JPH02159040A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置に関し、特にバイポーラトランジ
スタにおけるパラスティング抵抗の構造に関する。

〔従来の技術〕

動作周波数１００ＭＨｚ以上、出力電力ＩＷ以上の高周
波高出力バイポーラトランジスタにおいては、エミッタ
近傍より発生する熱の集中によるトランジスタの不均一
動作をさけるために、複数個のエミツタ層からなるトラ
ンジスタセルを形成し、分散させることにより発熱源を
分散させ、かつ、エミツタ層とエミッタ電極間に抵抗体
（以下、パラスティング抵抗と記す）を入れ、負帰還を
かけてやることによりエミッタ電流を均一にさせてやる
ことにより、トランジスタ全体の動作を均一化し、高出
力電力化をはかっている。

以下図面を用いて説明していく。

第５図、第６図および第７図は従来技術によるオーバレ
イ構造トランジスタの平面図、そのＢ−Ｂ′線断面図お
よびステムへの固着状態を示す平面図である。図ではＮ
ＰＮ型トランジスタの例を示している。この従来技術に
おけるトランジスタは比抵抗０．５〜２．５Ωｃｆｆｌ
のＮ型半導体基板１をコレクタ領域とし、このＮ型半導
体基板１にシート抵抗約１０Ω／口のＰ＋型ベース領域
２並びにシート抵抗的ＩＫΩ／口のＰ型ベース領域３が
形成され、その表面に第１の絶縁膜４が形成され、エミ
ッタ開孔５が選択的に開孔されている。第１の絶縁膜４
上には砒素（又はリン）を不純物として含有するポリシ
リコン（又はアモルファスシリコン）からなる抵抗性膜
６が形成され、熱処理工程により、この抵抗性膜６を拡
散源として自己整合的にエミッタ領域７が形成される。

更に、抵抗性膜６上には第２の絶縁膜８が形成され、エ
ミッタコンタクト開孔９が形成され、第２の絶縁膜８上
にはエミッタ電極１０が形成されている。

一方、Ｐ＋型ベース領域２上には選択的にベースコンタ
クト開孔１１が開孔され、その上にベース電極１２が形
成されている。

ここで、エミッタ領域は複数個集まって１つのトランジ
スタセル１３を形成し、更にトランジスタセル１３が複
数個集まりトランジスタユニット１４を形成している。

トランジスタユニット１４内において、各トランジスタ
セル１３間のエミッタ領域は、エミッタ電極１２によっ
て電気的接続がなされている。

トランジスタユニット１４はトランジスタチップ１５内
に複数個形成され、第７図に示す様にトランジスタチッ
プ１５はステム内のトランジスタマウント部１６に固着
されている。ここでステムの構造並びにポンディングワ
イヤーについての詳細な説明は省略する。

ところで第６図においてエミッタ開孔５とエミッタコン
タクト開孔９との間の抵抗性膜はエミッタ領域７を形成
するための不純物の拡散源として用いられると同時に、
パラスティング抵抗としても用いられていて、エミッタ
開孔５とエミッタコンタクト開孔との間の距離ｄは、パ
ラスティング抵抗の長さとなり、距離ｄが長い程、パラ
スティング抵抗の値は大きくなる。

〔発明が解決しようとする課題〕

上述した従来のオーバレイ構造のバイポーラトランジス
タは、トランジスタユニット間及びトランジスタチップ
間において、エミッタ開孔とエミッタコンタクト開孔と
の距離ｄが等しくなっているので、１つのエミッタ領域
に対するパラスティング抵抗の抵抗値は、トランジスタ
ユニット間、トランジスタチップ間において等しい値に
なっている。

ところでトランジスタを複数個のトランジスタセル又は
、トランジスタユニットに分割しても熱は、トランジス
タマウント部中央のトランジスタユニット又はトランジ
スタチップに集中し、パラスティング抵抗の値が等しい
と、トランジスタマウント部中央のトランジスタユニッ
ト又はトランジスタチップに電流が集中し、不均一動作
となり、特にＣＷ動作下において高出力電力化がはかれ
ないという欠点を生じていた。

本発明の目的は均一動作可能なオーバレイ構造のバイポ
ーラトランジスタを提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕 本発明による半導体装置は、第１導電型半導体基板に設
けられた第２導電型ベース領域と、この第２導電型ベー
ス領域上に所定形状のエミッタ開孔を有して設けられた
第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜上に設けられ、第１導電
型不純物を含有する抵抗性膜と、前記エミッタ開孔部の
前記抵抗性膜と自己整合して設けられた第１導電型エミ
ツタ領域と、前記抵抗性膜上に所定形状のエミッタコン
タクト開孔を有して設けられた第２の絶縁膜と、エミッ
タ電極とを備えたエミッタ領域を複数個含むトランジス
・タセルが複数個分散して配置されて１つのトランジス
タユニットを形成し、トランジスタチップ上にこのトラ
ンジスタユニットが１つ若しくは複数個配置され前記ト
ランジスタチップがステムのトランジスタマウント部に
１つ若しくは複数個固着されている。オーバレイ構造の
バイポーラトランジスタにおいて、 （１）トランジスタチップの中央に位置するトランジス
タユニットにおけるエミッタ開孔とエミッタコンタクト
開孔の距離がトランジスタチップの端部のそれより長い
か又は、 （２）トランジスタマウント部中央に位置するトランジ
スタチップにおける、エミッタ開孔とエミッタコンタク
ト開孔との距離が、トランジスタマウント部端部のそれ
より長いかのいずれかの構造を有している。

〔実施例〕

次に、本発明について図面を参照してより詳細に説明す
る。

第１図および第２図は本発明の一実施例の平面図および
そのＡ−Ａ’線断面図である。第３図は、同実施例のス
テムへの固着状態を示す平面図である。第１図、第２図
に示す様に本実施例によるトランジスタは、比抵抗０．
５〜２．５Ω・ｃｍのＮ型半導体基板１をコレクタ領域
とし、このＮ型半導体基板１にシート抵抗−１０Ω／口
のＰ＋型ベース領域２並びにシート抵抗＝ＩＫΩ／口の
Ｐ型ベース領域３が形成され、その表面に第１の絶縁膜
４が形成され、エミッタ開孔５が選択的に開孔されてい
る。第１の絶縁膜４上には、砒素（又はリン）を不純物
と１−で含有するポリシリコン（又はアモルファスシリ
コン）からなる抵抗性膜６が形成され、熱処理工程によ
り、この抵抗性膜６を拡散源として自己整合的にエミッ
タ領域７が形成される。更に、抵抗性膜６上には、第２
の絶縁膜８が形成され、エミッタコンタクト開孔９が形
成され、第２の絶縁膜８上にはエミッタ電極１０が形成
されている。

一方、Ｐ＋型ベース領域２上には、選択的にベースコン
タクト開孔１１が開孔されその上にベース電極１２が形
成されている。

ここで、エミッタ領域７は複数個集まって１つのトラン
ジスタセル１３を形成し、更にトランジスタセル１３が
複数個集まってトランジスタユニット１４を形成してい
る。トランジスタユニット１４内において、各トランジ
スタセル１３間のエミツタ領域７同士はエミッタ電極１
２によって電気的接続がなされている。

第２図において、エミッタ開孔５とエミッタコンタクト
開孔９の間の抵抗性膜６はエミッタ領域７を形成するた
めの不純物拡散源として用いられると同時にパラスティ
ング抵抗としても用いられ、エミッタ開孔５とエミッタ
コンタクト開孔９の距離ｄは１つのトランジスタユニッ
ト内のトランジスタセル間で等しくなっている。

第３図に示す様に、トランジスタユニット１４はトラン
ジスタチップ１５内に複数個形成され、トランジスタチ
ップ１５はステム内のトランジスタマウント部１６に固
着されている。ここでステムの構造並びにボンディング
ワイヤーについての詳細な説明は省略する。

第３図において、トランジスタチップ１５の中央部のト
ランジスタユニット１４におけるエミッタ開孔５とエミ
ッタコンタクト開孔９の距離ｄ１は、トランジスタチッ
プ１５の端部のトランジスタユニットにおけるエミッタ
開孔５とエミッタコンタクト開孔９の距離ｄ２より長く
なっている。

第４図は本発明の他の実施例のステム固着状態を示す平
面図である。第４図に示す様に複数個のトランジスタチ
ップ１５がステム内のトランジスタマウント部１６に固
着されている。ここで、トランジスタマウント部の中央
に位置するトランジスタチップにおけるエミッタ開孔５
とエミッタコンタクト開孔９の距離ｄ、は、トランジス
タマウント部の端部に位置するトランジスタチップにお
けるエミッタ開孔５とエミッタコンタクト開孔９の距離
ｄ４より長くなっている。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明は（１）トランジスタチップ
において、中央部のトランジスタユニットに対するパラ
スティング抵抗の長さを、トランジスタチップ端部のト
ランジスタユニットに対するパラスティング抵抗の長さ
より長く、（即ち、抵抗値を大きく）するか又は（２）
トランジスタマウント部中央に位置するトランジスタチ
ップに対するパラスティング抵抗の長さをトランジスタ
マウント部端部のトランジスタチップに対するパラステ
ィング抵抗の長さより長く　（即ち抵抗値を大きく）す
ることにより、トランジスタチップ内の各トランジスタ
ユニット間又はトランジスタチップ間の均一動作をはか
り、もってトランジスタの高出力化と耐破壊性の向上が
はかれる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例によるオーバレイ構造のトラ
ンジスタ平面図、第２図は第１図のＡ−Ａ′線での断面
図、第３図はステムへの固着状態を示す平面図である。 第４図は本発明の他の実施例によるトランジスタチップ
のステムへの固着状態を示す平面図である。 第５図は従来のオーバレイ構造のトランジスタの平面図
、第６図は第５図のＢ−Ｂ’線での断面図、第７図はス
テムへの固着状態を示す平面図である。 ■・・・・・・Ｎ型半導体基板、２・・・・・・Ｐ＋型
ベース領域、３・・・・・・Ｐ型ベース領域、４・・・
・・・第１の絶縁膜、５・・・・・・エミッタ開孔、６
・・・・・・抵抗性膜、７・・・・・・エミッタ領域、
８・・・・・・第２の絶縁膜、９・・・・・・エミッタ
コンタクト開孔、１０・・・・・・エミッタ電極、１１
・・・・・ベースコンタクト開Ｌ１２・・・・・・ベー
ス電極、１３・・・・・・トランジスタセル、１４・・
・・・・トランジスタユニット、１５・・・・・・トラ
ンジスタチップ、１６・・・・・トランジスタマウント
部。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　第１導電型の半導体基板に設けられた第２導電型のベ
   ース領域と、前記第２導電型のベース領域上に所定形状
   のエミッタ開孔を有して設けられた第１の絶縁膜と、前
   記第１の絶縁膜上に設けられ、前記第１導電型の不純物
   を含有する抵抗性膜と、前記エミッタ開孔の前記抵抗性
   膜と自己整合して設けられた前記第１導電型エミッタ領
   域と、前記抵抗性膜上に所定形状のエミッタコンタクト
   開孔を有して設けられた第２の絶縁膜と、エミッタ電極
   とを備えており、少くとも前記エミツタ領域は複数個形
   成されているトランジスタセルが複数個分散して配置さ
   れて、１つのトランジスタユニットを形成し、トランジ
   スタチップ上に前記トランジスタユニットが１つ若しく
   は複数個配置され、前記トランジスタチップがステムの
   トランジスタマウント部に１つ若しくは複数個固着され
   ているオーバレイ構造のバイポーラトランジスタにおい
   て、前記トランジスタチップの中央に位置する前記トラ
   ンジスタユニットにおける前記エミッタ開孔と前記エミ
   ッタコンタクト開孔との距離が前記トランジスタチップ
   の端部に位置するトランジスタユニットにおける前記エ
   ミッタ開孔と前記エミッタコンタクト開孔との距離より
   長いか又は前記トランジスタマウント部中央に位置する
   トランジスタチップにおける前記エミツタ開孔と前記エ
   ミッタコンタクト開孔との距離が、前記トランジスタマ
   ウント部端部に位置するトランジスタチップにおける前
   記エミッタ開孔と前記エミッタコンタクト開孔の距離よ
   り長いことを特徴とする半導体装置。