KR19980087441A - 반도체장치의 외관검사장치 및 외관검사방법 - Google Patents

반도체장치의 외관검사장치 및 외관검사방법 Download PDF

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히로시 도미야
에이지 이소무라
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이데이 노부유키
소니 가부시기가이샤
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Abstract

대략 4각형의 패키지를 구비한 반도체장치의 화상을 광학적으로 독취하는 반도체장치의 외관검사장치에 있어서, 상기 패키지의 4개의 측면에 대향하여 배치되는 4개의 편광광원과, 상기 4개의 편광광원과 상기 패키지의 대응하는 측면과의 사이에 배치되고, 그 패키지를 사이에 두고 마주 대하는 측의 편광광원으로부터 상기 패키지를 향하여 출사된 편광광원에 의해 형성되는 각 측면측의 투영상(投影像)을 각각 반사시키는 4개의 반사수단과, 상기 4개의 반사수단으로 반사한 각 측면측의 투영상과 상기 패키지의 평면측의 화상과를 일괄하여 픽업하는 화상픽업수단과를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 외관검사장치가 개시(開示)된다.
또한, 대략 4각형의 패키지를 구비한 반도체장치의 화상을 광학적으로 독취하는 반도체장치의 외관검사방법이 개시된다.

Description

반도체장치의 외관검사장치 및 외관검사방법
본 발명은 대략 4각형의 패키지를 구비한 반도체장치의 외관검사장치 및 외관검사방법에 관한 것이다.
종래에, 대략 4각형의 패키지의 각 측면으로부터 복수개의 리드가 연장되어 나온 QFP(Quad Flat Package)로 만들어지는 반도체장치의 외관검사를 행하는 경우, 패키지의 옆쪽에 CCD카메라 등의 화상독취장치를 배치하고, 이것에 의해 취한 패키지의 측면측의 화상에 기초하여 리드의 변형이나 리드간 피치 등을 검사하고 있다.
이와 같은 패키지의 옆쪽에 배치한 화상독취장치에 의한 반도체장치의 외관검사에서는, 대략 4각형의 패키지에서의 4개의 측면에 있어서 각각의 화상을 취하기 때문에, 제1의 측면의 화상픽업을 행한 후에 패키지 또는 화상독취장치를 90°회전시켜서 제2의 측면의 화상을 취하고 있다. 이 동작을 반복하여 4개의 측면의 각 화상을 취하고, 소정의 화상처리에 의해 각 측면으로부터 연장한 리드의 양부(良否)검사를 행하고 있다.
또한, 패키지의 휨 등에 관하여는, 레이저측정기 등을 사용하여 패키지의 외형치수를 계측하고, 그 계측결과를 기초로 연산을 행하여 휨량(warp amount)을 구하고 있다.
그러나, 근년에는 패키지의 밑면에 볼모양의 전극이 복수배열되어 있는 BGA(Ball Grid Array)타입의 반도체장치나 CSP(Chip Size Package)타입의 반도체장치가 실장밀도향상 등의 관점에서 많이 적용되고 있다.
이와 같은 BGA나 CSP로 만들어지는 반도체장치에서는, 패키지의 밑면으로부터 볼모양의 전극이 연장해 있기 때문에, 각 전극으로부터의 반사광의 영향을 크게 받고, 픽업한 화상에 기초한 각종검사가 매우 곤란하다. 특히 볼 간격을 검사하는 경우, 픽업한 화상으로는 볼과 패키지와의 구별이 어려워서 검사 정밀도의 저하를 초래한다.
또한 레이저측정기 등에 의한 패키지의 외형치수 계측은 긴 처리시간을 요하는 동시에, 패키지의 표면상태의 영향을 받기 쉽다는 문제가 있다.
본 발명은 이와 같은 과제를 해결하기 위해 만들어진 반도체장치의 외관검사장치 및 외관검사방법이다.
도 1 (A) 및 (B)는 본 실시형태에서의 외관검사장치를 설명하는 도면이다.
도 2는 시스템 구성도이다.
도 3은 측정 플로차트이다.
도 4는 픽업(pickup) 화상을 설명하는 도면이다.
도 5는 휨(warp)의 계산을 설명하는 도면이다.
도 6은 다른 실시형태를 설명하는 주요부 단면도이다.
도 7은 다른 실시형태를 적용한 검사유닛의 개략 단면도이다.
도면의 주요부분에 대한 설명
1 …외관검사장치, 2 …CCD카메라,
10 …반도체장치, 11 …검사유닛,
BS1∼BS4 …빔 스플리터, H11∼H14, H21∼H24 …편광판,
K …하우징, L1∼L4 …광원,
P …패키지, ZM …상반사(像反射)미러
본 발명에 의한 반도체장치의 외관검사장치는, 대략 4각형의 패키지를 구비한 반도체장치의 화상을 광학적으로 독취하는 것이고, 패키지의 4개의 측면에 대향하여 배치되는 4개의 편광광원과, 이 4개의 편광광원과 패키지의 대응하는 측면과의 사이에 배치되고, 패키지를 사이로 하고 마주하는 측의 편광광원으로부터 패키지를 향하여 출사된 편광광에 의해 형성되는 각 측면측의 투영상을 각각 반사시키는 4개의 반사수단과, 4개의 반사수단으로부터 반사한 각 측면측의 투영상과 패키지의 평면측의 화상과를 일괄하여 픽업하는 화상독취수단을 구비하고 있다.
또한, 본 발명에 의한 반도체장치의 외관검사방법은, 패키지의 각 측면을 향하여 편광광을 입사하는 공정과, 입사한 편광광에 의해 형성되는 패키지의 각 측면에서의 투영상을 화상독취수단에 의해 픽업하는 공정과, 패키지의 각 측면에서의 투영상에 기초하여 그 패키지의 표면에서의 휨을 연산하는 공정으로 이루어진다.
본 발명에 의한 반도체장치의 외관검사장치에서는, 4개의 반사수단에 의해 패키지의 마주 대하는 측의 편광광원으로부터 출사된 편광광에 의해 형성되는 각 측면측의 투영상을 반사시키고 있기 때문에, 화상독취수단에 의해 패키지의 표면상태에 무관한 투영상을 얻을 수 있게 된다. 또한 패키지의 각 측면의 투영상과 패키지의 평면측의 화상과를 일괄하여 취함으로써, 측면측의 외관검사와 평면측의 외관검사를 동시에 행할 수 있게 된다.
또한, 본 발명에 의한 반도체장치의 외관검사방법에서는, 패키지의 각 측면에서의 투영상을 화상독취수단에 의해 픽업함으로써, 패키지의 표면상태에 영향을 받지 않는 투영상을 기초로 외관검사를 행할 수 있다. 또한, 이 각 측면에서의 투영상으로부터 소정의 연산을 행함으로써 패키지의 표면의 휨을 검사할 수 있게 된다.
이하, 본 발명에 의한 반도체장치의 외관검사장치 및 외관검사방법의 실시형태를 도면에 참조하여 설명한다. 도 1은 본 실시형태에 의한 외관검사장치를 설명하는 도면으로서, 도 1 (A)는 사시도, 도 1 (B)는 도 1 (A)에서의 화살표선 A-A'을 따른 단면도이다.
본 실시형태에서의 외관검사장치(1)는, 주로 대략 4각형으로 이루어지는 패키지 P의 밑면에 그리드(grid)형으로 배열된 복수의 볼전극 B(도 1 (B) 참조)를 구비한 반도체장치(10)의 화상을 CCD카메라(2)로 얻고, 화상처리에 의해 그 외관을 검사하는 것이다.
즉, 외관검사장치(1)는, 반도체장치(10)의 패키지 P의 4개의 측면에 대향하여 배치되는 4개의 광원 L1∼L4와, 각 광원 L1∼L4와 패키지 P의 각 측면과의 사이에 배치되는 4개의 편광판 H11∼H14와, 각 편광판 H11∼H14와 패키지P의 각 측면과의 사이에 배치되는 4개의 빔 스플리터 BS1∼BS4와, 각 빔 스플리터 BS1∼BS4의 아래쪽에 배치되는 편광판(21∼24)과, 각 편광판(21∼24)보다 밑으로 반도체장치(10)의 아래쪽에 배치되는 CCD카메라(2)로 이루어지는 구성으로 되어 있다.
또, 이들 중 4개의 광원 L1∼L4 및 각 광원 L1∼L4에 대응하여 배치되는 편광판 H11∼H14에 의해 소정의 편광광을 출사할 수 있는 편광광원을 구성하고 있다.
[0016] 4개의 광원 L1∼L4는, 예를 들면 복수의 LED(발광다이오드)로 구성되는 LED조명으로 이루어지고, 각각 패키지 P의 각 측면방향으로 광을 출사한다.
또한, 편광판 H11∼H14는 각 광원 L1∼L4로부터 출사한 광을 편광하고, 소정의 편광각으로 이루어지는 편광광을 생성한다. 이 편광판 H11, H12, H13, H14에서 생성되는 편광광의 편광각은, 패키지 P를 사이에 두고 마주 대하는 측에 배치된 편광판 H12, H11, H14, H13과의 관계에 기초하여 설정되어 있다. 또, 생성되는 편광광에 관하여는 후술한다.
빔 스플리터 BS1∼BS4는 각각 하프미러(half mirror)를 구비한 구성으로 되어 있고, 광원 L1∼L4로부터 출사되는 편광판 H11∼H14를 거쳐 생성된 편광광의 약 절반을 투과하고, 패키지 P측으로부터 오는 편광광의 약 절반을 아래쪽으로 반사한다.
또한, 빔 스플리터 BS1∼BS4의 아래쪽에 배치되는 편광판(21∼24)은, 빔 스플리터 BS1∼BS4에서 반사한 광의 투과, 불투과를 선택하는 것이다.
반도체장치(10)의 아래쪽에 배치되는 CCD카메라(2)는, 편광판(21∼24)을 투과한 광 및 반도체장치(10)의 하면으로부터의 반사광을 취하여 전기신호로 변환한다.
이와 같은 구성으로 이루어지는 외관검사장치(1)에서는, 주로 CCD카메라(2)에 의해 반도체장치(10)의 패키지 P에서의 각 측면의 투영상과 패키지 P의 하면의 화상과를 일괄하여 픽업할 수 있다.
즉, 앞에서 설명한 편광판 H11∼H14 및 편광판(21∼24)의 편광각의 설정에 의해, CCD카메라(2)에 패키지 P의 각 측면의 투영상만을 측면의 화상으로서 CCD카메라(2)로 전송하도록 한다.
여기에서, 편광판(13,14)과 편광판(23,24)과의 관계에서의 광의 진행을 도 1 (B)를 참조하여 설명한다.
우선, 광원 L3으로부터 출사한 광은 편광판(13)에 의해 제1의 편광각의 편광광(도면의 일점쇄선 화살표 참조)으로 되고, 빔 스플리터 BS3의 하프미러 HM3을 투과하여 반도체장치(10)의 패키지 P에서의 도면 좌측면에 도달한다. 이 제1의 편광각의 편광광은 패키지 P의 도면 좌측면에서 부딪혀 반사하는 것과, 패키지 P의 도면 좌측면에는 부딪히지 않고 패키지 P의 도면 우측으로 진행하는 것이 있다.
이 패키지 P의 도면 좌측면에서 부딪혀 반사한 제1의 편광각의 편광광 즉 패키지 P의 도면 좌측면의 반사상(反射像)은 다시 빔 스플리터 BS3에 도달하고, 그 하프미러 HM3의 아래쪽으로 반사하여 편광판 H23에 도달한다. 이 편광판 H23에서는 제1의 편광각의 편광광을 투과시키지 않도록 하는 편광각이 설정되어 있고, 하프미러 HM3에서 반사한 제1의 편광각의 편광광은 여기에서 차단된다. 즉, 패키지 P의 도면 좌측면에서의 반사상은 CCD카메라에는 도달하지 않게 된다.
한편, 패키지 P의 도면 좌측면에는 부딪히지 않고 패키지 P의 도면 우측으로 진행한 제1의 편광각의 편광광, 즉 패키지 P에서의 도면 우측면의 투영상은 빔 스플리터 BS4에 도달하고, 그 하프미러 HM4에서 아래쪽으로 반사하여 편광판 H24에 도달한다. 이 편광판 H24에서는 제1의 편광각의 편광광을 투과시키도록 하는 편광각이 설정되어 있고, 하프미러 HM4에서 반사한 제1의 편광각의 편광광은 여기를 투과한다. 즉, 패키지 P의 도면의 우측면에서의 투영상은 CCD카메라에 도달하게 된다.
즉, 편광판 H13 및 편광판 H24로서는 동일한 편광광만을 투과할 수 있게 설정하고, 편광판 H13 및 편광판 H23으로서는 서로 상이한 편광각의 편광광을 투과할 수 있게 설정한다. 이로써, CCD카메라는 광원 L3로부터의 광이 조사되지 않는 패키지 P의 도면의 우측면에서의 투영상을 픽업할 수 있게 된다.
이어서, 광원 L4로부터 출사한 광은 편광판(14)에 의해 제2의 편광각의 편광광(도면의 파선 화살표 참조)으로 되고, 빔 스플리터 BS4의 하프미러 HM4를 투과하여 반도체장치(10)의 패키지 P에서의 도면의 우측면에 도달한다. 이 제2의 편광각의 편광광은 패키지 P의 도면의 우측면에 부딪혀서 반사하는 것과, 패키지 P의 도면의 우측면에는 부딪히지 않고 패키지 P의 도면 좌측으로 진행하는 것이 있다.
이 패키지 P의 도면의 우측면에 부딪혀서 반사한 제2의 편광각의 편광광 즉 패키지 P의 도면 우측면의 반사상은 다시 빔 스플리터 BS4에 도달하고, 그 하프미러 HM4에서 아래쪽으로 반사하여 편광판 H24에 도달한다. 이 편광판 H24에서는 제2의 편광각의 편광광을 투과시키지 않도록 편광각이 설정되어 있고, 하프미러 HM4에서 반사한 제2의 편광각의 편광광은 여기에서 차단된다. 즉, 패키지 P의 도면 우측면에서의 반사상은 CCD카메라에는 도달하지 않게 된다.
한편, 패키지 P의 도면 우측면에는 부딪히지 않고 패키지 P의 도면 좌측으로 진행한 제2의 편광각의 편광광 즉 패키지 P에서의 도면 좌측면의 투영상은 빔 스플리터 BS3에 도달하고, 그 하프미러 HM3에서 아래쪽으로 반사하여 편광판 H23에 도달한다. 이 편강판 H23에서는 제2의 편광각의 편광광을 투과시키도록 편광각이 설정되어 있고, 하프미러 HM3에서 반사한 제2의 편광각의 편광광은 여기를 투과한다. 즉, 패키지 P의 도면의 좌측면에서의 투영상은 CCD카메라에 도달하게 된다.
즉, 편광판 H14 및 편광판 H23으로서는 동일한 편광각의 편광광만을 투과시킬 수 있도록 설정하고, 편광판 H14 및 편광판 H24로서는 서로 상이한 편광각의 편광광을 투과할 수 있도록 설정한다. 이로써, CCD카메라는 광원 L4로부터의 광이 조사되지 않는 패키지 P의 도면의 좌측면에서의 투영상을 픽업할 수 있게 된다.
도 1 (B)에서는, 광원 L3 및 광원 L4로부터 출사한 광의 진행에 관하여 나타내고 있으나, 광원 L1 및 광원 L2에 관하여도 동일하다. 이에 따라, CCD카메라로 얻을 수 있는 패키지 P의 측면화상으로서는, 그 반사상이 모두 제거되고, 투영상만으로 된다.
또한, 반도체장치(10)의 패키지 P의 하면의 반사광(도면의 실선 화살표 참조)은 소정의 필터(F)를 거쳐 CCD카메라에 도달한다. 이 필터(F)는 패키지 P의 하면으로부터의 반사광의 광량을 저감시키는 것이다. 즉, CCD카메라에 의해 앞에서 설명한 패키지 P의 도면 우측면 및 도면 좌측면의 투영상과 패키지 P의 하면으로부터의 반사광(반사상)과를 동시에 픽업될 때, 반사광의 광량을 각 투영상의 광량과 맞추도록 필터(F)로 광량저감을 꾀한다. 이에 의해 픽업된 각 화상의 신호레벨을 서로 맞출수 있다.
다음에, 이 외관검사장치를 사용한 검사시스템을 도 3을 참조하여 설명한다. 즉, 이 시스템에서는 도 1에서 설명한 외관검사장치(1)가 검사유닛(11)으로서 장착되어 있다. 또, 앞에서 설명한 편광판 H11∼H14, H21∼H24 및 빔 스플리터 BS1∼BS4는 도 3에는 도시되지 않았으나, 검사유닛(11) 내에 배치되어 있는 것으로 한다.
검사유닛(11) 내에는 LED구동회로(12)가 형성되어 있고, CCD카메라(2)에 의한 화상픽업과 동기화를 위한 동기신호가 입력되어 있다. 검사유닛(11)의 CCD카메라(2)는 화상처리부(3)에 접속되어 있고, CCD카메라(2)에서 픽업된 화상을 처리하여 소정의 항목에 대한 외관검사를 행한다.
또한, 화상처리부(3)에는 모니터(4) 등의 화상표시부와 트랙볼(5) 등의 입력수단이 접속되어 있다. CCD카메라(2)에서 픽업된 화상이나 화상처리부(3)에서 처리한 후의 화상이 모니터(4)에 디스플레이된다. 트랙볼(5)은 모니터(4)에 디스플레이된 표시내용을 참조하여 화상처리를 행하는 부분이나 소정의 정보(반도체장치의 패키지형식이나 볼전극의 수 등)를 입력할 때 사용된다.
다음에, 이 검사시스템을 사용한 반도체장치의 외관검사방법을 도 3의 플로차트를 참조하여 설명한다. 또, 도 3에 도시되지 않은 부호는 특별히 표시하지 않는 한 도 1 및 도 2를 참조하는 것으로 한다.
우선, 스텝 S1에 나타낸 바와 같이, 절대평면의 등록을 행한다. 이 절대평면의 등록이라 함은, 반도체장치(10)의 배치기준이 되는 평면(절대평면)의 화상을 CCD카메라(2)에서 픽업하고, 화상처리부(1)에 기억해 놓는 처리이다. 절대평면으로서는, 예를 들면 반도체장치(10)의 패키지 P와 같은 정도의 크기로 이루어지는 대략 4각형인 판(기준판)을 사용한다. 이 기준판에서의 각 측면 및 하면의 화상을 픽업하는 것으로, 뒤에 반도체장치(10)의 화상을 픽업처리할 때의 기준으로 한다.
다음에, 스텝 S2에 나타낸 바와 같이, 화상의 픽업을 행한다. 즉, 반도체장치(10)를 도시하지 않은 흡착홀더 등으로 유지하고, 각 광원 L1∼L4의 사이(도 1에 나타낸 각 빔 스플리터 BS1∼BS4의 사이)에 배치하고, CCD카메라(2)로 그 화상을 픽업한다. CCD카메라(2)로 화상을 픽업할 때, 그 픽업타이밍에 맞춘 동기신호가 LED구동회로(12)에 주어지고, 이것에 기초하여 광원 L1∼L4로부터 반도체장치(10)에 광을 조사한다.
도 4는 픽업화상을 설명하는 도면이다. 앞에서 설명한 바와 같이 CCD카메라(2)는 반도체장치(10)의 패키지 P에서의 각 측면의 투영상과 패키지 P의 하면의 반사상을 일괄하여 픽업할 수 있다.
CCD카메라(2)의 화상픽업에 의해, 모니터(4)에는 도 4에 나타낸 바와 같은 패키지 P의 하면의 반사상 GP와, 패키지 P의 각 측면에서의 투영상 G1∼G4가 디스플레이된다. 또, 각 측면의 투영상 G1∼G4에 맞추어 나타낸 일점쇄선은 미리 등록한 절대평면의 위치를 나타낸다.
패키지 P의 하면의 반사상 GP는 패키지 P의 이면(裏面)에서의 반사상과 복수의 볼전극 B의 평면시상(平面視像)으로 구성된다. 또한, 투영상 G1은 도 1에서의 빔 스플리터 BS1측의 패키지측면 투영상 P1'과 볼전극 투영상 B'로 구성되고, 투영상 G2는 도 1에서의 빔 스플리터 BS2측의 패키지측면 투영상 P2'와 볼전극 투영상 B'로 구성되고, 투영상 G3은 도 1에서의 빔 스플리터 BS3측의 패키지측면 투영상 P3'과 볼전극 투영상 B'로 구성되고, 투영상 G4는 도 1에서의 빔 스플리터 BS4측의 패키지측면 투영상 P4'와 볼전극 투영상 B'로 구성된다.
또, 도 1에 나타낸 바와 같이 CCD카메라(2)는 반도체장치(10)의 아래쪽에 배치되어 있으므로, 실제로 빔 스플리터 BS1∼BS4에서 반사하여 CCD카메라(2)에 들어오는 투영상 G1∼G4는 패키지 P의 약간 경사진(수평에 대하여 몇도) 위쪽으로부터 픽업된 것과 등가로 된다. 이에 따라 패키지 P의 중앙부분에 배치되는 볼전극 B의 투영상은 디스플레이되지 않게 된다.
다음에, 스텝 S3에 나타낸 바와 같이, 패키지 P의 휨의 측정을 행한다. 패키지 P의 휨은 미리 CCD카메라(2)에 의해 픽업된 각 패키지측면 투영상 P1'∼P4'을 사용하여 소정의 연산에 의해 측정한다.
여기에서, 패키지 P의 휨의 측정방법에 관하여 설명한다. 도 5는 평면(패키지)의 휨의 계산을 설명하는 도면이다. 즉, 패키지의 평면에 대하여 높이방향을 Z, 평면방향을 X, Y로 한 경우, 패키지의 휨을 평면함수 z = f(x, y)로 나타낸다. 이 f(x, y)는 2차 평면함수로써 근사(近似)하게 되면, 이하의 식(1)과 같이 된다.
f (x, y) = ax2y + bxy2+ cx2+ dy2+ exy + fx + gy + h --- (1)
또한, 패키지 P의 평면에서의 각 측면에 대응한 에지선(edge line)(도 5에서 화살표로 나타낸 선)의 함수를 각각 f(x, y1), f(x1, y), f(x, y2), f(x2, y)로 나타내면 다음의 (2)∼(5)식과 같이 된다.
f(x, y1) = (ay1 + c)x2+ (by12+ ey1 + f)x + (dy12+ gy1 + h) --- (2)
f(x1, y) = (bx1 + d)y2+ (ax12+ ex1 + g)y + (cx12+ fx1 + h) --- (3)
f(x, y2) = (ay2 + c)x2+ (by22+ ey2 + f)x + (dy22+ gy2 + h) --- (4)
f(x2, y) = (bx2 + d)y2+ (ax22+ ex2 + g)y + (cx22+ fx2 + h) --- (5)
한편, CCD카메라(2)에서 픽업한 화상을 기초로 하여, 각 패키지 측면투영상 P1'∼P4'(도 4 참조)로부터 패키지 P의 하면에 대응하는 에지의 기준위치(도 4의 일점쇄선 참조)에 대하는 높이 Z를 구한다.
여기서, 4개의 측면에서의 에지를 따른 높이 Z의 함수는 다음의 (6)∼(9)식으로 표현된다.
Z = A1 x2+ B1 x + C1 --- (6)
Z = A2 y2+ B2 x + C2 --- (7)
Z = A3 x2+ B3 x + C3 --- (8)
Z = A4 y2+ B4 x + C4 --- (9)
이 (6)∼(9)식은 상기 (2)∼(5)식과 대응하는 것이므로, 이들의 관계에 의해, (1)식에서의 각 계수 a∼h를 다음의 식 (10)∼(17)로 표현할 수 있다.
a = (A1 - A3) / (y1 - y2) --- (10)
b = (A2 - A4) / (x1 - x2) --- (11)
c = (A3 y1 - A1 y2) / (y1 - y2) --- (12)
d = (A4 x1 - A2 x2) / (x1 - x2) --- (13)
e = ((B1 - by12) - (B3 - by22)) / (y1 - y2) --- (14)
f = ((C2 - cx12) y1 - (C4 - cx22) / (x1 - x2) --- (15)
g = ((B4 - ax22) x1 - (B2 - ax12) x2) / (x1 - x2) --- (16)
h = ((C3 - dy22) y1 - (C1 - dy12) y2) / (y1 - y2) --- (17)
즉, CCD카메라(2)에서 픽업한 각 패키지 측면투영상 P1'∼P4'(도 4 참조)로부터 상기 (6)∼(9)식과 같은 패키지 P의 하면에 대응하는 에지의 함수를 구하고, 각 계수 A1∼A4, B1∼B4, C1∼C4를 구함으로써 패키지 P의 하면을 나타내는 평면함수 z = f(x, y)를 구할 수 있고, 이에 따라 패키지 P의 하면에서의 임의의 위치의 높이를 얻을 수 있고, 휨의 검사를 행하는 것이 가능해진다.
구체적으로는, 도 4에 나타낸 각 패키지 측면투영상 P1'∼P4'에 있어서, 각각의 기준위치로부터 패키지 하면까지의 높이 Z에 상당하는 값을 하나의 측면에 대하여 복수개의 위치에서 구하고, 이 값에 기초하여 상기 (6)∼(9)식의 각 계수 A1∼A4, B1∼B4, C1∼C4를 구한다. 그리고 이들 각 계수 A1∼A4, B1∼B4, C1∼C4를 이용하여 상기 (10)∼(17)식에 의해 a∼h의 계수를 구하여 패키지 P의 하면의 평면함수 z = f(x, y)를 구한다.
여기에서, 도 4에 나타낸 각 패키지 측면투영상 P1'∼P4'에 있어서, 각각의 기준위치로부터 패키지 하면까지의 높이 Z에 상당하는 값을 복수개의 위치에서 구할 때, 각각의 기준위치로서 도 3의 스텝 S1에서 등록한 절대평면의 화상을 사용하도록 한다. 이럼으로써, 각 빔 스플리터 BS1∼BS4의 배치위치 정밀도나 CCD카메라(2)의 위치등 화상독취에서의 오차, 렌즈계의 수차 등의 광학적인 오차를 제거할 수 있고, 높은 정밀도로 검사를 행할 수 있게 된다.
다음에, 도 3의 스텝 S4에 나타낸 바와 같이, 볼전극 B의 높이의 측정을 행한다. 볼전극의 높이는, 도4에 나타낸 픽업화상중 패키지 P의 하면의 반사상 GP 중에 있는 각 볼전극 B의 평면시(平面視)반사상으로부터 각 볼전극 B의 직경을 산출하고, 이것을 약 절반으로 하여 볼전극 B자체의 높이로 한다. 즉, 볼전극 B가 구(球)형이고, 패키지 P에 대하여 직경의 약 절반의 높이로 부착되어 있다고 가정하고, 평면시상에서의 직경의 약 절반을 볼전극 B자체의 높이로 간주한다.
그리고, 이 볼전극 B자체의 높이에, 패키지 P의 휨을 추가하여 볼전극 P의 높이검사를 행한다. 즉, 앞의 스텝 S3에서 산출한 패키지 P의 하면을 나타내는 평면함수 z = f(x, y)에서 각 볼전극 B의 위치에서의 높이를 산출하고, 이것에 대응하는 위치의 볼전극 B의 직경의 절반을 더하여 패키지 P의 휨을 추가한 각 볼전극 B의 높이를 검사할 수 있게 된다.
다음에, 도 3의 스텝 S5에 나타낸 바와 같이, 볼전극 B의 변형의 측정을 행한다. 본 실시형태에서는, 볼전극 B의 변형량을 측정할 때, 우선 이하의 식(18)에 나타낸 「복잡도」를 구하고, 식(19)에 나타낸 「볼변형도」 즉 진원(眞圓)(이상적인 볼전극의 형상)에 대한 「복잡도」의 비를 구하여 볼변형량을 수치화한다.
「복잡도」 = (볼전극의 둘레길이) / (볼전극의 평면시 면적) --- (18)
「볼변형도」= (볼전극의 「복잡도」) / (진원의 「복잡도」)
= ((진원의 반경) x (볼전극의 「복잡도」)) / 2 --- (19)
이와 같이, 「볼변형도」의 수치에 의해 볼전극 B의 변형량을 정량적으로 검사할 수 있게 된다.
그리고, 도 3의 스텝 S6에 나타낸 바와 같이, 그 밖의 검사항목(예를 들면, 손상이나 오염)의 측정을 행한다. 그 후 스텝 7에 나타낸 바와 같이 측정종료인가 아닌가의 판단을 행한다. 이 스텝 S7에서 Yes로 된 경우에는 측정을 종료한다. 한편 다음의 반도체장치(10)에 대한 측정을 속행하는 경우에는 스텝 S7의 판단에서 No로 되어 스텝 S2∼S6를 반복하게 한다.
다음에, 본 발명의 다른 실시형태를 설명한다. 도 6은 다른 실시형태를 설명하는 주요부 단면도, 도 7은 다른 실시형태를 적용한 검사유닛의 개략 단면도이다. 즉, 도 6에 나타낸 다른 실시형태에서의 외관검사장치는, 반도체장치(10)의 패키지 P의 측면의 투영상 및 패키지 P의 밑면의 반사상을 상반사미러 ZM에 의해 도면의 횡방향으로 반사하고, CCD카메라에 의해 픽업하는 점에 특징이 있다. 또, 도 6에 있어서는, 설명을 이해하기 쉽게 하기 위해, 반도체장치(10)의 패키지 P에서의 2개의 측면의 투영상을 픽업하기 위한 구성만이 기재되어 있으나, 실제로는 4개의 측면의 투영상을 픽업하기 위해 다른 두 측면측에 있어서도 동일한 구성으로 되어 있다.
이 외관검사장치에는, 패키지 P의 각 측면으로 광을 조사하는 광원 L3, L4와, 광원 L3, L4와 패키지 P의 측면과의 사이에 배치되는 편광판 H13, H14와, 편광판 H13, H14와 패키지 P의 측면과의 사이에 배치되는 빔 스플리터 BS3, BS4와, 빔 스플리터 BS3, BS4의 아래쪽에 배치되는 편광판(23,24)과, 패키지 P의 아래쪽에 배치되는 필터(F)와, 편광판(23,24) 및 필터(F)를 통과하는 상을 도면의 횡방향으로 반사하는 상반사미러 ZM과를 구비하고 있다.
즉, 다른 실시형태에서는, 앞에서 설명한 실시형태의 구성에 상반사미러 ZM을 추가한 구성으로 되어 있다.
이와 같은 구성에서는, 패키지 P의 각 측면의 투영상이 각 빔 스플리터 BS3, BS4에 의해 도면의 아래쪽으로 반사하여 편광판(23,24)을 통과하고, 패키지 P의 하면의 반사상이 필터(F)를 통과하고, 상반사미러 ZM에 의해 도면의 횡방향으로 반사된다. 따라서, 상반사미러 ZM은 패키지 P의 각 측면의 투영상 및 패키지 P의 하면의 반사상을 도면의 횡방향으로 반사시키기 위해 약 45도로 기울어져 있다.
또한, 다른 실시형태에서는, CCD카메라가 상반사미러 ZM에 의한 상의 반사목표점에 배치되어 있다. 즉, 이와 같은 구성에 의해, 장치를 직사각형으로 레이아웃할 수 있다.
도 7에 나타낸 바와 같이 다른 실시형태를 적용한 검사유닛(11)에서는, 광원 L3, L4, 편광판 H13, H14, 빔 스플리터 BS3, BS4 등의 구성, 상반사미러 ZM 및 CCD카메라(2)가 직사각형의 하우징 K의 내부에 수납되어 있다.
CCD카메라(2)는 하우징 K내에 슬라이드유닛 SU에 장착되어, 초점의 조정을 행하도록 되어 있다. 또한, 이 하우징 K에는, 도시되지 않은 광원용 컨트롤러기판, 슬라이드유닛 SU의 구동용 리니어모터, 및 리니어모터 구동용의 드라이버회로 등이 내장되어 있다.
이 검사유닛(11)에는, 반도체장치의 패키지 P를 흡착로봇 등의 헙착노즐 N으로 흡작지지하고, 빔 스플리터 BS3, BS4의 사이에 배치한다. 이 상태에서 광원 L3, L4로부터 광을 조사함으로써, 패키지 P의 각 측면의 투영상 및 패키지 P의 하면의 반사상이 아래쪽의 상반사미러 ZM에 의해 도면의 횡방향으로 반사하고, 렌즈 2a를 거쳐 CCD카메라(2)에 도달하여 화상으로서 픽업된다.
이와 같은 작사각형의 검사유닛(11)을 구성함으로써, 반도체장치의 검사장치인 핸들러(handler)나 인라인설비의 메인베이스상에 간단히 설치할 수 있는 동시에, CCD카메라(2)의 위치조정(캘리브레이션조정) 등의 메인티넌스를 용이하게 행할 수 있게 된다.
즉, 검사유닛(11)이 직사각형으로 되어 그 높이가 낮아짐으로써, 핸들러나 인라인설비의 메인베이스상에 설치하여도 전체의 높이가 지나치게 높아지지 않고, 핸들러 등의 장치로 사용하는 반도체장치의 흡착로봇에 의해 그대로 반도체장치의 이송을 행할 수 있게 된다.
또한, 직사각형의 검사유닛(11)을 메인베이스상에 설치함으로써, CCD카메라(2)도 메인베이스에 가까운 위치(높이)로 되고, 조정이나 메인티넌스를 행하는 오퍼레이터의 높이와도 가깝게 된다. 이에 따라 메인티넌스성을 향상시킬 수 있다.
또한 본 실시형태에서는, 모든 반도체장치의 패키지 P에서의 4개의 측면의 투영상을 픽업하는 예를 나타냈으나, SOP(Small Outline Package)와 같은 패키지 P의 두 측면으로부터 리드가 연장해 나오는 반도체장치의 외관검사를 행하는 경우에는, 광원, 편광판, 빔 스플리터를 그 두 측면에 대응한 위치에만 배치하도록 해도 된다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에서의 반도체장치의 외관검사장치 및 외관검사방법에 의하면 다음과 같은 효과가 있다. 즉, 본 발명의 외관검사장치에서는, 패키지의 각 측면의 투영상과 패키지의 평면측의 화상을 일괄하여 취함으로써, 측면측의 외관검사와 평면측의 외관검사를 동시에 행할 수 있게 된다. 또한, 패키지의 각 측면의 화상으로서 투영상을 취하고 있으므로, 표면상태에 영향을 받지않고 안정한 화상을 픽업할 수 있고, 정밀도 좋은 검사를 행하는 것이 가능해진다.
또한, 본 발명의 외관검사방법에서는 패키지의 표면상태에 영항을 받지않는 투영상에 기초하여 페키지의 측면측의 검사를 행할 수 있고, 이 각 측면에서의 투영상으로부터 소정의 연산에 의해 패키지의 표면의 휨을 검사할 수 있고, 간단한 계산에 의해 단시간에 높은 정밀도의 검사를 행하는 것이 가능해진다.

Claims (8)

  1. 대략 4각형의 패키지를 구비한 반도체장치의 화상을 광학적으로 독취하는 반도체장치의 외관검사장치에 있어서, 상기 패키지의 4개의 측면에 대향하여 배치되는 4개의 편광광원과, 상기 4개의 편광광원과 상기 패키지의 대응하는 측면과의 사이에 배치되고, 그 패키지를 사이에 두고 마주 대하는 측의 편광광원으로부터 상기 패키지에 향하여 출사(出射)된 편광광원에 의해 형성되는 각 측면측의 투영상(投影像)을 각각 반사시키는 4개의 반사수단과, 상기 4개의 반사수단으로 반사한 각 측면측의 투영상과 상기 패키지의 평면측의 화상과를 일괄하여 픽업하는 화상픽업수단과 를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 외관검사장치.
  2. 제1항에 있어서, 또한 상기 4개의 반사수단으로 반사한 각 측면측의 투영상과 상기 패키지의 평면측의 화상과를 횡방향으로 반사시켜 상기 화상픽업수단으로 보내는 상(像)반사수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 외관검사장치.
  3. 제1항에 있어서, 또한 상기 2개의 편광광원, 상기 4개의 반사수단, 상기 화상픽업수단을 그 내부에 격납하는 본체 하우징을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 외관검사장치.
  4. 제2항에 있어서, 또한 상기 2개의 편광광원, 상기 4개의 반사수단, 상기 화상픽업수단, 상기 상반사수단을 그 내부에 격납하는 본체 하우징을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 외관검사장치.
  5. 대략 4각형의 패키지를 구비한 반도체장치의 화상을 광학적으로 독취하는 반도체장치의 외관검사방법에 있어서, 상기 패키지의 각 측면에 향하여 편광광을 입사(入射)하는 공정과, 입사한 편광광에 의해 형성되는 상기 패키지의 각 측면에 있어서의 투영상을 취하는 공정과, 상기 패키지의 각 측면에 있어서의 투영상에 따라서 그 패키지의 표면에 있어서의 휨을 연산하는 공정과로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 외관검사방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 패키지의 각 측면에 있어서의 투영상과 함께 그 패키지의 평면측에 있어서의 화상을 일괄하여 취하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 외관검사방법.
  7. 제5항에 있어서, 상기 패키지의 각 측면에 있어서의 투영상을 화상독취수단으로 취하기 전에, 그 패키지의 배치의 기준으로 되는 화상을 취하여 등록하여 두는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 외관검사방법.
  8. 제6항에 있어서, 상기 화상독취수단으로 취한 상기 패키지의 평면측에 있어서의 화상에 따라서 그 패키지의 평면측에 형성된 전극의 형상을 검사하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 외관검사방법.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100339014B1 (ko) * 2000-06-02 2002-06-03 김종현 메모리 모듈 비전 검사기
KR100661911B1 (ko) * 2004-06-22 2006-12-28 (주)알티에스 검사 장치
KR101380653B1 (ko) * 2008-06-12 2014-04-04 한미반도체 주식회사 비전검사장비의 비전검사방법
WO2020231113A1 (ko) * 2019-05-10 2020-11-19 삼성전자 주식회사 치수 측정용 지그 및 그를 포함하는 치수 측정 장치
WO2022231161A1 (ko) * 2021-04-27 2022-11-03 삼성전자주식회사 치수 측정용 지그 및 그를 포함하는 치수 측정 장치

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5894537A (en) 1996-01-11 1999-04-13 Corning Incorporated Dispersion managed optical waveguide
JPH1144513A (ja) * 1997-05-29 1999-02-16 Sony Corp 半導体装置の外観検査装置および外観検査方法
US20010048765A1 (en) * 2000-02-29 2001-12-06 Steven Yi Color characterization for inspection of a product having nonuniform color characteristics
JP2002048716A (ja) * 2000-07-03 2002-02-15 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 小型部品の外観検査治具およびその治具を用いた検査方法
JP4557471B2 (ja) * 2001-08-24 2010-10-06 株式会社リコー 半導体装置実装体の平坦度検査方法及び装置
JP4839560B2 (ja) * 2001-09-27 2011-12-21 日本電気株式会社 Ｉｃ外観検査方法
JP4234402B2 (ja) * 2002-11-21 2009-03-04 富士機械製造株式会社 電子回路部品像取得装置
JP2008066541A (ja) * 2006-09-07 2008-03-21 Toshiba Corp 検査装置システム
JP5248007B2 (ja) * 2006-11-24 2013-07-31 株式会社日立情報制御ソリューションズ ラベル検査方法及び装置
DE102010053912B4 (de) 2010-12-09 2013-01-31 Mühlbauer Ag Optische Untersuchungseinrichtung und optisches Untersuchungsverfahren
JP5663464B2 (ja) * 2011-12-22 2015-02-04 日本電信電話株式会社 ３次元形状計測システム
KR101275134B1 (ko) * 2012-04-27 2013-06-17 한미반도체 주식회사 반도체 자재 검사장치 및 반도체 자재 검사방법
US9816938B2 (en) 2013-11-20 2017-11-14 Semiconductor Technologies & Instruments Pte Ltd Apparatus and method for selectively inspecting component sidewalls
JP5954757B2 (ja) * 2015-01-09 2016-07-20 上野精機株式会社 外観検査装置
WO2016195726A1 (en) * 2015-06-05 2016-12-08 Kla-Tencor Corporation Apparatus, method and computer program product for inspection of at least side faces of semiconductor devices
KR101784987B1 (ko) * 2015-08-26 2017-10-12 (주)제이티 비전검사모듈 및 그를 가지는 소자검사시스템
CN107889522B (zh) * 2015-08-26 2020-08-28 Abb瑞士股份有限公司 对象多视角检测设备及其方法
JP6444909B2 (ja) * 2016-02-22 2018-12-26 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理装置及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
DE102016011497B4 (de) 2016-09-21 2019-01-24 Mühlbauer Gmbh & Co. Kg Optische Untersuchungseinrichtung und optisches Untersuchungsverfahren mit sichtbarem und infrarotem Licht für Halbleiterbauteile
JP6789187B2 (ja) * 2017-07-07 2020-11-25 東京エレクトロン株式会社 基板反り検出装置及び基板反り検出方法、並びにこれらを用いた基板処理装置及び基板処理方法
JP7090446B2 (ja) * 2018-03-22 2022-06-24 株式会社キーエンス 画像処理装置
CN108918528B (zh) * 2018-06-01 2023-08-01 深圳回收宝科技有限公司 一种终端检测方法、装置及存储介质
US11686690B2 (en) * 2020-11-12 2023-06-27 Kla Corporation System and method for inspection and metrology of four sides of semiconductor devices

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05312519A (ja) * 1992-05-12 1993-11-22 Omron Corp 撮像方法、撮像システム、ワーク位置決め方法、およびワーク切断装置
JPH0777412A (ja) * 1993-06-17 1995-03-20 Sony Corp 外観検査装置
JPH0822712A (ja) * 1994-07-05 1996-01-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 照明装置
JPH0861928A (ja) * 1994-08-19 1996-03-08 Sony Corp 外観検査用照明装置
US6094263A (en) * 1997-05-29 2000-07-25 Sony Corporation Visual examination apparatus and visual examination method of semiconductor device

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5298989A (en) * 1990-03-12 1994-03-29 Fujitsu Limited Method of and apparatus for multi-image inspection of bonding wire
JPH08340475A (ja) * 1995-06-12 1996-12-24 Olympus Optical Co Ltd 光学式角度検出装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05312519A (ja) * 1992-05-12 1993-11-22 Omron Corp 撮像方法、撮像システム、ワーク位置決め方法、およびワーク切断装置
JPH0777412A (ja) * 1993-06-17 1995-03-20 Sony Corp 外観検査装置
JPH0822712A (ja) * 1994-07-05 1996-01-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 照明装置
JPH0861928A (ja) * 1994-08-19 1996-03-08 Sony Corp 外観検査用照明装置
US6094263A (en) * 1997-05-29 2000-07-25 Sony Corporation Visual examination apparatus and visual examination method of semiconductor device

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100339014B1 (ko) * 2000-06-02 2002-06-03 김종현 메모리 모듈 비전 검사기
KR100661911B1 (ko) * 2004-06-22 2006-12-28 (주)알티에스 검사 장치
KR101380653B1 (ko) * 2008-06-12 2014-04-04 한미반도체 주식회사 비전검사장비의 비전검사방법
WO2020231113A1 (ko) * 2019-05-10 2020-11-19 삼성전자 주식회사 치수 측정용 지그 및 그를 포함하는 치수 측정 장치
CN113811741A (zh) * 2019-05-10 2021-12-17 三星电子株式会社 尺寸测量夹具和包括该尺寸测量夹具的尺寸测量装置
WO2022231161A1 (ko) * 2021-04-27 2022-11-03 삼성전자주식회사 치수 측정용 지그 및 그를 포함하는 치수 측정 장치

Also Published As

Publication number Publication date
US6094263A (en) 2000-07-25
SG70640A1 (en) 2000-02-22
MY114593A (en) 2002-11-30
JPH1144513A (ja) 1999-02-16
TW412630B (en) 2000-11-21

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