JPH02180070A - イメージセンサの検査方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業−にの利用分野〕 本発明は、光学装置を用いてイメージセンサの傷や染み
、あるいは半導体素子表面に付着した塵埃の検査を行う
イメージセンサの検査方法に関するものである。

〔従来の技術〕

第９図および第１０図において、（１）は検査の対象と
なるイメージセンサであって、半導体素子（２）ヲハッ
ケージ（３）内に収納してガラス板（４）により封止す
ると共に、前記パッケージ（３）の背面側から複数本の
り一ド（５）を引出して構成されている。

通常、このようなイメージセンサ（１）の検査方法は、
照度コントロールが可能な光学装置（Ｓ”）の光源（６
）の前方にレンズ（７）を配設すると共に、このレンズ
（７）の前方に前記イメージセンサ（１）を内蔵の半導
体素子（２）が前記レンズ（７）と正面から対向する状
態で配置して、光源（６）から発生する光（ａ）をレン
ズ（７）によって平行光線（ｂ）に変換し、この平行光
線（ｂ）をガラス板（４）で封止された半導体素子（２
）に均一に照射するー・方、リード（５）を通じて半導
体素子（２）を通電駆動させ、この半導体素子（２）の
各アドレス（ポジション）の微小出力を比較することに
より、半導体素子（２）を検査するようにしていた。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながら、上記のような従来方法によるときは、第
１１図（Ａ）に示すような半導体素子（２）の傷やこれ
に付着した塵埃等の欠陥部分（ｐ）と、第１２図（Ａ）
に示すような半導体素子（１２）よりも照射光線の手前
側に位置するガラス板（４）の傷や付着塵埃等の欠陥部
分（ｑ）が共に第１１図（Ｂ）および第１２図ＣＢ）に
示すように、同一アドレス（ポジション）に現れるため
区別がつかない。このため、ガラス板（４）の欠陥も半
導体素子（２）の欠陥として出力され、その出力信号か
らはいずれの欠陥であるか判別できないという問題点が
あった。

本発明は、このような従来の問題点を解決するためにな
されたもので、半導体素子の欠陥と、これを封止するガ
ラス板の欠陥とを明瞭に区別して判定できるイメージセ
ンサの検査方法の提供を］」的とするものである。

〔課題を解決するための手段〕 」１記目的を達成するために本発明は、検査用光学装置
から発生させた平行光線を、対重用ガラス板により覆わ
れたイメージセンサの半導体素子の被検査面に直角方向
から照射して得られた半導体素子の出力き、前記検査用
光学装置から発生させた斜め光線を前記半導体素子の被
検査面に斜め方向から照射して得られた半導体素子の出
力との欠陥部分のアドレス（ポジション）の差により、
前記半導体素子の欠陥とガラス板の欠陥とを判別するこ
とを特徴とするものである。

〔作　　　用〕

半導体素子に欠陥部分が存在する場合、平行光線の照射
時と斜め光線の照射時とでは、半導体素子とガラス板と
の照射光線に対する前後位置が相違に関係なく、半導体
素子の出力のアドレス（ポジション）には変化が現れな
いので、これを確認することで欠陥部分が半導体素子に
存在することが判定できる。これに対し、ガラス板に欠
陥部分が存在する場合、平行光線と斜め光線とでは、ガ
ラス板を透過して半導体素子の被検査面に達した光のア
ドレス（ポジション）が必然的に相違することになり、
このアドレス（ポジ７ヨン）の相違によってガラス而の
欠陥であると明瞭に判定できるものである。

〔実　施　例〕

以下、本発明の実施例を図面を参照しながら詳細に説明
する。第１図および第２図はこの実施例で使用される光
学装置を示している。これらの図において、（ＩＩ）は
検査の対象となるイメージセンサであって、半導体素子
（１２）をパッケージ（Ｉ３）内に収納してガラス板（
１４）により封止すると共に、前記パッケージ（１３）
の背面側に複数本のリード（１５）を引出して構成され
ている。

上記のような構成のイメージセンサ（１１）の傷、染み
あるいは半導体素子（１２）の表面に付着した塵埃の検
出を行う光学装置（Ｓ）は、照度コントロールが可能な
光源（１６）の前方に、光源（１６）で発生する光（ａ
）を平行光線（ｂ）に変換するレンズ（１７）を配設す
ると共に、このレンズ（７）の前方に、斜め方向の光線
（Ｃ）を発生するサークル光源（Ｉ８）を配設したもの
で、前記゛Ｌ導体素７’−（１２）はサークル光源（Ｉ
８）の前方に正面から対向する伏態で配置される。

そして、第１図および第２図に示すように、光源（＋６
）で発生させた光（ａ）はレンズ（１７）によって平１
ｊ光線（ｂ）に変換された後、サークル光源（［８）の
リング状空間（１８ａ）を通過してイメージセンサ（１
１）に達し、そのガラス板（１４）を透過して半導体素
子（１２）の被検査面に直角方向から均一に照射される
。一方、イメージセンサ（１１）の半導体素子（Ｉ２）
をリード（１５）を介して通電駆動し、この半導体素子
（２）の各アドレス（ポジション）の微小出力を比較す
ることにより、半導体素子（２）の検査を行う。

この検査の結果、半導体素子（１２）の被検査面または
ガラス板（１４）に傷や塵埃付着などの欠陥が検出され
た場合、第３図および第４図に示すように、前記サーク
ル光源（１８）から前記半導体素子（１２）の被検査面
上に向かう斜め光線（Ｃ）を発生させる。

この斜め光線（Ｃ）はガラス板（１４）を斜めに透過し
て半導体素子（１２）の被検査面に照射される。この場
合、前記゛Ｉ′、導体素丁（Ｉ２）を駆動させ、各アド
レ−〇− ス（ポジショ１ン）の微小出力電圧を比較すると、欠陥
部分のアドレス（ポジション）が前記平行光線（ｂ）に
よる検査時と、斜め光線（ｃ）による検査時とでは明瞭
に相違することを利用して半導体素Ｔ−（１２）の欠陥
とガラス板（１４）の欠陥を判別するものである。

すなわち、半導体素子（１２）の被検査面に欠陥部分（
ｐ）が存在する場合、第５図（Ａ）に示す、光源（１６
）からレンズ（１７）を介して照射された平行光線（ｂ
）と、第６図（Ａ）に示すサークル光源（Ｉ８）から照
射された斜め光線（ｃ）とのいずれであっても、第５図
（Ｂ）および第６図（Ｂ）に示すように、半導体素子（
１２）の出力に現れる欠陥部分のアドレス（ポジション
）は同一・である。

これに対し、ガラス板（Ｉ４）に欠陥部分（ｑ）が存在
する場合、ガラス板（Ｉ４）は半導体素７’（１２）よ
りも照射光線の手前側に位置しているので、第７図（Ａ
）に示す平行光線（ｂ）の照射時と、第８図（Ａ）に示
す斜め光線（ｃ）を照射時とでは、第７図（Ｂ）および
第８図（Ｂ）に示すように、゛１１導体素丁（１２）の
出力に現れる欠陥部分のアドレス（ポジション）に大幅
な変化が生じる。

したがって、平行光線（ｂ）と斜め光線（Ｃ）とで半導
体素子（Ｉ２）の出力にアドレス（ポジション）差が生
じないときは半導体素子（Ｉ２）自体の欠陥部分（ｐ）
であると判定できる。これに対し、平行光線（ｂ）と斜
め光線（ｃ）とで半導体素子（Ｉ２）の出力にアドレス
（ポジション）差が大きく現れたときはガラス板（１４
）の欠陥部分（ｑ）であると判定できるものである。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明のイメージセンサの検査方法
によるときは、検査用光学装置から発生させた平行光線
を、封止用ガラス板により覆われたイメージセンサの半
導体素子の被検査面に直角方向から照射して得られた半
導体素子の出力と、前記検査用光学装置から発生させた
斜め光線を前記半導体素子の被検査面に斜め方向がら照
射して得られた半導体素子の出力との欠陥部分のアドレ
ス（ポジション）の差により、前記゛１′−導体素子の
欠陥とガラス板の欠陥とを判別するようにしたので、）
１′・導体素子に欠陥が存在するときは平行光線の照射
時と斜め光線の照射時とでは、半導体素子の出力のアド
レス（ポジション）には変化が現れないのに対し、ガラ
ス板に欠陥部分が存在する場合、平行光線と斜め光線と
では、半導体素子の出力のアドレス（ポジション）が必
然的に相違することになり、これによって、）１′導体
素子とガラス板との欠陥部分の判別を明確かつ簡単に行
うことができるという優れた効果を奏するに至った。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第８図（Ａ）（Ｂ）は本発明の実施例を示して
おり、第１図はこの実施例方法に使用される光学装置を
概略的に示す縦断正面図、第２図は同縦断側面図、第３
図はこの実施例におけるサークル光源の動作状態を示す
縦断正面図、第４図は同縦断側面図、第５図（Ａ）およ
び第６図（Ａ）は゛ト導体素了−１−に欠陥部分がある
状態を示し、第５図（Ａ）は平行光線の照射時を示す縦
断正面図、第６図（Ａ）は斜め光線の照射時を示す縦断
正面図、第５図（Ｂ）は第５図（Ａ）に対応する欠陥部
分のアドレス（ポジション）を示す半導体素子の平面図
、第６図（Ｂ）は第６図（Ａ）に対応する欠陥部分のア
ドレス（ポジション）を示す縦断正面図、第７図（Ａ）
および第８図（Ａ）はガラス板−１−に欠陥部分がある
状態を示し、第７図（Ａ）は平行光線の照射時を示す縦
断正面図、第８図（Ａ）は斜め光線の照射時を示す縦断
正面図、第７図（Ｂ）は第７図（Ａ）に対応する欠陥部
分のアドレス（ポジション）を示す半導体素子の平面図
、第８図（Ｂ）は第８図（Ａ）に対応する欠陥部分のア
ドレス（ポジション）を示す縦断正面図である。 第９図〜第１２図（Ａ）（Ｂ）は従来例を示しており、
第９図は従来方法に使用される光学装置を概略的に示す
縦断正面図、第１０図は同縦断側面図、第１１図（Ａ）
は半導体素ｒ−１−に欠陥部分がある状態を示す縦断１
１：、面図、第１１図ＣＢ）は第１１図（Ａ）に対応す
る欠陥部分のアドレス（ポジション）を示す〉１″導体
素子の平面図、第１２図（Ａ）はガラス板上に欠陥部分
がある状態を示す縦断正面図、第＝９− １２図（Ｂ）は第１２図（Ａ）に対応する欠陥部分のア
ドレス（ポジション）を示すコ１″−導体素子の平面図
である。 （１１）・・・イメージセンサ、（＋２）・・・半導体
素子、（１４）・・・封止用ガラス板、（Ｓ）・・・検
査用光学装置、（ｂ）・・・平行光線、（ｃ）・・・斜
め光線、（ｐ）・・・半導体素ｆ’ｌの欠陥部分、（ｑ
）・・・ガラス板」−の欠陥部分。 第５図（Ａ） 第６図（Ａ） 第５ 図（Ｅ３） 第６図（Ｂ） 欠加飾心 第７図（Ａ） 第８図（Ａ） 第１ 第２図 第３図 第４図 第９ 第７０図 第１７図（Ａ） 第７２図（Ａ） 第７７図（Ｂ） 第７２図（Ｂ）

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 検査用光学装置から発生させた平行光線を、封止用ガラ
   ス板により覆われたイメージセンサの半導体素子の被検
   査面に直角方向から照射して得られた半導体素子の出力
   と、前記検査用光学装置から発生させた斜め光線を前記
   半導体素子の被検査面に斜め方向から照射して得られた
   半導体素子の出力との欠陥部分のアドレス（ポジション
   ）の差により、前記半導体素子の欠陥とガラス板の欠陥
   とを判別することを特徴とするイメージセンサの検査方
   法。