JPH0218808A - 透明導電性フィルム - Google Patents
透明導電性フィルムInfo
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- JPH0218808A JPH0218808A JP16818888A JP16818888A JPH0218808A JP H0218808 A JPH0218808 A JP H0218808A JP 16818888 A JP16818888 A JP 16818888A JP 16818888 A JP16818888 A JP 16818888A JP H0218808 A JPH0218808 A JP H0218808A
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- 239000002985 plastic film Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims abstract description 5
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 claims description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 8
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 7
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 abstract description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 abstract description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 230000000638 stimulation Effects 0.000 description 2
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AZWHFTKIBIQKCA-UHFFFAOYSA-N [Sn+2]=O.[O-2].[In+3] Chemical compound [Sn+2]=O.[O-2].[In+3] AZWHFTKIBIQKCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229920002457 flexible plastic Polymers 0.000 description 1
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、耐摩擦性に優れた透明導電性フィルムに関す
るものであシ、特に、エツチングや貼シ合わせ加工の際
に導電層が簡単に剥離することがなく、信頼性の高い液
晶電極及びタッチパネルなどの電子部材を製造すること
のできる透明導電性フィルムに関するものである。
るものであシ、特に、エツチングや貼シ合わせ加工の際
に導電層が簡単に剥離することがなく、信頼性の高い液
晶電極及びタッチパネルなどの電子部材を製造すること
のできる透明導電性フィルムに関するものである。
／
〔従来の技術およびその課題〕
透明導電性フィルムは可撓性を有するプラスチックフィ
ルムの片面又は両面に、例えば酸化インジウム及び酸化
錫よりなる導電層を設けたものであり、素子を薄型化で
き、生産工程に於いて扱い易く、また、連続生産が可能
であシコスト面で有利であるため、種々の用途が考案さ
れ一部は実用化されている。
ルムの片面又は両面に、例えば酸化インジウム及び酸化
錫よりなる導電層を設けたものであり、素子を薄型化で
き、生産工程に於いて扱い易く、また、連続生産が可能
であシコスト面で有利であるため、種々の用途が考案さ
れ一部は実用化されている。
この透明導電性フィルムに要求される性能は、透明性と
導電性に優れていることの他に、耐摩擦性に優れている
ことが要求される。この特性はエツチングによるパター
ニング加工やフィルムとフィルムの貼り合わせなどの組
立工程で発生する導電層の剥離による断線防止の面から
重要なものである。
導電性に優れていることの他に、耐摩擦性に優れている
ことが要求される。この特性はエツチングによるパター
ニング加工やフィルムとフィルムの貼り合わせなどの組
立工程で発生する導電層の剥離による断線防止の面から
重要なものである。
この耐摩擦性を向上させる手段として、フィルムと導電
層の中間に■種々の樹脂を塗布などの方法で設ける方法
、■例えば、酸化ケイ素、酸化チタン、酸化錫、酸化ア
ルミニウム等の金属酸化物をスパッタリング法でフィル
ム上に予め形成させる方法が挙げられるが、■の樹脂を
アンダーコートする方法は塗シむらが発生し外観上好ま
しくなく、また、■の方法は所定の金属又は金属酸化物
のターゲットとインジウム−錫又は酸化インジウム−酸
化錫ターゲットとの２種のターゲットをノ願次用いてス
パッタリングを行なう必要があるため、ターゲットの交
換作業に手間がかかり面倒であシ、シかも、耐摩擦性の
改善も十分とは言えなかった。
層の中間に■種々の樹脂を塗布などの方法で設ける方法
、■例えば、酸化ケイ素、酸化チタン、酸化錫、酸化ア
ルミニウム等の金属酸化物をスパッタリング法でフィル
ム上に予め形成させる方法が挙げられるが、■の樹脂を
アンダーコートする方法は塗シむらが発生し外観上好ま
しくなく、また、■の方法は所定の金属又は金属酸化物
のターゲットとインジウム−錫又は酸化インジウム−酸
化錫ターゲットとの２種のターゲットをノ願次用いてス
パッタリングを行なう必要があるため、ターゲットの交
換作業に手間がかかり面倒であシ、シかも、耐摩擦性の
改善も十分とは言えなかった。
本発明者らは、鋭意検討した結果、ベースと理すること
によシ、フィルムの両面上に酸化アルミニウム層を形成
させ、次いで該酸化アルミニウム層の片面上にスパッタ
リング法により酸化インジウム及び酸化錫よりなる導電
層を設けることによって耐摩擦性が著しく向上し、また
、導電性フィルムの光線透過率も向上することを見い出
し本発明を完成するに到った。
によシ、フィルムの両面上に酸化アルミニウム層を形成
させ、次いで該酸化アルミニウム層の片面上にスパッタ
リング法により酸化インジウム及び酸化錫よりなる導電
層を設けることによって耐摩擦性が著しく向上し、また
、導電性フィルムの光線透過率も向上することを見い出
し本発明を完成するに到った。
以下、本発明につき詳細に説明する。
本発明で用いる透明プラスチックフィルムとしては、通
常ポリエチレンテレフタレート（以下ＰＥＴと略称する
）、ポリエーテルサンホン（以下ＰＥＳと略称する）な
どの公知の透明プラスチックフィルムが挙げられる。こ
のフィルムの厚みは、通常３０〜．２００μｍが好適で
ある０ 本発明においては、前記フィルムを予めアルミニウムで
被覆した電極を用いてイオンボンバード処理を施す。
常ポリエチレンテレフタレート（以下ＰＥＴと略称する
）、ポリエーテルサンホン（以下ＰＥＳと略称する）な
どの公知の透明プラスチックフィルムが挙げられる。こ
のフィルムの厚みは、通常３０〜．２００μｍが好適で
ある０ 本発明においては、前記フィルムを予めアルミニウムで
被覆した電極を用いてイオンボンバード処理を施す。
イオンボンバード処理とは、正電極及び負電極が対向す
る電極間にフィルムを通し、真空下、アルゴンガス又は
アルゴンガスと少量の酸素ガスとの混合ガス中にて通常
、１００〜／！θ０Ｖの電圧を印加し放電させることに
よシ、フィルム表面にイオン化したアルゴン原子を衝突
させ、物理的な刺激を与える表面処理である。この際の
圧力は通常、／ ０−３′／ ０ ’ Ｔｏｒｒであ
る。また、電極は通常％ ２対以上設けるのが望ましい
。
る電極間にフィルムを通し、真空下、アルゴンガス又は
アルゴンガスと少量の酸素ガスとの混合ガス中にて通常
、１００〜／！θ０Ｖの電圧を印加し放電させることに
よシ、フィルム表面にイオン化したアルゴン原子を衝突
させ、物理的な刺激を与える表面処理である。この際の
圧力は通常、／ ０−３′／ ０ ’ Ｔｏｒｒであ
る。また、電極は通常％ ２対以上設けるのが望ましい
。
イオンボンバード処理によって、電極を構成する物質の
原子、分子等の叩き出しが起こシ、叩き出された原子、
分子等の一部はフィルム表面に付着してスパッタリング
と同様な現象が起こる。
原子、分子等の叩き出しが起こシ、叩き出された原子、
分子等の一部はフィルム表面に付着してスパッタリング
と同様な現象が起こる。
本発明は、このイオンボンバード処理の際に電極をアル
ミニウムで被覆することを特徴とする。この処理によっ
て、前記フィルムの表面に物理的刺激を与えるとともに
、叩き出されたアルミニウムがフィルムの両面に付着し
、これが真空装置内の残留ガスやフィルム等から同伴さ
れる少量の水分又は酸素と反応して酸化アルミニウムと
なり、酸化アルミニウム層が形成される。酸化アルミニ
ウム層の厚さは通常！〜！ＯＡが好ましい。なお、電極
の被覆は、通常、アルミニウムの管状物を被せること等
によシおこなわれる。
ミニウムで被覆することを特徴とする。この処理によっ
て、前記フィルムの表面に物理的刺激を与えるとともに
、叩き出されたアルミニウムがフィルムの両面に付着し
、これが真空装置内の残留ガスやフィルム等から同伴さ
れる少量の水分又は酸素と反応して酸化アルミニウムと
なり、酸化アルミニウム層が形成される。酸化アルミニ
ウム層の厚さは通常！〜！ＯＡが好ましい。なお、電極
の被覆は、通常、アルミニウムの管状物を被せること等
によシおこなわれる。
次いで、酸化アルミニウム層の片面上に酸化インジウム
及び酸化錫よシなる導電層をスパッタリング法により形
成させる。スパッタリング法は、通常、カソード電極に
ターゲットを設置し、アルゴン等の不活１生ガス雰囲気
中、真空下で電圧を印加することにより実施される。こ
の際イオン化したアルゴン原子がターゲットに向って加
速され、衝突することによシ、ターゲットを構成する原
子、分子等が叩き出されて酸化アルミニウム層上に積層
されるのである。
及び酸化錫よシなる導電層をスパッタリング法により形
成させる。スパッタリング法は、通常、カソード電極に
ターゲットを設置し、アルゴン等の不活１生ガス雰囲気
中、真空下で電圧を印加することにより実施される。こ
の際イオン化したアルゴン原子がターゲットに向って加
速され、衝突することによシ、ターゲットを構成する原
子、分子等が叩き出されて酸化アルミニウム層上に積層
されるのである。
本発明で用いるターゲツト材としては、酸化インジウム
と酸化錫の比率が９０／／θ〜９夕／夕（重量％）のも
のが好適に用いられる。
と酸化錫の比率が９０／／θ〜９夕／夕（重量％）のも
のが好適に用いられる。
また、反応系内の圧力は、アルゴンガスを用いた場合、
通常／ ０−３′／ ０−２Ｔｏｒｒであるが、同時に
酸素ガスを７０−５〜／ ０−’ Ｔｏｒｒの圧力で導
入するのが好ましい。
通常／ ０−３′／ ０−２Ｔｏｒｒであるが、同時に
酸素ガスを７０−５〜／ ０−’ Ｔｏｒｒの圧力で導
入するのが好ましい。
導電層の厚さは、耐摩擦性の点から！θ〜、２ｏｏｏＡ
が好ましいが、この厚さは製造されるフィルムの抵抗値
と相関性があシ、目的に応じて適宜選択される。
が好ましいが、この厚さは製造されるフィルムの抵抗値
と相関性があシ、目的に応じて適宜選択される。
以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説明するが、
本発明はその要旨を越えない限シ実施例により限定され
るものではない。
本発明はその要旨を越えない限シ実施例により限定され
るものではない。
実施例／
基板フィルムとして厚さ７００μｍの透明ＰＥＴフィル
ムを使用し、イオンボンバード処理機構を有するマグネ
トロンスパッタリング装置を用いて透明導電性フィルム
を製造した。まず、真空槽内を約／ ｘ ／ ０−５Ｔ
ｏｒｒ にした後アルゴンガスを導入して約／ Ｘ ／
０＝ Ｔｏｒｒ に調整し、アルミニウム管を被せた
電極を用いて／ＫＷの電力でイオンボンバード処理をお
こなった。フィルムの両面に厚さ約、２ＯＡの酸化アル
ミニウム層が形成した。
ムを使用し、イオンボンバード処理機構を有するマグネ
トロンスパッタリング装置を用いて透明導電性フィルム
を製造した。まず、真空槽内を約／ ｘ ／ ０−５Ｔ
ｏｒｒ にした後アルゴンガスを導入して約／ Ｘ ／
０＝ Ｔｏｒｒ に調整し、アルミニウム管を被せた
電極を用いて／ＫＷの電力でイオンボンバード処理をお
こなった。フィルムの両面に厚さ約、２ＯＡの酸化アル
ミニウム層が形成した。
次いで真空槽内を再び約／ Ｘ ／ ０−’ Ｔｏｒｒ
とした後酸素ガスを導入して約５×／ ０−５Ｔｏ
ｒｒとし、更にアルゴンガスを導入して約３×／θ−３
Ｔｏｒｒに調整し、ターゲットとして酸化インジウム９
夕重量％、酸化錫！重量％の焼結体を用いて２０θＷの
電力でスパッタリングをおこなった。形成された導電層
の厚さは２００Ａであった。得られた透明導電性フィル
ムの抵抗値、波長！夕θｎｍの光線透過率、耐摩擦性を
測定した結果を第７表に示した。
とした後酸素ガスを導入して約５×／ ０−５Ｔｏ
ｒｒとし、更にアルゴンガスを導入して約３×／θ−３
Ｔｏｒｒに調整し、ターゲットとして酸化インジウム９
夕重量％、酸化錫！重量％の焼結体を用いて２０θＷの
電力でスパッタリングをおこなった。形成された導電層
の厚さは２００Ａであった。得られた透明導電性フィル
ムの抵抗値、波長！夕θｎｍの光線透過率、耐摩擦性を
測定した結果を第７表に示した。
ｌ１１上ｌヱユ
得られた透明導電性フィルムの導電面を荷重１０ｏｆ／
ｃｒｄで７００往復ガーゼで擦った時の、擦る前の抵抗
値（Ｒｏ ）と擦った後の抵抗値（Ｒ＋ｏｏ ） の
変化を測定した。
ｃｒｄで７００往復ガーゼで擦った時の、擦る前の抵抗
値（Ｒｏ ）と擦った後の抵抗値（Ｒ＋ｏｏ ） の
変化を測定した。
比較例／
イオンボンバード処理をおこなわなかったこと以外は実
施例／と同様にして透明導電性フィルムを製造した。得
られたフィルムの抵抗値、光線透過率、耐摩擦性を測定
した結果を第１表に示した。
施例／と同様にして透明導電性フィルムを製造した。得
られたフィルムの抵抗値、光線透過率、耐摩擦性を測定
した結果を第１表に示した。
第１表
〔発明の効果〕
本発明によれば、耐摩擦性等の機械的特性が安定してい
るため、透明導電フィルムの加工工程において、断線等
の発生を低く押えることが可能となシ、加工品の歩留り
が向上するため工業的に有用であり、しかも光線透過率
の高い透明導電性フィルムが得られる。
るため、透明導電フィルムの加工工程において、断線等
の発生を低く押えることが可能となシ、加工品の歩留り
が向上するため工業的に有用であり、しかも光線透過率
の高い透明導電性フィルムが得られる。
出 願 人
Claims (1)
- （１）アルミニウムで被覆した電極を用いてイオンボン
バード処理することにより透明プラスチックフィルムの
両面に酸化アルミニウム層を形成し、次いでスパッタリ
ング法により該酸化アルミニウム層の片面上に厚さ５０
〜 ２０００Åの酸化インジウム及び酸化錫よりなる導電層
を形成することを特徴とする透明導電性フィルム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16818888A JPH0218808A (ja) | 1988-07-06 | 1988-07-06 | 透明導電性フィルム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16818888A JPH0218808A (ja) | 1988-07-06 | 1988-07-06 | 透明導電性フィルム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0218808A true JPH0218808A (ja) | 1990-01-23 |
Family
ID=15863415
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16818888A Pending JPH0218808A (ja) | 1988-07-06 | 1988-07-06 | 透明導電性フィルム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0218808A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5046262A (en) * | 1990-09-26 | 1991-09-10 | Kerbaugh Steven M | Spherical edge locator for machining |
-
1988
- 1988-07-06 JP JP16818888A patent/JPH0218808A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5046262A (en) * | 1990-09-26 | 1991-09-10 | Kerbaugh Steven M | Spherical edge locator for machining |
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