JPS6117147A - フオトマスクのパタ−ン検査方法 - Google Patents

フオトマスクのパタ−ン検査方法

Info

Publication number
JPS6117147A
JPS6117147A JP59138509A JP13850984A JPS6117147A JP S6117147 A JPS6117147 A JP S6117147A JP 59138509 A JP59138509 A JP 59138509A JP 13850984 A JP13850984 A JP 13850984A JP S6117147 A JPS6117147 A JP S6117147A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
photomask
dust
pattern
moved
defects
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP59138509A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0219617B2 (ja
Inventor
Koji Uchiumi
内海　康志
Hideo Kikuchi
秀雄 菊地
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
Priority to JP59138509A priority Critical patent/JPS6117147A/ja
Publication of JPS6117147A publication Critical patent/JPS6117147A/ja
Publication of JPH0219617B2 publication Critical patent/JPH0219617B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
    • G03F1/84—Inspecting

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明はフォトマスクのパターン検査方法に関し、とく
に印刷配線板用のフォトマスク面に付着するごみ・はこ
りによる誤欠陥検出対策に関する。
〔従来技術〕
従来、高速フォトマスク検査装置を用いて印刷配線板の
フォトマスクのバター／検査を行なう場合にごみ・はこ
りも欠陥箇所として検出されるため、無塵布等でフォト
マスク面を拭きごみ・はこりを払ってからフォトマスク
のパターン検査を行なうが、フォトマスク面に静電気等
で付着したごみ・はこりは、十分拭きとれずに欠陥箇所
として検出され、真の欠陥箇所が数個単位であるのに対
し数十個から数百側の欠陥箇所が存在するように誤判定
されてしまう欠点があった。そのため、フォトマスク検
査装置によるフォトマスクの仮想の欠陥箇所へのマーキ
ング工数及び後工程における作業者のチェック工数が膨
大になる欠点があった。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、かかる従来欠点を解決したフォトマス
クのパターン検査方法を提供することにある。
〔発明の構成〕
本発明によれば、フォトマスク検査装置を用いて１回目
のフォトマスク面のパターンを検査して欠陥の位置座標
を検出する工程と、フォトマスク面を布等で拭く工程と
、２回目のフォトマスク面のパターンを検査して１回目
の検査結果と比較して同一箇所に存在する欠陥の位置座
標を真の欠陥と判定する工程とを含むことを特徴とする
フォトマスクのパターン検査方法が得られる。
〔実施例〕
以下、本発明の一実施例を図面を参照して詳細に説明す
る。第１図は、１回目のフォトマスクのパターンの検査
状態を示す図である。フォトマスク１に描画された回路
パターン、２にピアホール３゜欠損部４等の欠陥とごみ
・はこり５が存在した場合の１回目のフォトマスクのパ
ターン検査で、ピノホール３．欠損部４．ごみ・はこり
５をも欠陥として検出しそれぞれの位置座標が（ＸＩ　
、Ｙｌ　）。
（Ｘ２　、Ｙｚ　）　、　（Ｘａ　、Ｙ３　）として記
憶される。
第２図は２回目のフォトマスクのパターンの検査状態を
示す図で、２回目のフォトマスクのパターン検査はごみ
・はこり５を１回目のパターン検査の箇所から移動させ
るためにフォトマスク１の面を無塵布等で拭いてから行
なう。この場合真の欠陥箇所は移動せずごみ・はこり５
′だけが拭きとられて除去されるか移動するため２回目
のパターン検査では移動しなかったピアホール３欠損部
４と移動したごみ・はこり５′を欠陥として検出し、ピ
アホール３．欠損部４．ごみ・はこり５′のそれぞれの
位置座標が（Ｘｌ、Ｙｌ）、（Ｘｚ、Ｙｚ）。
（Ｘ３’　、Ｙ３’）として記憶される。
１回目のパターン検査による欠陥の位置座標と２回目の
パターン検査による欠陥の位置座標を比較してチェック
すると、真の欠陥箇所は移動しないため欠陥箇所の位置
座標は同じであるがごみ・はこりは拭きとり工程により
除去されるか移動するため、１回目のパターン検査の欠
陥箇所の位置座標と２回目のパターン検査の欠陥箇所の
位置座標が異って検出できる。すなわち２回目のパター
ン検査を行ない１回目のパターン検査と同一箇所に存在
する欠陥部を真の欠陥部と判定すればごみ・はこり５の
誤検出を除去できる。
〔発明の効果〕
以上、本発明によりごみ・はこりの箇所を欠陥と誤検出
することがなくなりフォトマスク検査装置によるフォト
マスクの欠陥箇所へのマーキ／グ工数及び作業者のチェ
ック工数が大幅に低減でき実用的効果が大である。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の１回目のフォトマスクパターン検査の
平面図。第２図は本発明の２回目のフォトマスクパター
ン検査の平面図。 １・・・・・・フォトマスク、２・・・・・・回路パタ
ーン、３・・・・・・ピノホール、４・・・・・・欠損
部、５．５’・・・・・・ごみ・はこり。 代理人　弁理士　　内　原　　　晋、　“ゝ・。 ゛・　− 整２０

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. フォトマスク検査装置を用いて１回目のフォトマスク面
    のパターンを検査して欠陥の位置座標を検出する工程と
    、フォトマスク面を拭く工程と、２回目のフォトマスク
    面のパターンを検査して１回目の検査結果と比較して同
    一箇所に存在する欠陥の位置座標を真の欠陥と判定する
    工程とを含むことを特徴とするフォトマスクのパターン
    検査方法。
JP59138509A 1984-07-04 1984-07-04 フオトマスクのパタ−ン検査方法 Granted JPS6117147A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59138509A JPS6117147A (ja) 1984-07-04 1984-07-04 フオトマスクのパタ−ン検査方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59138509A JPS6117147A (ja) 1984-07-04 1984-07-04 フオトマスクのパタ−ン検査方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6117147A true JPS6117147A (ja) 1986-01-25
JPH0219617B2 JPH0219617B2 (ja) 1990-05-02

Family

ID=15223797

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59138509A Granted JPS6117147A (ja) 1984-07-04 1984-07-04 フオトマスクのパタ−ン検査方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6117147A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4922670A (en) * 1989-01-27 1990-05-08 Naka Technical Laboratory Free access floor and method of constructing the same
JP2008274864A (ja) * 2007-04-27 2008-11-13 Honda Motor Co Ltd Ｖ型エンジン
US8268670B2 (en) 2003-10-07 2012-09-18 Fujitsu Semiconductor Limited Method of semiconductor device protection
CN110108713A (zh) * 2019-04-26 2019-08-09 武汉精立电子技术有限公司 一种表面异物缺陷快速过滤方法及系统
WO2024043190A1 (ja) * 2022-08-22 2024-02-29 株式会社 東芝 検査装置、検査システムおよび検査方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4922670A (en) * 1989-01-27 1990-05-08 Naka Technical Laboratory Free access floor and method of constructing the same
US8268670B2 (en) 2003-10-07 2012-09-18 Fujitsu Semiconductor Limited Method of semiconductor device protection
JP2008274864A (ja) * 2007-04-27 2008-11-13 Honda Motor Co Ltd Ｖ型エンジン
CN110108713A (zh) * 2019-04-26 2019-08-09 武汉精立电子技术有限公司 一种表面异物缺陷快速过滤方法及系统
WO2024043190A1 (ja) * 2022-08-22 2024-02-29 株式会社 東芝 検査装置、検査システムおよび検査方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0219617B2 (ja) 1990-05-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS6117147A (ja) フオトマスクのパタ−ン検査方法
JPH08181178A (ja) ウェハ外観検査装置およびウェハ外観検査方法
Malge et al. A survey: Automated visual pcb inspection algorithm
Hong et al. Parallel processing machine vision system for bare PCB inspection
IL148828A (en) A morphological method for detecting changes
JP3309322B2 (ja) プリント基板検査システム
JP3223546B2 (ja) 基板の回路パターンの検査方法
JPS6124232A (ja) パタ−ン検査方法
JPS61207953A (ja) 自動外観検査装置
JP2005217062A (ja) フォトリソプロセス装置および欠陥検査方法
JP4010838B2 (ja) パターン検査装置
JPS59195645A (ja) 露光マスク洗浄装置
JPS6366446A (ja) 異物検査装置
JPS62169040A (ja) プリント基板パタ−ン検査装置
JPH06305110A (ja) 印刷スクリーンの目詰まり検査装置及び方法
JPH0667407A (ja) レチクル・マスク表面の異物の比較検査方法
JPH0516740B2 (ja)
JPH09106065A (ja) 基板洗浄装置及び基板洗浄方法
JPS61230016A (ja) プリント基板パタ−ン検査方法
JPH04129241A (ja) 欠陥検査装置
JPH10246951A (ja) レチクルの欠陥検査方法及びその装置
JPH0618428A (ja) 欠陥検査方法及び半導体装置の製造方法
JPH01287449A (ja) パターン欠陥検査装置
JPS62123338A (ja) 高密度実装基板の検査装置
Heriansyah et al. PCB Inspection based-on Wavelet and Morphological Image Processing Approaches