JPS5935319B2 - 金属板、半導体等に精巧なパタ−ンを食刻する方法 - Google Patents
金属板、半導体等に精巧なパタ−ンを食刻する方法Info
- Publication number
- JPS5935319B2 JPS5935319B2 JP6934375A JP6934375A JPS5935319B2 JP S5935319 B2 JPS5935319 B2 JP S5935319B2 JP 6934375 A JP6934375 A JP 6934375A JP 6934375 A JP6934375 A JP 6934375A JP S5935319 B2 JPS5935319 B2 JP S5935319B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- workpiece
- semiconductors
- metal plates
- electron
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Welding Or Cutting Using Electron Beams (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は金属板、半導体等に精巧なパターンを食刻する
方法に関する。
方法に関する。
従来、金属板や半導体、其他に二次元パターンを食刻す
るためにフォトエッチング法やエレクトロフォーミング
技術等が多く利用されているが、これらの技術は解像力
がせいぜい１μ程度であることや工程数が多いことなど
からこれらにとつて替る超精密加工技術の開発が強〈要
望される。
るためにフォトエッチング法やエレクトロフォーミング
技術等が多く利用されているが、これらの技術は解像力
がせいぜい１μ程度であることや工程数が多いことなど
からこれらにとつて替る超精密加工技術の開発が強〈要
望される。
従来技術の一例としてフォトエッチングについて説明す
れば第１図のような工程図に於いて被加工材料１に感光
液２を塗布し（１工程）、焼付すべき原板３を通して光
４を被加工材料上に投射し（■工程）、現像し（■工程
）、腐蝕加工（■工程）した後レジストを剥離する（Ｖ
工程）ことによつて食刻版５を得る。光の波長は約１μ
であるため解像力はそこまでが限度である。本発明は上
述のような長い工程は全〈不要で、即ち感光液塗布やこ
れを用いた焼付け、現像、腐蝕、レジスト剥離などの工
程は不要で極めて簡単に極めて精巧なパターンを被加工
材料に蝕刻できるものであり、その要旨とするところは
金属板や半導体等の被加工材料に紫外線を照射させつつ
電子ビームを衝突させて電子集団の描く超微細なパター
ンを被加工材料に食刻させるものである。
れば第１図のような工程図に於いて被加工材料１に感光
液２を塗布し（１工程）、焼付すべき原板３を通して光
４を被加工材料上に投射し（■工程）、現像し（■工程
）、腐蝕加工（■工程）した後レジストを剥離する（Ｖ
工程）ことによつて食刻版５を得る。光の波長は約１μ
であるため解像力はそこまでが限度である。本発明は上
述のような長い工程は全〈不要で、即ち感光液塗布やこ
れを用いた焼付け、現像、腐蝕、レジスト剥離などの工
程は不要で極めて簡単に極めて精巧なパターンを被加工
材料に蝕刻できるものであり、その要旨とするところは
金属板や半導体等の被加工材料に紫外線を照射させつつ
電子ビームを衝突させて電子集団の描く超微細なパター
ンを被加工材料に食刻させるものである。
本発明方法は前述のように工程数が極めて少く１０００
Ａ〜１μの加工寸法精度が期待でき、しかも殆んど無公
害である超精密加工技術に関するものである。通常の電
子顕微鏡の電子波の（可視光より遥かに）短い波長を利
用して試料の微細な構造を拡大して観察する装置である
が、本発明に於いてはこの電子波を逆に縮尺口ｌ用しよ
うとするもので、従来技術により製作した拡大原板に電
子線を透過させた後、電子レンズで希望の寸法まで縮尺
して被加工物面上に電子像を結ばせる。
Ａ〜１μの加工寸法精度が期待でき、しかも殆んど無公
害である超精密加工技術に関するものである。通常の電
子顕微鏡の電子波の（可視光より遥かに）短い波長を利
用して試料の微細な構造を拡大して観察する装置である
が、本発明に於いてはこの電子波を逆に縮尺口ｌ用しよ
うとするもので、従来技術により製作した拡大原板に電
子線を透過させた後、電子レンズで希望の寸法まで縮尺
して被加工物面上に電子像を結ばせる。
このときの分解能は光の像のそれよりも何桁か優れてい
る。電子が被加工材料に衝突する以前に、豫め被加工材
料に紫外線を照射しておいていわゆる光電効果を起させ
加工表面層の原子のみを瞬時々々高いポテンシャルに上
げそおくことによつて比較的小さい電流密度の電子ビー
ムの衝突によつても能率よ〈被加工材料を構成する電子
を解離させることができるようになる。即ち被加工材料
に紫外線を照射させつつ電子を衝突させ、電子集団の描
〈超微細パターンを被加工材料上に忠実に刻み込むこと
が本発明方法の特徴であり、第２図は本発明方法を説明
する略図であり、真空室Ｆ内で電子鏡Ａからの電子ビー
ムＧは２組の電子レンズＢの間に置かれた拡大原板Ｃを
透過して原板を縮尺し被加工材料Ｅの上に投射される。
一方紫外線光源Ｄより電子ビームの投射と同時に紫外線
Ｈを被加工材料Ｅ上に投射することにより被加工材料Ｅ
を構成する原子の解離を容易にする。次に実施例につい
て述べれば、タングステン板に１０００にＡの寸法精度
を要するパターンを食刻する場合を例にとる。
る。電子が被加工材料に衝突する以前に、豫め被加工材
料に紫外線を照射しておいていわゆる光電効果を起させ
加工表面層の原子のみを瞬時々々高いポテンシャルに上
げそおくことによつて比較的小さい電流密度の電子ビー
ムの衝突によつても能率よ〈被加工材料を構成する電子
を解離させることができるようになる。即ち被加工材料
に紫外線を照射させつつ電子を衝突させ、電子集団の描
〈超微細パターンを被加工材料上に忠実に刻み込むこと
が本発明方法の特徴であり、第２図は本発明方法を説明
する略図であり、真空室Ｆ内で電子鏡Ａからの電子ビー
ムＧは２組の電子レンズＢの間に置かれた拡大原板Ｃを
透過して原板を縮尺し被加工材料Ｅの上に投射される。
一方紫外線光源Ｄより電子ビームの投射と同時に紫外線
Ｈを被加工材料Ｅ上に投射することにより被加工材料Ｅ
を構成する原子の解離を容易にする。次に実施例につい
て述べれば、タングステン板に１０００にＡの寸法精度
を要するパターンを食刻する場合を例にとる。
タングステンの仕事函数は約４．６〔Ｅｖ〕でこの電磁
波を波長に換算すると約２２０００Ａ前後の波長の紫外
線をタングステン板に照射しておく。約１０μの寸法精
度をもつ原板に電子ビームを透過させ、電子レンズによ
つてこのパターンを約 一 に縮尺してタンクズテン板
上に約１０００ Ａ寸法精度をもつ電仔像を描かせる。
除去されるべき金属原子の数は約１０１８個で除去時間
を数分以内とするとき有効電子ビーム電流が２・〔ＭＡ
〕とすると２０〔ＭＡ〕以上の紫外線強度を必要とした
。本発明方法は従来のフオトエツチング法でｌμの精度
が限界としていたのに比し１００でＡ以下でも可能であ
る。
波を波長に換算すると約２２０００Ａ前後の波長の紫外
線をタングステン板に照射しておく。約１０μの寸法精
度をもつ原板に電子ビームを透過させ、電子レンズによ
つてこのパターンを約 一 に縮尺してタンクズテン板
上に約１０００ Ａ寸法精度をもつ電仔像を描かせる。
除去されるべき金属原子の数は約１０１８個で除去時間
を数分以内とするとき有効電子ビーム電流が２・〔ＭＡ
〕とすると２０〔ＭＡ〕以上の紫外線強度を必要とした
。本発明方法は従来のフオトエツチング法でｌμの精度
が限界としていたのに比し１００でＡ以下でも可能であ
る。
本発明方法はフオトエツチング法のように化学薬品処理
が多いのに比して有毒ガスの発生することも、廃水公害
の心配も全くないという利点も有する。
が多いのに比して有毒ガスの発生することも、廃水公害
の心配も全くないという利点も有する。
第１図は従来法のフオトエツチング法による食刻法の工
程の説明図である。 第２図は本発明の方法を示す説明図である。Ａ・・・・
・・電子鏡、Ｂ・・・・・・電子レンズ、Ｃ・・・・・
拡大原板、Ｄ・・・・・・紫外線光源、Ｅ・・・・・・
被加工材料、Ｆ・・・・・・真空室、Ｇ・・・・・僅子
ビーム、Ｈ・・・・・・紫外線。
程の説明図である。 第２図は本発明の方法を示す説明図である。Ａ・・・・
・・電子鏡、Ｂ・・・・・・電子レンズ、Ｃ・・・・・
拡大原板、Ｄ・・・・・・紫外線光源、Ｅ・・・・・・
被加工材料、Ｆ・・・・・・真空室、Ｇ・・・・・僅子
ビーム、Ｈ・・・・・・紫外線。
Claims (1)
- １ 金属板、半導体等の被加工物に精巧なパターンを食
刻するにあたり、被加工物に紫外線を照射させつつ電子
ビームを衝突させて電子集団の描く超微細パターンを被
加工物上に食刻することを特徴とする食刻方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6934375A JPS5935319B2 (ja) | 1975-06-09 | 1975-06-09 | 金属板、半導体等に精巧なパタ−ンを食刻する方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6934375A JPS5935319B2 (ja) | 1975-06-09 | 1975-06-09 | 金属板、半導体等に精巧なパタ−ンを食刻する方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS51145270A JPS51145270A (en) | 1976-12-14 |
| JPS5935319B2 true JPS5935319B2 (ja) | 1984-08-28 |
Family
ID=13399794
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6934375A Expired JPS5935319B2 (ja) | 1975-06-09 | 1975-06-09 | 金属板、半導体等に精巧なパタ−ンを食刻する方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5935319B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61110518U (ja) * | 1984-12-24 | 1986-07-12 | ||
| JPS6458664A (en) * | 1987-08-18 | 1989-03-06 | Dow Kako Kk | Welded box equipped with partition plate and manufacture thereof |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0777208B2 (ja) * | 1992-05-12 | 1995-08-16 | 工業技術院長 | 微細パターン形成方法 |
-
1975
- 1975-06-09 JP JP6934375A patent/JPS5935319B2/ja not_active Expired
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61110518U (ja) * | 1984-12-24 | 1986-07-12 | ||
| JPS6458664A (en) * | 1987-08-18 | 1989-03-06 | Dow Kako Kk | Welded box equipped with partition plate and manufacture thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS51145270A (en) | 1976-12-14 |
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