JPH02156503A - Ｐｔｃサーミスタ薄膜の製造方法 - Google Patents
Ｐｔｃサーミスタ薄膜の製造方法Info
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- JPH02156503A JPH02156503A JP31107388A JP31107388A JPH02156503A JP H02156503 A JPH02156503 A JP H02156503A JP 31107388 A JP31107388 A JP 31107388A JP 31107388 A JP31107388 A JP 31107388A JP H02156503 A JPH02156503 A JP H02156503A
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Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、優れたＰＴＣ特性を示すＰＴＣサーミスタ薄
膜の製造方法に関するものである。
膜の製造方法に関するものである。
従来の技術
チタン酸バリウム系セラミックスは、高い抵抗率・誘電
率をもつため、セラミック・フィルタやコンデンサ材料
など幅広く利用されている。また、希土類元素等を極く
微量添加することにより半導体化したチタン酸バリウム
系半導体は、強誘電相から常誘電相への転移点であるキ
ュリー点に対応して抵抗が急激に増加するＰ Ｔ Ｃ（
Ｐｏｓｉｔｉｖｅ↑ｅｍｐｅｖａｔｕｒｅ ℃ｏｅｆｆ
ｉｃｉｅｎｔ）特性を示すことから、ＰＴＣサーミスタ
として、回路部品や温度センサなどとして利用されてい
る。
率をもつため、セラミック・フィルタやコンデンサ材料
など幅広く利用されている。また、希土類元素等を極く
微量添加することにより半導体化したチタン酸バリウム
系半導体は、強誘電相から常誘電相への転移点であるキ
ュリー点に対応して抵抗が急激に増加するＰ Ｔ Ｃ（
Ｐｏｓｉｔｉｖｅ↑ｅｍｐｅｖａｔｕｒｅ ℃ｏｅｆｆ
ｉｃｉｅｎｔ）特性を示すことから、ＰＴＣサーミスタ
として、回路部品や温度センサなどとして利用されてい
る。
さて、近年電子部品の小型化・軽量化の動きが強まる中
でさまざまな材料をｆｉ膜化する試みがなされているが
、チタン酸バリウム系半導体によるＰＴＣサーミスタに
関しても、薄膜化することにより従来の利用分野に加え
て、サーミスタを必要とする混成集積回路等さまざまな
新しい応用が考えられるため、ＰＴＣサーミスタの薄膜
化の研究がなされている。そしてスパッタ法により、ス
パッタ時の基板温度またはスパッタ後の熱処理温度を１
０００″Ｃ以上にすることにより、ＰＴＣ特性を示すチ
タン酸バリウム系半導体薄膜（ＰＴＣサーミスタ薄膜）
が得られている。
でさまざまな材料をｆｉ膜化する試みがなされているが
、チタン酸バリウム系半導体によるＰＴＣサーミスタに
関しても、薄膜化することにより従来の利用分野に加え
て、サーミスタを必要とする混成集積回路等さまざまな
新しい応用が考えられるため、ＰＴＣサーミスタの薄膜
化の研究がなされている。そしてスパッタ法により、ス
パッタ時の基板温度またはスパッタ後の熱処理温度を１
０００″Ｃ以上にすることにより、ＰＴＣ特性を示すチ
タン酸バリウム系半導体薄膜（ＰＴＣサーミスタ薄膜）
が得られている。
発明が解決しようとする課題
スパッタ法によりＰＴＣ特性を示すチタン酸バリウム系
半導体薄膜を得るためには、スパッタ時の基板温度また
はスパッタ後の熱処理温度を１０００ ’Ｃ以上と高温
にしなくてはならない、また得られた薄膜のキュリー点
以下での抵抗率がバルク値と比べて数桁も高く、キュリ
ー点付近での抵抗率変化もバルク値と比べて数桁低いな
ど問題があり実用化には至っていない。
半導体薄膜を得るためには、スパッタ時の基板温度また
はスパッタ後の熱処理温度を１０００ ’Ｃ以上と高温
にしなくてはならない、また得られた薄膜のキュリー点
以下での抵抗率がバルク値と比べて数桁も高く、キュリ
ー点付近での抵抗率変化もバルク値と比べて数桁低いな
ど問題があり実用化には至っていない。
本発明は蒸気問題点に鑑み、バルク価値みのＰＴＣ特性
を示すＰＴＣサーミスタ薄膜を製造する方法を提供する
ものである。
を示すＰＴＣサーミスタ薄膜を製造する方法を提供する
ものである。
課題を解決するための手段
上記問題点を解決するために本発明は、ＰＴＣサーミス
タ薄膜の製造方法に、プラズマの活性さを利用したプラ
ズマＣＶＤ法、電子サイクロトロ：／ （ＥＣＲ）プラ
ズマＣＶＤ法、ＥＣＲプラズマスパッタ法を用いること
により、６００°Ｃ以下の低温でバルク値みのＰＴＣ特
性を示すＰＴＣサーミスタ薄膜を成膜するという構造を
備えたものである。
タ薄膜の製造方法に、プラズマの活性さを利用したプラ
ズマＣＶＤ法、電子サイクロトロ：／ （ＥＣＲ）プラ
ズマＣＶＤ法、ＥＣＲプラズマスパッタ法を用いること
により、６００°Ｃ以下の低温でバルク値みのＰＴＣ特
性を示すＰＴＣサーミスタ薄膜を成膜するという構造を
備えたものである。
作用
本発明は上記した構成の製造方法であるので、プラズマ
ＣＶＤ法、ＥＣＲプラズ？ＣＶＤ法、ＥＣＲプラズマス
パッタ法において、成膜時の条件を選んでやることによ
り、６００ ’Ｃ以下の低温でバルク値みのＰＴＣ特性
を示すＰＴＣサーミスタ薄膜を製造できるという作用が
なされている。
ＣＶＤ法、ＥＣＲプラズ？ＣＶＤ法、ＥＣＲプラズマス
パッタ法において、成膜時の条件を選んでやることによ
り、６００ ’Ｃ以下の低温でバルク値みのＰＴＣ特性
を示すＰＴＣサーミスタ薄膜を製造できるという作用が
なされている。
実施例
（実施例１）
以下本発明の一実施例のプラズマＣＶＤ法によるＰＴＣ
サーミスタ薄膜の製造方法について図面を参照しながら
説明する。
サーミスタ薄膜の製造方法について図面を参照しながら
説明する。
第１図は本発明の一実施例におけるプラズマＣＶＤ装置
の概略図を示すものである。第１図において１は反応チ
ャンバー、２は電極、３は反応チャンバー内を低圧に保
つための排気系で、４は下地基板、５は高周波電源、（
１３，５６ＭＨｚ）、６〜９は原料の入った気化器で１
０はキャリアガス（Ｎ２）導入口、１１は反応ガス（０
□）導入口、１２は基板加熱ヒーターである。
の概略図を示すものである。第１図において１は反応チ
ャンバー、２は電極、３は反応チャンバー内を低圧に保
つための排気系で、４は下地基板、５は高周波電源、（
１３，５６ＭＨｚ）、６〜９は原料の入った気化器で１
０はキャリアガス（Ｎ２）導入口、１１は反応ガス（０
□）導入口、１２は基板加熱ヒーターである。
気化器６にバリウムジピバロイルメタン（Ｂａ （Ｃ，
、Ｈ，Ｏ□）２）、７にテトラ−ｎ−プロピルオルトチ
タナート（（ｎ−（ＣａＨ，Ｏ）。
、Ｈ，Ｏ□）２）、７にテトラ−ｎ−プロピルオルトチ
タナート（（ｎ−（ＣａＨ，Ｏ）。
Ｔｊ）、８にイツトリウムジピバロイルメタン（Ｙ（Ｃ
ｏ Ｎ１９０２ ）、）、９にストロンチウムジピバロ
イルメタン（Ｓｒ （Ｃ，、Ｈ，０２） ２ ）を入れ
、それぞれ１４０℃、１３０℃、１０５℃、１０８℃に
加熱し、その蒸気を窒素キャリア（流量それぞれ２．Ｏ
ＳＣＣＭ、１．７ ＳＣＣＭ、０．３ＳＣＣＭ、０．２
ＳＣＣＭ、０．６ＳＣＣＭ）とともに排気系３により減
圧された反応チャンバー１内に導入する。同時に反応ガ
スである酸素（流Ｎ３．９５ＣＣＭ）も導入し、プラズ
マを発生（電力０、４ Ｗ／ｃｊ）させ、１５０分間減
圧下（９，ＯＸｌ ０２Ｔｏｒｒ）で反応を行ない、５
８０°Ｃに加熱したチタン酸バリウムセラミックス基板
上に成膜した。
ｏ Ｎ１９０２ ）、）、９にストロンチウムジピバロ
イルメタン（Ｓｒ （Ｃ，、Ｈ，０２） ２ ）を入れ
、それぞれ１４０℃、１３０℃、１０５℃、１０８℃に
加熱し、その蒸気を窒素キャリア（流量それぞれ２．Ｏ
ＳＣＣＭ、１．７ ＳＣＣＭ、０．３ＳＣＣＭ、０．２
ＳＣＣＭ、０．６ＳＣＣＭ）とともに排気系３により減
圧された反応チャンバー１内に導入する。同時に反応ガ
スである酸素（流Ｎ３．９５ＣＣＭ）も導入し、プラズ
マを発生（電力０、４ Ｗ／ｃｊ）させ、１５０分間減
圧下（９，ＯＸｌ ０２Ｔｏｒｒ）で反応を行ない、５
８０°Ｃに加熱したチタン酸バリウムセラミックス基板
上に成膜した。
得られた膜を解析すると、組成りａｏ、９５ＳｒＯ，０
４９ＹＯ，ＯＯｌＴｉ０．でヘロブスカイト型の結晶構
造をしていた。また薄膜は１２．３μｍで、キュリー温
度は１０７℃であった。さらに、くし型のアルミ電極を
真空蒸着により形成し、比抵抗を測定したところ２５°
Ｃにおいて９ｏΩ・Ｃｆｆ１で比抵抗変化率（最大比抵
抗／２５°Ｃ比抵抗）は５Ｘ１０”であった。
４９ＹＯ，ＯＯｌＴｉ０．でヘロブスカイト型の結晶構
造をしていた。また薄膜は１２．３μｍで、キュリー温
度は１０７℃であった。さらに、くし型のアルミ電極を
真空蒸着により形成し、比抵抗を測定したところ２５°
Ｃにおいて９ｏΩ・Ｃｆｆ１で比抵抗変化率（最大比抵
抗／２５°Ｃ比抵抗）は５Ｘ１０”であった。
また他の元素や金属化合物を用いた場合においても同様
にバルク値みの特性を示すＰＴＣサーミスタ薄膜が得ら
れた。その−例を表１に示す。
にバルク値みの特性を示すＰＴＣサーミスタ薄膜が得ら
れた。その−例を表１に示す。
（以 下 余 白）
なお特許請求の範囲において、プラズマを維持する時の
圧力が１．０Ｘ１０°’ 〜１． ＯＴｏｒｒとしたの
は、１、ＱＴｏｒｒ以上だと化学蒸着の際のプラズマが
有効に効かないため、６００℃以下の低温で十分なＰＴ
Ｃ特性を示すチタン酸バリウム系半導体が得られないた
めである。また１、 ０ Ｘ １０′８Ｔｏｒｒ以下だ
と成膜速度が非常に遅くなってしまうからである。
圧力が１．０Ｘ１０°’ 〜１． ＯＴｏｒｒとしたの
は、１、ＱＴｏｒｒ以上だと化学蒸着の際のプラズマが
有効に効かないため、６００℃以下の低温で十分なＰＴ
Ｃ特性を示すチタン酸バリウム系半導体が得られないた
めである。また１、 ０ Ｘ １０′８Ｔｏｒｒ以下だ
と成膜速度が非常に遅くなってしまうからである。
（実施例２）
以下本発明の一実施例のＥＣＲプラズマＣＶＤ法による
ＰＴＣサーミスタ薄膜の製造方法について図面を参照し
ながら説明する。
ＰＴＣサーミスタ薄膜の製造方法について図面を参照し
ながら説明する。
第２図はＥＣＲプラズマＣＶＤ装置の概略図を示してい
る。第２図において２１はＥＣＲの高密度プラズマを発
生させるためのプラズマ室、２２はＥＣＲに必要な磁場
を供給する電磁石であり、２３は反応室、２４はマイク
ロ波（２，４５ＧＨｚ）導入口、２５はプラズマ源とな
るガス（酸素）の導入口、２６は下地基板、２７は基板
ホルダーで、２８は反応室を強制排気するためのポンプ
（油回転ポンプおよびターボ分子ポンプ）につながって
いる排気りである。２９〜３２は原料の入った気化器で
、３３はキャリアガス（Ｎ２）導入口である。
る。第２図において２１はＥＣＲの高密度プラズマを発
生させるためのプラズマ室、２２はＥＣＲに必要な磁場
を供給する電磁石であり、２３は反応室、２４はマイク
ロ波（２，４５ＧＨｚ）導入口、２５はプラズマ源とな
るガス（酸素）の導入口、２６は下地基板、２７は基板
ホルダーで、２８は反応室を強制排気するためのポンプ
（油回転ポンプおよびターボ分子ポンプ）につながって
いる排気りである。２９〜３２は原料の入った気化器で
、３３はキャリアガス（Ｎ２）導入口である。
まずプラズマ室２１および反応室２３内を１．ＯＸ ｌ
Ｏ’ Ｔｏｒｒ以下に減圧して吸着ガス等を除去する
。次にプラズマ室２１に導入口２５からプラズマ源とな
る酸素（流量２．３ＳＣＣＭ）を導入し、導入口２４よ
り２．４５ＧＨｚのマイクロ波を４００Ｗ印加して、電
磁石により磁界強度を８７５ガウスとすることによりＥ
ＣＲプラズマを発生させる。
Ｏ’ Ｔｏｒｒ以下に減圧して吸着ガス等を除去する
。次にプラズマ室２１に導入口２５からプラズマ源とな
る酸素（流量２．３ＳＣＣＭ）を導入し、導入口２４よ
り２．４５ＧＨｚのマイクロ波を４００Ｗ印加して、電
磁石により磁界強度を８７５ガウスとすることによりＥ
ＣＲプラズマを発生させる。
その際、電磁石２２による発散磁界により発生したプラ
ズマはプラズマ室２１より反応室２３に引き出される。
ズマはプラズマ室２１より反応室２３に引き出される。
また、気化器２９〜３２にそれぞれバリウムジピバロイ
ルメタン、テトラ−ｎ−プロピルオルトチタナート、イ
ツトリウムジピバロイルメタン、ストロンチウムジピバ
ロイルメタンヲ入れておき、それぞれ１３０″Ｃ，１２
５”Ｃ，１００℃。
ルメタン、テトラ−ｎ−プロピルオルトチタナート、イ
ツトリウムジピバロイルメタン、ストロンチウムジピバ
ロイルメタンヲ入れておき、それぞれ１３０″Ｃ，１２
５”Ｃ，１００℃。
１０２℃に加熱し、その蒸気を窒素キャリア（流量それ
ぞれ１．５ＳＣＣＭ、１．４ＳＣＣＭ。
ぞれ１．５ＳＣＣＭ、１．４ＳＣＣＭ。
０．２ＳＣＣＭ Ｏ，１５ＳＣＣＭ）とともに反応室
２３に導入する。導入した蒸気をプラズマ室２１内より
引き出された活性なプラズマに触れさせることにより、
１２０分間反応を行ないチタン酸バリウムセラミックス
基板上に成膜した。なお成膜時の基板温度は４００°Ｃ
で、真空度は６，０ＸＩＯ′４Ｔｏｒｒであった。得ら
れた膜を解析すると、組成りａＯ，９６９Ｓｒ０．０３
ＹＯ，０ＯＩＴｉｏ、Ｉでペロブスカイト型の結晶構造
をしていた。また膜厚は１４．５．ｕｍで、キュリー温
度は １１２°Ｃであった。さらに、（し型のアルミ電
極を真空蒸着により形成し、比抵抗を測定したところ２
５°Ｃにおいて８２Ω・ｃｍで比抵抗変化率（最大比抵
抗／２５°Ｃ比抵抗）は６Ｘ１０３であった。以下同様
にして他の元素や他の金属化合物を用いた場合について
の結果の例を上記結果と合わせて表２に示す。
２３に導入する。導入した蒸気をプラズマ室２１内より
引き出された活性なプラズマに触れさせることにより、
１２０分間反応を行ないチタン酸バリウムセラミックス
基板上に成膜した。なお成膜時の基板温度は４００°Ｃ
で、真空度は６，０ＸＩＯ′４Ｔｏｒｒであった。得ら
れた膜を解析すると、組成りａＯ，９６９Ｓｒ０．０３
ＹＯ，０ＯＩＴｉｏ、Ｉでペロブスカイト型の結晶構造
をしていた。また膜厚は１４．５．ｕｍで、キュリー温
度は １１２°Ｃであった。さらに、（し型のアルミ電
極を真空蒸着により形成し、比抵抗を測定したところ２
５°Ｃにおいて８２Ω・ｃｍで比抵抗変化率（最大比抵
抗／２５°Ｃ比抵抗）は６Ｘ１０３であった。以下同様
にして他の元素や他の金属化合物を用いた場合について
の結果の例を上記結果と合わせて表２に示す。
（以 下 余 白）
なお、特許請求の範囲第（２）項においてプラズマを維
持するときの圧力を１．０Ｘ１０’〜１．０×１０ ’
Ｔｏｒｒとしたのは、１．０Ｘ１０′１Ｔｏｒｒ以下
だと反応生成物の成膜速度が遅く実用上問題があるため
であり、１．０ＸＩＯ′２Ｔｏｒｒ以上だとプラズマが
有効に効かないためである。
持するときの圧力を１．０Ｘ１０’〜１．０×１０ ’
Ｔｏｒｒとしたのは、１．０Ｘ１０′１Ｔｏｒｒ以下
だと反応生成物の成膜速度が遅く実用上問題があるため
であり、１．０ＸＩＯ′２Ｔｏｒｒ以上だとプラズマが
有効に効かないためである。
（実施例３）
以下本発明の一実施例のＥＣＲプラズマスパッタ法によ
るＰＴＣサーミスタ薄膜の製造方法について図面を参照
しながら説明する。第３図はＥＣＲプラズマスパッタリ
ング装置の概略図を示している。第３図において４１は
高密度プラズマを発生させるためのプラズマ室、４２は
Ｅ ＣＲ４：必要な磁場を供給する電磁石であり、４３
は反応室、４４はマイクロ波（２，４５ＧＨｚ）導入口
、４５はプラズマ源となるガスの導入口、４６はスパッ
タ電源、４７はターゲット、４８は下地基板、４９は基
板ホルダー、５０は反応室を強制排気するためのポンプ
（油回転ポンプおよびターボ分子ポンプ）につながって
いる排気口である。また５１は酸素導入口である。
るＰＴＣサーミスタ薄膜の製造方法について図面を参照
しながら説明する。第３図はＥＣＲプラズマスパッタリ
ング装置の概略図を示している。第３図において４１は
高密度プラズマを発生させるためのプラズマ室、４２は
Ｅ ＣＲ４：必要な磁場を供給する電磁石であり、４３
は反応室、４４はマイクロ波（２，４５ＧＨｚ）導入口
、４５はプラズマ源となるガスの導入口、４６はスパッ
タ電源、４７はターゲット、４８は下地基板、４９は基
板ホルダー、５０は反応室を強制排気するためのポンプ
（油回転ポンプおよびターボ分子ポンプ）につながって
いる排気口である。また５１は酸素導入口である。
まずプラズマ室４１および反応室４３内を１．ＯＸ １
０ ’ Ｔｏｒｒ以下に減圧して吸着ガス等を除去する
。次にプラズマ室４１に導入口４５からプラズマ源とな
るアルゴン（流ｉｔ３．２ＳＣＣＭ）および酸素（流量
１．１ｓｅｃＭ）を導入し、導入口４４より２．４５
ＧＨｚのマイクロ波を５００Ｗ印加して、電磁石により
磁界強度を８７５ガウスとすることによりＥＣＲプラズ
マを発生させる。そしてその際、ｉｉｔ磁石４２による
発散磁界により発生したプラズマは反応室４３に引き出
される。ターゲット４７としてＢａｏＳＴｉｅ２．Ｙ２
０８．ＳｒＯを用意しておき、スパッタ電源に３００Ｗ
印加することによりスパッタし、導入口５１より導入し
た酸素（流量１．７３ＣＣＭ）とともにＥＣＲ特有の基
板上でのイオン衝撃効果により下地基板４８上にチタン
酸バリウム系半導体薄膜を１２０分間成膜した。なお下
地基板にはチタン酸バリウム系セラミックスを用いた。
０ ’ Ｔｏｒｒ以下に減圧して吸着ガス等を除去する
。次にプラズマ室４１に導入口４５からプラズマ源とな
るアルゴン（流ｉｔ３．２ＳＣＣＭ）および酸素（流量
１．１ｓｅｃＭ）を導入し、導入口４４より２．４５
ＧＨｚのマイクロ波を５００Ｗ印加して、電磁石により
磁界強度を８７５ガウスとすることによりＥＣＲプラズ
マを発生させる。そしてその際、ｉｉｔ磁石４２による
発散磁界により発生したプラズマは反応室４３に引き出
される。ターゲット４７としてＢａｏＳＴｉｅ２．Ｙ２
０８．ＳｒＯを用意しておき、スパッタ電源に３００Ｗ
印加することによりスパッタし、導入口５１より導入し
た酸素（流量１．７３ＣＣＭ）とともにＥＣＲ特有の基
板上でのイオン衝撃効果により下地基板４８上にチタン
酸バリウム系半導体薄膜を１２０分間成膜した。なお下
地基板にはチタン酸バリウム系セラミックスを用いた。
また、成膜時の真空度は４、５ Ｘ １０” Ｔｏｒｒ
で、基板温度は３７０°Ｃであっ得られた膜を解析する
と、組成りａｏ、９５ＳｒＯ，０４９ＹＯ，ＯＯｌＴｉ
Ｏ３”ｉ：’ぺｏブスカイト型の結晶構造をしていた。
で、基板温度は３７０°Ｃであっ得られた膜を解析する
と、組成りａｏ、９５ＳｒＯ，０４９ＹＯ，ＯＯｌＴｉ
Ｏ３”ｉ：’ぺｏブスカイト型の結晶構造をしていた。
薄膜は１３．８μｍで、キュリー温度は１０８°Ｃであ
った。さらに、くし型のアルミ電極を真空蒸着により形
成し、比抵抗を測定したところ２５°Ｃにおいて８８Ω
・ｃｍで比抵抗変化率（最大比抵抗／２５°Ｃ比抵抗）
は６×１０８１であった。
った。さらに、くし型のアルミ電極を真空蒸着により形
成し、比抵抗を測定したところ２５°Ｃにおいて８８Ω
・ｃｍで比抵抗変化率（最大比抵抗／２５°Ｃ比抵抗）
は６×１０８１であった。
また、他のターゲットを用いて成膜した場合にも同様に
ＰＴＣサーミスタ薄膜が得られ、２５°Ｃにおける比抵
抗２４０Ω・ｃｍ以下で、比抵抗変化率２Ｘ１０３以上
のものが得られた。
ＰＴＣサーミスタ薄膜が得られ、２５°Ｃにおける比抵
抗２４０Ω・ｃｍ以下で、比抵抗変化率２Ｘ１０３以上
のものが得られた。
なお、特許請求の範囲第（３）項においてプラズマを維
持するときの圧力を１．０ｘ１０ｉ〜１．ＯＸｌ ０
” Ｔｏｒｒとしたのは、１．ＯＸ １０’ Ｔｏｒｒ
以下だと反応生成物の成膜速度が遅く実用上問題がある
ためであり、１．０ＸＩ０２Ｔｏｒｒ以上だとプラズマ
が有効に効かないためである。
持するときの圧力を１．０ｘ１０ｉ〜１．ＯＸｌ ０
” Ｔｏｒｒとしたのは、１．ＯＸ １０’ Ｔｏｒｒ
以下だと反応生成物の成膜速度が遅く実用上問題がある
ためであり、１．０ＸＩ０２Ｔｏｒｒ以上だとプラズマ
が有効に効かないためである。
発明の効果
以上述べてきたように本発明は、プラズマの活性さを利
用した成膜方法であるため、６００°Ｃ以下の低温でバ
ルク並みのＰＴＣ特性を示すＰＴＣサーミスタ薄膜を合
成できる製造方法であり、きわめて有益な発明である。
用した成膜方法であるため、６００°Ｃ以下の低温でバ
ルク並みのＰＴＣ特性を示すＰＴＣサーミスタ薄膜を合
成できる製造方法であり、きわめて有益な発明である。
第１図は、本発明の一実施例におけるプラズマＣＶＤ装
置の概略図、第２図は本発明の一実施例におけるＥＣＲ
プラズマＣＶＤ装置の概略図、第３図は、本発明の一実
施例におけるＥＣＲプラズマスパッタリング装置の概略
図である。 ■・・・・・・反応チャンバー、２・・・・・・電極、
３・・・・・・排気系、４・・・・・・下地基板、５・
・・・・・高周波電源、６〜９・・・・・・気化器、１
０・・・・・・キャリアガス導入口、１１・・・・・・
反応ガス導入口、１２・・・・・・基板加熱ヒーター
置の概略図、第２図は本発明の一実施例におけるＥＣＲ
プラズマＣＶＤ装置の概略図、第３図は、本発明の一実
施例におけるＥＣＲプラズマスパッタリング装置の概略
図である。 ■・・・・・・反応チャンバー、２・・・・・・電極、
３・・・・・・排気系、４・・・・・・下地基板、５・
・・・・・高周波電源、６〜９・・・・・・気化器、１
０・・・・・・キャリアガス導入口、１１・・・・・・
反応ガス導入口、１２・・・・・・基板加熱ヒーター
Claims (12)
- （１）イットリウム、トリウム、希土類元素、ニオブ、
タンタル、タングステン、アンチモン、ビスマスの群の
中のいずれかの元素を含む化合物とバリウムを含む化合
物とチタンを含む化合物の混合蒸気、またはストロンチ
ウム、スズ、ジルコニウム、鉛の群の中のいずれかの元
素を含む化合物の蒸気と前記混合蒸気を、減圧プラズマ
中で分解させ、対象基板上にチタン酸バリウム系半導体
を化学蒸着することを特徴とするＰＴＣサーミスタ薄膜
の製造方法。 - （２）イットリウム、トリウム、希土類元素、ニオブ、
タンタル、タングステン、アンチモン、ビスマスの群の
中のいずれかの元素を含む化合物とバリウムを含む化合
物とチタンを含む化合物の混合蒸気、またはストロンチ
ウム、スズ、ジルコニウム、鉛の群の中のいずれかの元
素を含む化合物の蒸気と前記混合蒸気を、電子サイクロ
トロン共鳴を用いて発生させた高密度酸素プラズマを利
用して分解させ、対象基板上にチタン酸バリウム系半導
体を化学蒸着することを特徴とするＰＴＣサーミスタ薄
膜の製造方法。 - （３）イットリウム、トリウム、希土類元素、ニオブ、
タンタル、タングステン、アンチモン、ビスマスの群の
中のいずれかの元素を含む金属又は化合物とバリウムを
含む金属又は化合物とチタンを含む金属又は化合物のタ
ーゲット、または前記ターゲットとストロニチウム、ス
ズ、ジルコニウム、鉛の群の中のいずかの元素を含む金
属または化合物のターゲットを用いて、対象基板上に前
記金属又は化合物をスパッタリングしながら、電子サイ
クロトロン共鳴を用いて発生させた高密度酸素プラズマ
を対象基板上に照射して、チタン酸バリウム系半導体を
形成することを特徴とするＰＴＣサーミスタ薄膜の製造
方法。 - （４）バリウムを含む化合物およびストロンチウムを含
む化合物が、β−ジケトン系金属錯体であることを特徴
とする請求項（１）または（２）のいずれかに記載のＰ
ＴＣサーミスタ薄膜の製造方法。 - （５）チタンを含む化合物、ジルコニウムを含む化合物
、イットリウムを含む化合物およびトリウムを含む化合
物および希土類元素を含む化合物が、β−ジケトン系金
属錯体またはビスシクロペンタジエニル錯塩または金属
アルコキシドであることを特徴とする請求項（１）また
は（２）のいずれかに記載のＰＴＣサーミスタ薄膜の製
造方法。 - （６）アンチモンを含む化合物が、β−ジケトン金属錯
体またはビスシクロペンタジエニル錯塩または金属アル
コキシドまたはトリフェニルアンチモニであることを特
徴とする請求項（１）または（２）のいずれかに記載の
ＰＴＣサーミスタ薄膜の製造方法。 - （７）ビスマスを含む化合物が、β−ジケトン金属錯体
またはビスシクロペンタジエニル錯塩または金属アルコ
キシドまたはトリフェニルビスマスであることを特徴と
する請求項（１）または（２）のいずれかに記載のＰＴ
Ｃサーミスタ薄膜の製造方法。 - （８）スズを含む化合物が、β−ジケトン系金属錯体ま
たは、ビスシクロペンタジエニル錯塩または金属アルコ
キシドまたはテトラメチルスズまたはテトラ−ｎ−ブチ
ルスズまたは酢酸トリ−ｎ−ブチルスズまたは二酢酸ジ
−ｎ−ブチルスズまたは酸化ジ−ｎ−ブチルスズまたは
テトラフェニルスズであることを特徴とする請求項（１
）または（２）のいずれかに記載のＰＴＣサーミスタ薄
膜の製造方法。 - （９）鉛を含む化合物が、β−ジケトン系金属錯体また
はビスシクロペンタジエニル錯塩または金属アルコキシ
ドまたは酢酸塩またはテトラフェニル鉛であることを特
徴とする請求項（１）または（２）のいずれかに記載の
ＰＴＣサーミスタ薄膜の製造方法。 - （１０）タングステンを含む化合物、ニオブを含む化合
物およびタンタルを含む化合物が、β−ジケトン系金属
錯体またはビスシクロペンタジエニル錯塩または金属ア
ルコキシドまたは金属カルボニルであることを特徴とす
る請求項（１）または（２）のいずれかに記載のＰＴＣ
サーミスタ薄膜の製造方法。 - （１１）プラズマを維持するときの圧力が▲数式、化学
式、表等があります▼〜１．０Ｔｏｒｒであることを特
徴とする請求項（１）記載のＰＴＣサーミスタ薄膜の製
造方法。 - （１２）プラズマを維持するときの圧力が１．０×１０
＾−＾５〜１．０×１０＾−＾２Ｔｏｒｒであることを
特徴とする請求項（２）または（３）のいずれかに記載
のＰＴＣサーミスタ薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63311073A JP2543165B2 (ja) | 1988-12-08 | 1988-12-08 | Ｐｔｃサ―ミスタ薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63311073A JP2543165B2 (ja) | 1988-12-08 | 1988-12-08 | Ｐｔｃサ―ミスタ薄膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02156503A true JPH02156503A (ja) | 1990-06-15 |
| JP2543165B2 JP2543165B2 (ja) | 1996-10-16 |
Family
ID=18012789
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63311073A Expired - Lifetime JP2543165B2 (ja) | 1988-12-08 | 1988-12-08 | Ｐｔｃサ―ミスタ薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2543165B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06287757A (ja) * | 1993-04-02 | 1994-10-11 | Nec Corp | 酸化物あるいは複合酸化物の薄膜の製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0277102A (ja) * | 1988-04-20 | 1990-03-16 | Tokin Corp | 正特性サーミスタ及びその製造方法 |
-
1988
- 1988-12-08 JP JP63311073A patent/JP2543165B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0277102A (ja) * | 1988-04-20 | 1990-03-16 | Tokin Corp | 正特性サーミスタ及びその製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06287757A (ja) * | 1993-04-02 | 1994-10-11 | Nec Corp | 酸化物あるいは複合酸化物の薄膜の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2543165B2 (ja) | 1996-10-16 |
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