JPH02189996A - 多層セラミック回路基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、高速信号伝播及び高密度実装が出来る多層セ
ラミック回路基板の製造方法に関するものである。

［従来の技術］ 大型コンピュータなどの高密度実装に用いたり、高速動
作の部品を搭載するための多層セラミック回路基板材料
としては、比誘電率ε　が小さくて信号を高速伝搬する
ことが必要であり、かつ銅などの低融点金属を導体層と
して一体焼成することが可能なことが望ましい。

従来、この種の材料に関するものとして、ムライト５〜
７５重量％、石英ガラス０〜７０重量％、およびはうけ
い酸ガラス２５〜９５重量％からなるガラスセラミック
焼結体を絶縁材料とする多層セラミック回路基板が特開
昭６３−　］、　０７０９５号公報に開示されている。

ただし、この基板材料の比誘電率ε　は４．６であった
。

［発明が解決しようとする課題］ しかし、上記の多層セラミック回路基板の基板材料とし
ての比誘電率ε　は４．６であり、十分に小さな値のも
のは得られてなかった。

本発明は、上記の高速信号伝搬及び高密度実装か出来る
多層セラミック回路基板の問題点を解決するためになさ
れたものであり、比誘電率が太きいという従来の欠点を
除去し、比誘電率の小さな基板材料の多層セラミック回
路基板を提供することを目的とするものである。

［課題を解決するための手段］ 以上の課題を解決するために、本発明者は、次に述べる
ような発明を行った。即ち、 第１の発明は、 多層セラミック回路基板の製造方法において、媒液及び
バインダー等を含む酸化物超微粉末のペースト状物を、
スピンコート又はスクリーン印刷により基板」二に絶縁
層を形成する工程、前記絶縁層」二に導体層を形成し繰
り返すことによって絶縁層と導体層を多層に積層する工
程、前記積層体中の媒液を蒸発させる工程、前記積層体
中のバインダーを除去する工程及び前記積層体を焼成す
る工程 からなることを特徴とする多層セラミック回路基板の製
造方法である。

第２の発明は、 多層セラミック回路基板の製造方法において、媒液及び
バインダー等を含む酸化物超微粉末のペースト状物を、
ドクターブレードによりグリンシートを形成する工程、 前記グリーンシート」二に導体層を介して多層に積層す
る工程、 前記積層体中の媒液を蒸発させる工程、前記積層体中の
バインダーを除去する工程及び前記積層体を焼成する工
程焼成工程 からなることを特徴とする多層セラミック回路基板の製
造方法である。

さらに、前記第１及び第２の発明において、酸化物超微
粉末がＳｉＯ，Ａｇ２Ｏ３又はＳｉ０　とＡｇ２Ｏ３の
混合物であることを特徴とする多層セラミック回路基板
の製造方法である。

［作用］ 本発明の多層セラミック回路基板の製造方法は、媒液及
びバインダー等を含むＳｉＯ，Ａρ２０３又はＳｉＯと
Ａｇ２Ｏ３の混合物の酸化物超微粉末のペースト状物を
用い、媒液蒸発法によって形成しているために、空孔率
が高く、空孔径の小さい、比誘電率ε　の小さな多孔質
の多層セラミック回路基板が得られ、高密度実装あるい
は高速素子用多層回路基板として用いられるものである
。

次に本発明の実施例について述べる。

［実施例］ 第１図は本発明の実施例を示す多層セラミック回路基板
の積層後の断面模式図である。

図に基づいて説明する。図において、］はグリンシート
、２，３．４は第２層、第３層、第４層のグリーンシー
ト、６，７．８は配線導体である。

［実施例１］ 平均粒径０．０ＢＩＪｍのδ−ＡΩ２０３超微粉末［仕
入セメント■製］１ｇに対して１ｇのα−オレフィン・
オリゴマー［ライオン■製のＬＩＰＯＬｔＪＢＥ６０］
媒液を加え、さらにバインダーとして３ｗｔ％のエチル
セルロース溶液２０ｇを加え、十分に混合した後ドクタ
ーブレード法によりシート化した。

次に５０°Ｃ２５０〜７０％ＲＨで５〜１０時間乾燥し
グリンンートを得た。得られたグリーンシートは金型を
用いて所定の寸法に打ち抜いた。

次にタングステンＷ又はモリブデンＭｏ系導体をスクリ
ーン印刷し、乾燥後シート層間の位置合せを行い加熱下
で加圧し積層体を得た。

成形積層体は、大気中２００〜３００°Ｃ，２時間で成
形積層体中の媒液を蒸発させ、次に４００〜５００°Ｃ
１２時間で積層体中のバインダを除去し、引続き還元性
雰囲気で１０００〜１１００°Ｃ，１時間焼成し、多層
セラミック回路基板を得た。

本材料の空孔率は８５％て比誘電率ε　は２．２〜３．
５と極めて小さい値を示した。

「実施例２」 平均粒径０．０２５μｍの８１０２超微粉末１ｇに対し
て１ｇのα−オレフィン・オリゴマー［ライオン■製の
ＬＩＰＯＬＬＩＢＥ−［ｉ０］媒液を加え、さらにバイ
ンダーとして３ｗｔ％のエチルセルロース溶液２０ｇを
加え、十分に混合した後ドクターブレード法によりシー
ト化した。

次に５０°Ｃ９５０〜６０％Ｒ１＋で５〜１０時間乾燥
しグリンシートを得た。得られたグリーンシートは金型
を用いて所定の寸法に打ち抜いた。

次にＡｕ又はＡｇ−Ｐｄの導体をスクリーン印刷し、乾
燥後シート層間の位置合せを行い加熱下で加圧し積層体
を得た。

成形積層体は、大気中２００〜３００℃、２時間で成形
積層体中の媒液を蒸発させ、次に４００〜５００℃、２
時間で積層体中のバインダを除去した。弓続き　７００
〜９５０°Ｃ，１時間焼成し、多層セラミック回路基板
を得た。

本材料の空孔率は８８％で比誘電率ε　は１．３〜２．
５と極めて小さい値を示した。

［実施例３］ 酸化物超微粉末として、実施例１及び実施例２と同じ平
均粒径のＡｇ２Ｏ３と５ｉ０２の２成分を用い、実施例
１及び実施例２と同様の工程、手順但し、導体は、実施
例２と同じＡｕ又はＡｇＰｄにてスクリーン印刷し、焼
成を７００〜１０００℃。

１時間熱処理することにより、多層セラミック回路基板
を得た。

Ａｆ１２０３とＳｉＯ３の混合比が１・１の場合、本材
料の空孔率は８６％で比誘電率ε　は１．８〜２．５と
極めて小さい値を示した。

さらに、実施例１〜３においては、成形積層体中の媒液
及びバインダー等を含む酸化物超微粉末のペースト状物
を、ドクターブレード法によりシト化しグリンシートを
形成したが、スピンコトやスクリーン印刷により、基板
上に絶縁層を形成し、前記絶縁層上に導体層を形成しこ
れを繰り返すことによって絶縁層と導体層を多層に積層
し、以下同様の工程で多層セラミック回路基板を得ても
良い。

［発明の効果］ 以上述べた本発明の多層セラミック回路基板の製造方法
によれば、空孔率が高く、空孔径の小さい、比誘電率の
小さな多孔質の多層セラミック回路基板が得られ、比誘
電率か極めて小さいため、回路基板を形成した場合、高
速信号伝搬および高密度実装が可能となる等の効果を奏
する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例を示す多層セラミック回路基板
の積層後の断面模式図である。 図において、１ニゲリーンシート、２，３，４：夫々第
２層、第３層、第４層のグリーンシート。 ６．７，３：配線導体。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）媒液及びバインダー等を含む酸化物超微粉末のペ
   ースト状物を、スピンコート又はスクリーン印刷により
   基板上に絶縁層を形成する工程、前記絶縁層上に導体層
   を形成し繰り返すことによって絶縁層と導体層を多層に
   積層する工程、前記積層体中の媒液を蒸発させる工程、 前記積層体中のバインダーを除去する工程及び前記積層
   体を焼成する工程 からなることを特徴とする多層セラミック回路基板の製
   造方法。
2. （２）媒液及びバインダー等を含む酸化物超微粉末のペ
   ースト状物を、ドクターブレードによりグリーンシート
   を形成する工程、 前記グリーンシート上に導体層を介して多層に積層する
   工程、 前記積層体中の媒液を蒸発させる工程、 前記積層体中のバインダーを除去する工程及び前記積層
   体を焼成する工程焼成工程 からなることを特徴とする多層セラミック回路基板の製
   造方法。
3. （３）酸化物超微粉末がＳｉＯ＿２であることを特徴と
   する請求項１又は２記載の多層セラミック回路基板の製
   造方法。
4. （４）酸化物超微粉末がＡｌ＿２Ｏ＿３であることを特
   徴とする請求項１又は２記載の多層セラミック回路基板
   の製造方法。
5. （５）酸化物超微粉末がＳｉＯ＿２とＡｌ＿２Ｏ＿３の
   混合物であることを特徴とする請求項１又は２記載の多
   層セラミック回路基板の製造方法。