JPH0214596A - 回路基板上に部品を固着させる方法 - Google Patents
回路基板上に部品を固着させる方法Info
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 37
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 83
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims abstract description 13
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 80
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 13
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 13
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 10
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 9
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 6
- 239000003999 initiator Substances 0.000 claims description 6
- 239000013008 thixotropic agent Substances 0.000 claims description 6
- 239000007848 Bronsted acid Substances 0.000 claims description 5
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 5
- 239000002318 adhesion promoter Substances 0.000 claims description 5
- GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N diglycidyl ether Chemical compound C1OC1COCC1CO1 GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 230000009471 action Effects 0.000 claims description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 4
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000010526 radical polymerization reaction Methods 0.000 claims description 3
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000002841 Lewis acid Substances 0.000 claims 2
- 150000007517 lewis acids Chemical class 0.000 claims 2
- DNIAPMSPPWPWGF-GSVOUGTGSA-N (R)-(-)-Propylene glycol Chemical compound C[C@@H](O)CO DNIAPMSPPWPWGF-GSVOUGTGSA-N 0.000 claims 1
- 239000012190 activator Substances 0.000 claims 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract description 15
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 abstract description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 abstract 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 20
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 17
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- -1 aliphatic alcohols Chemical class 0.000 description 12
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 12
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 10
- 150000002118 epoxides Chemical class 0.000 description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N Vinyl ether Chemical class C=COC=C QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 5
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 5
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 5
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 4
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 4
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 4
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 4
- 125000005520 diaryliodonium group Chemical group 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- 125000003055 glycidyl group Chemical group C(C1CO1)* 0.000 description 4
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N benzoin Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(O)C(=O)C1=CC=CC=C1 ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000007942 carboxylates Chemical class 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 125000005395 methacrylic acid group Chemical group 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 125000000229 (C1-C4)alkoxy group Chemical group 0.000 description 2
- CYIGRWUIQAVBFG-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(2-ethenoxyethoxy)ethane Chemical compound C=COCCOCCOCCOC=C CYIGRWUIQAVBFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FRIBMENBGGCKPD-UHFFFAOYSA-N 3-(2,3-dimethoxyphenyl)prop-2-enal Chemical compound COC1=CC=CC(C=CC=O)=C1OC FRIBMENBGGCKPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 244000028419 Styrax benzoin Species 0.000 description 2
- 235000000126 Styrax benzoin Nutrition 0.000 description 2
- 235000008411 Sumatra benzointree Nutrition 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 description 2
- WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N adipic acid Chemical compound OC(=O)CCCCC(O)=O WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229960002130 benzoin Drugs 0.000 description 2
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- RWGFKTVRMDUZSP-UHFFFAOYSA-N cumene Chemical compound CC(C)C1=CC=CC=C1 RWGFKTVRMDUZSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229940052303 ethers for general anesthesia Drugs 0.000 description 2
- 235000019382 gum benzoic Nutrition 0.000 description 2
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 2
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 2
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N phenanthrene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920001567 vinyl ester resin Polymers 0.000 description 2
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 2
- ZXHDVRATSGZISC-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(ethenoxy)ethane Chemical compound C=COCCOC=C ZXHDVRATSGZISC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CZAVRNDQSIORTH-UHFFFAOYSA-N 1-ethenoxy-2,2-bis(ethenoxymethyl)butane Chemical compound C=COCC(CC)(COC=C)COC=C CZAVRNDQSIORTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 1755-01-7 Chemical compound C1[C@H]2[C@@H]3CC=C[C@@H]3[C@@H]1C=C2 HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- OWYWGLHRNBIFJP-UHFFFAOYSA-N Ipazine Chemical compound CCN(CC)C1=NC(Cl)=NC(NC(C)C)=N1 OWYWGLHRNBIFJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001635529 Orius Species 0.000 description 1
- 101100332768 Oscheius tipulae eft-1 gene Proteins 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000001361 adipic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011037 adipic acid Nutrition 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000001334 alicyclic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 125000006267 biphenyl group Chemical group 0.000 description 1
- IFVTZJHWGZSXFD-UHFFFAOYSA-N biphenylene Chemical group C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C2=C1 IFVTZJHWGZSXFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940106691 bisphenol a Drugs 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 238000010538 cationic polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000008199 coating composition Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 239000011231 conductive filler Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- NZNMSOFKMUBTKW-UHFFFAOYSA-N cyclohexanecarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1CCCCC1 NZNMSOFKMUBTKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 150000002009 diols Chemical class 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- LDLDYFCCDKENPD-UHFFFAOYSA-N ethenylcyclohexane Chemical compound C=CC1CCCCC1 LDLDYFCCDKENPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000008240 homogeneous mixture Substances 0.000 description 1
- 238000007603 infrared drying Methods 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 231100001231 less toxic Toxicity 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 1
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 150000004965 peroxy acids Chemical class 0.000 description 1
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N phenylbenzene Natural products C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 1
- 229920005862 polyol Polymers 0.000 description 1
- 150000003077 polyols Chemical class 0.000 description 1
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000001029 thermal curing Methods 0.000 description 1
- 238000012719 thermal polymerization Methods 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- 125000005409 triarylsulfonium group Chemical group 0.000 description 1
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960000834 vinyl ether Drugs 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
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- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
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- H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
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- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
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- H05K3/303—Surface mounted components, e.g. affixing before soldering, aligning means, spacing means
- H05K3/305—Affixing by adhesive
-
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は部品又は回路基板の所定部分に光活性化可能な
接着剤を施し、この部品を上記回路基板上に取着させ、
温度60〜140℃で上記接着剤を硬化させて回路基板
上fこ部品を固着させる方法に関する。
接着剤を施し、この部品を上記回路基板上に取着させ、
温度60〜140℃で上記接着剤を硬化させて回路基板
上fこ部品を固着させる方法に関する。
(従来の技術)
この種の固着方法として西独特許& 2,904,64
9にいわゆる表面装着技術(SMT)が提案されており
、キャパシタ、レジスタ等の電子部品を回路基板、例え
ばプリント回路基板、ハイブリッドIC等1こ、光活性
化可能な接着剤を介して取着される。
9にいわゆる表面装着技術(SMT)が提案されており
、キャパシタ、レジスタ等の電子部品を回路基板、例え
ばプリント回路基板、ハイブリッドIC等1こ、光活性
化可能な接着剤を介して取着される。
この場合、接着剤は部品と回路基板との間の接着が得ら
れるまで部品を回路基板上に強く固定する役目を果して
いる。
れるまで部品を回路基板上に強く固定する役目を果して
いる。
この公知の方法において、UV硬化型樹脂が接−1削と
して用いられ、この接着剤には重合性モノマー 感光剤
、重合開始剤、さらに必要に応じ一連の充填剤が適当に
配合される。
して用いられ、この接着剤には重合性モノマー 感光剤
、重合開始剤、さらに必要に応じ一連の充填剤が適当に
配合される。
UV硬化型アクリレート樹脂は光が当る部分では急速に
硬化するが、影っな場所、即ち部品によりy <1され
る部分では第2の硬化手段を要する。
硬化するが、影っな場所、即ち部品によりy <1され
る部分では第2の硬化手段を要する。
この第2の硬化は熱重合のための開始剤によりなされ、
高温を要するものである。しかし、電子部品に対する熱
負荷が大きければ大きいほど、この部品の統計的寿命が
より短くなる。
高温を要するものである。しかし、電子部品に対する熱
負荷が大きければ大きいほど、この部品の統計的寿命が
より短くなる。
この接着剤の熱硬化の間の熱負荷を減少させる手段とし
て、各部品に対し、接着剤を2点ずつ用いる方法が試み
られている。即ち、接着剤の半分を部品の真下に配し、
あとの半分を部品の近傍iこ直接配し、これにより第1
回目のUV硬化段階での硬化度を高めようとするもので
ある。しかし、ハウジングの回りに並列されたピンを有
するICチップでは接着剤をこのように半分に分けて設
は得る自由空間が存在しない。
て、各部品に対し、接着剤を2点ずつ用いる方法が試み
られている。即ち、接着剤の半分を部品の真下に配し、
あとの半分を部品の近傍iこ直接配し、これにより第1
回目のUV硬化段階での硬化度を高めようとするもので
ある。しかし、ハウジングの回りに並列されたピンを有
するICチップでは接着剤をこのように半分に分けて設
は得る自由空間が存在しない。
さらに公知の方法で用いられるUV硬化型接着剤は空気
中の酸素にも繁昌である。さらに、しばしば必要とされ
る接着剤の濃い着色はUV照射の浸透深さを減少させ、
硬化の完全性を妨げ、のちに腐蝕の原因ともなる。
中の酸素にも繁昌である。さらに、しばしば必要とされ
る接着剤の濃い着色はUV照射の浸透深さを減少させ、
硬化の完全性を妨げ、のちに腐蝕の原因ともなる。
ヨーロッパ特許公開公報庵0182744 には充填
剤を含む光硬化型エポキシ樹脂組成物が開示されている
。これには少なくとも1種のメタロセン型の光重合開発
剤が含まれ、この組成物中に導電性充填剤が含まれる場
合はマイクロ電子システム中の能動及び受働部品を回路
基板上に接着させるために用いることができる。UV誘
導光硬化をおこなったのち、必要に応じ熱硬化がおこな
われる。
剤を含む光硬化型エポキシ樹脂組成物が開示されている
。これには少なくとも1種のメタロセン型の光重合開発
剤が含まれ、この組成物中に導電性充填剤が含まれる場
合はマイクロ電子システム中の能動及び受働部品を回路
基板上に接着させるために用いることができる。UV誘
導光硬化をおこなったのち、必要に応じ熱硬化がおこな
われる。
ヨーロッパ特許/K 0.279199にはUV硬化性
反応性樹脂組成物を処理するための方法、及び装置が開
示されている。ここにおいて、UV硬化性反応性樹脂組
成物は適用装置内で照射され、基板又はキヤステング用
型に直接供給される。しかし、この公報には回路基板に
部品を装着させる方法については考慮されていない。さ
らに特開昭61−98740にもUV反応性樹脂マトリ
ックスを用いた成形用及びコーティング用組成物の製造
についての記載がある。しかし、これにも回路基板に部
品を取着させることζこついては何も述べられていない
。
反応性樹脂組成物を処理するための方法、及び装置が開
示されている。ここにおいて、UV硬化性反応性樹脂組
成物は適用装置内で照射され、基板又はキヤステング用
型に直接供給される。しかし、この公報には回路基板に
部品を装着させる方法については考慮されていない。さ
らに特開昭61−98740にもUV反応性樹脂マトリ
ックスを用いた成形用及びコーティング用組成物の製造
についての記載がある。しかし、これにも回路基板に部
品を取着させることζこついては何も述べられていない
。
(従来の線順を解決するための手段)
本発明は回路基板上に部品、特lこSMDs(表面装着
装置)を取着させるための方法であって、従来よりも短
時間、低温で接着剤組成物の硬化を可能とし、しかも部
品を回路基板に取着させる間において、接着剤の濡れ性
を損うことのない方法を提供することを目的とする。
装置)を取着させるための方法であって、従来よりも短
時間、低温で接着剤組成物の硬化を可能とし、しかも部
品を回路基板に取着させる間において、接着剤の濡れ性
を損うことのない方法を提供することを目的とする。
この本発明の目的は取着されるべき部品を回路基板上に
取着させる前にこの接着剤に波長200〜600 nm
の光を照射させて活性化させ、かつこの活性化の程度を
この接着剤の所望の初期粘着性が維持されるとともに、
その表面に未だ皮膜が形成されない程度とする方法を採
用することにより達成することができる。
取着させる前にこの接着剤に波長200〜600 nm
の光を照射させて活性化させ、かつこの活性化の程度を
この接着剤の所望の初期粘着性が維持されるとともに、
その表面に未だ皮膜が形成されない程度とする方法を採
用することにより達成することができる。
この活性化された接着剤の初期粘着性は部品を回路基板
に取着させたのち、これを接着剤の熱硬化するための場
所に搬送するのに十分な程度とする。この粘着性の程度
は簡単な予備的テストにより当業者が容易に判断し得る
もので、部品及び回路基板の型、材質により変る。初期
粘着度を適当に選ぶことにより部品取着部位から熱硬化
処理部位に搬送する間、部品が回路基板上の所定の位置
から全くずれることを防止することができる。
に取着させたのち、これを接着剤の熱硬化するための場
所に搬送するのに十分な程度とする。この粘着性の程度
は簡単な予備的テストにより当業者が容易に判断し得る
もので、部品及び回路基板の型、材質により変る。初期
粘着度を適当に選ぶことにより部品取着部位から熱硬化
処理部位に搬送する間、部品が回路基板上の所定の位置
から全くずれることを防止することができる。
本発明の方法は部品を回路基板上に固着させるのに際し
、光活性化可能な単一成分組成物を用い、貯ぞう寿命が
良好で、しかも活性死後低温で完全に重合させることが
できるという利点を有する。
、光活性化可能な単一成分組成物を用い、貯ぞう寿命が
良好で、しかも活性死後低温で完全に重合させることが
できるという利点を有する。
露光゛段階で生成した活性化成分の寿命が長いため、部
品を所定の場所に配置させる前に、この接着剤組成物を
露光させることができる。したがって、影になった区域
での接着剤の不完全硬化という従来の欠点は本発明の方
法により解消される。UVによる活性化及び熱硬化の双
方の作用が本発明の方法により適用された接着剤層全域
に亘って平均的に施され、接着剤層が取着された部品に
よって覆われていても、いなくても有意差はない。
品を所定の場所に配置させる前に、この接着剤組成物を
露光させることができる。したがって、影になった区域
での接着剤の不完全硬化という従来の欠点は本発明の方
法により解消される。UVによる活性化及び熱硬化の双
方の作用が本発明の方法により適用された接着剤層全域
に亘って平均的に施され、接着剤層が取着された部品に
よって覆われていても、いなくても有意差はない。
本発明の方法の利点を列挙すると以下の通りである。
使用されるモノマーは揮発性か/」1さく、粘度も低い
。さらに毒性も少ない。
。さらに毒性も少ない。
空気中のrR素により反応が阻害されることもなく、従
って層の汚れが生じない。
って層の汚れが生じない。
異なった基板上でも良好な接着がなされる。
接着層の化学的、物理的特性がすぐれている。
急速で、問題のない活性化が可能で、低温で極めて短時
間で完全な硬化を達成することができる。
間で完全な硬化を達成することができる。
未活性化組成物の貯ぞう条件下での安定性が極めて高い
。
。
回路基板上にて部品をこれらの間の固着が達せられるま
での間、十分な強度を以って部品を保持させることがで
きる。同時に、導電性接着剤の場合と異なり、その強度
は部品等に損傷を与え修理を必要とするような危険性な
しには部品を取り除くことができない程度に強固でもな
い。
での間、十分な強度を以って部品を保持させることがで
きる。同時に、導電性接着剤の場合と異なり、その強度
は部品等に損傷を与え修理を必要とするような危険性な
しには部品を取り除くことができない程度に強固でもな
い。
本発明によれば活性化工程は露光時間、化学線ランプか
らのエネルギ量、光の波長範囲の調整;こより、のちの
急速な硬化のための反応性成分が未だ十分に存在するよ
うにするとともに、部品rこ対する適当な濡れが妨げら
れて接着剤の機能を失すせるような表面部の重合による
皮膜の形成が生じないようにしておこなうことができる
。
らのエネルギ量、光の波長範囲の調整;こより、のちの
急速な硬化のための反応性成分が未だ十分に存在するよ
うにするとともに、部品rこ対する適当な濡れが妨げら
れて接着剤の機能を失すせるような表面部の重合による
皮膜の形成が生じないようにしておこなうことができる
。
従来公知の接着剤組成物の場合、即ち、部品を回路基板
に接着させるために用いられる組成物の場合、接着剤の
表面部にポリマーフィルム(皮膜)が形成され、光の影
響により一部硬化させる3社いうものであった。
に接着させるために用いられる組成物の場合、接着剤の
表面部にポリマーフィルム(皮膜)が形成され、光の影
響により一部硬化させる3社いうものであった。
他方、本発明の場合は部品を回路基板上に設定したのち
は露光は不要であり、したがりて、回路基板上の部品に
より影の部分が生じても、これにより接着が損われると
いうことはない。また、部品の設定前に接着剤の活性化
をおこなうため、のちの熱硬化が著るしく促進され、従
来、部品を回路基板上に接着させるために用いられてい
た熱硬化性接着剤と較べその硬化速度はより急速となる
。
は露光は不要であり、したがりて、回路基板上の部品に
より影の部分が生じても、これにより接着が損われると
いうことはない。また、部品の設定前に接着剤の活性化
をおこなうため、のちの熱硬化が著るしく促進され、従
来、部品を回路基板上に接着させるために用いられてい
た熱硬化性接着剤と較べその硬化速度はより急速となる
。
本発明において、UV透導活性化は接着剤を回路基板又
は部品上に塗布したのち、又はこの塗布前(例えば塗布
装置例えばデイスペンサー内で)に波長200〜5 Q
Q nmの光を照射することにおこなうことができる
。
は部品上に塗布したのち、又はこの塗布前(例えば塗布
装置例えばデイスペンサー内で)に波長200〜5 Q
Q nmの光を照射することにおこなうことができる
。
接着剤を塗布する前に活性化をおこなった場合は接着剤
を回路M&又は部品/c施す前1秒ないし10分の間、
好ましくは1分以内におこなう。この場合、この予備活
性化された接着剤が実際上粘度の変化(例えば所望の初
期粘着性が実質的に失われたり、接着剤の表面lこ接着
を妨害するような皮膜が実質的に生じたりすること)が
接着剤塗布前少なくとも1分、好ましくは5分、より好
ましくは20分の間、生じないように露光の強度及び時
間を選択することが好ましい。
を回路M&又は部品/c施す前1秒ないし10分の間、
好ましくは1分以内におこなう。この場合、この予備活
性化された接着剤が実際上粘度の変化(例えば所望の初
期粘着性が実質的に失われたり、接着剤の表面lこ接着
を妨害するような皮膜が実質的に生じたりすること)が
接着剤塗布前少なくとも1分、好ましくは5分、より好
ましくは20分の間、生じないように露光の強度及び時
間を選択することが好ましい。
本発明の好ましい例としては接着剤の活性化を波長30
0−500nmの光を用い、0.5ないし300秒問お
こない、部品を回路基板上に取着させたのちの接着剤の
硬化を15分以下の時間でおこなう方法が挙げられる。
0−500nmの光を用い、0.5ないし300秒問お
こない、部品を回路基板上に取着させたのちの接着剤の
硬化を15分以下の時間でおこなう方法が挙げられる。
より好ましい例としては接着剤の活性化を白昼光又は白
昼光発生装置を用い、波長400〜600nm1より好
ましくは4oo〜5 Q Q nmの光によりおこなう
ことである。このようにしてなされた接着はいずれにし
ても極めて強く、のちの半田付は処理(特にウェーブ(
Wave )又はドラッグ(drag)半田浴において
)における物理的負荷lこ容易kiえるこさができ、同
時lζ篭子部品に対する熱的負荷も適当に低くすること
ができる。
昼光発生装置を用い、波長400〜600nm1より好
ましくは4oo〜5 Q Q nmの光によりおこなう
ことである。このようにしてなされた接着はいずれにし
ても極めて強く、のちの半田付は処理(特にウェーブ(
Wave )又はドラッグ(drag)半田浴において
)における物理的負荷lこ容易kiえるこさができ、同
時lζ篭子部品に対する熱的負荷も適当に低くすること
ができる。
本発明の他の利点は光活性化可能な接着剤として活性化
前において流動性を示し、粘度が0.05〜1000
Pa、sのカチオン硬化性接着剤組成物を用いることが
できることである。
前において流動性を示し、粘度が0.05〜1000
Pa、sのカチオン硬化性接着剤組成物を用いることが
できることである。
接着剤組成物の操作性と濡れ性との妥協の点からみてよ
り好ましい接着剤は粘度(活性化前)が0.1〜500
Pa、s 、 サラlC好マしく ハ0,4〜200
P、。
り好ましい接着剤は粘度(活性化前)が0.1〜500
Pa、s 、 サラlC好マしく ハ0,4〜200
P、。
のものである。
カチオン反応機構により主たる重合がなされる光重合性
組成物として下記の混合物からなる接着剤が本発明の方
法に好適に用いられる。
組成物として下記の混合物からなる接着剤が本発明の方
法に好適に用いられる。
(al 少なくとも1種のカチオン硬化性樹脂及び/
又はカチオン重合性モノマー10〜g g、 95 ’
jJ(17% s好ましくは70〜98重f%と; rb+ 光+c 、+: リルユイス酸又はブレンス
テッド酸を形成させる少なくとも一種の光重合開始剤0
.05〜10重量%、好ましくは2〜6重量%と;(c
) 少なくとも1種の充填剤、チキソトロピー化剤、
接着促進剤及び/又は他の従来の添加剤〇〜89.95
1f%、好ましくはo〜28x!%と:からなる接着剤
。
又はカチオン重合性モノマー10〜g g、 95 ’
jJ(17% s好ましくは70〜98重f%と; rb+ 光+c 、+: リルユイス酸又はブレンス
テッド酸を形成させる少なくとも一種の光重合開始剤0
.05〜10重量%、好ましくは2〜6重量%と;(c
) 少なくとも1種の充填剤、チキソトロピー化剤、
接着促進剤及び/又は他の従来の添加剤〇〜89.95
1f%、好ましくはo〜28x!%と:からなる接着剤
。
本発明の他の好ましい例としてカチオン硬化機構のほか
ラジカル硬化機構により重合がなされる光重合性組成物
(樹脂及び/又は七ツマ−)を本発明の方法に適用する
ことができる。このような接着剤組成物は下記組成から
なる。
ラジカル硬化機構により重合がなされる光重合性組成物
(樹脂及び/又は七ツマ−)を本発明の方法に適用する
ことができる。このような接着剤組成物は下記組成から
なる。
(a) 少なくとも1種のカチオン硬化性樹脂及び/
又はカチオン重合性モノマー10〜89.9重f%と: (b) 光によりルエイス酸又はブレンステッド酸を
形成させる少なくとも1種の光重合開始剤0.05〜1
0重量%と: (c) 少なくとも1種の充填剤、チキソトロピー化
剤、接着促進剤及び/又は従来の添加剤0〜89.91
i%と: (d) ラジカル重合により重合する少なくとも1種
の樹脂及び/又はモノマー10〜80重−ii:%と:
(el 光の作用によりラジカルを生成させる少なく
とも1種の光重合開始剤0.05〜57i量チと;(f
l 少なくとも1種の感光剤及び/又は活性化剤0,
05〜5重量%と: からなる接着剤。
又はカチオン重合性モノマー10〜89.9重f%と: (b) 光によりルエイス酸又はブレンステッド酸を
形成させる少なくとも1種の光重合開始剤0.05〜1
0重量%と: (c) 少なくとも1種の充填剤、チキソトロピー化
剤、接着促進剤及び/又は従来の添加剤0〜89.91
i%と: (d) ラジカル重合により重合する少なくとも1種
の樹脂及び/又はモノマー10〜80重−ii:%と:
(el 光の作用によりラジカルを生成させる少なく
とも1種の光重合開始剤0.05〜57i量チと;(f
l 少なくとも1種の感光剤及び/又は活性化剤0,
05〜5重量%と: からなる接着剤。
ラジカル重合機構に従って重合する樹脂及び/又は七ツ
マ−として、1価又は多価アルコールのアクリル酸及び
/又はメタクリル酸エステルヲ用いることができ、特に
多価アルコールのアクリル酸及び/又はメタクリル酸エ
ステルが特に好ましい。
マ−として、1価又は多価アルコールのアクリル酸及び
/又はメタクリル酸エステルヲ用いることができ、特に
多価アルコールのアクリル酸及び/又はメタクリル酸エ
ステルが特に好ましい。
本発明に用いられるカチオン硬化性樹脂又はカチオン硬
化性モノマーとしては1−又は多官能性ビニルエーテル
およびビニルエステルが適当である。この適当なビニル
エーテルの例としてはトリメチロールプロパン−トリビ
ニルエーテル、エチレングリコール−ジビニルエーテル
及び環式ビニルエーテルである。このうち、トリエチレ
ングリコール−ジビニルエーテルが特に好ましい。
化性モノマーとしては1−又は多官能性ビニルエーテル
およびビニルエステルが適当である。この適当なビニル
エーテルの例としてはトリメチロールプロパン−トリビ
ニルエーテル、エチレングリコール−ジビニルエーテル
及び環式ビニルエーテルである。このうち、トリエチレ
ングリコール−ジビニルエーテルが特に好ましい。
多官能性アルコールのビニルエステル及びビニルエーテ
ルが一般に好ましい。特にビニルエーテル末端基を有す
るポリエチレン−及びポリプロピレン−グリコールが好
ましい。その他、カチオン重合性複im式化合物、例え
ばエポキシドも適用可能である。例えば1価及び多価ア
ルコールのグリシジルエーテル、例えばビスフェノール
−Aのジグリシジルエぎyルが好適に使用し得る。高い
反応性を達成するためには脂環式化合物のジー又はポリ
エポキシドがより好ましい。例えば脂環式ジオール及び
ポリオールのグリシジルエーテル及びβ−メチルグリシ
ジルエーテルを用いることができる。その他の使用可能
なグリシジル化合物としてはカルボン酸、特番こジー及
びポリカルボン酸のグリシジルエステル、例えばコハク
酸、アジピン酸又はフタル酸のグリシジルエステルなど
がある。
ルが一般に好ましい。特にビニルエーテル末端基を有す
るポリエチレン−及びポリプロピレン−グリコールが好
ましい。その他、カチオン重合性複im式化合物、例え
ばエポキシドも適用可能である。例えば1価及び多価ア
ルコールのグリシジルエーテル、例えばビスフェノール
−Aのジグリシジルエぎyルが好適に使用し得る。高い
反応性を達成するためには脂環式化合物のジー又はポリ
エポキシドがより好ましい。例えば脂環式ジオール及び
ポリオールのグリシジルエーテル及びβ−メチルグリシ
ジルエーテルを用いることができる。その他の使用可能
なグリシジル化合物としてはカルボン酸、特番こジー及
びポリカルボン酸のグリシジルエステル、例えばコハク
酸、アジピン酸又はフタル酸のグリシジルエステルなど
がある。
特に反応性の高いグリシジル化合物の例としては、ビニ
ルシクロヘキサン及びジシクロペンタジェンのジエボキ
シド、さらに3”−(3’ 、 4’−エポキシシクロ
ヘキシル)−8,9−エポキシ−2,4−ジオキシスピ
ロ(5、5)−ウンデカン及び3,4−エポキシシクロ
ヘキシルメチル−3′、4′−エポキシシクロへキシル
カルボキシレートなどがある。
ルシクロヘキサン及びジシクロペンタジェンのジエボキ
シド、さらに3”−(3’ 、 4’−エポキシシクロ
ヘキシル)−8,9−エポキシ−2,4−ジオキシスピ
ロ(5、5)−ウンデカン及び3,4−エポキシシクロ
ヘキシルメチル−3′、4′−エポキシシクロへキシル
カルボキシレートなどがある。
好ましいエポキシド樹脂としては2価フェノール又は2
〜4個の炭素原子を有する2価脂肪族アルコールのジグ
リシジルエーテル(多分、予備長鎖化及び/又はプレポ
リマー形にしたもの)などがあり、特に予備長鎖化した
2、2−ビス−(4−+−ドロキシフェニル)−プロパ
ンのジグリシジルエーテルが好ましい。
〜4個の炭素原子を有する2価脂肪族アルコールのジグ
リシジルエーテル(多分、予備長鎖化及び/又はプレポ
リマー形にしたもの)などがあり、特に予備長鎖化した
2、2−ビス−(4−+−ドロキシフェニル)−プロパ
ンのジグリシジルエーテルが好ましい。
ルユイル酸又はブレンステッド酸を露光下で生じさせる
光重合開始剤として本発明で有用なものは従来カチオン
重合で用いられているものであり、例えばアリールジア
ゾニウム塩、ジアリールイオドニウム塩、トリアリール
スルホニウム塩及びメタロセン状の錯塩が用いられる。
光重合開始剤として本発明で有用なものは従来カチオン
重合で用いられているものであり、例えばアリールジア
ゾニウム塩、ジアリールイオドニウム塩、トリアリール
スルホニウム塩及びメタロセン状の錯塩が用いられる。
本発明の目的に特に有用な光重合開始剤はヨロツパ特許
第0182744 iこ開示されているメタロセン錯塩
、具体的には下記化合物(Ia)及び(Ib)である。
第0182744 iこ開示されているメタロセン錯塩
、具体的には下記化合物(Ia)及び(Ib)である。
さらに、カチオン置台のための光重合開始剤として好ま
しいものは下記構造式のジアリールイオドニウム塩であ
る。
しいものは下記構造式のジアリールイオドニウム塩であ
る。
Ar J”X7
ここで、Arは置換又は非置換アレーン、例えば、ベン
ゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、メトキシ
ベンゼン、ナフタレン、1,2−ジヒドロナフタレン、
フェナントレン、アントラセン、9゜10−ジヒドロア
ントラセン、ジフェニレン、ジフェニル、クメンであり
、X は錯体アニオン、BP、”−、PF、−、A島−
、SbF、(好ましくはINF’、乙又;まPF、 )
を示す。
ゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、メトキシ
ベンゼン、ナフタレン、1,2−ジヒドロナフタレン、
フェナントレン、アントラセン、9゜10−ジヒドロア
ントラセン、ジフェニレン、ジフェニル、クメンであり
、X は錯体アニオン、BP、”−、PF、−、A島−
、SbF、(好ましくはINF’、乙又;まPF、 )
を示す。
特ニ好ましい化合物は、ジフェニルイオトニウム・テト
ラフルオロボレート、ジトルイルイオドニウム・テトラ
フルオロボレート、ジトルイルイオドニウムーへキサフ
ルオロホスフヱート及びジー1−プチルフェニルイオド
ニウム・テトラフルオロボレートである。さらに、より
好ましいジアリールイオドニウム塩については文献、“
UV硬化“” 5cience and Techn
ology ” x ス・ピーク・ババス(8゜Pe
ter Pappas ) 、 Technology
Marketing社、Norwalk。
ラフルオロボレート、ジトルイルイオドニウム・テトラ
フルオロボレート、ジトルイルイオドニウムーへキサフ
ルオロホスフヱート及びジー1−プチルフェニルイオド
ニウム・テトラフルオロボレートである。さらに、より
好ましいジアリールイオドニウム塩については文献、“
UV硬化“” 5cience and Techn
ology ” x ス・ピーク・ババス(8゜Pe
ter Pappas ) 、 Technology
Marketing社、Norwalk。
米国06851 (1980)に記載されている。
ジアリールイオドニウム塩は光重合開始剤と一緒lご用
いられることが好ましく、これにより光の作用下でラジ
カルが生成する。
いられることが好ましく、これにより光の作用下でラジ
カルが生成する。
この種の光重合開始剤の適尚な例はモノ−及びα−ジケ
トン、ベンゾイン、ベンゾインエーテル、ベンジルケタ
ル及び特に下記一般式Hのアシルホスフィン化合物であ
る。
トン、ベンゾイン、ベンゾインエーテル、ベンジルケタ
ル及び特に下記一般式Hのアシルホスフィン化合物であ
る。
ここで、m=1.n=1.X=酸素原子の場合と、rn
=2 、 n=o 、 X =酸素原子又はSの場合と
があり、R′は直鎖又は分枝鎖のC8〜、のアルキル基
、シクロヘキシル、シクロペンチル、フェニル、ナフチ
ル又はビフェニリル基、若しくはシクロヘキシル、シク
ロペンチル、フェニル、ナフチル、又はビフェニリル基
であって、F、CJ、Br’、I、C8〜4のアルキル
及び/又はC1〜4のアルコキシで置換されたもの、又
はSもしくはN原子を含む5−又は6員環の複素環であ
り、 nt及びR3はそれぞれ同−又は互いに異なるものであ
って、シクロヘキシル、シクロペンチル、フェニル、ナ
フチル又はビフェニリル基、若しくはシクロペンチル、
シクロヘキシル、フェニル、ナフチル又はビフェニリル
基であってF、CJ、 Br 。
=2 、 n=o 、 X =酸素原子又はSの場合と
があり、R′は直鎖又は分枝鎖のC8〜、のアルキル基
、シクロヘキシル、シクロペンチル、フェニル、ナフチ
ル又はビフェニリル基、若しくはシクロヘキシル、シク
ロペンチル、フェニル、ナフチル、又はビフェニリル基
であって、F、CJ、Br’、I、C8〜4のアルキル
及び/又はC1〜4のアルコキシで置換されたもの、又
はSもしくはN原子を含む5−又は6員環の複素環であ
り、 nt及びR3はそれぞれ同−又は互いに異なるものであ
って、シクロヘキシル、シクロペンチル、フェニル、ナ
フチル又はビフェニリル基、若しくはシクロペンチル、
シクロヘキシル、フェニル、ナフチル又はビフェニリル
基であってF、CJ、 Br 。
I 、 C,〜4のアルキル及び/又はC1〜4のアル
コキシ基で置換したもの、さらにS又はN原子を含む5
−又は6員環複素環、又はR’と几3とが一緒になって
04〜.。を含む環を形成するもの又はこれに1〜6個
のC8〜4のアルキル基を以って置換したものを表わす
。
コキシ基で置換したもの、さらにS又はN原子を含む5
−又は6員環複素環、又はR’と几3とが一緒になって
04〜.。を含む環を形成するもの又はこれに1〜6個
のC8〜4のアルキル基を以って置換したものを表わす
。
本発明で接着剤組成物中に用いられる充填剤としては酸
化アルミニウム、二酸化けい素、炭酸カルシウム、二酸
化チタン、硫酸バリウム、マイカ等の粉体を用いること
ができる。チキソトロピー化剤としては比表面積が50
〜450m/gの二酸化けい素粉が好ましい。これら充
填剤はシラン化することが好まし“い。このシラン化剤
としては従来のシランカップリング剤、例えばr−メタ
クリロイルオキシプロピルトリメトキシシラン、グリシ
ジルオキシプロピルトリメトキシシランを用いることが
できる。
化アルミニウム、二酸化けい素、炭酸カルシウム、二酸
化チタン、硫酸バリウム、マイカ等の粉体を用いること
ができる。チキソトロピー化剤としては比表面積が50
〜450m/gの二酸化けい素粉が好ましい。これら充
填剤はシラン化することが好まし“い。このシラン化剤
としては従来のシランカップリング剤、例えばr−メタ
クリロイルオキシプロピルトリメトキシシラン、グリシ
ジルオキシプロピルトリメトキシシランを用いることが
できる。
本発明で接着剤組成物に添加されるものとして従来用い
られている過酸物、アントラセンの如きセンシタイザ−
1顔料、染料、抗酸化剤等を含有させることもできる。
られている過酸物、アントラセンの如きセンシタイザ−
1顔料、染料、抗酸化剤等を含有させることもできる。
(実施例)
以下、SMDを回路基板上に接着させる本発明の方法の
1例を図面を参照して説明する。この場合、以下の工程
(5)〜(2)を経て接着がなされる。
1例を図面を参照して説明する。この場合、以下の工程
(5)〜(2)を経て接着がなされる。
工程A:
凄触端子2を備えた回路基板l上に接着剤フィルム3を
施す。この光重合性接着剤組成物3は上述の如き構成の
一つからなりカチオン反応機構に従って重合する。接着
剤フィルム3の回路基板!上への適用はスクリーン印刷
、ピン転写、又はデイスペンサーを用い通常の方法でお
こなうことができる。その他、部品4の裏面に同様にし
て接着剤フィルム3を施してもよい。
施す。この光重合性接着剤組成物3は上述の如き構成の
一つからなりカチオン反応機構に従って重合する。接着
剤フィルム3の回路基板!上への適用はスクリーン印刷
、ピン転写、又はデイスペンサーを用い通常の方法でお
こなうことができる。その他、部品4の裏面に同様にし
て接着剤フィルム3を施してもよい。
工程B:
波長200〜600 nm 、好ましくは400〜50
0 nmの範囲の化学線(UV又は可視形で、かつ所望
の初期粘着性が保たれ、接着剤表面に皮膜が生じない程
度の強さ及び時間で接着剤フィルム3の照射をおこない
活性化する。
0 nmの範囲の化学線(UV又は可視形で、かつ所望
の初期粘着性が保たれ、接着剤表面に皮膜が生じない程
度の強さ及び時間で接着剤フィルム3の照射をおこない
活性化する。
工程C:
電極5を備えた部品4を回路基板I上に活性化された接
着剤フィルム3及び1触端子2に合せて設置する。
着剤フィルム3及び1触端子2に合せて設置する。
工程D:
接着剤フィルム3を温度60〜140°Cにて例えば対
流キャビネット内で赤外線ヒータにより、又は上記工程
Bで用いた化学線源(もし、それが赤外線をも照射し得
るものであれば)により加熱硬化させる。
流キャビネット内で赤外線ヒータにより、又は上記工程
Bで用いた化学線源(もし、それが赤外線をも照射し得
るものであれば)により加熱硬化させる。
工程E:
部品4の端子(Mしない)とプリント配a2との間の電
気的接触をウェーブ又はドラッグ半田浴中で半田付けに
よりおこなう。
気的接触をウェーブ又はドラッグ半田浴中で半田付けに
よりおこなう。
本発明の他の実施例として、上記工程AとBとを逆にし
てもよい。即ち、化学線照射による接着剤組成物の活性
化を、接着剤を回路基板I又は部品4の裏面に塗布する
前1こおこなうものである。
てもよい。即ち、化学線照射による接着剤組成物の活性
化を、接着剤を回路基板I又は部品4の裏面に塗布する
前1こおこなうものである。
実施例1
3.4−エポキシシクロヘキシルメチル−3′、4′−
エポキシ−シクロへキシルカルボキシレート100重i
部、(v −2,4−シクロペンタジェン−1−イル)
−((1,,2,3,4,5,6)−(1−メチル
エチル)−ベンゼンクー鉄(1+)へキサフルオロホス
フェート(1−)(シバーガイギー社製、Irgacu
re 261、商標)3重量部、疎水化二酸化けい素粉
で比表面積が71m2/g、粒径がl Q Q nm以
下のもの(シリカR−202、デグサ(Degussa
)社製)61優部を混合して樹脂組成物を得た。
エポキシ−シクロへキシルカルボキシレート100重i
部、(v −2,4−シクロペンタジェン−1−イル)
−((1,,2,3,4,5,6)−(1−メチル
エチル)−ベンゼンクー鉄(1+)へキサフルオロホス
フェート(1−)(シバーガイギー社製、Irgacu
re 261、商標)3重量部、疎水化二酸化けい素粉
で比表面積が71m2/g、粒径がl Q Q nm以
下のもの(シリカR−202、デグサ(Degussa
)社製)61優部を混合して樹脂組成物を得た。
この樹脂組成物の粘度は1.7 Pa、3 (Haak
e粘度計几otovisko RV 100.PKI
O,5/28.10%D) テア−5た。この樹脂組
成物、をデイスペンサーを用いて回路基板の接触端子間
に安定な点滴状に適用した。
e粘度計几otovisko RV 100.PKI
O,5/28.10%D) テア−5た。この樹脂組
成物、をデイスペンサーを用いて回路基板の接触端子間
に安定な点滴状に適用した。
この接着剤滴状物は直径対高さの比が約2対1であった
0 この滴状接着剤を波長400〜5 Q Q nmの化学
線を発光する照射装置(curelight O1、P
recon a製、出力約l Q Q mw々2)を用
い20秒間露光、活性化させた。こののち、ハウジング
に収容したトランジスタ(SOT−23ハウジング型)
を回路基板上に設定し、赤外線ランプ(エル乾燥アダプ
ター、YTCOIL。
0 この滴状接着剤を波長400〜5 Q Q nmの化学
線を発光する照射装置(curelight O1、P
recon a製、出力約l Q Q mw々2)を用
い20秒間露光、活性化させた。こののち、ハウジング
に収容したトランジスタ(SOT−23ハウジング型)
を回路基板上に設定し、赤外線ランプ(エル乾燥アダプ
ター、YTCOIL。
5artorius社製、250W、72°Cに相当)
を用い1分間照射した。
を用い1分間照射した。
このように部品を接着した回路基板をウェーブ又はドラ
ッグ半田浴CZevatron社製、型名EFT−1)
中に置いた。この回路基板を容器に収容した2 50
’(:’の溶融半田中に10の最大速度で引き入れ10
8)間浸漬し、SOTハウジングの電極部を接続端子に
半田付けした。この半田付は処理の間SOTハウジング
が回路基板から剥離されることは全くなく、満足に部品
を半田付けすることができた。
ッグ半田浴CZevatron社製、型名EFT−1)
中に置いた。この回路基板を容器に収容した2 50
’(:’の溶融半田中に10の最大速度で引き入れ10
8)間浸漬し、SOTハウジングの電極部を接続端子に
半田付けした。この半田付は処理の間SOTハウジング
が回路基板から剥離されることは全くなく、満足に部品
を半田付けすることができた。
この浸漬処理は5回繰り返したが、SOTハウジングが
回路基板から剥離するようなことは全くなかった。
回路基板から剥離するようなことは全くなかった。
実施例2
実施例1の樹脂組成物にシラン化二酸化けい素(R−2
02、Dogussa社製)2重量部ヲサラニ加工混合
し、均質な混合物を得た。この樹脂組成物は粘度が2.
8Pa、、(Haak粘度計、几otovisko几V
100゜PKI O,5/28 、10%D)であつた
。この樹脂組成物を用い筒状レジスタ(Me+r) を
回路基板に接着させた。
02、Dogussa社製)2重量部ヲサラニ加工混合
し、均質な混合物を得た。この樹脂組成物は粘度が2.
8Pa、、(Haak粘度計、几otovisko几V
100゜PKI O,5/28 、10%D)であつた
。この樹脂組成物を用い筒状レジスタ(Me+r) を
回路基板に接着させた。
実施例1と同様の条件で赤外線照射をおこなったのち、
ユニバーサル試験機(Zwick社裂、1435)を用
いてサンプルの検査をおこなった。回路基板と筒状部品
との間の接着強度は部品を回路基板から剥離すること(
パンチの供給速度1朋/分)によっておこなった。その
結果、この部品の剥離には平均46Nの力を要した。
ユニバーサル試験機(Zwick社裂、1435)を用
いてサンプルの検査をおこなった。回路基板と筒状部品
との間の接着強度は部品を回路基板から剥離すること(
パンチの供給速度1朋/分)によっておこなった。その
結果、この部品の剥離には平均46Nの力を要した。
接着剤滴状物の面積が4朋2であるから剥離強度は11
.5 N/my” (M Pa)であった。
.5 N/my” (M Pa)であった。
比較例1
回路基板上にSMDを接着させるための従来の熱硬化型
単一成分エポキシド接着剤(几D 860002M 、
Heraeus社製)をデイスペンサーを用いて実施
例2と同様のプリント配線基板上に適用した。ついで筒
状SMD(レジスター(Melf))をこの基板の上に
設置したのち、これらを加熱用キャビネット(対流ヒー
タ120℃)内で3分間静置し、仕様書通りに接着層の
硬化をおこなりた。ついで、この回路基板を実施例2と
同様のユニバーサル試験機を用いて検査した。筒状SM
Dの剥離は実施し;]2と同様の条件下でおこなった。
単一成分エポキシド接着剤(几D 860002M 、
Heraeus社製)をデイスペンサーを用いて実施
例2と同様のプリント配線基板上に適用した。ついで筒
状SMD(レジスター(Melf))をこの基板の上に
設置したのち、これらを加熱用キャビネット(対流ヒー
タ120℃)内で3分間静置し、仕様書通りに接着層の
硬化をおこなりた。ついで、この回路基板を実施例2と
同様のユニバーサル試験機を用いて検査した。筒状SM
Dの剥離は実施し;]2と同様の条件下でおこなった。
その結果、剥、士美には平均41Nの力を要した。これ
は接着剤の点滴の面積が5+m″であることからして剥
離強度が8.2 JmrIL’ (MPa )であっ
たことを示した。
は接着剤の点滴の面積が5+m″であることからして剥
離強度が8.2 JmrIL’ (MPa )であっ
たことを示した。
本発明の方法と較べて従来市販のものではその著るしい
硬化条件(本発明で72℃、1分間でちるのに対し、1
20°Cで3分間)にもかかわらず、剥離強度は小さい
ことが判明した。
硬化条件(本発明で72℃、1分間でちるのに対し、1
20°Cで3分間)にもかかわらず、剥離強度は小さい
ことが判明した。
実施例3
3.4−エポキシシフyを1シルメチル−3′、4′−
エポキシシクロへキシルカルボキレート80重量部、カ
チオン硬化性樹脂(UVR635Lユニオン・カーバイ
ド社製)20ii部、工rgacure 261 (
商標、シバ++ガイギー社裂)3重量部、疎水化二酸化
ケイ素粉(比表面積、71m’/gs平均粒径100
nm、シリカR−202、Degussa社製)3重量
部をa合、&拌り、T樹脂組成物を得た。この樹脂組成
物の粘度は1. OPa、s (Haake粘度計、R
otOvisko RV 100 、 PKI O,5
/28 。
エポキシシクロへキシルカルボキレート80重量部、カ
チオン硬化性樹脂(UVR635Lユニオン・カーバイ
ド社製)20ii部、工rgacure 261 (
商標、シバ++ガイギー社裂)3重量部、疎水化二酸化
ケイ素粉(比表面積、71m’/gs平均粒径100
nm、シリカR−202、Degussa社製)3重量
部をa合、&拌り、T樹脂組成物を得た。この樹脂組成
物の粘度は1. OPa、s (Haake粘度計、R
otOvisko RV 100 、 PKI O,5
/28 。
10%D)であった。
この樹脂組成物をデイスペンサーを用いてプリント配線
基板に適用した。この接着剤の滴状物にUV源(UVA
HAND 200 、 Dr、Hohnle QmbH
)光スペクトル315〜600 nm) を用い、1
octrLノ距離から照射した(これはUVA照射強度
15 mW/an’に相当する)。なお、照射時間は3
0秒とした。こののち、SOTハウジング内のトランジ
スタをこの活性化された接着剤上に置き、回路基板を赤
外線ランプ(1几乾燥アダプター YTCOIL 、
5artorious社、250 w)で2分間、加熱
し、温度を80”Qに上昇させた。どの照射゛の直後、
この処理された回路基板をドラッグ半田付は浴(実施例
1と同様の条件下のもの)に浸漬し、10秒間維持した
。しかし、5OT−23ハウジング内のトランジスタが
回路基板から剥離するようなことは全く見られず、全て
の要件を満足した状態で部品の半田付けをおこなうこと
ができた。
基板に適用した。この接着剤の滴状物にUV源(UVA
HAND 200 、 Dr、Hohnle QmbH
)光スペクトル315〜600 nm) を用い、1
octrLノ距離から照射した(これはUVA照射強度
15 mW/an’に相当する)。なお、照射時間は3
0秒とした。こののち、SOTハウジング内のトランジ
スタをこの活性化された接着剤上に置き、回路基板を赤
外線ランプ(1几乾燥アダプター YTCOIL 、
5artorious社、250 w)で2分間、加熱
し、温度を80”Qに上昇させた。どの照射゛の直後、
この処理された回路基板をドラッグ半田付は浴(実施例
1と同様の条件下のもの)に浸漬し、10秒間維持した
。しかし、5OT−23ハウジング内のトランジスタが
回路基板から剥離するようなことは全く見られず、全て
の要件を満足した状態で部品の半田付けをおこなうこと
ができた。
実施例4
ビスフェノール−A−ジエポキシド(GY259゜シバ
ーガイギ社fi)100重量部、Irgacure 2
61(商標) 3重量部、クメンヒドロペルオキシド2
.5重量部を混合して樹脂組成物を得た。
ーガイギ社fi)100重量部、Irgacure 2
61(商標) 3重量部、クメンヒドロペルオキシド2
.5重量部を混合して樹脂組成物を得た。
この樹脂組成物の粘度は11 P3.5 (Haake
粘度計、Rotovisko RV 100 、 PK
I O,5/28 、10チD) テア−)た。この樹
脂組成物を用いブロック状を等キャパシター(15D、
フィリップス社製)を接着した以外は実施例1と同様に
してサンプルをつくった。
粘度計、Rotovisko RV 100 、 PK
I O,5/28 、10チD) テア−)た。この樹
脂組成物を用いブロック状を等キャパシター(15D、
フィリップス社製)を接着した以外は実施例1と同様に
してサンプルをつくった。
これに実施例1と同様の条件下で赤外線ランプによる照
射をおこなったのち、これをドラッグ半田浴(実施例1
と同様)に速度4で浸漬し、5秒間保・た(溶融半田q
z 50℃)。この半田付は処理の間、プリント回路基
板から電解キャパシターカゴ剥離するようなことは全く
なく満足な接着が得られた。
射をおこなったのち、これをドラッグ半田浴(実施例1
と同様)に速度4で浸漬し、5秒間保・た(溶融半田q
z 50℃)。この半田付は処理の間、プリント回路基
板から電解キャパシターカゴ剥離するようなことは全く
なく満足な接着が得られた。
実施例5
3.4−エポキシシクロヘキシルメチル−3′、42−
エポキシシクロへキシルカルボキシレート50重量部、
トリエチレングリコールジビニルエーテル50重量部、
エチレングリコール4重量部、ビス−(4−メチルフェ
ニル)−イオドニウムへキサフルオロホスフェ−ト3
重’:k 部、ビス−(2,6−ジクロロベンゾイル)
−4−n−7’ロビルフエニルホスフインオキシド 1
重量部、疎水化二酸化ケイ素粉(比表面積71m2/g
、粒径100 nm以下、シリカ几−202.DegL
IS、a社裂)3重量部を混合し樹脂組成物を得た。
エポキシシクロへキシルカルボキシレート50重量部、
トリエチレングリコールジビニルエーテル50重量部、
エチレングリコール4重量部、ビス−(4−メチルフェ
ニル)−イオドニウムへキサフルオロホスフェ−ト3
重’:k 部、ビス−(2,6−ジクロロベンゾイル)
−4−n−7’ロビルフエニルホスフインオキシド 1
重量部、疎水化二酸化ケイ素粉(比表面積71m2/g
、粒径100 nm以下、シリカ几−202.DegL
IS、a社裂)3重量部を混合し樹脂組成物を得た。
この樹脂組成物の粘度は0,05 Pa、s (Ha
ake粘度計、Rotovisko RV 100 、
PKI O,5/28 、10%D)テアった。この
組成物をデイスペンサーを介してプリント回路基板上の
接触端子の間に点滴状に施した。
ake粘度計、Rotovisko RV 100 、
PKI O,5/28 、10%D)テアった。この
組成物をデイスペンサーを介してプリント回路基板上の
接触端子の間に点滴状に施した。
ついで、この接着剤を波長400〜500 nmの化学
線を発する照射装置t−(curelight 01
、 precOn社製、出力約100 mw/cv?
)により露光、活性化させた。
線を発する照射装置t−(curelight 01
、 precOn社製、出力約100 mw/cv?
)により露光、活性化させた。
ついで、電解キャパシター(15D1)41Jランプ製
)を手で回路基板上にセットし、さらに赤外ランプ(赤
外線乾燥アダプター 5artoriuB社製、250
W。
)を手で回路基板上にセットし、さらに赤外ランプ(赤
外線乾燥アダプター 5artoriuB社製、250
W。
72℃に四速)により1分間加熱した。
その後、この部品を接着した回路基板を実施例1と同様
の半田浴内に置いた。
の半田浴内に置いた。
即ち、回路基板を溶融半田(250℃)で満された容器
内に速度4の速さで引き入れ、3秒間浸漬した。この半
田付けの間、キャパシターハウジングが回路基板から剥
離されるようなことは全くなく全ての点で満足な半田付
けがなされた。
内に速度4の速さで引き入れ、3秒間浸漬した。この半
田付けの間、キャパシターハウジングが回路基板から剥
離されるようなことは全くなく全ての点で満足な半田付
けがなされた。
この回路基板をさらに続けて半田浴中に浸漬したが、キ
ャパシターハウジングが回路基板から剥離することはな
かった。
ャパシターハウジングが回路基板から剥離することはな
かった。
比較例2
従来の単一成分エポキシド接着剤(RD860002M
、Heraeus社製、回路基板へSMDを接着させる
ためのもの)をデイスペンサーを介して実施例5と同様
のプリント回路基板上に適用した。ついでブロック状S
MD(電解キャパシター 15D1フィリップス社製)
をこの基板上lこセットし、さらに赤外線ランプ(乾燥
アダプター 5artorius社製1250W、72
”Q に相当する)を用い、3分間照射した。
、Heraeus社製、回路基板へSMDを接着させる
ためのもの)をデイスペンサーを介して実施例5と同様
のプリント回路基板上に適用した。ついでブロック状S
MD(電解キャパシター 15D1フィリップス社製)
をこの基板上lこセットし、さらに赤外線ランプ(乾燥
アダプター 5artorius社製1250W、72
”Q に相当する)を用い、3分間照射した。
この部品を接着した回路基板を半田付は浴(型名E”T
” t ZeVajron社M)に浸漬させた。 即ち
、回路基板を速度4で浴中(250’Oの溶融半田浴)
に引き込み3秒間浸漬を保った。その結果、SMDが回
路基板から剥離してしまった。このようなゆるやかな硬
化条件(72°Cにて1分間)下でも、従来の単一組成
接着剤はSMDの接着に適さないことが判明した。
” t ZeVajron社M)に浸漬させた。 即ち
、回路基板を速度4で浴中(250’Oの溶融半田浴)
に引き込み3秒間浸漬を保った。その結果、SMDが回
路基板から剥離してしまった。このようなゆるやかな硬
化条件(72°Cにて1分間)下でも、従来の単一組成
接着剤はSMDの接着に適さないことが判明した。
比較例3
従来の単一成分エポキシド接着剤(SMDの回路基板へ
の接着用のもの、Am1con D−124−F。
の接着用のもの、Am1con D−124−F。
Emerson and Cuming社製)を回路
基板に適用し1比較例2と同一条件下で硬化させ、つい
でドラッグ半田浴を用いてテストした。
基板に適用し1比較例2と同一条件下で硬化させ、つい
でドラッグ半田浴を用いてテストした。
その結果、この半田付けの間、SMDが回路基板から剥
離することが認められた。したがって、このようなゆる
やかな条件下でもこの従来のエポキシド接着剤はSMD
接着用として適当でないことが判明した。
離することが認められた。したがって、このようなゆる
やかな条件下でもこの従来のエポキシド接着剤はSMD
接着用として適当でないことが判明した。
実施例6
3.4−エポキシシクロヘキシルメチル−3’、4’−
エポキシシクロへキシルカルボキシレート100重量部
、クメンヒドロペルオキシド2.5重量部、IrgaC
ur62613重量部、疎水化二酸化ケイ素粉(比表面
積71m”7g。
エポキシシクロへキシルカルボキシレート100重量部
、クメンヒドロペルオキシド2.5重量部、IrgaC
ur62613重量部、疎水化二酸化ケイ素粉(比表面
積71m”7g。
平均粒径100 nm以下、R−202、Deguss
a社製)31if部を攪拌混合して樹脂組成物を得た。
a社製)31if部を攪拌混合して樹脂組成物を得た。
この樹脂組成物の粘度は0,95Pa、、(Haake
粘度計、Rotovisko RV 100.PKI
5.5/28,10%D)であった。
粘度計、Rotovisko RV 100.PKI
5.5/28,10%D)であった。
ピン転写機を用いて接着剤を2滴、SMD (lCD7
508G、NEC社#りに施した。ついで、この滴状接
着剤を波長400〜500 nmの化学線を発生する照
射機(curelight 01 p Procon社
展1出力100mW/1)により15秒間照射した。次
にプリント回路基板にこのSMDをセントし、赤外線ラ
ンプ(IR乾燥アダプター YTC01L# 5art
orius社製250w)を用い2分間(72℃で)照
射した。
508G、NEC社#りに施した。ついで、この滴状接
着剤を波長400〜500 nmの化学線を発生する照
射機(curelight 01 p Procon社
展1出力100mW/1)により15秒間照射した。次
にプリント回路基板にこのSMDをセントし、赤外線ラ
ンプ(IR乾燥アダプター YTC01L# 5art
orius社製250w)を用い2分間(72℃で)照
射した。
このようにして部品を装着した回路基板をドラッグ半田
付は浴(EF T−1r Zevatron 社製)中
に最大速度10(段階)で移動させ、250°Cの溶融
半田中に3秒間浸漬させた。この半田付けの間、SMD
がプリント回路基板から剥離することは全くなく、良好
な半田付けがなされた。
付は浴(EF T−1r Zevatron 社製)中
に最大速度10(段階)で移動させ、250°Cの溶融
半田中に3秒間浸漬させた。この半田付けの間、SMD
がプリント回路基板から剥離することは全くなく、良好
な半田付けがなされた。
又、この浸漬を3回繰り返したが回路基板からSMJ)
が剥離するようなことはなかった。
が剥離するようなことはなかった。
比較例4
回路基板へのSMD接着用の従来の単一成分エポキシド
接着剤(Am1con D−124−F + Emer
son andCuming社製)を実施例6と同様に
してピン転写機でSMDを施し、これを実施例6と同様
−こして赤外線ランプで5分間照射した。
接着剤(Am1con D−124−F + Emer
son andCuming社製)を実施例6と同様に
してピン転写機でSMDを施し、これを実施例6と同様
−こして赤外線ランプで5分間照射した。
その結果得られた部品接着回路基板を溶融半田で満され
た容器内に実施例6と同様の条件下で浸漬した。その結
果、SMDは回路基板から剥離し始めた。
た容器内に実施例6と同様の条件下で浸漬した。その結
果、SMDは回路基板から剥離し始めた。
この従来の単一成分エポキシド接着剤はこのようなゆる
やかな硬化条件(72℃で5分間)でもSMDの接着に
は不適であることが判明した。
やかな硬化条件(72℃で5分間)でもSMDの接着に
は不適であることが判明した。
図面は本発明の方法の1例に係わるもので回路基板上に
SMDを接着させる工程を模式的に示す斜視図である。 図中、!・・・回路基板、2・・・接触端子、3・・・
接着剤フィルム、4・・・部品、5・・・電極。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦手 続 ネ市 正 8(方支 ・19件の表示 特願平1−050973号 2、発す1の名称 回路基板上に部品を固着させる方法 3、補正をする者 弱性との関係 特許出願人 名称 テラ・ゲゼルシャフト・フユア・パテントフェア
ベルトランク舎エムベーノ\− 4、代理人 住所 東京都千代田区霞が関3丁目7番2号平成1年5
月30日 6、補正の対象 明細書
SMDを接着させる工程を模式的に示す斜視図である。 図中、!・・・回路基板、2・・・接触端子、3・・・
接着剤フィルム、4・・・部品、5・・・電極。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦手 続 ネ市 正 8(方支 ・19件の表示 特願平1−050973号 2、発す1の名称 回路基板上に部品を固着させる方法 3、補正をする者 弱性との関係 特許出願人 名称 テラ・ゲゼルシャフト・フユア・パテントフェア
ベルトランク舎エムベーノ\− 4、代理人 住所 東京都千代田区霞が関3丁目7番2号平成1年5
月30日 6、補正の対象 明細書
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1)部品又は回路基板の所定部分に光活性化可能な接
着剤を施し、該部品を該回路基板上に取着させ、温度6
0〜140℃で該接着剤を硬化させて回路基板上に部品
を固着させる方法であって、該部品を該回路基板上に取
着させる前に該接着剤に波長200〜600nmの光を
照射させて活性化させ、かつこの活性化の程度を該接着
剤の所望の初期粘着性が維持されるとともにその表面に
皮膜が形成されない程度とすることを特徴とする方法。 (2)接着剤の活性化を波長300〜500nmの光を
0,5〜300秒間照射しておこなう請求項1記載の方
法。 (3)接着剤の活性化を波長400〜500nmの白昼
光の照射によっておこなう請求項2記載の方法。 (4)該部品を回路基板上に取着させたのちの該接着剤
の硬化を15分間以下の時間でおこなう請求項1ないし
3のいずれかに記載の方法。 (5)該接着剤がカチオン硬化性であり、活性化以前に
おいて流動性を有し、粘度が0.05〜1000Pa.
sである請求項1ないし4のいずれかに記載の方法。 (6)該接着剤が活性化前において粘度0.4〜200
Pa.sである請求項5記載の方法。 (7)該接着剤が、 (a)少なくとも1種のカチオン硬化性樹脂及び/又は
カチオン重合性モノマー10〜 99.95重量%と: (b)光によりルュイス酸又はブレンステツド酸を形成
させる少なくとも一種の光重合開 始剤0,05〜10重量%と: (c)少なくとも1種の充填剤、チキソトロピー化剤、
接着促進剤及び/又は他の従来の 添加剤0〜89.95重量%と; からなる請求項1ないし6のいずれかに記載の方法。 (8)該接着剤が、 (a)少なくとも1種のカチオン硬化性樹脂及び/又は
カチオン重合性モノマー70〜 98重量%と: (b)光によりルュイス酸又はブレンステッド酸を形成
させる少なくとも1種の光重合開 始剤2〜6重量%と: (c)少なくとも1種の充填剤、チキソトロピー化剤、
接着促進剤及び/又は従来の添加 剤0〜28重量%と: からなる請求項7に記載の方法。 (9)該接着剤が、 (a)少なくとも1種のカチオン硬化性樹脂及び/又は
カチオン重合性モノマー10〜 89.9重量%と: (b)光によりルュイス酸又はブレンステッド酸を形成
させる少なくとも1種の光重合開 始剤0,05〜10重量%と: (c)少なくとも1種の充填剤、チキソトロピー化剤、
接着促進剤及び/又は従来の添加 剤0〜89.9重量%と: (d)ラジカル重合により重合する少なくとも1種の樹
脂及び/又はモノマー10〜80 重量%と; (e)光の作用によりラジカルを生成させる少なくとも
1種の光重合開始剤0,05〜5重量%と: (f)少なくとも1種の感光剤及び/又は活性化剤0.
05〜5重量%と: からなる請求項1ないし8のいずれかに記 載の方法。 (10)該接着剤の(a)成分の少なくとも一部が2価
フェノール及び/又は2価脂肪族アルコールのジグリシ
ジルエーテルからなる請求項7.8.又は9記載の方法
。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3806738A DE3806738C1 (ja) | 1988-03-02 | 1988-03-02 | |
DE3806738.2 | 1988-03-02 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0214596A true JPH0214596A (ja) | 1990-01-18 |
Family
ID=6348626
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1050973A Pending JPH0214596A (ja) | 1988-03-02 | 1989-03-02 | 回路基板上に部品を固着させる方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4916805A (ja) |
EP (1) | EP0330909B1 (ja) |
JP (1) | JPH0214596A (ja) |
AT (1) | ATE116512T1 (ja) |
DE (2) | DE3806738C1 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09202872A (ja) * | 1995-11-22 | 1997-08-05 | Lintec Corp | 接着剤組成物および接着シート |
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US5066368A (en) * | 1990-08-17 | 1991-11-19 | Olin Corporation | Process for producing black integrally colored anodized aluminum components |
US5177134A (en) * | 1990-12-03 | 1993-01-05 | Motorola, Inc. | Tacking agent |
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KR0141229B1 (ko) * | 1993-09-22 | 1998-07-15 | 김광호 | 국부 경화방법 |
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