JPH02189995A - 多層プリント基板の製造方法 - Google Patents
多層プリント基板の製造方法Info
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- JPH02189995A JPH02189995A JP1010854A JP1085489A JPH02189995A JP H02189995 A JPH02189995 A JP H02189995A JP 1010854 A JP1010854 A JP 1010854A JP 1085489 A JP1085489 A JP 1085489A JP H02189995 A JPH02189995 A JP H02189995A
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Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
多層プリン1一基板の製造方法に関し、アスペクト比(
プリント基板の厚さ/スルーホールの直径)の大きいプ
リント基板のスルーポル内に、該プリント基板の表面に
形成される導体層と同程度の厚さで分厚く導体層が形成
されるようなプリン1へ基板の製造方法の提供を目的と
し、銅箔を所定のパターンに形成した内層材とプリプレ
グおよび表面層銅箔を加圧加熱積層して多層基板を形成
する工程、 該表面層銅箔上に樹脂層を塗布した後、該樹脂層」二に
保護膜を積層する工程、 該保護膜を積層した基板にスルーホールを形成後、該ス
ルーホール内および積層した保護膜」二にメッキ用触媒
を付着する工程、 前記積層した保護膜を除去して樹脂層を露出させる工程
、 該樹脂層をメッキ用レジスト膜としてスルーポール内に
選択的に無電解銅メッキ層および電解銅メッキ層を形成
する工程、 前記塗布した樹脂層を剥離する工程、 前記露出した表面層銅箔上にメッキ用レジスト膜を形成
後、パターン銅メッキ層および半田メッキ層を形成する
工程を含むことで構成する。
プリント基板の厚さ/スルーホールの直径)の大きいプ
リント基板のスルーポル内に、該プリント基板の表面に
形成される導体層と同程度の厚さで分厚く導体層が形成
されるようなプリン1へ基板の製造方法の提供を目的と
し、銅箔を所定のパターンに形成した内層材とプリプレ
グおよび表面層銅箔を加圧加熱積層して多層基板を形成
する工程、 該表面層銅箔上に樹脂層を塗布した後、該樹脂層」二に
保護膜を積層する工程、 該保護膜を積層した基板にスルーホールを形成後、該ス
ルーホール内および積層した保護膜」二にメッキ用触媒
を付着する工程、 前記積層した保護膜を除去して樹脂層を露出させる工程
、 該樹脂層をメッキ用レジスト膜としてスルーポール内に
選択的に無電解銅メッキ層および電解銅メッキ層を形成
する工程、 前記塗布した樹脂層を剥離する工程、 前記露出した表面層銅箔上にメッキ用レジスト膜を形成
後、パターン銅メッキ層および半田メッキ層を形成する
工程を含むことで構成する。
〔産業上の利用分野]
本発明は多層プリント基板の製造方法に関する。
プリント基板に高密度に電子部品を搭載するために多層
プリント基板が用いられている。
プリント基板が用いられている。
従来の多層プリント基板の製造方法について述べる。
まず第2図(a)に示すように、銅箔1を所定のパター
ンに形成した内層材2の両面にプリプレグ3と表面層銅
箔4を加熱加熱積層して第2図(b)のように多層基板
5を形成する。
ンに形成した内層材2の両面にプリプレグ3と表面層銅
箔4を加熱加熱積層して第2図(b)のように多層基板
5を形成する。
次いで第2図(C)に示すように該基板5を貫通ずるス
ルーポール6を形成する。
ルーポール6を形成する。
次いで第2図(d)に示すように該基板をメッキ用触媒
液に浸漬してスルーホール6内、および基板の表面にメ
ッキ用触媒7を付着させる。
液に浸漬してスルーホール6内、および基板の表面にメ
ッキ用触媒7を付着させる。
次いで第2図(e)に示すように該基板を無電解銅メッ
キ液に浸漬し、スルーボール6内および基板表面に無電
解銅メッキ層8を形成する。
キ液に浸漬し、スルーボール6内および基板表面に無電
解銅メッキ層8を形成する。
次いで第2図(f)に示すように無電解銅メッキ層8上
に電解銅メッキ層9を形成する。
に電解銅メッキ層9を形成する。
次いで第2図((2)に示すように、スルーホール以外
の基板表面に所定パターンのメッキ用レジスト膜10を
形成する。
の基板表面に所定パターンのメッキ用レジスト膜10を
形成する。
次いで第2図(1])に示すように、該レジスト膜10
をマスクとして電解銅メッキ、および電解半田メッキを
行ってパターン銅メッキ層11とパターン半田メッキ層
12よりなるパターン銅・半田メッキ層13を形成する
。
をマスクとして電解銅メッキ、および電解半田メッキを
行ってパターン銅メッキ層11とパターン半田メッキ層
12よりなるパターン銅・半田メッキ層13を形成する
。
次いで第2図(i)に示すようにメッキ用レジスト膜1
0を剥離する。
0を剥離する。
次いで第2図(j)に示すようにパターン銅・半田メッ
キ層13をマスクとして表面層銅箔4をエツチング除去
して多層プリン1へ基板を形成している。
キ層13をマスクとして表面層銅箔4をエツチング除去
して多層プリン1へ基板を形成している。
ところで、上記した第2図(f)および第2図(g)に
示すように、電解銅メッキ層9の形成速度は電解液に掛
かる電解強度の影響でプリント基板の表面の方がスルー
ポール6内に於けるよりも大であるので、スルーホール
6内の電解銅メッキ層9の方が表面の銅メッキ層9より
薄く形成される傾向があり、スルーボール6内に所定の
厚さの電解銅メッキ層9を形成しようとすると、表面層
に形成される電解銅メッキ層9の厚さが必要以上に厚く
形成される不都合が生じる。
示すように、電解銅メッキ層9の形成速度は電解液に掛
かる電解強度の影響でプリント基板の表面の方がスルー
ポール6内に於けるよりも大であるので、スルーホール
6内の電解銅メッキ層9の方が表面の銅メッキ層9より
薄く形成される傾向があり、スルーボール6内に所定の
厚さの電解銅メッキ層9を形成しようとすると、表面層
に形成される電解銅メッキ層9の厚さが必要以上に厚く
形成される不都合が生じる。
特に電子計算機に使用するプリント基板はアスペクト比
(プリント基板の厚さ/スルーホールの直径)の高い寸
法に形成されているため、電解液のスルーホール内への
浸透が悪いため、この傾向が大である。
(プリント基板の厚さ/スルーホールの直径)の高い寸
法に形成されているため、電解液のスルーホール内への
浸透が悪いため、この傾向が大である。
そこで第2図(C)に示すように、スルーホール6を形
成後、そのスルーホール6以外の表面層銅箔4の領域に
レジスl〜膜を選択的に形成し、スルーホール内のみに
選択的にメッキ用触媒液を付着させ、選択的に予めスル
ーポール内に無電解メッキ液を形成して、その後プリン
ト基板表面およびスルーポール内に電解銅メッキを形成
してスルーホール内とプリント基板表面との導体層の厚
さを均一にするように試みたが、スルーホール内にレジ
スI−膜形成用のレジスト液が入り込む不都合がある。
成後、そのスルーホール6以外の表面層銅箔4の領域に
レジスl〜膜を選択的に形成し、スルーホール内のみに
選択的にメッキ用触媒液を付着させ、選択的に予めスル
ーポール内に無電解メッキ液を形成して、その後プリン
ト基板表面およびスルーポール内に電解銅メッキを形成
してスルーホール内とプリント基板表面との導体層の厚
さを均一にするように試みたが、スルーホール内にレジ
スI−膜形成用のレジスト液が入り込む不都合がある。
本発明は上記した問題点を除去し、プリント基板のスル
ーボール内と基板表面に形成される電解銅メッキ層が均
一な厚さで形成されるようにしたプリンl−基板の製造
方法の提供を目的とする。
ーボール内と基板表面に形成される電解銅メッキ層が均
一な厚さで形成されるようにしたプリンl−基板の製造
方法の提供を目的とする。
ル内に選択的に無電解メッキ層および電解銅メッキ層を
形成する工程、 前記塗布した樹脂層を剥離する工程、 前記露出した表面層銅箔上にメッキ用レジスト膜を形成
後、パターン銅メッキ層および半田メッキ層を形成する
工程を含むことを特徴とする。
形成する工程、 前記塗布した樹脂層を剥離する工程、 前記露出した表面層銅箔上にメッキ用レジスト膜を形成
後、パターン銅メッキ層および半田メッキ層を形成する
工程を含むことを特徴とする。
上記目的を達成する本発明のプリント基板の製造方法は
、銅箔を所定のパターンに形成した内層材とプリプレグ
および表面層銅箔を加圧加熱積層して多層基板を形成す
る工程、 該表面層銅箔上に樹脂層を塗布した後、該樹脂層上に保
護膜を積層する工程、 該保護膜を積層した基板にスルーボールを形成後、該ス
ルーポール内および積層した保護膜上にメッキ用触媒を
付着する工程、 前記積層した保護■りを除去して樹脂層を露出させる工
程、 該樹脂層をメッキ用レジスト膜としてスルーボ〔作 用
] 本発明のプリント基板の製造方法は、従来の方法と同様
な方法で銅箔を所定のパターンに形成した内層材、プリ
プレグおよび表面層銅箔を積層して積層基板を形成後、
該表面層銅箔上に樹脂層を塗布し、その上に銅箔を積層
した後、該積層基板をメッキ用触媒液中に浸漬し、その
後積層せる銅箔を除去し、塗布せる樹脂層をメッキ用レ
ジスト膜としてスルーボール内のみに選択的に無電解メ
ッキと電解銅メッキを施す。そして塗布した樹脂層を剥
離した後、表面層銅箔上にメッキ用レジスト膜を形成後
、このレジスト膜をマスクとしてスルーボール内と表面
層銅箔上にパターン銅および半田メッキ層を形成する。
、銅箔を所定のパターンに形成した内層材とプリプレグ
および表面層銅箔を加圧加熱積層して多層基板を形成す
る工程、 該表面層銅箔上に樹脂層を塗布した後、該樹脂層上に保
護膜を積層する工程、 該保護膜を積層した基板にスルーボールを形成後、該ス
ルーポール内および積層した保護膜上にメッキ用触媒を
付着する工程、 前記積層した保護■りを除去して樹脂層を露出させる工
程、 該樹脂層をメッキ用レジスト膜としてスルーボ〔作 用
] 本発明のプリント基板の製造方法は、従来の方法と同様
な方法で銅箔を所定のパターンに形成した内層材、プリ
プレグおよび表面層銅箔を積層して積層基板を形成後、
該表面層銅箔上に樹脂層を塗布し、その上に銅箔を積層
した後、該積層基板をメッキ用触媒液中に浸漬し、その
後積層せる銅箔を除去し、塗布せる樹脂層をメッキ用レ
ジスト膜としてスルーボール内のみに選択的に無電解メ
ッキと電解銅メッキを施す。そして塗布した樹脂層を剥
離した後、表面層銅箔上にメッキ用レジスト膜を形成後
、このレジスト膜をマスクとしてスルーボール内と表面
層銅箔上にパターン銅および半田メッキ層を形成する。
このようにすると電解銅メッキ層の形成速度が基板表面
より遅いスルーホール内に選択的に無電解銅メッキ層と
電解銅メッキ層が予め形成されているのでスルーホール
内の導体層のメッキ層がプリント基板表面のメンキ層と
が略均−な厚さで厚く形成できる。
より遅いスルーホール内に選択的に無電解銅メッキ層と
電解銅メッキ層が予め形成されているのでスルーホール
内の導体層のメッキ層がプリント基板表面のメンキ層と
が略均−な厚さで厚く形成できる。
〔実 施 例]
以下、図面を用いて本発明の一実施例につき詳細に説明
する。
する。
前記第2図(b)に示した所定パターンの内層材の銅箔
1を有し、前記したプリプレグ3および表面層銅箔4か
加圧加熱積層された多層基板5を第1図(a)に示すよ
うに用意する。
1を有し、前記したプリプレグ3および表面層銅箔4か
加圧加熱積層された多層基板5を第1図(a)に示すよ
うに用意する。
次いで第1図(b)に示すように、表面層銅箔4上に樹
脂層21を前記基板5の表面を、−の電位にして電着コ
ートする。
脂層21を前記基板5の表面を、−の電位にして電着コ
ートする。
この樹脂層21は耐メッキ液性が有れば良く、樹脂層2
1形成用の液状(例えばシンプレイ社製、商品名; X
P−Eagle)の樹脂を用い、この樹脂液中に表面
層銅箔4を浸漬し、この銅箔4を−に帯電させると樹脂
層21が銅箔4の表面に付着する。
1形成用の液状(例えばシンプレイ社製、商品名; X
P−Eagle)の樹脂を用い、この樹脂液中に表面
層銅箔4を浸漬し、この銅箔4を−に帯電させると樹脂
層21が銅箔4の表面に付着する。
次いで第1図(C)に示すように、樹脂層21上に保護
膜としての銅箔22を加熱加圧して積層する。この積層
せる銅箔22を後の工程で除去する場合には、この銅箔
22と樹脂層21の密着力を0.15〜0.30kg/
cm2とし、該樹脂層21と表面層銅箔4の密着力を0
.55kg/ cm2以」二とし、銅箔22の厚さを9
pm程度と薄<シ、表面を平滑に加工仕」二げすると
、この銅箔22と樹脂層21が容易にビール法で除去で
きる。
膜としての銅箔22を加熱加圧して積層する。この積層
せる銅箔22を後の工程で除去する場合には、この銅箔
22と樹脂層21の密着力を0.15〜0.30kg/
cm2とし、該樹脂層21と表面層銅箔4の密着力を0
.55kg/ cm2以」二とし、銅箔22の厚さを9
pm程度と薄<シ、表面を平滑に加工仕」二げすると
、この銅箔22と樹脂層21が容易にビール法で除去で
きる。
次いで第1図(d)に示すように、ドリルにて基板5を
貫通ずるスルーホール23を形成する。
貫通ずるスルーホール23を形成する。
次いで第1図(e)に示すように、該多層基板5をメッ
キ用触媒液中に浸漬してスルーホール23内と基板表面
にメッキ用触媒層24を付着させる。
キ用触媒液中に浸漬してスルーホール23内と基板表面
にメッキ用触媒層24を付着させる。
次いで第1図(f)に示すように、銅箔22をビール法
にて除去し、スルーホール23内にのみメッキ用触媒2
4を選択的に残留させる。
にて除去し、スルーホール23内にのみメッキ用触媒2
4を選択的に残留させる。
次いで第1図(g)に示すように、該基板を無電解銅メ
ッキ液内に浸漬し、スルーポール23内にのみ選択的に
無電解銅メッキ層25を形成する。
ッキ液内に浸漬し、スルーポール23内にのみ選択的に
無電解銅メッキ層25を形成する。
次いで第1図(h)に示すように、該基板を電解銅メッ
キ液内に浸漬し、スルーボール23内にのみ選択的に電
解銅メッキ層26を形成する。
キ液内に浸漬し、スルーボール23内にのみ選択的に電
解銅メッキ層26を形成する。
次いで第1図(i)に示すように、樹脂層21を有機酸
のような樹脂剥離液により除去し、表面層銅箔4を露出
させる。
のような樹脂剥離液により除去し、表面層銅箔4を露出
させる。
次いで第1図(j)に示すように、スルーホール23以
外の箇所に導体層パターン形成用のメッキ用レジスト膜
27を形成する。
外の箇所に導体層パターン形成用のメッキ用レジスト膜
27を形成する。
次いで第1図(k)に示すように、メッキ用レジスト膜
27をマスクとして電解銅メンキ法および電解半田メッ
キ法によりパターン銅メッキ層28およびパターン半田
メッキ層29を形成する。
27をマスクとして電解銅メンキ法および電解半田メッ
キ法によりパターン銅メッキ層28およびパターン半田
メッキ層29を形成する。
次いで第1図(])に示すように、メッキ用レジスト膜
27を除去する。
27を除去する。
次いで第1図(m)に示すように、パターン半田メッキ
層29をマスクとして表面層銅箔4をエツチング除去し
てプリント基板を形成する。
層29をマスクとして表面層銅箔4をエツチング除去し
てプリント基板を形成する。
このようにすれば、予めスルーボール23内に選択的に
無電解銅メッキ層と電解銅メッキ層が形成されているの
で、高アスペクト比のプリント基板に於いてもスルーホ
ール23内に形成される導体層の厚さが、プリント基板
の表面に形成される導体層の厚さと同程度に形成され、
高信頼度のプリン1へ基板が形成される。
無電解銅メッキ層と電解銅メッキ層が形成されているの
で、高アスペクト比のプリント基板に於いてもスルーホ
ール23内に形成される導体層の厚さが、プリント基板
の表面に形成される導体層の厚さと同程度に形成され、
高信頼度のプリン1へ基板が形成される。
なお、本実施例の他に他の実施例として表面層銅箔4の
上に樹脂層21と銅箔22とを積層して形成する代わり
に、銅7r322表面」−に予め樹脂層21を電着法で
形成してこの樹脂層21を表面層銅箔4の上に積層して
も良い。
上に樹脂層21と銅箔22とを積層して形成する代わり
に、銅7r322表面」−に予め樹脂層21を電着法で
形成してこの樹脂層21を表面層銅箔4の上に積層して
も良い。
またメッキ用触媒層24として無電解銅メッキが省略可
能で直接電解銅メッキをスルーポール内に形成できるメ
ッキ用触媒処理液(シップレイ社製、商品名;キャタボ
ジッl□xp7373)を用いて無電解消メンキを行わ
ずに電解銅メッキ法でスルーホール内に直接電解銅メッ
キ層を形成し、その上に無電解銅メンキ層を形成し、そ
の後樹脂層21を剥離する工程を採っても良い。
能で直接電解銅メッキをスルーポール内に形成できるメ
ッキ用触媒処理液(シップレイ社製、商品名;キャタボ
ジッl□xp7373)を用いて無電解消メンキを行わ
ずに電解銅メッキ法でスルーホール内に直接電解銅メッ
キ層を形成し、その上に無電解銅メンキ層を形成し、そ
の後樹脂層21を剥離する工程を採っても良い。
以上の説明から明らかなように本発明によれば、スルー
ボール内の導体層の厚さがプリン1〜基板の表面に於i
Jる導体層の厚さと略均−な厚さて分厚く形成され、電
子計算機用のプリント基板のパターンが高密度になって
高アスペクト比のプリント基板を用いる場合でもスルー
ポール内に導体層が所望の厚さに形成できる。
ボール内の導体層の厚さがプリン1〜基板の表面に於i
Jる導体層の厚さと略均−な厚さて分厚く形成され、電
子計算機用のプリント基板のパターンが高密度になって
高アスペクト比のプリント基板を用いる場合でもスルー
ポール内に導体層が所望の厚さに形成できる。
また信号の高速電送を可能にする低誘電率のプリント基
板材料は一般に熱膨張率が大きいため、スルーポール内
の導体層の厚さが薄いとこの導体層にクラックが入り易
いが、本発明の方法を用いるとこのような低誘電率のプ
リント基板形成用材料を用いることができ、信号の高速
伝送が可能となる効果がある。
板材料は一般に熱膨張率が大きいため、スルーポール内
の導体層の厚さが薄いとこの導体層にクラックが入り易
いが、本発明の方法を用いるとこのような低誘電率のプ
リント基板形成用材料を用いることができ、信号の高速
伝送が可能となる効果がある。
リント基板の製造方法を示す断面図、
第2図(a)より第2図(j)までは、従来の多層プリ
ン)l板の製造方法を示す断面図である。
ン)l板の製造方法を示す断面図である。
図において、
1は銅箔、3はプリプレグ、4ば表面層銅箔、5は多層
基板、21は樹脂層、22は銅箔(保護膜)、23はス
ルーポール、24はメッキ用触媒層、25は無電解銅メ
ッキ層、26は電解銅メッキ層、27はメッキ用レジス
ト膜、28はパターン銅メッキ層、29はパターン半田
メッキ層を示す。
基板、21は樹脂層、22は銅箔(保護膜)、23はス
ルーポール、24はメッキ用触媒層、25は無電解銅メ
ッキ層、26は電解銅メッキ層、27はメッキ用レジス
ト膜、28はパターン銅メッキ層、29はパターン半田
メッキ層を示す。
Claims (2)
- (1)銅箔(1)を所定のパターンに形成した内層材と
プリプレグ(3)および表面層銅箔(4)を加圧加熱積
層して多層基板(5)を形成する工程、該表面層銅箔(
4)上に樹脂層(21)を塗布した後、該樹脂層上に保
護膜(22)を積層する工程、該保護膜(22)を積層
した基板(5)にスルーホール(23)を形成後、該ス
ルーホール(23)内および積層した保護膜(22)上
にメッキ用触媒(24)を付着する工程、 前記積層した保護膜(22)を除去して樹脂層(21)
を露出させる工程、 該樹脂層(21)をメッキ用レジスト膜としてスルーホ
ール内に選択的に付着したメッキ用触媒(24)を用い
て無電解銅メッキ層(25)および電解銅メッキ層(2
6)を形成する工程、 前記塗布した樹脂層(21)を剥離する工程、前記露出
した表面層銅箔(4)上にメッキ用レジスト膜(27)
を形成後、パターン銅メッキ層(28)および半田メッ
キ層(29)を形成する工程を含むことを特徴とする多
層プリント基板の製造方法。 - (2)請求項(1)記載の多層プリント基板の製造方法
に於いて、 表面層銅箔(4)上に樹脂層(21)を塗布した後、該
樹脂層上に保護膜(22)を積層する工程に代えて、前
記表面層銅箔(4)上に予め樹脂を塗布せる保護膜(2
2)を積層することを特徴とする多層プリント基板の製
造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1010854A JPH02189995A (ja) | 1989-01-18 | 1989-01-18 | 多層プリント基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1010854A JPH02189995A (ja) | 1989-01-18 | 1989-01-18 | 多層プリント基板の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02189995A true JPH02189995A (ja) | 1990-07-25 |
Family
ID=11761942
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1010854A Pending JPH02189995A (ja) | 1989-01-18 | 1989-01-18 | 多層プリント基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02189995A (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59193080A (ja) * | 1983-04-15 | 1984-11-01 | Hitachi Ltd | 発光半導体装置 |
JPS61154057A (ja) * | 1984-12-26 | 1986-07-12 | Toshiba Corp | 自動車オルタネ−タ用整流素子 |
-
1989
- 1989-01-18 JP JP1010854A patent/JPH02189995A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59193080A (ja) * | 1983-04-15 | 1984-11-01 | Hitachi Ltd | 発光半導体装置 |
JPS61154057A (ja) * | 1984-12-26 | 1986-07-12 | Toshiba Corp | 自動車オルタネ−タ用整流素子 |
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