JPH0218925A - 微細パターン形成方法 - Google Patents
微細パターン形成方法Info
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- JPH0218925A JPH0218925A JP16995288A JP16995288A JPH0218925A JP H0218925 A JPH0218925 A JP H0218925A JP 16995288 A JP16995288 A JP 16995288A JP 16995288 A JP16995288 A JP 16995288A JP H0218925 A JPH0218925 A JP H0218925A
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- JP
- Japan
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- electron beam
- beam exposure
- emission filament
- tiw
- drawn
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 229910025794 LaB6 Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
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Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
この発明は半導体集積回路や光集積回路等における微細
パターン形成方法に関し、更に詳しくは半導体基板等に
サブミクロンの線幅を描画し得る電子ビーム直接露光あ
るいはＸｇＡ露光用マスク形成のための電子ビーム露光
による微細パターン形成方法に関するものである。
パターン形成方法に関し、更に詳しくは半導体基板等に
サブミクロンの線幅を描画し得る電子ビーム直接露光あ
るいはＸｇＡ露光用マスク形成のための電子ビーム露光
による微細パターン形成方法に関するものである。
（ロ）従来の技術
一般に、半導体基板等に０．５μｍ以下の超微細パター
ンを形成するためには、現在主流である光学的手法を適
用するのが難しい。
ンを形成するためには、現在主流である光学的手法を適
用するのが難しい。
従来の電子ビーム露光は、ＴｉＷフィールドエミッショ
ン・フィラメントの電子ビーム露光装置単体による微細
パターン形成、またはＬａＢ５サーマルエミッション・
フィラメントの電子ビーム露光装置単体による微細パタ
ーン形成か一般化されている。
ン・フィラメントの電子ビーム露光装置単体による微細
パターン形成、またはＬａＢ５サーマルエミッション・
フィラメントの電子ビーム露光装置単体による微細パタ
ーン形成か一般化されている。
（ハ）発明が解決しようとする課題
そして、電子ビームのビームサイズを０．１μｍ以下に
細く絞った場合、ＴｉＷフィールドエミッション・フィ
ラメントの方が電流を大きく取れるが、ビームサイズを
大きくするとＬ ａ Ｂ ｓサーマルエミッション・フ
ィラメントの方が電流を大きく取れる。
細く絞った場合、ＴｉＷフィールドエミッション・フィ
ラメントの方が電流を大きく取れるが、ビームサイズを
大きくするとＬ ａ Ｂ ｓサーマルエミッション・フ
ィラメントの方が電流を大きく取れる。
すなわち、ＴｉＷフィールドエミッション・フィラメン
トの電子ビーム露光装置は超微細バターン形成には向い
ているが、そのパターンを高速で形成するのは難しく処
理能力か小さい。一方、ＬａＢ、サーマルエミッション
・フィラメントの電子ビーム露光装置では、ビームサイ
ズを大きく、かつ成形して露光する可変成形方式を適用
できるから、パターンを高速で形成することができて処
理能力は大きいが、超微細パターン形成に適用すること
が難しい。
トの電子ビーム露光装置は超微細バターン形成には向い
ているが、そのパターンを高速で形成するのは難しく処
理能力か小さい。一方、ＬａＢ、サーマルエミッション
・フィラメントの電子ビーム露光装置では、ビームサイ
ズを大きく、かつ成形して露光する可変成形方式を適用
できるから、パターンを高速で形成することができて処
理能力は大きいが、超微細パターン形成に適用すること
が難しい。
（ニ）課題を解決するための手段
この発明は、被描画パターンをデータ変換して小面積部
分からなる超微細な輪郭部と大面積部分からなる粗い非
輪郭部に分け、超微細な輪郭部分はＴｉＷフィールドエ
ミッション・フィラメントの電子ビーム露光装置で描画
し、粗い非輪郭部分はＬａＢ、サーマルエミッション・
フィラメントの電子ビーム露光装置で描画するようにし
たものである。
分からなる超微細な輪郭部と大面積部分からなる粗い非
輪郭部に分け、超微細な輪郭部分はＴｉＷフィールドエ
ミッション・フィラメントの電子ビーム露光装置で描画
し、粗い非輪郭部分はＬａＢ、サーマルエミッション・
フィラメントの電子ビーム露光装置で描画するようにし
たものである。
（ホ）作用
超微細な小面積部分の露光にＴｉＷフィールドエミッン
ヨン・フィラメントの電子ビーム露光装置を適用するこ
とから、処理能力が小さいという欠点が軽減される。一
方、粗い大面積部分の露光にＬａＢ＠サーマルエミブシ
ョン・フィラメントの電子ビーム露光装置を適用するこ
とから、超微細パターン形成には不向きという欠点が軽
減される。
ヨン・フィラメントの電子ビーム露光装置を適用するこ
とから、処理能力が小さいという欠点が軽減される。一
方、粗い大面積部分の露光にＬａＢ＠サーマルエミブシ
ョン・フィラメントの電子ビーム露光装置を適用するこ
とから、超微細パターン形成には不向きという欠点が軽
減される。
（へ）実施例
以下図に示す実施例にもとづいてこの発明を詳述する。
なお、これによってこの発明は限定を受けるものではな
い。
い。
第１図、は本方法によって得られたＦ字型の被描画パタ
ーンｌを示す。
ーンｌを示す。
この被描画パターンｌは、ＴｉＷフィールドエミッンａ
ン・フィラメントの電子ビーム露光装置と、ＬａＢａサ
ーマルエミッション・フィラメントの可変成形電子ビー
ム露光装置の両方を使ったハイブリッド露光により形成
できる。
ン・フィラメントの電子ビーム露光装置と、ＬａＢａサ
ーマルエミッション・フィラメントの可変成形電子ビー
ム露光装置の両方を使ったハイブリッド露光により形成
できる。
第１図において、まず、ＬａＢａサーマルエミッション
・フィラメントの可変成形電子ビーム露光装置の解像力
限界相当分（例えば０．２μｍ）を被描画パターン１の
周囲から削り取る。削り取られて残ったパターン２が、
大面積部分からなる粗い非輪郭部である。次に、元のＦ
字型の被描画パターン１から非輪郭部２を差し引く演算
を行うことにより、Ｆ字型の輪郭部を構成する小面積部
分からなる超微細パターン３が得られる。
・フィラメントの可変成形電子ビーム露光装置の解像力
限界相当分（例えば０．２μｍ）を被描画パターン１の
周囲から削り取る。削り取られて残ったパターン２が、
大面積部分からなる粗い非輪郭部である。次に、元のＦ
字型の被描画パターン１から非輪郭部２を差し引く演算
を行うことにより、Ｆ字型の輪郭部を構成する小面積部
分からなる超微細パターン３が得られる。
さらに、この超微細な輪郭部３をＴｉＷフィールドエミ
ッション・フィラメントの電子ビーム露光装置で描画し
、一方、粗い非輪郭部２をＬａＢｅサーマルエミッノヨ
ン・フィラメントの電子ビーム露光装置で描画すること
によりＦ字型のパターンを形成できる。
ッション・フィラメントの電子ビーム露光装置で描画し
、一方、粗い非輪郭部２をＬａＢｅサーマルエミッノヨ
ン・フィラメントの電子ビーム露光装置で描画すること
によりＦ字型のパターンを形成できる。
このように本実施例では、超微細な小面積部分からなる
パターン３の露光に限定してＴｉＷフィールドエミッシ
ョン・フィラメントの電子ビーム露光装置を適用したの
で、処理能力が小さいという欠点が軽減される。すなわ
ち、ハイブリッド露光を行ったので、ＴｉＷフィールド
エミッション・フィラメントの電子ビーム露光装置単独
による露光に比べて、超微細パターン形成能力を損なう
ことなく、処理能力の向上を図ることができるものであ
る。
パターン３の露光に限定してＴｉＷフィールドエミッシ
ョン・フィラメントの電子ビーム露光装置を適用したの
で、処理能力が小さいという欠点が軽減される。すなわ
ち、ハイブリッド露光を行ったので、ＴｉＷフィールド
エミッション・フィラメントの電子ビーム露光装置単独
による露光に比べて、超微細パターン形成能力を損なう
ことなく、処理能力の向上を図ることができるものであ
る。
（ト）発明の効果
この発明によれば、被描画パターンをその周縁部全周に
沿った小面積部分からなる輪郭部と残りの大面積部分か
らなる非輪郭部に分け、輪郭部はＴｉＷフィールドエミ
ッション・フィラメントの電子ビーム露光装置で描画し
、非輪郭部はＬａＢａサーマルエミノンヨン・フィラメ
ントの電子ビーム露光装置で描画するようにしたので、
ＴｉＷフィールドエミッション・フィラメントの電子ビ
ーム露光装置単独による露光に比べて超微細パターンの
形成能力を損なうことなく処理能力の向上を図ることが
できる効果かある。
沿った小面積部分からなる輪郭部と残りの大面積部分か
らなる非輪郭部に分け、輪郭部はＴｉＷフィールドエミ
ッション・フィラメントの電子ビーム露光装置で描画し
、非輪郭部はＬａＢａサーマルエミノンヨン・フィラメ
ントの電子ビーム露光装置で描画するようにしたので、
ＴｉＷフィールドエミッション・フィラメントの電子ビ
ーム露光装置単独による露光に比べて超微細パターンの
形成能力を損なうことなく処理能力の向上を図ることが
できる効果かある。
第１図はこの発明の一実施例による＠細パターン形成方
法に依って得られたＦ字型被描画パターンを示す構成説
明図である。 ｌ・・・・・・Ｆ字型の被描画パターン、２・・・・・
・被描画パターンの非輪郭部、３・・・・・・被描画パ
ターンの輪郭部。 第 図
法に依って得られたＦ字型被描画パターンを示す構成説
明図である。 ｌ・・・・・・Ｆ字型の被描画パターン、２・・・・・
・被描画パターンの非輪郭部、３・・・・・・被描画パ
ターンの輪郭部。 第 図
Claims (1)
- １、被描画パターンを、その周縁部全周に沿った小面積
部分からなる輪郭部と、残りの大面積部分からなる非輪
郭部に分割する第１の工程と、上記輪郭部をＴｉＷフィ
ールドエミッション・フィラメントの電子ビーム露光装
置にて描画する第２の工程と、上記非輪郭部をＬａＢ＿
６サーマルエミッション・フィラメントの電子ビーム露
光装置にて描画する第３の工程とからなる微細パターン
形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16995288A JPH0218925A (ja) | 1988-07-06 | 1988-07-06 | 微細パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16995288A JPH0218925A (ja) | 1988-07-06 | 1988-07-06 | 微細パターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0218925A true JPH0218925A (ja) | 1990-01-23 |
Family
ID=15895902
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16995288A Pending JPH0218925A (ja) | 1988-07-06 | 1988-07-06 | 微細パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0218925A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4861315B2 (ja) * | 2004-06-30 | 2012-01-25 | ツェットエフ、フリードリッヒスハーフェン、アクチエンゲゼルシャフト | 油供給装置 |
-
1988
- 1988-07-06 JP JP16995288A patent/JPH0218925A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4861315B2 (ja) * | 2004-06-30 | 2012-01-25 | ツェットエフ、フリードリッヒスハーフェン、アクチエンゲゼルシャフト | 油供給装置 |
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