KR100292329B1 - 반도체장치의외관검사장치와그검사방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 목적은 장치구성이 간단하고 용이하게 양부의 판별을 할 수 있는 반도체장치의 외관검사장치와 그 검사방법을 제공하는데 있다.
그 구성은 반도체장치(10)의 적어도 하나의 측면측에 배치된 반사수단(2)과, 이 반사수단(2)에 의해 반사되는 반도체장치(10)의 측면측의 화상과 평면측의 화상을 일괄하여 독해하는 광학독해기구(3)로 외관검사장치(1)를 구성하고, 반도체장치(10)의 적어도 하나의 측면측에 반사수단(2)을 배치한후, 이 반사수단(2)에 의해 반사한 반도체장치(10)의 측면측의 화상과 평면측의 화상을 하나의 광학독해기구(3)로서 일시에 독해하고, 이 독해화상에 의거해서 반도체장치(10)의 리드(12)의 구부러짐을 검사하는 외관검사장치 및 그 검사방법으로 되어 있다.

Description

반도체장치의 외관검사장치와 그 검사방법
본 발명은 반도체장치의 패키지에서 뻗어나온 리드의 구부러짐을 검사하는 반도체장치의 외관검사장치와 그 검사방법에 관한 것이다.
패키지에 의한 봉함이 이루어진 반도체장치는 그 패키지의 측면측에서 뻗어나온 리드의 절단 및 형성을 하는 소위 트림·엔드·폼이 실시되어 갈윙이나 J리드 등의 소정의 리드형태로 절곡된다.
이와 같은 반도체장치의 리드의 절곡이 일정한 기준을 만족시키고 있는지 아닌지를 검사하기위해 반도체장치의 외관검사를 하고 있다.
제 11도는 반도체장치의 외관검사장치를 설명하는 개략사시도이다.
즉, 이 외관검사장치(1)는 반도체장치(10)의 패키지(11)측면측에 CCD나 라인센서등의 광학독해기구(3)가 배치된 것으로서 패키지(11)측면에서 뻗어나온리드(12)의 화상을 광학독해기구(3)로서 독해할 수 있도록 되어있다.
이 외관검사장치(1)를 이용한 반도체 장치(10)의 외관검사방법은 먼저 반도체장치(10)의 패키지(11)의 측면측에 광학독해기구(3)를 배치하고, 반도체장치(10)의 측면에서 뻗어나온 리드(12)의 화상을 이 광학독해기구(3)로 독해한다.
이 광학독해기구(3)에 의한 반도체장치(10)의 측면화상에서 리드(12)의 구부러짐을 산출하고 이 값이 일정한 범위내에 들어오는지 어떤지를 구하고, 반도체장치(10)의 양부의 판별을 한다.
예를 들면 Quad Flat Package(이하 QFP)와 같은 패키지(11)의 4개의 측면에서 각각 리드(12)가 뻗어나온 경우에는 하나의 측면측에서 화상을 독해한후, 반도체장치(10)를 90° 평면방향으로 회전하여 다음의 측면측화상을 독해한다. 이와 같은 독해를 반복하여 4개의 측면측의 화상을 얻고 있다.
그렇지만 이와 같은 반도체장치의 외관검사장치와 그 검사방법에는 다음과 같은 문제가 있다.
즉 반도체장치의 측면측에 배치된 광학독해기구에서는 하나의 화면으로 반도체장치의 하나의 측면측화상밖에 얻을 수 없다.
이 때문에 리드가 뻗어나온 측면의 수에 따라서 복수의 화상을 얻을 필요가 있고 양부의 판별처리나 장치구성의 복잡화를 초래하고 있다.
또, 이와 같은 외관검사장치를 이용한 검사방법으로는 리드가 뻗어나온 측면의 수에 따라서 반도체장치를 회전시켜 각 측면의 화상을 얻을 필요가 있는 동시에 각 화상에 대하여 각각 판별처리를 하는데서 검사시간을 단축하는 것이 곤란하다.
이와 같은 것에서 리드가 뻗어나온 측면측에 각각 광학독해기구를 배치하는 것이 고려되는바, 반도체장치를 회전할 필요가 없어지는 반면, 장치구성의 간소화를 도모하기는 곤란하다.
따라서 본 발명은 장치구성이 간단하고, 용이하게 양부의 판별을 행할 수 있는 반도체장치의 외관검사장치와 그 검사방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 이와 같은 과제를 해결하기 위해 이루어진 반도체장치의 외관검사장치와 그 검사방법이다.
즉, 이 외간검사장치는 대략 사각형의 패키지측면에서 뻗어나온 복수의 리드를 광학적으로 독해하는 것으로 반도체장치의 적어도 하나의 측면측에 반사수단을 배치하고, 이 반사수단에 의해 반사되는 반도체장치의 측면측의 화상과 반도체장치의 평면측의 화상을 일괄하여 광학독해기구에서 독해하는 것이다.
또, 반도체장치의 적어도 하나의 측면측에 발광수단을 배치하고, 발광수단이 배치된 측면측과 반대의 측면측에 반도체장치의 투영빛을 반사하기위한 반사수단을 배치하고 반사수단으로 반사되는 투영빛에 의거해서 반도체장치의 측면측의 투영화상과 반도체장치의 평면측의 화상을 일괄하여 얻기위한 광학독해기구를 설치한 외관검사장치이기도 하다. 또 반도체장치의 평면측의 화상으로서 투영화상을 얻어도 좋다.
또한, 하나의 편광방향에서 이루는 빛을 출사하는 제 1발광수단을 반도체장치의 한편의 측면측에 배치하고, 다른 편광방향에서 이루는 빛을 출사하는 제 2발광수단을 한편의 측면측의 반대가 되는 다른 편의 측면측에 배치하고, 또 하나의편광방향의 빛에 의한 반도체장치의 투영빛을 반사하고 또한 제 2발광수단으로 부터의 빛을 투과하기위한 제 1광학부품을 다른 편의 측면측에 배치하고, 또한 다른 편광방향의 빛에 의한 반도체장치의 투영빛을 반사하고, 또한 제 1발광수단으로 부터의 빛을 투과하기 위한 제 2광학부품을 한편의 측면측에 배치한다.
또, 제 1광학부품에 의해 반사된 하나의 편광방향에서 이루는 반도체장치의 투영광을 투과하기위한 제 1편광판을 다른 편의 측면측에 배치하고, 제 2광학부품에 의해 반사된 다른 편광방향에서 이루는 반도체장치의 투영빛을 투과하기위한 제 2편광판을 한편의 측면측에 배치하고, 이들 제 1편광판과 제 2편광판을 투과한 반도체장치의 투영빛을 각각 읽어들여서 반도체장치의 측면측의 투영화상을 얻기위한 광학독해기구를 배치한 외관검사장치이기도 한다.
또한 이 제 1편광판과 제 1광학부품과의 사이에 전압의 인가에 의해 그 편광방향이 가변하는 제 1가변 편광수단을 갖추는 동시에 제 2편광판과 제 2광학부품과의 사이에 전압의 인가에 의해 그 편광방향이 가변하는 제 2가변 편광수단을 갖춘 외관검사장치이기도 하다.
또, 이 외관검사방법은 대략 사각형의 패키지의 측면에서 뻗어나온 복수의 리드를 광학적으로 독해반도체장치의 외관을 검사하는 방법으로 먼저 반도체장치를 소정의 위치에 배치하고 이 반도체장치의 적어도 하나의 측면측에 반사수단을 배치한후 이 반사수단에 의해 반사한 반도체장치의 측면측의 화상과 반도체장치의 평면측의 화상을 하나의 광학독해기구로서 일시 독해하고, 이 독해화상에 의거해서 반도체장치의 리드의 구부러짐을 검사하는 방법이다.
또한, 제 1가변 편광수단 및 제 2가변 편광수단에 소정의 전압을 인가하는 것으로 리드의 투영빛 및 반사빛의 어느 한편을 광학독해기구로서 읽어들이는 반도체장치의 외관검사방법이기도 하다.
반도체장치의 측면측에 배치한 반사수단에 의해 패키지의 측면화상을 광학독해기구의 방향으로 반사한다.
광학독해기구에서는 반도체장치의 평면측의 화상과 반사수단을 거쳐 반사하여온 측면측의 화상을 일괄하여 독해할 수 있다.
또, 반사수단과 반대측의 측면측에 발광수단을 배치하고, 거기로 부터의 빛을 반도체장치에 맞춰서 투영빛을 반사수단으로 반사하면, 광학독해기구로서 반도체장치의 투영화상과 평면측의 화상을 동시에 얻을 수 있다.
더구나, 편광방향이 다른 빛을 이용함으로써 반도체장치의 하나의 측면측과 그 반대측인 다른 측면측과의 투영화상을 일괄하여 얻을 수 있다.
또, 이 반사수단을 반도체장치의 리드가 뻗어나온 측면측에 각각 배치하고, 광학독해기구로서 반도체장치의 평면측의 화상과 반사수단에서 반사하는 측면측의 화상을 일시에 독해하면 하나의 화면에서 평면측과 리드가 뻗어나온 측면측과의 화상을 얻을 수 있다.
또, 제 1가변 편광수단 및 제 2가변 편광수단에 대하여 전압을 인가함으로써 이들을 통과하는 빛의 편광방향이 회전하고 반도체장치의 투영화상을 얻느냐 반사화상을 얻느냐의 선택을 행할 수 있도록 된다.
(실시예)
이하에 본 발명의 반도체장치의 외관검사장치와 그 검사방법을 도면에 의거해서 설명한다.
먼저 본 발명의 반도체장치의 외관검사장치를 제 1도의 개략사시도에 의거해서 설명한다.
즉 이 외관검사장치(1)는 패키지(11)의 측면에서 뻗어나온 복수의 리드(12)를 광학적으로 독해하는 것으로 반도체장치(10)의 외관을 검사하는 것이며, 반도체장치(10)의 적어도 하나의 측면측에 배치된 반사수단(2)와, 반도체장치(10)의 예를 들면 상면측에 배치된 광학독해기구(3)로 구성되어 있다.
반사수단(2)은 예를 들면 직각 프리즘이나 반사경으로 이루는 것으로 반도체장치(10)의 리드(12)가 뻗어나온 측면측에 각각 배치되어 있다.
또, 광학독해기구(3)는 CCD나 라인센서로 이루는 것으로 반도체장치(10)의 평면측의 화상과, 반사수단(2)에 의해 반사되는 반도체장치(10)의 측면측의 화상을 일괄하여 독해하는 것이다.
이 때문에 광학독해기구(3)에 의해 얻어지는 화면에서는 반도체장치(10)의 평면측의 화상과 리드(12)가 뻗어나온 측면측의 화상이 동시에 얻어지게 된다.
다음에 이와같은 외관검사장치(1)를 이용한 반도체장치(10)의 외관검사방법을 설명한다.
먼저 반도체장치(10)를 소정의 위치에 배치하여 리드(12)가 뻗어나온 측면측에 각각 반사수단(2)을 배치한다.
반사수단(2)은 패키지(11)의 변에 따라서 배치하는 동시에 그 반사면을 약45도로 기울려 놓는다.
예를들면 QFP로 되는 반도체장치(10)의 경우에는 반도체장치(10)의 4개의 측면측에 이 반사수단(2)을 각각 배치한다.
다음에 반도체장치(10)의 예를들면 상면측에 CCD 또는 라인센서로 되는 광학독해기구(3)를 배치한다.
즉 반사수단(2)의 반사면이 보이는 평면측에 광학독해기구(3)를 배치한다.
그리고 이 광학독해기구(3)로 반도체장치(10)의 평면측의 화상과 반사수단(2)을 거쳐 반사되는 반도체장치(10)의 측면측의 화상을 일시에 독해한다.
또한 광학독해기구(3)가 라인센서로 이루는 경우에는 광학독해기구(3)를 도면중 화살표에 나타내는 바와같이 반도체장치(10)의 평면방향으로 이동하여 반도체장치(1)의 전체의 화상을 독해하도록 한다.
제 2도는 광학독해기구(3)에 의해 독해화상을 나타내는 도면이다.
즉 이 독해화상에서는 반도체장치(10)의 평면측의 직접화상과 반사수단(2)에 의한 반도체장치(10)의 측면측의 반사화상이 동일화면상에 찍혀 나오게 되어 있다.
이 독해화상에 의거해서 각 측면측의 리드(12)의 구부러짐이나 평면측으로 부터의 리드(12)의 구부러짐을 검사한다.
제 3도는 검사항목이 되는 리드(12)의 구부러짐에 대하여 설명하는 도면으로, (a)는 리드피치, (b)는 커플러너리티, (c)는 리드뻗어나옴의 상태를 각각 나타내고 있다.
예를들면 제 3도(a)에 나타내는 리드피치의 양부검사를 하는 경우에는 제 2도에 나타내는 독해화상의 반사수단(2)에 의한 반도체장치(10)의 측면측의 화상에 의거해서 리드(12)의 피치(p)를 계측한다.
이 계측한 피치(p)의 값이 미리 정하여진 범위내에 있는지 어떤지를 판단하고 반도체장치(10)의 리드피치양부의 판별을 행한다.
또 제 3도(b)에 나타내는 커플러너리티의 양부의 검사를 하는 경우에는 상술의 리드피치를 검사하는 것과 동일의 독해화상(제 2도참조)을 이용한다.
즉, 반도체장치(10)의 측면측의 화상에 리드(12)의 뜨는것(t)을 계측하고 이 값이 미리 정하여진 범위내에 있는지 어떤지를 판단한다.
이 결과에서 반도체장치(10)의 커플러너리티의 양부를 판별한다.
또 제 2도에 나타내는 독해화상에는 리드피치와 커플러너리티와의 검사에서 사용한 반도체장치(10)의 측면측의 화상과 함께 반도체장치(10)의 평면측의 화상도 얻어지고 있다.
이 때문에 제 3도(c)에 나타내는 반도체장치(10)의 리드뻗어나옴의 양부판별도 행할 수 있다.
즉 반도체장치(10)의 평면측의 화상에 의거해서 패키지(11)의 측면에서 리드(12)가 어느 정도 뻗어나오고 있는가{예를들면 기준치로 부터의 뻗어나음량(d)}를 계측하고 이 값에서 리드뻗어나옴의 양부의 판별을 한다.
이와같이 제 2도에 나타내는 바와같은 하나의 독해화상에 의거해서 여러가지의 리드구부러짐의 검사를 행할 수 있다.
다음에 본 발명의 다른 실시예를 제 4도의 도면에 의거해서 설명한다.
즉, 이 외관검사장치(1)는 반도체장치(10)의 측면측에 반사수단(2)이 배치되고 반도체장치(10)의 하면측에 광학독해기구(3)가 배치되어 있다.
이 때문에 반사수단(2)의 반사면은 광학독해기구(3)가 배치되어 있는 반도체장치(10)의 하면측에 향하여져 있다.
이 외관검사장치(1)를 이용하여 반도체장치(10)의 외관검사를 하는데는 반도체장치(10)의 상면을 진공척등의 흡착수단(4)을 이용하여 흡착유지하고 반사수단(2)의 사이에 배치한다.
이 상태에서 반도체장치(10)의 하면측의 화상과 반사수단(2)에 의해 반사된 반도체장치(10)의 측면측의 화상을 광학독해기구(3)로서 일시에 독해한다.
그리고 이 독해화상에 의거해서 앞에서 기술한 바와같이 여러가지 리드구부러짐의 검사를 하고 양부의 판별을 한다.
이와같이 반도체장치(10)의 하면측에 광학독해기구(3)를 배치하는 것으로, 반도체장치(10)의 상면을 흡착수단(4)에 의해 흡착유지할 수 있다.
요컨대 통상의 반송라인에서는 반도체장치(10)의 상면을 흡착유지하는 경우가 많기때문에 흡착수단(4)에서 반도체장치(10)를 착탈하지 않아도 그대로의 상태에서 리드구부러짐을 검사할 수 있게 된다.
또한 반도체장치(10)가 이와같이 공중에 매다는 상태로 배치되어 있기 때문에 제 3도(b)에 나타내는 바와같은 커플러너리티의 양부를 판별하는 경우 얻어진 독해화상(제 2도참조)의 반도체장치(10)의 측면측의 화상에서 반도체장치(10)를 접지시킨 상태에서의 기준라인, 소위 가상평면을 연산에 의해 구하고 이 가상평면에대한 리드(12)의 뜨는것(t)을 계측하면 좋다.
이상 설명한 실시예의 외관검사장치(1) 및 외관검사방법에 있어서는 어느것이나 반도체장치(10)의 측면측의 반사빛에 의거한 화상을 광학독해기구(3)로서 읽어들이고 있다.
그러나 이와같은 반사빛에 의거한 화상에서는 리드(12)의 단면에서의 반사빛도 읽어들일 가능성이 있다.
이 리드(12)의 단면에서의 반사빛이 읽어들여지는 화상중에 포함되어 있으면 그 영향으로 2치화등의 화상처리에 불편이 생겨서 여러가지 계측에 있어서의 오차 및 오검출이 원인이 된다.
그래서, 이와같은 불편을 해고하기 위한 실시예를 다른예(그의 2)∼다른예(그의 4)로서 이하에서 설명한다.
먼저 다른예(그의 2)를 제 5도∼제 6도에 의거해서 설명한다.
즉, 제 5도의 도면에 나타내는 외관검사장치(1)는 주로 반도체장치(10)의 적어도 하나의 측면측에 배치한 LED등의 발광수단(5)과 반대의 측면측에 배치한 반사수단(2)을 갖춘 것이다.
이 외관검사장치(1)에 있어서는 발광수단(5)에서 출사한 빛(출사빛)을 반도체장치(10)의 측면에 대어서 그 투영빛을 반대의 측면측에 배치한 반사수단(2)으로 예컨대 상편으로 반사시킨다.
이 투영빛을 광학독해기구(3)로서 읽어들이고, 반도체장치(10)의 패키지(11) 및 리드(12)의 투영화상을 얻고 있다.
제 6도는 광학독해기구(3)에 의한 읽어들이는 화상을 설명하는 도면이다.
읽어들이는 화상에는 반도체장치(10)의 평면축의 화상과 측면측의 투영화상이 찍혀나오고 이들의 화상에 의거해서 리드(12)의 구부러짐을 검사한다.
특히 반도체장치(10)의 측면측의 투영화상에 있어서는 리드(12)의 단면으로 부터의 반사빛이 본재하지 않고, 패키지(11)와 리드(12)의 외형이 그림자(도면중 사선부)로서 찍혀나오기때문에 2치화등의 신호처리를 용이하게 행할 수 있고, 리드(12)의 구부러짐을 판정하기 쉽게 된다.
또한 반도체장치(10)의 하편에서 빛을 대어 광학독해기구(3)에 의해 반도체장치(10)의 평면측의 투영화상을 찍혀나오게 하여도 좋다.
이와같은 외관검사장치(1)는 주로 반도체장치(10)의 한 측면축출 검사하는 경우나 하나의 측면과 그것에 직각인 측면을 검사하는 경우에 유효이다.
다음에 다른예(그의 3)를 제 7도∼제 8도에 의거해서 설명한다.
제 7도의 도면에 나타내는 외관검사장치(1)는 주로 반도체장치(10)의 한편의 측면측에 배치한 제 1발광수단(51)과 반대가 되는 다른 편의 측면측에 배치한 제 2발광수단(52)과 다른 편의 측면측에 배치한 제 1광학부품(21)과, 한편의 측면측에 배치한 제 2광학부품(22) 및 다른 편의 측면측에 배치한 제 1편광판(31)과 한편의 측면측에 배치한 제 2편광판(32)으로 이루는 것이다.
이와같이 배치한 제 1발광수단(51)에서는 하나의 편광방향으로 되는 빛(하나의 편광빛)을 출사하여 하프미러나 빔스플리터등으로 되는 제 2광학부품(22)을 통과시켜 반도체장치(10)의 한편의 측면에 조사한다.
이 한편의 극면에 조사된 하나의 편광빛에 의해 반도체장치(10)의 투영빛(하나의 투영빛)이 하프미러나 빔스플리터등으로 되는 제 1광학부품(21)에 맞아서 예컨대 상편으로 반사된다.
또, 제 1광학부품(21)에 의해 반사된 하나의 투영빛은 하나의 편광방향의 빛만을 투과할 수 있는 제 1편광판(31)을 거쳐 광학독해기구(3)로 읽어들여지게 된다.
한편, 제 2발광수단(52)에서는 제 1발광수단(51)에서 출사되는 하나의 편광빛과 다른 편광방향으로 되는 빛(다른 편광빛)을 출사하여 반도체장치(10)의 다른 편의 측면에 조사한다.
이 다른 편의 측면에 조사된 다른 편광빛에 의해 반도체장치(10)의 투영빛(다른 투영빛)이 제 2광학부품(22)에 맞아서 예컨대 상편으로 반사된다.
제 2광학부품(22)에 의해 반사된 다른 투영빛은 다른 편광방향의 빛만을 투과할 수 있는 제 2편광판(32)을 거쳐 광학독해기구(3)에 읽어들여지게 된다.
요컨대 제 1발광수단(51)에서 출사되는 빛의 편광방향과 제 1편광판(31)의 편광방향을 맞추고, 또 제 2발광수단(52)에서 출사되는 빛의 편광방향과 제 2편광판(32)의 편광방향을 맞추는 것으로 반도체장치(10)의 평행한 2측면의 투영빛이 각각 광학독해기구(3)에 읽어들여지도록 된다.
또한 제 1발광수단(51)에서 출사된 하나의 편광빛은 반도체장치(10)의 한편의 측면에 맞고 반사광으로서 제 2광학부품(22)에서 상편으로 반사되는바, 제 2편광판(32)을 투과할 수 없기때문에 광학독해기구(3)에 의해 읽어들여지지 않는다.
동일하게 제 2발광수단(52)에서 출사된 다른 편광빛은 반도체장치(10)의 다른편의 측면에 맞고 제 1광학부품(21)에서 상편으로 반사하여도 제 1편광판(31)을 투과할 수 없기 때문에 광학독해기구(3)에 의해 읽어들여 지지 않는다.
이 때문에 각각의 반사빛에 방해되지않고 투영빛을 읽어들일 수 있다.
이것에 의해 읽어들여진 화상은 제 8도에 나타내는 바와같이 반도체장치(10)의 평면측의 화상과, 양측면측의 투영화상(도면중 사선부)으로서 찍혀 나온다.
이 양측면측의 투영화상에 의거해서 반도체장치(10)에서 뻗어나온 리드(12)의 구부러짐을 검사한다.
또 측면측의 반사화상을 얻고저 할 경우에는 제 7도에 나타내는 제 1 편광판(31)과 제 2편광판(32)과의 교체를 하여 그 편광방향을 반대로 하면 된다.
즉 제 l편광판(31)은 제 1광학부품(21)으로 반사된 하나의 투영빛을 투과시키지 않는 대신에 제 2발광수단(52)에서 출사하여 다른편의 측면에 맞은 빛의 반사빛을 투과시키게 된다.
또, 제 2편광판(32)은 제 1발광수단(51)에서 출사하여 한편의 측면에 맞은 빛의 반사빛만을 투과시키게 된다.
이것에 의해 반도체장치(10)의 측면측의 반사빛을 광학독해기구(3)로 읽어 들이게 된다.
다음에 다른예(그의 4)를 제 9도∼제 1O도에 의거해서 설명한다.
즉, 이 외관검사장치(1)는 앞에서 설명한 다른예 (그의 3)의 외관검사장치(1)의 제 1편광판(31)과 제 1광학부품(21)과의 사이에 예를들면 액정과 같은 전압의 인가에 의해 그 편광방향이 가변하는 제 1가변 편광수단(41)을 갖추고 제 2편광판(32)과 제 2광학부품(22)과의 사이에 동일한 액정등으로 되는 제 2가변 편광수단(42)을 갖춘 것이다.
제 9도(a)에 나타내는 바와같이 예를들면 제 1가변 편광수단(41) 및 제 2가변 편광수단(42)에 대하여 소정전압의 인가를 행하지 않은 경우(OFF의 경우)에 있어서 제 1발광수단(51)에서 출사되는 하나의 편광빛의 편광방향과 제 1가변 편광수단(41)의 편광방향을 맞추어놓고 또 제 2발광수단(52)에서 출사되는 다른 편광빛의 편광방향과 제 2가변 편광수단(42)의 편광방향을 맞춰 놓는다.
이것에 의해 하나의 편광빛은 반도체장치(10)의 투영빛(하나의 투영빛)으로 되어 제 l광학부품(21)으로 반사하고, 제 1가변 편광수단(41)을 거쳐 그 편광방향인채로 제 l편광판(31)을 통과한다.
또, 다른 편광빛은 반도체장치(10)의 투영빛(다른 투영빛)이 되어 제 2광학부품(22)으로 반사하고, 제 2가변 편광수단(42)을 거쳐 그 편광방향인체로 제 2편광판(32)을 통과한다.
그리고 이들의 투영빛이 광학독해기구(3)로 읽어들여져서 제 1O도(a)에 나타내는 바와같은 투영화상을 얻을 수 있다.
또한, 하나의 반사빛은 제 2광학부품(22)에서 반사하여 제 2가변 편광수단(42)을 통과하는바 제 2편광판(32)으로 차단되고, 또 다른 반사빛은 제 1광학부품(21)에서 반사하여 제 1가변 편광수단(41)을 통과하는바, 제 1편광판(31)으로 차단되기 때문에 각각 광학독해기구(3)로 읽어들여지지 않는다.
한편 제 9도(b)에 나타내는 바와같이 예를들면 제 1가변 편광수단(41)및 제 2가변 편광수단(42)에 대하여 소정전압의 인가를 한 경우(ON의 경우) 제 1가변 편광수단(41) 및 제 2가변 편광수단(42)은 통과하는 빛의 편광방향을 그 인가전압에 따른 각도만 회전시키게 된다.
요컨대 소정의 전압을 제 1가변 편광수단(41)에 인가함으로써 통과하는 하나의 투영빛을 다른 편광방향으로 회전시킨다.
또, 동일하게 소정의 전압을 제 2가변 편광수단(42)에 인가함으로써 통과하는 다른 투영빛을 하나의 편광방향으로 회전시킨다.
이것에 의해 제 1발광수단(51)에서 출사된 하나의 편광빛에 의한 하나의 반사광은 제 2광학부품(22)에서 반사하여 제 2가변 편광수단(42)을 통과한다.
이때 하나의 반사빛은 제 2가변 편광수단(42)으로 그 편광방향이 회전하고, 다른 편광방향이 된다. 따라서 제 2편광판(32)을 통과하여 광학독해기구(3)로 읽어들여지게 된다.
또. 하나의 투영빛은 제 1광학부품(21)에서 반사하여 제 1가변 편광수단(41)을 통과하는바, 이때 그 편광방향이 회전하여 다른 편광방향이 되어 제 1편광판(31)을 통과할 수 없게 된다.
한편, 제 2발광수단(52)에서 출사된 다른 편광빛에 의한 다른 반사광은 제 1광학부품(21)에서 반사하여 제 1가변 편광수단(41)을 통과한다.
이때 다른 반사빛은 제 1가변 편광수단(41)에서 그 편광방향이 회전하고 하나의 편광방향이 된다. 따라서 제 1편광판(31)을 통과하여 광학독해기구(3)에서 읽어들여지게 된다.
또, 다른 투영빛은 제 2광학부품(22)에서 반사하여 제 2가변 편광수단(42)을 통과하는바, 이때 그 편광방향이 회전하여 하나의 편광방향이 되고, 제 2편광판(32)을 통과할 수 없게 된다.
이 결과, 광학독해기구(3)에 의해 제 10도(b)에 나타내는 바와같은 반도체장치(10)의 측면측의 반사화상을 얻을 수 있다.
이와같이 제 1가변 편광판(41) 및 제 2가변 편광판(42)에의 전압의 인가유무에 따라서 반도체장치(10)의 측면측의 투영화상을 얻느냐 반사화상을 얻느냐의 선택을 전기적으로 행할 수 있도록 된다.
또한 이 예에서는 제 1가변편광판(41) 및 제 2가변편광판(42)에의 전압인가가 있었던 경우에 반사화상을 얻는 경우에 대하여 설명하였으나, 반대로 전압인가가 있었던 경우에 투영화상을 얻도록 제 1편광판(31) 및 제 2편팡판(32)의 편광방향을 설정하여 놓아도 좋다.
다른 예(그의 3) 및 다른 예(그의 4)에서 설명한 바와같이 주로 반도체장치(10)의 측면측의 투영화상을 얻고 리드(12)의 계측을 하고, 리드(12)의 계측항목이나 반도체장치(10)의 형태{예를들면, 패키지(11)하면으로 부터의 리드(12)의 뻗어나온상태} 등에 따라서 반도체장치(10)의 측면측의 반사화상을 얻도록 하는 것으로 정밀도가 높은 반도체장치(10)의 외관검사를 행할 수 있도록 된다.
또한, 다른 예(그의 3) 및 다른 예(그의 4)로 나타내는 외관검사장치(1)에있어서는 반도체장치(10)의 2측면만을 검사하는 경우에 한하는 것은 아니며, 4측면 모두를 검사하는 경우라도 가능하다.
즉 4측면을 검사하는 경우에는 2측면을 검사하는 경우의 구성과 동일한 구성을 다른 2측면에 대하여 배치하면 좋고 이것에 의해 광학독해기구(3)에서 4측면의 투영화상을 일괄하여 얻는 것이 가능하게 된다.
이상 설명한 바와같이 본 발명의 반도체장치의 외관검사장치와 그 검사방법에 의하면 다음과 같은 효과가 있다.
즉 이 외관검사장치에 의하면 반도체장치의 측면측에 배치된 반사수단이나 하프미러등의 광학부품에 의해 반도체장치의 측면측의 반대화상과 평면측의 화상을 일괄하여 독해된다던지 측면측의 투영화상과 평면축의 화상 및 투영화상이 일괄하여 독해되기 때문에 반도체장치를 회전시킨다던지 복수의 광학독해기구를 배치할 필요가 없어지고 장치구성의 대폭적인 간소화를 도모하는 것이 가능하게 된다.
또한 빛의 편향방향의 상위를 이용하여 반도체장치의 측면측의 반사화상을 얻느냐, 투영화상을 얻느냐를 선택할 수 있기때문에 보다 정밀도가 높은 외관검사를 행하는 것이 가능하게 된다.
또, 이 외관검사방법에 의하면 하나의 화면에 의거해서 리드구부러짐의 검사를 행할 수 있기때문에 양부의 판별처리가 용이하게되고 검사시간의 단축화가 가능하게 된다.
특히 QFP와 패키지의 각 측면에 복수의 리드가 뻗어나온 반도체장치의 외관검사를 행하는 경우에는 대폭적인 검사시간의 단축화를 도모할 수 있어 생산성의향상에 연결된다.
제 1도는 본 발명의 외관검사장치와 그 검사방법을 설명하는 개략 사시도이다.
제 2도는 독해화상을 설명하는 도면이다.
제 3도는 리드구부러짐을 설명하는 도면으로, (a)가 리드피치, (b)가 커플러너리티, (c)가 리드뻗어나옴이다.
제 4도는 본 발명의 다른 실시예를 설명하는 도면이다.
제 5도는 다른 예(그의 2)를 설명하는 도면이다.
제 6도는 다른 예(그의 2)의 독해화상을 설명하는 도면이다.
제 7도는 다른 예(그의 3)를 설명하는 도면이다.
제 8도는 다른 예(그의 3)의 독해화상을 설명하는 도면이다.
제 9도는 다른 예(그의 4)를 설명하는 도면으로, (a)는 투영빛의 읽어들임, (b)는 반사빛의 읽어들임의 경우이다.
제 1O도는 다른 예(그의 4)의 읽어들임화상을 설명하는 도면으로 (a)는 투영화상, (b)는 반사화상이다.
제 11도는 종래예를 설명하는 개략사시도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호설명
1. 외관검사장치 2. 반사수단
3. 광학독해기구 10. 반도체장치
11. 패키지 12. 리드
21. 제 1광학부품 22. 제 2광학부품
31. 제 1편광판 32. 제 2편광판
41. 제 1가변 편광수단 42. 제 2가변 편광수단
51. 제 1발광수단 52. 제 2발광수단

Claims (7)

  1. 대략 사각형 모양인 패키지의 측면에서 뻗어나온 복수의 리드를 광학적으로 독해하는 반도체장치의 외관검사장치에 있어서,
    상기 반도체장치의 적어도 하나의 측면측에 배치되는 반사수단과,
    상기 반사수단에서 반사되는 상기 반도체장치의 측면측의 화상과, 이 반도체장치의 평면측의 화상을 한꺼번에 얻기 위한 광학독해기구를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 반도체장치의 외관검사장치.
  2. 대략 사각형 모양인 패키지의 측면에서 뻗어나온 복수의 리드를 광학적으로 독해하는 반도체장치의 외관검사장치에 있어서,
    상기 반도체장치의 적어도 하나의 측면측에 배치되는 발광수단과,
    상기 발광수단이 배치된 측면측의 반대쪽 측면측에 배치되어 상기 반도체장치의 투영광을 반사하기 위한 반사수단과,
    상기 반사수단에서 반사된 상기 투영광에 의거한 상기 반도체장치의 측면측의 투영화상과 이 반도체장치의 평면측의 화상을 한꺼번에 얻기 위한 광학독해기구를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 반도체장치의 외관검사장치.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 반도체장치의 평면측의 화상은 상기 평면측의 반대면측에서 조사된 빛의 투영광에 의거한 투영화상인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 외관검사장치.
  4. 대략 사각형의 패키지의 측면에서 뻗어나온 복수의 리드를 광학적으로 독해하는 반도체장치의 외관검사장치에 있어서,
    상기 반도체장치의 하나의 측면측에 배치되어 하나의 편광방향에서 이루는 빛을 출사하는 제 1발광수단과,
    상기 하나의 측면측에 대하여 반대가 되는 다른 측면측에 배치되어 상기 하나의 편광방향과 상이한 다른 편광방향에서 이루는 빛을 출사하는 제 2발광수단과,
    상기 다른 측면측에 배치되어 상기 하나의 편광방향의 빛에 의한 상기 반도체장치의 투영광을 반사하는 동시에 상기 제 2발광수단에서 출사되는 빛을 투과하기 위한 제 1광학부품과,
    상기 하나의 측면측에 배치되어 상기 다른 편광방향의 빛에 의한 상기 반도체장치의 투영광을 반사하는 동시에 상기 제 1발광수단에서 출사되는 빛을 투과하기 위한 제 2광학부품과,
    상기 제 1광학부품에 의해 반사된 상기 하나의 편광방향에서 이루는 이 반도체장치의 투영광을 투과시키기 위한 제 1편광판과,
    상기 제 2광학부품에 의해 반사된 상기 다른 편광방향에서 이루는 이 반도체장치의 투영광을 투과시키기 위한 제 2편광판과,
    상기 제 1편광판을 투과한 상기 반도체장치의 투영광과 상기 제 2편광판을 투과한 상기 반도체장치의 투영광을 읽어들여서 이 반도체장치의 측면측의 투영화상을 얻기위한 광학독해기구를 포함하여 이루도록 구성된 것을 특징으로 하는 반도체장치의 외관검사장치.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 제 1편광판과 상기 제 1광학부품과의 사이에 설치되어 전압의 인가에 의해서 그 편광방향이 가변하는 제 1가변 편광수단과,
    상기 제 2편광판과 상기 제 2광학부품과의 사이에 설치되어 전압의 인가에 의해서 그 편광방향이 가변하는 제 2가변 편광수단을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 반도체장치의 외관검사장치.
  6. 대략 사각형의 패키지의 측면에서 뻗어나온 복수의 리드를 광학적으로 독해하는 반도체장치의 외관검사방법에 있어서,
    먼저 상기 반도체장치를 소정의 위치에 배치하고, 이 반도체장치의 적어도 하나의 측면측에 반사수단을 배치한후,
    상기 반사수단에 의해 반사된 상기 반도체장치의 측면측의 화상과 이 반도체장치의 평면측의 화상을 하나의 광학독해기구에서 일시로 독해하고,
    상기 독해화상에 의거해서 상기 반도체장치의 리드의 구부러짐을 검사하도록 구성된 것을 특징으로 하는 반도체장치의 외관검사방법.
  7. 제 5항에 있어서,
    상기 제 1가변 편광수단 및 상기 제 2가변 편광수단에 소정의 전압을 인가하는 것으로 상기 리드의 투영광 및 반사광의 어느 한편을 상기 광학독해기구로 읽어들이도록 구성된 것을 특징으로 하는 반도체장치의 외관검사장치.
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