重ねて出力させる手段とを有することを特
    徴とする異物検査装置。 2 被検査面はウエハの表面であり、区画はチツ
    プ領域であることを特徴とする特許請求の範囲第
    1項に記載の異物検査装置。
JP61211925A 1986-09-09 1986-09-09 異物検査装置 Granted JPS6366447A (ja)

Priority Applications (1)

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JP61211925A JPS6366447A (ja) 1986-09-09 1986-09-09 異物検査装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US6185324B1 (en) 1989-07-12 2001-02-06 Hitachi, Ltd. Semiconductor failure analysis system
JP2941308B2 (ja) 1989-07-12 1999-08-25 株式会社日立製作所 検査システムおよび電子デバイスの製造方法
JP2017044671A (ja) * 2015-08-28 2017-03-02 三重富士通セミコンダクター株式会社 検査装置及び検査方法
CN111863649B (zh) * 2020-06-23 2021-02-09 深圳米飞泰克科技有限公司 芯片的成品测试方法、装置、终端设备和存储介质

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