JPH0798216A - 半導体装置の外観検査装置とその検査方法 - Google Patents
半導体装置の外観検査装置とその検査方法Info
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- JPH0798216A JPH0798216A JP5294000A JP29400093A JPH0798216A JP H0798216 A JPH0798216 A JP H0798216A JP 5294000 A JP5294000 A JP 5294000A JP 29400093 A JP29400093 A JP 29400093A JP H0798216 A JPH0798216 A JP H0798216A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 装置構成が簡単で、容易に良否の判別が行え
る半導体装置の外観検査装置とその検査方法を提供する
こと。 【構成】 半導体装置１０の少なくとも一つの側面側に
配置された反射手段２と、この反射手段２により反射さ
れる半導体装置１０の側面側の画像と、平面側の画像と
を一括して読み取る光学読み取り機構３とから外観検査
装置１を構成し、半導体装置１０の少なくとも一つの側
面側に反射手段２を配置した後、この反射手段２により
反射した半導体装置１０の側面側の画像と、平面側の画
像とを一つの光学読み取り機構３にて一時に読み取り、
この読み取り画像に基づいて半導体装置１０のリード１
２の曲がりを検査する外観検査方法である。
る半導体装置の外観検査装置とその検査方法を提供する
こと。 【構成】 半導体装置１０の少なくとも一つの側面側に
配置された反射手段２と、この反射手段２により反射さ
れる半導体装置１０の側面側の画像と、平面側の画像と
を一括して読み取る光学読み取り機構３とから外観検査
装置１を構成し、半導体装置１０の少なくとも一つの側
面側に反射手段２を配置した後、この反射手段２により
反射した半導体装置１０の側面側の画像と、平面側の画
像とを一つの光学読み取り機構３にて一時に読み取り、
この読み取り画像に基づいて半導体装置１０のリード１
２の曲がりを検査する外観検査方法である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置のパッケー
ジから延出するリードの曲がりを検査する半導体装置の
外観検査装置とその検査方法に関するものである。
ジから延出するリードの曲がりを検査する半導体装置の
外観検査装置とその検査方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】パッケージによる封止が成された半導体
装置は、そのパッケージの側面側から延出するリードの
切断および成形を行う、いわゆるトリム・アンド・フォ
ームが施され、ガルウイングやＪリード等の所定のリー
ド形状に折り曲げられる。このような半導体装置のリー
ドの折り曲げが一定の基準を満たしているかどうかを検
査するために、半導体装置の外観検査を行っている。
装置は、そのパッケージの側面側から延出するリードの
切断および成形を行う、いわゆるトリム・アンド・フォ
ームが施され、ガルウイングやＪリード等の所定のリー
ド形状に折り曲げられる。このような半導体装置のリー
ドの折り曲げが一定の基準を満たしているかどうかを検
査するために、半導体装置の外観検査を行っている。
【０００３】図１１は、半導体装置の外観検査装置を説
明する概略斜視図である。すなわち、この外観検査装置
１は、半導体装置１０のパッケージ１１側面側にＣＣＤ
やラインセンサー等の光学読み取り機構３が配置された
もので、パッケージ１１側面から延出するリード１２の
画像を光学読み取り機構３にて読み取ることができるよ
うになっている。
明する概略斜視図である。すなわち、この外観検査装置
１は、半導体装置１０のパッケージ１１側面側にＣＣＤ
やラインセンサー等の光学読み取り機構３が配置された
もので、パッケージ１１側面から延出するリード１２の
画像を光学読み取り機構３にて読み取ることができるよ
うになっている。
【０００４】この外観検査装置１を用いた半導体装置１
０の外観検査方法は、先ず、半導体装置１０のパッケー
ジ１１の側面側に光学読み取り機構３を配置し、半導体
装置１０の側面から延出するリード１２の画像をこの光
学読み取り機構３にて読み取る。この光学読み取り機構
３による半導体装置１０の側面の画像から、リード１２
の曲がりを算出し、この値が一定の範囲内に収まるかど
うかを求めて、半導体装置１０の良否を判別を行う。例
えば、Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ（以下、Ｑ
ＦＰ）のようなパッケージ１１の四つの側面からそれぞ
れリード１２が延出している場合には、一つの側面側の
画像を読み取った後、半導体装置１０を９０°平面方向
に回転して、次の側面側の画像を読み取る。このような
読み取りを繰り返して四つの側面側の画像を得ている。
０の外観検査方法は、先ず、半導体装置１０のパッケー
ジ１１の側面側に光学読み取り機構３を配置し、半導体
装置１０の側面から延出するリード１２の画像をこの光
学読み取り機構３にて読み取る。この光学読み取り機構
３による半導体装置１０の側面の画像から、リード１２
の曲がりを算出し、この値が一定の範囲内に収まるかど
うかを求めて、半導体装置１０の良否を判別を行う。例
えば、Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ（以下、Ｑ
ＦＰ）のようなパッケージ１１の四つの側面からそれぞ
れリード１２が延出している場合には、一つの側面側の
画像を読み取った後、半導体装置１０を９０°平面方向
に回転して、次の側面側の画像を読み取る。このような
読み取りを繰り返して四つの側面側の画像を得ている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな半導体装置の外観検査装置とその検査方法には、次
のような問題がある。すなわち、半導体装置の側面側に
配置された光学読み取り機構では、一つの画面で半導体
装置の一つの側面側の画像しか得ることができない。こ
のため、リードが延出する側面の数に応じて複数の画像
を得る必要があり、良否の判別処理や、装置構成の複雑
化を招いている。
うな半導体装置の外観検査装置とその検査方法には、次
のような問題がある。すなわち、半導体装置の側面側に
配置された光学読み取り機構では、一つの画面で半導体
装置の一つの側面側の画像しか得ることができない。こ
のため、リードが延出する側面の数に応じて複数の画像
を得る必要があり、良否の判別処理や、装置構成の複雑
化を招いている。
【０００６】また、このような外観検査装置を用いた検
査方法では、リードが延出する側面の数に応じて半導体
装置を回転させ、各側面の画像を得る必要があるととも
に、各画像に対してそれぞれ判別処理を行うことから、
検査時間を短縮するのが困難である。このようなことか
ら、リードが延出する側面側にそれぞれ光学読み取り機
構を配置することが考えられるが、半導体装置を回転す
る必要がなくなる反面、装置構成の簡素化を図るのは困
難である。よって、本発明は、装置構成が簡単で、容易
に良否の判別が行える半導体装置の外観検査装置とその
検査方法を提供することを目的とする。
査方法では、リードが延出する側面の数に応じて半導体
装置を回転させ、各側面の画像を得る必要があるととも
に、各画像に対してそれぞれ判別処理を行うことから、
検査時間を短縮するのが困難である。このようなことか
ら、リードが延出する側面側にそれぞれ光学読み取り機
構を配置することが考えられるが、半導体装置を回転す
る必要がなくなる反面、装置構成の簡素化を図るのは困
難である。よって、本発明は、装置構成が簡単で、容易
に良否の判別が行える半導体装置の外観検査装置とその
検査方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような課
題を解決するために成された半導体装置の外観検査装置
とその検査方法である。すなわち、この外観検査装置
は、略四角形のパッケージの側面から延出される複数の
リードを光学的に読み取るもので、半導体装置の少なく
とも一つの側面側に反射手段を配置し、この反射手段に
より反射される半導体装置の側面側の画像と半導体装置
の平面側の画像とを一括して光学読み取り機構にて読み
取るものである。
題を解決するために成された半導体装置の外観検査装置
とその検査方法である。すなわち、この外観検査装置
は、略四角形のパッケージの側面から延出される複数の
リードを光学的に読み取るもので、半導体装置の少なく
とも一つの側面側に反射手段を配置し、この反射手段に
より反射される半導体装置の側面側の画像と半導体装置
の平面側の画像とを一括して光学読み取り機構にて読み
取るものである。
【０００８】また、半導体装置の少なくとも一つの側面
側に発光手段を配置し、発光手段が配置された側面側と
反対の側面側に半導体装置の投影光を反射するための反
射手段を配置し、反射手段にて反射される投影光に基づ
いた半導体装置の側面側の投影画像と半導体装置の平面
側の画像とを一括して得るための光学読み取り機構を設
けた外観検査装置でもある。また、半導体装置の平面側
の画像として投影画像を得てもよい。
側に発光手段を配置し、発光手段が配置された側面側と
反対の側面側に半導体装置の投影光を反射するための反
射手段を配置し、反射手段にて反射される投影光に基づ
いた半導体装置の側面側の投影画像と半導体装置の平面
側の画像とを一括して得るための光学読み取り機構を設
けた外観検査装置でもある。また、半導体装置の平面側
の画像として投影画像を得てもよい。
【０００９】さらに、一の偏光方向から成る光を出射す
る第１の発光手段を半導体装置の一方の側面側に配置
し、他の偏光方向から成る光を出射する第２の発光手段
を一方の側面側の反対となる他方の側面側に配置し、ま
た、一の偏光方向の光による半導体装置の投影光を反射
し、かつ第２の発光手段からの光を透過するための第１
の光学部品を他方の側面側に配置し、さらに、他の偏光
方向の光による半導体装置の投影光を反射し、かつ第１
の発光手段からの光を透過するための第２の光学部品を
一方の側面側に配置する。
る第１の発光手段を半導体装置の一方の側面側に配置
し、他の偏光方向から成る光を出射する第２の発光手段
を一方の側面側の反対となる他方の側面側に配置し、ま
た、一の偏光方向の光による半導体装置の投影光を反射
し、かつ第２の発光手段からの光を透過するための第１
の光学部品を他方の側面側に配置し、さらに、他の偏光
方向の光による半導体装置の投影光を反射し、かつ第１
の発光手段からの光を透過するための第２の光学部品を
一方の側面側に配置する。
【００１０】また、第１の光学部品により反射された一
の偏光方向から成る半導体装置の投影光を透過するため
の第１の偏光板を他方の側面側に配置し、第２の光学部
品により反射された他の偏光方向から成る半導体装置の
投影光を透過するための第２の偏光板を一方の側面側に
配置し、これら第１の偏光板と第２の偏光板とを透過し
た半導体装置の投影光をそれぞれ取り込んで、半導体装
置の側面側の投影画像を得るための光学読み取り機構を
配置した外観検査装置でもある。さらに、この第１の偏
光板と第１の光学部品との間に、電圧の印加によってそ
の偏光方向が可変する第１の可変偏光手段を備えるとと
もに、第２の偏光板と第２の光学部品との間に、電圧の
印加によってその偏光方向が可変する第２の可変偏光手
段を備えた外観検査装置でもある。
の偏光方向から成る半導体装置の投影光を透過するため
の第１の偏光板を他方の側面側に配置し、第２の光学部
品により反射された他の偏光方向から成る半導体装置の
投影光を透過するための第２の偏光板を一方の側面側に
配置し、これら第１の偏光板と第２の偏光板とを透過し
た半導体装置の投影光をそれぞれ取り込んで、半導体装
置の側面側の投影画像を得るための光学読み取り機構を
配置した外観検査装置でもある。さらに、この第１の偏
光板と第１の光学部品との間に、電圧の印加によってそ
の偏光方向が可変する第１の可変偏光手段を備えるとと
もに、第２の偏光板と第２の光学部品との間に、電圧の
印加によってその偏光方向が可変する第２の可変偏光手
段を備えた外観検査装置でもある。
【００１１】また、この外観検査方法は、略四角形のパ
ッケージの側面から延出する複数のリードを光学的に読
み取り半導体装置の外観を検査する方法で、先ず、半導
体装置を所定の位置に配置し、この半導体装置の少なく
とも一つの側面側に反射手段を配置した後、この反射手
段により反射した半導体装置の側面側の画像と、半導体
装置の平面側の画像とを一つの光学読み取り機構にて一
時に読み取り、この読み取り画像に基づいて、半導体装
置のリードの曲がりを検査する方法である。
ッケージの側面から延出する複数のリードを光学的に読
み取り半導体装置の外観を検査する方法で、先ず、半導
体装置を所定の位置に配置し、この半導体装置の少なく
とも一つの側面側に反射手段を配置した後、この反射手
段により反射した半導体装置の側面側の画像と、半導体
装置の平面側の画像とを一つの光学読み取り機構にて一
時に読み取り、この読み取り画像に基づいて、半導体装
置のリードの曲がりを検査する方法である。
【００１２】また、第１の可変偏光手段および第２の可
変偏光手段に所定の電圧を印加することでリードの投影
光および反射光のいずれか一方を光学読み取り機構にて
取り込む半導体装置の外観検査方法でもある。
変偏光手段に所定の電圧を印加することでリードの投影
光および反射光のいずれか一方を光学読み取り機構にて
取り込む半導体装置の外観検査方法でもある。
【００１３】
【作用】半導体装置の側面側に配置した反射手段によ
り、パッケージの側面画像を光学読み取り機構の方向へ
反射する。光学読み取り機構では、半導体装置の平面側
の画像と、反射手段を介して反射してきた側面側の画像
とを一括して読み取ることができる。また、反射手段と
反対側の側面側に発光手段を配置し、そこからの光を半
導体装置に当てて投影光を反射手段にて反射すれば、光
学読み取り機構にて半導体装置の投影画像と平面側の画
像とを同時に得ることができる。しかも、偏光方向が異
なる光を用いることにより、半導体装置の一の側面側と
その反対側である他の側面側との投影画像を一括して得
ることができる。
り、パッケージの側面画像を光学読み取り機構の方向へ
反射する。光学読み取り機構では、半導体装置の平面側
の画像と、反射手段を介して反射してきた側面側の画像
とを一括して読み取ることができる。また、反射手段と
反対側の側面側に発光手段を配置し、そこからの光を半
導体装置に当てて投影光を反射手段にて反射すれば、光
学読み取り機構にて半導体装置の投影画像と平面側の画
像とを同時に得ることができる。しかも、偏光方向が異
なる光を用いることにより、半導体装置の一の側面側と
その反対側である他の側面側との投影画像を一括して得
ることができる。
【００１４】また、この反射手段を半導体装置のリード
が延出する側面側にそれぞれ配置し、光学読み取り機構
にて半導体装置の平面側の画像と、反射手段から反射す
る側面側の画像とを一時に読み取れば、一つの画面で平
面側とリードが延出する側面側との画像を得ることがで
きる。また、第１の可変偏光手段および第２の可変偏光
手段に対して電圧を印加することによりこれらを通過す
る光の偏光方向が回転し、半導体装置の投影画像を得る
か反射画像を得るかの選択を行うことができるようにな
る。
が延出する側面側にそれぞれ配置し、光学読み取り機構
にて半導体装置の平面側の画像と、反射手段から反射す
る側面側の画像とを一時に読み取れば、一つの画面で平
面側とリードが延出する側面側との画像を得ることがで
きる。また、第１の可変偏光手段および第２の可変偏光
手段に対して電圧を印加することによりこれらを通過す
る光の偏光方向が回転し、半導体装置の投影画像を得る
か反射画像を得るかの選択を行うことができるようにな
る。
【００１５】
【実施例】以下に、本発明の半導体装置の外観検査装置
とその検査方法を図に基づいて説明する。先ず、本発明
の半導体装置の外観検査装置を図１の概略斜視図に基づ
いて説明する。すなわち、この外観検査装置１は、パッ
ケージ１１の側面から延出される複数のリード１２を光
学的に読み取ることで半導体装置１０の外観を検査する
ものであり、半導体装置１０の少なくとも一つの側面側
に配置された反射手段２と、半導体装置１０の例えば上
面側に配置された光学読み取り機構３とから構成されて
いる。
とその検査方法を図に基づいて説明する。先ず、本発明
の半導体装置の外観検査装置を図１の概略斜視図に基づ
いて説明する。すなわち、この外観検査装置１は、パッ
ケージ１１の側面から延出される複数のリード１２を光
学的に読み取ることで半導体装置１０の外観を検査する
ものであり、半導体装置１０の少なくとも一つの側面側
に配置された反射手段２と、半導体装置１０の例えば上
面側に配置された光学読み取り機構３とから構成されて
いる。
【００１６】反射手段２は、例えば、直角プリズムや反
射鏡から成るもので、半導体装置１０のリード１２が延
出する側面側にそれぞれ配置されている。また、光学読
み取り機構３は、ＣＣＤやラインセンサーから成るもの
で、半導体装置１０の平面側の画像と、反射手段２によ
り反射される半導体装置１０の側面側の画像とを一括し
て読み取るものである。このため、光学読み取り機構３
により得られる画面では、半導体装置１０の平面側の画
像と、リード１２が延出する側面側の画像とが同時に得
られることになる。
射鏡から成るもので、半導体装置１０のリード１２が延
出する側面側にそれぞれ配置されている。また、光学読
み取り機構３は、ＣＣＤやラインセンサーから成るもの
で、半導体装置１０の平面側の画像と、反射手段２によ
り反射される半導体装置１０の側面側の画像とを一括し
て読み取るものである。このため、光学読み取り機構３
により得られる画面では、半導体装置１０の平面側の画
像と、リード１２が延出する側面側の画像とが同時に得
られることになる。
【００１７】次に、このような外観検査装置１を用いた
半導体装置１０の外観検査方法を説明する。先ず、半導
体装置１０を所定の位置に配置して、リード１２が延出
する側面側にそれぞれ反射手段２を配置する。反射手段
２は、パッケージ１１の辺に沿って配置するとともに、
その反射面を約４５度に傾けておく。例えば、ＱＦＰか
ら成る半導体装置１０の場合には、半導体装置１０の四
つの側面側にこの反射手段２をそれぞれ配置する。
半導体装置１０の外観検査方法を説明する。先ず、半導
体装置１０を所定の位置に配置して、リード１２が延出
する側面側にそれぞれ反射手段２を配置する。反射手段
２は、パッケージ１１の辺に沿って配置するとともに、
その反射面を約４５度に傾けておく。例えば、ＱＦＰか
ら成る半導体装置１０の場合には、半導体装置１０の四
つの側面側にこの反射手段２をそれぞれ配置する。
【００１８】次に、半導体装置１０の例えば上面側にＣ
ＣＤまたはラインセンサーから成る光学読み取り機構３
を配置する。すなわち、反射手段２の反射面が見える平
面側に光学読み取り機構３を配置する。そして、この光
学読み取り機構３にて半導体装置１０の平面側の画像と
反射手段２を介して反射される半導体装置１０の側面側
の画像とを一時に読み取る。なお、光学読み取り機構３
がラインセンサーから成る場合には、光学読み取り機構
３を図中矢印に示すように半導体装置１０の平面方向に
移動して、半導体装置１の全体の画像を読み取るように
する。
ＣＤまたはラインセンサーから成る光学読み取り機構３
を配置する。すなわち、反射手段２の反射面が見える平
面側に光学読み取り機構３を配置する。そして、この光
学読み取り機構３にて半導体装置１０の平面側の画像と
反射手段２を介して反射される半導体装置１０の側面側
の画像とを一時に読み取る。なお、光学読み取り機構３
がラインセンサーから成る場合には、光学読み取り機構
３を図中矢印に示すように半導体装置１０の平面方向に
移動して、半導体装置１の全体の画像を読み取るように
する。
【００１９】図２は、光学読み取り機構３による読み取
り画像を示す図である。すなわち、この読み取り画像で
は、半導体装置１０の平面側の直接画像と、反射手段２
による半導体装置１０の側面側の反射画像とが同一画面
上に写し出されている。この読み取り画像に基づいて、
各側面側のリード１２の曲がりや、平面側からのリード
１２の曲がりを検査する。
り画像を示す図である。すなわち、この読み取り画像で
は、半導体装置１０の平面側の直接画像と、反射手段２
による半導体装置１０の側面側の反射画像とが同一画面
上に写し出されている。この読み取り画像に基づいて、
各側面側のリード１２の曲がりや、平面側からのリード
１２の曲がりを検査する。
【００２０】図３は、検査項目となるリード１２の曲が
りについて説明する図で、（ａ）はリードピッチ、
（ｂ）はコプラナリティー、（ｃ）はリード延出の状態
をそれぞれ示している。例えば、図３（ａ）に示すリー
ドピッチの良否の検査を行う場合には、図２に示す読み
取り画像の反射手段２による半導体装置１０の側面側の
画像に基づいて、リード１２のピッチｐを計測する。こ
の計測したピッチｐの値が、予め定められた範囲内にあ
るかどうかを判断し、半導体装置１０のリードピッチ良
否の判別を行う。
りについて説明する図で、（ａ）はリードピッチ、
（ｂ）はコプラナリティー、（ｃ）はリード延出の状態
をそれぞれ示している。例えば、図３（ａ）に示すリー
ドピッチの良否の検査を行う場合には、図２に示す読み
取り画像の反射手段２による半導体装置１０の側面側の
画像に基づいて、リード１２のピッチｐを計測する。こ
の計測したピッチｐの値が、予め定められた範囲内にあ
るかどうかを判断し、半導体装置１０のリードピッチ良
否の判別を行う。
【００２１】また、図３（ｂ）に示すコプラナリティー
の良否の検査を行う場合には、前述のリードピッチを検
査するのと同一の読み取り画像（図２参照）を用いる。
すなわち、半導体装置１０の側面側の画像からリード１
２の浮きｔを計測し、この値が予め定められた範囲内に
あるかどうかを判断する。この結果から半導体装置１０
のコプラナリティーの良否を判別する。
の良否の検査を行う場合には、前述のリードピッチを検
査するのと同一の読み取り画像（図２参照）を用いる。
すなわち、半導体装置１０の側面側の画像からリード１
２の浮きｔを計測し、この値が予め定められた範囲内に
あるかどうかを判断する。この結果から半導体装置１０
のコプラナリティーの良否を判別する。
【００２２】また、図２に示す読み取り画像には、リー
ドピッチとコプラナリティーとの検査で用いた半導体装
置１０の側面側の画像とともに、半導体装置１０の平面
側の画像も得られている。このため、図３（ｃ）に示す
半導体装置１０のリード延出の良否の判別も行うことが
できる。すなわち、半導体装置１０の平面側の画像に基
づいて、パッケージ１１の側面からリード１２がどの位
延出しているか、（例えば、基準値からの延出量ｄ）を
計測し、この値からリード延出の良否の判別を行う。こ
のように、図２に示すような一つの読み取り画像に基づ
いて、様々なリード曲がりの検査を行うことができる。
ドピッチとコプラナリティーとの検査で用いた半導体装
置１０の側面側の画像とともに、半導体装置１０の平面
側の画像も得られている。このため、図３（ｃ）に示す
半導体装置１０のリード延出の良否の判別も行うことが
できる。すなわち、半導体装置１０の平面側の画像に基
づいて、パッケージ１１の側面からリード１２がどの位
延出しているか、（例えば、基準値からの延出量ｄ）を
計測し、この値からリード延出の良否の判別を行う。こ
のように、図２に示すような一つの読み取り画像に基づ
いて、様々なリード曲がりの検査を行うことができる。
【００２３】次に、本発明の他の実施例を図４の模式図
に基づいて説明する。すなわち、この外観検査装置１
は、半導体装置１０の側面側に反射手段２が配置され、
半導体装置１０の下面側に光学読み取り機構３が配置さ
れている。このため、反射手段２の反射面は、光学読み
取り機構３が配置されている半導体装置１０の下面側に
向けられている。
に基づいて説明する。すなわち、この外観検査装置１
は、半導体装置１０の側面側に反射手段２が配置され、
半導体装置１０の下面側に光学読み取り機構３が配置さ
れている。このため、反射手段２の反射面は、光学読み
取り機構３が配置されている半導体装置１０の下面側に
向けられている。
【００２４】この外観検査装置１を用いて半導体装置１
０の外観検査を行うには、半導体装置１０の上面を真空
チャック等の吸着手段４を用いて吸着保持し、反射手段
２の間に配置する。この状態で、半導体装置１０の下面
側の画像と、反射手段２により反射された半導体装置１
０の側面側の画像とを光学読み取り機構３にて一時に読
み取る。そして、この読み取り画像に基づいて、先に述
べたような様々なリード曲がりの検査を行い、良否の判
別をする。
０の外観検査を行うには、半導体装置１０の上面を真空
チャック等の吸着手段４を用いて吸着保持し、反射手段
２の間に配置する。この状態で、半導体装置１０の下面
側の画像と、反射手段２により反射された半導体装置１
０の側面側の画像とを光学読み取り機構３にて一時に読
み取る。そして、この読み取り画像に基づいて、先に述
べたような様々なリード曲がりの検査を行い、良否の判
別をする。
【００２５】このように、半導体装置１０の下面側に光
学読み取り機構３を配置することで、半導体装置１０の
上面を吸着手段４により吸着保持することができる。つ
まり、通常の搬送ラインでは、半導体装置１０の上面を
吸着保持する場合が多いため、吸着手段４から半導体装
置１０を着脱しなくてもそのままの状態でリード曲がり
を検査できることになる。なお、半導体装置１０がこの
ように宙吊り状態で配置されているため、図３（ｂ）に
示すようなコプラナリティーの良否を判別する場合、得
られた読み取り画像（図２参照）の半導体装置１０の側
面側の画像から、半導体装置１０を接地させた状態での
基準ライン、いわゆる仮想平面を演算により求め、この
仮想平面に対するリード１２の浮きｔを計測すれば良
い。
学読み取り機構３を配置することで、半導体装置１０の
上面を吸着手段４により吸着保持することができる。つ
まり、通常の搬送ラインでは、半導体装置１０の上面を
吸着保持する場合が多いため、吸着手段４から半導体装
置１０を着脱しなくてもそのままの状態でリード曲がり
を検査できることになる。なお、半導体装置１０がこの
ように宙吊り状態で配置されているため、図３（ｂ）に
示すようなコプラナリティーの良否を判別する場合、得
られた読み取り画像（図２参照）の半導体装置１０の側
面側の画像から、半導体装置１０を接地させた状態での
基準ライン、いわゆる仮想平面を演算により求め、この
仮想平面に対するリード１２の浮きｔを計測すれば良
い。
【００２６】以上説明した実施例の外観検査装置１およ
び外観検査方法においては、いずれも半導体装置１０の
側面側の反射光に基づく画像を光学読み取り機構３にて
取り込んでいる。しかし、このような反射光に基づく画
像では、リード１２の端面での反射光も取り込んでしま
う可能性がある。このリード１２の端面での反射光が取
り込み画像中に含まれていると、その影響で２値化等の
画像処理に不都合が生じてしまい、種々の計測における
誤差および誤検出のの原因となる。
び外観検査方法においては、いずれも半導体装置１０の
側面側の反射光に基づく画像を光学読み取り機構３にて
取り込んでいる。しかし、このような反射光に基づく画
像では、リード１２の端面での反射光も取り込んでしま
う可能性がある。このリード１２の端面での反射光が取
り込み画像中に含まれていると、その影響で２値化等の
画像処理に不都合が生じてしまい、種々の計測における
誤差および誤検出のの原因となる。
【００２７】そこで、このような不都合を解消するため
の実施例を他の例（その２）〜他の例（その４）として
以下に説明する。先ず、他の例（その２）を図５〜図６
に基づいて説明する。すなわち、図５の模式図に示す外
観検査装置１は、主として半導体装置１０の少なくとも
一つの側面側に配置したＬＥＤ等の発光手段５と、反対
の側面側に配置した反射手段２とを備えたものである。
この外観検査装置１においては、発光手段５から出射し
た光（出射光）を半導体装置１０の側面に当てて、その
投影光を反対の側面側に配置した反射手段２にて例えば
上方に反射させる。この投影光を光学読み取り機構３に
て取り込み、半導体装置１０のパッケージ１１およびリ
ード１２の投影画像を得ている。
の実施例を他の例（その２）〜他の例（その４）として
以下に説明する。先ず、他の例（その２）を図５〜図６
に基づいて説明する。すなわち、図５の模式図に示す外
観検査装置１は、主として半導体装置１０の少なくとも
一つの側面側に配置したＬＥＤ等の発光手段５と、反対
の側面側に配置した反射手段２とを備えたものである。
この外観検査装置１においては、発光手段５から出射し
た光（出射光）を半導体装置１０の側面に当てて、その
投影光を反対の側面側に配置した反射手段２にて例えば
上方に反射させる。この投影光を光学読み取り機構３に
て取り込み、半導体装置１０のパッケージ１１およびリ
ード１２の投影画像を得ている。
【００２８】図６は、光学読み取り機構３による取り込
み画像を説明する図である。取り込み画像には、半導体
装置１０の平面側の画像と、側面側の投影画像とが写し
出されており、これらの画像に基づいてリード１２の曲
がりを検査する。特に、半導体装置１０の側面側の投影
画像においては、リード１２の端面からの反射光が存在
せず、パッケージ１１とリード１２の外形が影（図中斜
線部）として写し出されるため２値化等の信号処理を容
易に行うことができ、リード１２の曲がりを判定しやす
くなる。なお、半導体装置１０の下方から光を当て、光
学読み取り機構３により半導体装置１０の平面側の投影
画像を写し出すようにしてもよい。このような外観検査
装置１は、主に半導体装置１０の一つ側面側を検査する
場合や、一つの側面とそれに直角な側面とを検査する場
合に有効である。
み画像を説明する図である。取り込み画像には、半導体
装置１０の平面側の画像と、側面側の投影画像とが写し
出されており、これらの画像に基づいてリード１２の曲
がりを検査する。特に、半導体装置１０の側面側の投影
画像においては、リード１２の端面からの反射光が存在
せず、パッケージ１１とリード１２の外形が影（図中斜
線部）として写し出されるため２値化等の信号処理を容
易に行うことができ、リード１２の曲がりを判定しやす
くなる。なお、半導体装置１０の下方から光を当て、光
学読み取り機構３により半導体装置１０の平面側の投影
画像を写し出すようにしてもよい。このような外観検査
装置１は、主に半導体装置１０の一つ側面側を検査する
場合や、一つの側面とそれに直角な側面とを検査する場
合に有効である。
【００２９】次に、他の例（その３）を図７〜図８に基
づいて説明する。図７の模式図に示す外観検査装置１
は、主として、半導体装置１０の一方の側面側に配置し
た第１の発光手段５１と、反対となる他方の側面側に配
置した第２の発光手段５２と、他方の側面側に配置した
第１の光学部品２１と、一方の側面側に配置した第２の
光学部品２２、および他方の側面側に配置した第１の偏
光板３１と一方の側面側に配置した第２の偏光板３２と
から成るものである。
づいて説明する。図７の模式図に示す外観検査装置１
は、主として、半導体装置１０の一方の側面側に配置し
た第１の発光手段５１と、反対となる他方の側面側に配
置した第２の発光手段５２と、他方の側面側に配置した
第１の光学部品２１と、一方の側面側に配置した第２の
光学部品２２、および他方の側面側に配置した第１の偏
光板３１と一方の側面側に配置した第２の偏光板３２と
から成るものである。
【００３０】このように配置した第１の発光手段５１か
らは、一の偏光方向から成る光（一の偏光光）を出射し
てハーフミラーやビームスプリッタ等から成る第２の光
学部品２２を通過させ半導体装置１０の一方の側面に照
射する。この一方の側面に照射された一の偏光光によ
り、半導体装置１０の投影光（一の投影光）がハーフミ
ラーやビームスプリッタ等から成る第１の光学部品２１
に当たり、例えば上方に反射される。また、第１の光学
部品２１により反射された一の投影光は、一の偏光方向
の光のみを透過できる第１の偏光板３１を介して光学読
み取り機構３へ取り込まれることになる。
らは、一の偏光方向から成る光（一の偏光光）を出射し
てハーフミラーやビームスプリッタ等から成る第２の光
学部品２２を通過させ半導体装置１０の一方の側面に照
射する。この一方の側面に照射された一の偏光光によ
り、半導体装置１０の投影光（一の投影光）がハーフミ
ラーやビームスプリッタ等から成る第１の光学部品２１
に当たり、例えば上方に反射される。また、第１の光学
部品２１により反射された一の投影光は、一の偏光方向
の光のみを透過できる第１の偏光板３１を介して光学読
み取り機構３へ取り込まれることになる。
【００３１】一方、第２の発光手段５２からは、第１の
発光手段５１から出射される一の偏光光と異なる偏光方
向から成る光（他の偏光光）を出射して半導体装置１０
の他方の側面に照射する。この他方の側面に照射された
他の偏光光により、半導体装置１０の投影光（他の投影
光）が第２の光学部品２２に当たり、例えば上方に反射
される。第２の光学部品２２により反射された他の投影
光は、他の偏光方向の光のみを透過できる第２の偏光板
３２を介して光学読み取り機構３に取り込まれることに
なる。
発光手段５１から出射される一の偏光光と異なる偏光方
向から成る光（他の偏光光）を出射して半導体装置１０
の他方の側面に照射する。この他方の側面に照射された
他の偏光光により、半導体装置１０の投影光（他の投影
光）が第２の光学部品２２に当たり、例えば上方に反射
される。第２の光学部品２２により反射された他の投影
光は、他の偏光方向の光のみを透過できる第２の偏光板
３２を介して光学読み取り機構３に取り込まれることに
なる。
【００３２】つまり、第１の発光手段５１から出射され
る光の偏光方向と、第１の偏光板３１の偏光方向とを合
わせ、また、第２の発光手段５２から出射される光の偏
光方向と第２の偏光板３２の偏光方向とを合わせること
で、半導体装置１０の平行な２側面の投影光がそれぞれ
光学読み取り機構３にて取り込まれるようになる。な
お、第１の発光手段５１から出射された一の偏光光は、
半導体装置１０の一方の側面に当たり反射光として第２
の光学部品２２にて上方に反射されるが、第２の偏光板
３２を透過できないため光学読み取り機構３により取り
込まれることがない。同様に、第２の発光手段５２から
出射された他の偏光光は、半導体装置１０の他方の側面
に当たり第１の光学部品２１で上方に反射しても第１の
偏光板３１を透過できないため光学読み取り機構３によ
り取り込まれることがない。このため、それぞれの反射
光に妨げられることなく投影光を取り込むことができ
る。
る光の偏光方向と、第１の偏光板３１の偏光方向とを合
わせ、また、第２の発光手段５２から出射される光の偏
光方向と第２の偏光板３２の偏光方向とを合わせること
で、半導体装置１０の平行な２側面の投影光がそれぞれ
光学読み取り機構３にて取り込まれるようになる。な
お、第１の発光手段５１から出射された一の偏光光は、
半導体装置１０の一方の側面に当たり反射光として第２
の光学部品２２にて上方に反射されるが、第２の偏光板
３２を透過できないため光学読み取り機構３により取り
込まれることがない。同様に、第２の発光手段５２から
出射された他の偏光光は、半導体装置１０の他方の側面
に当たり第１の光学部品２１で上方に反射しても第１の
偏光板３１を透過できないため光学読み取り機構３によ
り取り込まれることがない。このため、それぞれの反射
光に妨げられることなく投影光を取り込むことができ
る。
【００３３】これにより取り込まれた画像は、図８に示
すように、半導体装置１０の平面側の画像と、両側面側
の投影画像（図中斜線部）として写し出される。この両
側面側の投影画像に基づいて半導体装置１０から延出す
るリード１２の曲がりを検査する。
すように、半導体装置１０の平面側の画像と、両側面側
の投影画像（図中斜線部）として写し出される。この両
側面側の投影画像に基づいて半導体装置１０から延出す
るリード１２の曲がりを検査する。
【００３４】また、側面側の反射画像を得たい場合に
は、図７に示す第１の偏光板３１と第２の偏光板３２と
の入替えを行い、その偏光方向を反対にすればよい。す
なわち、第１の偏光板３１は、第１の光学部品２１にて
反射された一の投影光を透過させない代わりに、第２の
発光手段５２から出射して他方の側面に当たった光の反
射光を透過させるようになる。また、第２の偏光板３２
は、第１の発光手段５１から出射して一方の側面に当た
った光の反射光のみを透過させるようになる。これによ
り、半導体装置１０の側面側の反射光を光学読み取り機
構３にて取り込めるようになる。
は、図７に示す第１の偏光板３１と第２の偏光板３２と
の入替えを行い、その偏光方向を反対にすればよい。す
なわち、第１の偏光板３１は、第１の光学部品２１にて
反射された一の投影光を透過させない代わりに、第２の
発光手段５２から出射して他方の側面に当たった光の反
射光を透過させるようになる。また、第２の偏光板３２
は、第１の発光手段５１から出射して一方の側面に当た
った光の反射光のみを透過させるようになる。これによ
り、半導体装置１０の側面側の反射光を光学読み取り機
構３にて取り込めるようになる。
【００３５】次に、他の例（その４）を図９〜図１０に
基づいて説明する。すなわち、この外観検査装置１は、
先に説明した他の例（その３）の外観検査装置１の第１
の偏光板３１と第１の光学部品２１との間に、例えば液
晶のような電圧の印加によってその偏光方向が可変する
第１の可変偏光手段４１を備え、第２の偏光板３２と第
２の光学部品２２との間に同様な液晶等から成る第２の
可変偏光手段４２を備えたものである。
基づいて説明する。すなわち、この外観検査装置１は、
先に説明した他の例（その３）の外観検査装置１の第１
の偏光板３１と第１の光学部品２１との間に、例えば液
晶のような電圧の印加によってその偏光方向が可変する
第１の可変偏光手段４１を備え、第２の偏光板３２と第
２の光学部品２２との間に同様な液晶等から成る第２の
可変偏光手段４２を備えたものである。
【００３６】図９（ａ）に示すように、例えば第１の可
変偏光手段４１および第２の可変偏光手段４２に対して
所定電圧の印加を行わない場合（ＯＦＦの場合）におい
て、第１の発光手段５１から出射される一の偏光光の偏
光方向と第１の可変偏光手段４１の偏光方向とを合わせ
ておき、また第２の発光手段５２から出射される他の偏
光光の偏光方向と第２の可変偏光手段４２の偏光方向と
を合わせておく。
変偏光手段４１および第２の可変偏光手段４２に対して
所定電圧の印加を行わない場合（ＯＦＦの場合）におい
て、第１の発光手段５１から出射される一の偏光光の偏
光方向と第１の可変偏光手段４１の偏光方向とを合わせ
ておき、また第２の発光手段５２から出射される他の偏
光光の偏光方向と第２の可変偏光手段４２の偏光方向と
を合わせておく。
【００３７】これにより、一の偏光光は半導体装置１０
の投影光（一の投影光）となり第１の光学部品２１にて
反射し、第１の可変偏光手段４１を介してその偏光方向
のまま第１の偏光板３１を通過する。また、他の偏光光
は半導体装置１０の投影光（他の投影光）となり第２の
光学部品２２にて反射し、第２の可変偏光手段４２を介
してその偏光方向のまま第２の偏光板３２を通過する。
そして、これらの投影光が光学読み取り機構３にて取り
込まれ、図１０（ａ）に示すような投影画像を得ること
ができる。
の投影光（一の投影光）となり第１の光学部品２１にて
反射し、第１の可変偏光手段４１を介してその偏光方向
のまま第１の偏光板３１を通過する。また、他の偏光光
は半導体装置１０の投影光（他の投影光）となり第２の
光学部品２２にて反射し、第２の可変偏光手段４２を介
してその偏光方向のまま第２の偏光板３２を通過する。
そして、これらの投影光が光学読み取り機構３にて取り
込まれ、図１０（ａ）に示すような投影画像を得ること
ができる。
【００３８】なお、一の反射光は第２の光学部品２２で
反射して第２の可変偏光手段４２を通過するが第２の偏
光板３２にて遮断され、また、他の反射光は第１の光学
部品２１で反射して第１の可変偏光手段４１を通過する
が第１の偏光板３１にて遮断されるため、それぞれ光学
読み取り機構３にて取り込まれることがない。
反射して第２の可変偏光手段４２を通過するが第２の偏
光板３２にて遮断され、また、他の反射光は第１の光学
部品２１で反射して第１の可変偏光手段４１を通過する
が第１の偏光板３１にて遮断されるため、それぞれ光学
読み取り機構３にて取り込まれることがない。
【００３９】一方、図９（ｂ）に示すように、例えば第
１の可変偏光手段４１および第２の可変偏光手段４２に
対して所定電圧の印加を行った場合（ＯＮの場合）、第
１の可変偏光手段４１および第２の可変偏光手段４２
は、通過する光の偏光方向をその印加電圧に応じた角度
だけ回転させるようになる。つまり、所定の電圧を第１
の可変偏光手段４１に印加することによって通過する一
の投影光を他の偏光方向に回転させる。また、同様に所
定の電圧を第２の可変偏光手段４２に印加することによ
って通過する他の投影光を一の偏光方向に回転させる。
１の可変偏光手段４１および第２の可変偏光手段４２に
対して所定電圧の印加を行った場合（ＯＮの場合）、第
１の可変偏光手段４１および第２の可変偏光手段４２
は、通過する光の偏光方向をその印加電圧に応じた角度
だけ回転させるようになる。つまり、所定の電圧を第１
の可変偏光手段４１に印加することによって通過する一
の投影光を他の偏光方向に回転させる。また、同様に所
定の電圧を第２の可変偏光手段４２に印加することによ
って通過する他の投影光を一の偏光方向に回転させる。
【００４０】これにより、第１の発光手段５１から出射
された一の偏光光による一の反射光は、第２の光学部品
２２にて反射して第２の可変偏光手段４２を通過する。
この際、一の反射光は第２の可変偏光手段４２にてその
偏光方向が回転し、他の偏光方向となる。したがって、
第２の偏光板３２を通過して光学読み取り機構３にて取
り込まれることになる。また、一の投影光は第１の光学
部品２１にて反射して第１の可変偏光手段４１を通過す
るが、この際その偏光方向が回転して他の偏光方向とな
り、第１の偏光板３１を通過できなくなる。
された一の偏光光による一の反射光は、第２の光学部品
２２にて反射して第２の可変偏光手段４２を通過する。
この際、一の反射光は第２の可変偏光手段４２にてその
偏光方向が回転し、他の偏光方向となる。したがって、
第２の偏光板３２を通過して光学読み取り機構３にて取
り込まれることになる。また、一の投影光は第１の光学
部品２１にて反射して第１の可変偏光手段４１を通過す
るが、この際その偏光方向が回転して他の偏光方向とな
り、第１の偏光板３１を通過できなくなる。
【００４１】一方、第２の発光手段５２から出射された
他の偏光光による他の反射光は、第１の光学部品２１に
て反射して第１の可変偏光手段４１を通過する。この
際、他の反射光は第１の可変偏光手段４１にてその偏光
方向が回転し、一の偏光方向となる。したがって、第１
の偏光板３１を通過して光学読み取り機構３にて取り込
まれることになる。また、他の投影光は第２の光学部品
２２にて反射して第２の可変偏光手段４２を通過する
が、この際その偏光方向が回転して一の偏光方向とな
り、第２の偏光板３２を通過できなくなる。この結果、
光学読み取り機構３によって図１０（ｂ）に示すような
半導体装置１０の側面側の反射画像を得ることができ
る。
他の偏光光による他の反射光は、第１の光学部品２１に
て反射して第１の可変偏光手段４１を通過する。この
際、他の反射光は第１の可変偏光手段４１にてその偏光
方向が回転し、一の偏光方向となる。したがって、第１
の偏光板３１を通過して光学読み取り機構３にて取り込
まれることになる。また、他の投影光は第２の光学部品
２２にて反射して第２の可変偏光手段４２を通過する
が、この際その偏光方向が回転して一の偏光方向とな
り、第２の偏光板３２を通過できなくなる。この結果、
光学読み取り機構３によって図１０（ｂ）に示すような
半導体装置１０の側面側の反射画像を得ることができ
る。
【００４２】このように、第１の可変偏光板４１および
第２の可変偏光板４２への電圧の印加の有無によって、
半導体装置１０の側面側の投影画像を得るか反射画像を
得るかの選択を電気的に行うことができるようになる。
なお、この例では、第１の可変偏光板４１および第２の
可変偏光板４２への電圧印加があった場合に反射画像を
得る場合について説明したが、反対に電圧印加があった
場合に投影画像を得るように第１の偏光板３１および第
２の偏光板３２の偏光方向を設定しておいてもよい。
第２の可変偏光板４２への電圧の印加の有無によって、
半導体装置１０の側面側の投影画像を得るか反射画像を
得るかの選択を電気的に行うことができるようになる。
なお、この例では、第１の可変偏光板４１および第２の
可変偏光板４２への電圧印加があった場合に反射画像を
得る場合について説明したが、反対に電圧印加があった
場合に投影画像を得るように第１の偏光板３１および第
２の偏光板３２の偏光方向を設定しておいてもよい。
【００４３】他の例（その３）および他の例（その４）
で説明したように、主として半導体装置１０の側面側の
投影画像を得てリード１２の計測を行い、リード１２の
計測項目や半導体装置１０の形状（例えば、パッケージ
１１下面からのリード１２の延出状態）等に応じて半導
体装置１０の側面側の反射画像を得るようにすること
で、精度の高い半導体装置１０の外観検査を行うことが
できるようになる。なお、他の例（その３）および他の
例（その４）で示す外観検査装置１においては半導体装
置１０の２側面のみを検査する場合に限るものではな
く、４側面全てを検査する場合でも可能である。すなわ
ち、４側面を検査する場合には、２側面を検査する場合
の構成と同様な構成を他の２側面に対して配置すればよ
く、これにより光学読み取り機構３にて４側面の投影画
像を一括して得ることが可能となる。
で説明したように、主として半導体装置１０の側面側の
投影画像を得てリード１２の計測を行い、リード１２の
計測項目や半導体装置１０の形状（例えば、パッケージ
１１下面からのリード１２の延出状態）等に応じて半導
体装置１０の側面側の反射画像を得るようにすること
で、精度の高い半導体装置１０の外観検査を行うことが
できるようになる。なお、他の例（その３）および他の
例（その４）で示す外観検査装置１においては半導体装
置１０の２側面のみを検査する場合に限るものではな
く、４側面全てを検査する場合でも可能である。すなわ
ち、４側面を検査する場合には、２側面を検査する場合
の構成と同様な構成を他の２側面に対して配置すればよ
く、これにより光学読み取り機構３にて４側面の投影画
像を一括して得ることが可能となる。
【００４４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体装
置の外観検査装置とその検査方法によれば、次のような
効果がある。すなわち、この外観検査装置によれば、半
導体装置の側面側に配置された反射手段やハーフミラー
等の光学部品により、半導体装置の側面側の反射画像と
平面側の画像とを一括して読み取れたり、側面側の投影
画像と平面側の画像および投影画像を一括して読み取れ
るため、半導体装置を回転させたり、複数の光学読み取
り機構を配置する必要がなくなり、装置構成の大幅な簡
素化を図ることが可能となる。さらに、光の偏光方向の
相違を利用して半導体装置の側面側の反射画像を得る
か、投影画像を得るかを選択することができるため、よ
り精度の高い外観検査を行うことが可能となる。
置の外観検査装置とその検査方法によれば、次のような
効果がある。すなわち、この外観検査装置によれば、半
導体装置の側面側に配置された反射手段やハーフミラー
等の光学部品により、半導体装置の側面側の反射画像と
平面側の画像とを一括して読み取れたり、側面側の投影
画像と平面側の画像および投影画像を一括して読み取れ
るため、半導体装置を回転させたり、複数の光学読み取
り機構を配置する必要がなくなり、装置構成の大幅な簡
素化を図ることが可能となる。さらに、光の偏光方向の
相違を利用して半導体装置の側面側の反射画像を得る
か、投影画像を得るかを選択することができるため、よ
り精度の高い外観検査を行うことが可能となる。
【００４５】また、この外観検査方法によれば、一つの
画面に基づいてリード曲がりの検査を行うことができる
ため、良否の判別処理が容易となり、検査時間の短縮化
が可能となる。特に、ＱＦＰのように、パッケージの各
側面から複数のリードが延出する半導体装置の外観検査
を行う場合には、大幅な検査時間の短縮化を図れ、生産
性の向上につながる。
画面に基づいてリード曲がりの検査を行うことができる
ため、良否の判別処理が容易となり、検査時間の短縮化
が可能となる。特に、ＱＦＰのように、パッケージの各
側面から複数のリードが延出する半導体装置の外観検査
を行う場合には、大幅な検査時間の短縮化を図れ、生産
性の向上につながる。
【図１】本発明の外観検査装置とその検査方法を説明す
る概略斜視図である。
る概略斜視図である。
【図２】読み取り画像を説明する図である。
【図３】リード曲がりを説明する図で、（ａ）がリード
ピッチ、（ｂ）がコプラナリティー、（ｃ）がリード延
出である。
ピッチ、（ｂ）がコプラナリティー、（ｃ）がリード延
出である。
【図４】本発明の他の実施例を説明する模式図である。
【図５】他の例（その２）を説明する模式図である。
【図６】他の例（その２）の読み取り画像を説明する図
である。
である。
【図７】他の例（その３）を説明する模式図である。
【図８】他の例（その３）の読み取り画像を説明する図
である。
である。
【図９】他の例（その４）を説明する模式図で、（ａ）
は投影光の取り込み、（ｂ）は反射光の取り込みの場合
である。
は投影光の取り込み、（ｂ）は反射光の取り込みの場合
である。
【図１０】他の例（その４）の取り込み画像を説明する
図で、（ａ）は投影画像、（ｂ）は反射画像である。
図で、（ａ）は投影画像、（ｂ）は反射画像である。
【図１１】従来例を説明する概略斜視図である。
１ 外観検査装置 ２ 反射手段 ３ 光学読み取り機構 １０ 半導体装置 １１ パッケージ １２ リード ２１ 第１の光学部品 ２２ 第２の光学
部品 ３１ 第１の偏光板 ３２ 第２の偏光
板 ４１ 第１の可変偏光手段 ４２ 第２の可変
偏光手段 ５１ 第１の発光手段 ５２ 第２の発光
手段
部品 ３１ 第１の偏光板 ３２ 第２の偏光
板 ４１ 第１の可変偏光手段 ４２ 第２の可変
偏光手段 ５１ 第１の発光手段 ５２ 第２の発光
手段
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０６Ｔ 7/00 Ｈ０１Ｌ 21/66 Ｊ 7630−4Ｍ Ｇ０６Ｆ 15/64 ３２０ Ｃ
Claims (7)
- 【請求項１】 略四角形のパッケージの側面から延出さ
れた複数のリードを光学的に読み取る半導体装置の外観
検査装置において、 前記半導体装置の少なくとも一つの側面側に配置される
反射手段と、 前記反射手段にて反射される前記半導体装置の側面側の
画像と該半導体装置の平面側の画像とを一括して得るた
めの光学読み取り機構とから成ることを特徴とする半導
体装置の外観検査装置。 - 【請求項２】 略四角形のパッケージの側面から延出さ
れた複数のリードを光学的に読み取る半導体装置の外観
検査装置において、 前記半導体装置の少なくとも一つの側面側に配置される
発光手段と、 前記発光手段が配置された側面側と反対の側面側に配置
され前記半導体装置の投影光を反射するための反射手段
と、 前記反射手段にて反射された投影光に基づく前記半導体
装置の側面側の投影画像と該半導体装置の平面側の画像
とを一括して得るための光学読み取り機構とから成るこ
とを特徴とする半導体装置の外観検査装置。 - 【請求項３】 前記半導体装置の平面側の画像は、前記
平面側と反対の面側から照射された光の投影光に基づく
投影画像であることを特徴とする請求項２記載の半導体
装置の外観検査装置。 - 【請求項４】 略四角形のパッケージの側面から延出さ
れた複数のリードを光学的に読み取る半導体装置の外観
検査装置において、 前記半導体装置の一の側面側に配置され一の偏光方向か
ら成る光を出射する第１の発光手段と、 前記一の側面側に対して反対となる他の側面側に配置さ
れ前記一の偏光方向と異なる他の偏光方向から成る光を
出射する第２の発光手段と、 前記他の側面側に配置され前記一の偏光方向の光による
前記半導体装置の投影光を反射するとともに、前記第２
の発光手段から出射される光を透過するための第１の光
学部品と、 前記一の側面側に配置され前記他の偏光方向の光による
前記半導体装置の投影光を反射するとともに、前記第１
の発光手段から出射される光を透過するための第２の光
学部品と、 前記第１の光学部品により反射された前記一の偏光方向
から成る該半導体装置の投影光を透過させるための第１
の偏光板と、 前記第２の光学部品により反射された前記他の偏光方向
から成る該半導体装置の投影光を通過させるための第２
の偏光板と、 前記第１の偏光板を透過した前記半導体装置の投影光と
前記第２の偏光板を透過した前記半導体装置の投影光を
取り込んで該半導体装置の側面側の投影画像を得るため
の光学読み取り機構とから成ることを特徴とする半導体
装置の外観検査装置。 - 【請求項５】 請求項４記載の半導体装置の外観検査装
置であって、 前記第１の偏光板と前記第１の光学部品との間に設けら
れ、電圧の印加によってその偏光方向が可変する第１の
可変偏光手段と、 前記第２の偏光板と前記第２の光学部品との間に設けら
れ、電圧の印加によってその偏光方向が可変する第２の
可変偏光手段とを備えていることを特徴とする半導体装
置の外観検査装置。 - 【請求項６】 略四角形のパッケージの側面から延出さ
れた複数のリードを光学的に読み取る半導体装置の外観
検査方法において、 先ず、前記半導体装置を所定の位置に配置し、該半導体
装置の少なくとも一つの側面側に反射手段を配置した
後、 前記反射手段により反射した前記半導体装置の側面側の
画像と該半導体装置の平面側の画像とを一つの光学読み
取り機構にて一時に読み取り、 前記読み取り画像に基づいて前記半導体装置のリードの
曲がりを検査することを特徴とする半導体装置の外観検
査方法。 - 【請求項７】 請求項５記載の半導体装置の外観検査装
置において、 前記第１の可変偏光手段および前記第２の可変偏光手段
に所定の電圧を印加することで前記リードの投影光およ
び反射光のいずれか一方を前記光学読み取り機構にて取
り込むようにしたことを特徴とする請求項６記載の半導
体装置の外観検査方法。
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