JPH02142115A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 この発明はウェハ周辺部に形成される膜の端部を加工す
るためのフォトレジスト工程を含む半導体装置の製造方
法に関する。

〈従来の技術〉 従来、半導体装置の製造方法においては、フォトレジス
ト工程でウェハ周辺部に不要なレジストが残り易いので
、フォトレジスト工程を含む各層の加工工程において、
露光装置で光を集光してウェハ周辺部のみを一定強さ、
かつ一定幅で露光して、ウェハ周辺部に不要なレジスト
が残らないようにしている。すなわち、第３図（ａ）乃
至（ｄ）に示すように、まずウェハ１１上にＳ　ｉ　Ｏ
を膜１２を形成し、このＳｉＯｘ膜１２にレジスト１３
を塗布して、ウェハ周辺部を一定幅で露光して領域１３
ａを剥離する。次に、第３図（ｅ）に示すように金属膜
ｉ４をウェハ全面に堆積する。続いて、第３図（ｆ）に
示すようにレジスト１５を塗布し、ウェハ周辺部を一定
幅で露光して、領域１５ａのレジストを除去して、第３
図（ｇ）に示すように金属膜のパターンを形成する。次
に、金属膜１４をエツチング後、第３図（ｈ）に示すよ
うに、絶縁膜１６を全面に堆積する。その後、第３図（
ｉ）に示すようにレジスト１７を塗布し、ウェハ周辺部
を一定幅で露光してレジスト１７のエツジ領域１７ａを
剥離し、絶縁膜のパターンを形成する。続いて、第３図
（Ｄに示すように、絶縁膜をエツチングする。

このようにして、ウェハ周辺部のレノストを一定幅で露
光して、不要なレジストを残さないようにしている。

〈発明が解決しようとする課題〉 しかしながら、上記従来の半導体装置の製造方法では、
ウェハ周辺部に対する露光装置自体の露光幅はすべての
層のフォトレジスト工程について一定のまま行なわれて
いるので、露光装置に対するウェハの位置が各層の加工
工程で少しでもずれると、ウェハ周辺部の露光幅がばら
つく。そのため、前工程で形成された金属膜１４を、こ
の露光幅がばらついたレジストに基づいてエツチングし
たとき、ウェハ端１９と金属膜１４の端１４ａとの距離
（本明細書ではエツジ剥離幅という。）がばらつく。同
様に絶縁膜１６の端１６ａの位置もばらつく。したがっ
て上記第３図（ｊ）および第４図の平面図に示すように
、前工程で形成された金属膜１４の端部１４ａが次工程
で形成された絶縁膜ｉ６の下から露出する。このように
露出した金属膜の端部１４ａは後の工程で傷みハガレを
生じ、またはゴミとなってウェハ表面に付着し、集積回
路素子の不良原因となる。

そこで、この発明の目的は、ウェハ周辺部に形成された
膜の端部が次工程の膜に覆われてしまい、ゴミの発生原
因とならないような半導体装置の製造方法を提供するこ
とにある。

〈課題を解決するための手段〉 上記目的を達成するために、この発明は、フォトレジス
ト工程において、前工程で形成された膜のエツジ剥離幅
よりら次工程で形成される膜のエツジ剥離幅が狭くなっ
て、前工程で形成された膜の端部を次工程で形成された
膜の端部で覆うように、露光幅を変えることを特徴とし
ている。

〈作用〉 ウェハ周辺部において所定のエツジ剥離幅が得られるよ
うにレジストは露光される。続いて前工程で形成された
膜か、この露光されたレジストをマスクとして、所定の
幅でエツジ剥離される。

次いで、次工程の膜が形成された後、次のフォトレジス
ト工程において、上記次工程で形成された膜のエツジ剥
離幅が前工程で形成された膜のエツジ剥離幅よりも狭く
なる向きに露光幅を変える。

このとき、露光幅の変化量は、露光装置に対するウェハ
の位置バラツキよりも大きくする。この露光幅の変化に
より、前工程のレノストのエツジ剥離幅よりも次工程の
レジストのエツジ剥１１１１１幅が狭くなって、上記次
工程で形成された膜のエツジ剥離幅が前工程で形成され
た膜のエツジ剥離幅よりも狭くなる。したがって、上記
前工程で形成された膜の端部は、上記次工程で形成され
た膜の端部によって完全に覆れることになる。

〈実施例〉 以下、本発明の実施例を詳細に説明する。

第１図は本発明の半導体装置の製造方法の一実施例の各
工程のウェハ周辺部の概略断面図である。

本実施例は特に、フォトレジスト工程においてポジレジ
ストを使用し、Ａ１２（アルミニウム）やＷ（タングス
テン）等の金属膜の端部が剥がれないように、次工程の
絶縁膜の端部によって上記金属膜の端部を覆う製造方法
である。

■　第１図（ａ）　、　（ｂ）　、　（ｃ）　、　（ｄ
）はウェハｌ上に５ｉＯ６膜２の下地Ｓ　ｉ　Ｏｔパタ
ーンを形成し、Ｓ　ｉ　Ｏ２膜２の端部２ａを形成する
工程である。第１図（ｂ）において、３ｗはウェハ周辺
部のレジスト３を露光により剥離した領域３ａの内端と
ウエノ１端９との間のレジストのエツジ剥離幅である。

Ｓ１０．膜２の端部２ａとウェハ端９との幅である下地
５ｉｎｓ膜のエツジ剥離幅２ｗは、エツチングにより上
記エツジ剥離幅３ｗに対応して形成される。

■　次に、第１図（ｅ）に示すように金属膜４をＳｉＯ
＊膜２およびウェハｌの全面に堆積する。

■　次に第１図（ｆ）に示すようにレジスト５を塗布し
、ＬＳ　Ｉ（ラージ・スケール・インテグレーテッド・
サーキット）パターンを形成する。このとき、第１図（
ｆ）に示すウェハ周辺部の露光幅を、第１図（ｂ）に示
すエツジ露光幅３Ｗよりも広くし、エツジ剥離領域５ａ
のエツジ剥離幅５Ｗを第１図（ｂ）のエツジ剥離幅３Ｗ
より広くする。すなわち、上記Ｓ　ｉ　Ｏを膜２の端部
２ａをそのエツジ剥離領域５ａの中に含むようにする。

■　次に、第１図（ｈ）に示すようにＬＳＩパターンを
エツチング後、絶縁膜６をウェハ１の全面に堆積する。

■　次に、第１図（ｉ）に示すように、絶縁膜６上にレ
ジスト７を塗布して、所定のマスクを用いて露光し、絶
縁膜パターンを形成する。このときエツジ剥離幅７ｗを
第１図Ｃｆ）に示すエツジ剥離幅５ｗよりも狭くする。

このとき、狭くする変化量は、露光装置に対するウェハ
の位置のばらつきよりも大きくしておく。本実施例では
、上記エツジ剥離幅７ｗは上記下地５ｉｎｓの端部２ａ
にかからないようにしている。

■　次に、第１図（ｊ）に示すように、絶縁膜６をエツ
チングして、絶縁膜の端部６ａを上記エツジ剥離端７ｗ
に対応する位置に形成する。つまり、絶縁膜の端部６ａ
を金属膜の端部４ａよりらウェハ端９に近い側に形成す
る。

以上の工程により、第２図に示すように前工程の金属膜
の端部４ａを次工程の絶縁膜の端部６ａで完全に覆うこ
とができる。これによって、ウェハ周辺部において、上
記金属膜４の端部４ａは次工程以降絶縁膜６の端部６ａ
で保護されるので、剥れることがなく、ゴミとなること
も防止される。

したがって、半導体装置の不良原因を取除くことができ
る。

なお、上記実施例では金属膜４の端部を絶縁膜６の端部
で覆う製造方法について示したが、本発明の製造方法は
、上記の膜に限定されるものではない。また、フォトレ
ジスト工程においてポルシストを使用する場合について
示したが、ネガレジストを使用する場合についても、前
工程と次工程の露光幅の広狭関係を逆にすれば本発明が
適用されることは明らかである。

〈発明の効果〉 以上の説明で明らかなように、本発明によれば、次工程
で形成されたエツジ剥離幅が、前工程で形成されたエツ
ジ剥離幅よりも狭くなるようにしているので、前工程で
形成された膜の端部を次工程で形成された膜の端部で覆
うことができる。したかって、本発明によれば、前工程
で形成された膜の端部を上記次工程およびその後の工程
において保護することができ、上記前工程で形成された
膜の端部は傷まず、剥がれることらない。その結果、ゴ
ミの発生を抑えることができ、半導体装置の不良原因を
取除くことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）乃至（ｊ）は本発明の半導体装置の一実施
例の各工程のウェハの概略断面図、第２図は本発明の実
施例における第１図（ｊ）の状態の平面図、第３図（ａ
）乃至（コ）は従来の半導体装置の製造方法の各工程の
ウェハの概略断面図、第４図は従来の半導体装置の製造
方法における第３図（ｊ）の状態の平面図である。 ｌ　ｌｌ・・・ウェハ、 ２．１２・・・下地５ｉＯｚ膜、 ２　ａ、　１２　ａ−下地Ｓ　ｓ　Ｏを膜の端部、２ｗ
・・・下地５ｉＯｚ膜のエツジ剥離幅、３．５．７・・
・レジスト、 ３ｗ、５ｗ、７ｗ・・・レジストのエツジ剥離幅、４．
１４・・・金属膜、 ４ａ、＋４ａ・・・金属膜の端部、 ６．１６・・・絶縁膜、 ６ａ、１６ａ・・・絶縁膜の端部。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）複数の膜の各々をフォトレジスト工程を経てエッ
   ジ剥離する半導体装置の製造方法において、 フォトレジスト工程において、前工程で形成された膜の
   エッジ剥離幅よりも次工程で形成される膜のエッジ剥離
   幅が狭くなって、前工程で形成された膜の端部を次工程
   で形成された膜の端部で覆うように、露光幅を変えるこ
   とを特徴とする半導体装置の製造方法。