JPH02132877A - 混成集積回路 - Google Patents
混成集積回路Info
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- JPH02132877A JPH02132877A JP1030400A JP3040089A JPH02132877A JP H02132877 A JPH02132877 A JP H02132877A JP 1030400 A JP1030400 A JP 1030400A JP 3040089 A JP3040089 A JP 3040089A JP H02132877 A JPH02132877 A JP H02132877A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 58
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 17
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010399 three-hybrid screening Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 238000010396 two-hybrid screening Methods 0.000 description 2
- 239000004840 adhesive resin Substances 0.000 description 1
- 229920006223 adhesive resin Polymers 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0201—Thermal arrangements, e.g. for cooling, heating or preventing overheating
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/14—Structural association of two or more printed circuits
- H05K1/144—Stacked arrangements of planar printed circuit boards
Landscapes
- Casings For Electric Apparatus (AREA)
- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
- Combinations Of Printed Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は混成集積回路に関し、特に複数枚の混成集積回
路基板からなる混成集積回路に関する。
路基板からなる混成集積回路に関する。
（口）従来の技術
混成集積回路は通常１枚の混成集積回路基板上に所望形
状に形成された導体上に複数の半導体素子からなる所望
の機能を有する回路が形成されている。
状に形成された導体上に複数の半導体素子からなる所望
の機能を有する回路が形成されている。
近年、集積化に伴い１枚基板のみならず２枚の基板から
なる混成集精回路が既に多くの分野で使用されている。
なる混成集精回路が既に多くの分野で使用されている。
第７図は断る２枚の混成集積回路基板（２１）（２２）
からなる混成集積回路を示す断面図である。夫々の混成
集積回路基板（２１）（２２）上には所望形状の導体（
図示しない）が形成され、その夫々の導体上にトランジ
スタ、ＩＣ等の複数の半導体素子（２３）及びチップ抵
抗、チップコンデンサ等のチップ部品が固着されている
。また、夫々の基板（２１ ）（２２）上に形成された
導体は基板（２１ ）（２２）の周端部付近で金属のリ
ード線（２４）によって半田接続され、そのリード線（
２４）は樹脂層（２５）によって樹脂封止されている。
からなる混成集積回路を示す断面図である。夫々の混成
集積回路基板（２１）（２２）上には所望形状の導体（
図示しない）が形成され、その夫々の導体上にトランジ
スタ、ＩＣ等の複数の半導体素子（２３）及びチップ抵
抗、チップコンデンサ等のチップ部品が固着されている
。また、夫々の基板（２１ ）（２２）上に形成された
導体は基板（２１ ）（２２）の周端部付近で金属のリ
ード線（２４）によって半田接続され、そのリード線（
２４）は樹脂層（２５）によって樹脂封止されている。
斯る混成集積回路と同様技術のものは実公昭５５−８３
１６号公報に記載されている。
１６号公報に記載されている。
（ハ）発明が解決しようとする課題
上述した様に２枚の混成集積回路基板にすることに混成
集積回路自体の集積度は向上できる。しかしながら、近
年増々混成集積回路の高集積化がなされるため、高集積
化に伴って混成集積回路自体の大型化が問題となってい
る。
集積回路自体の集積度は向上できる。しかしながら、近
年増々混成集積回路の高集積化がなされるため、高集積
化に伴って混成集積回路自体の大型化が問題となってい
る。
（二）課題を解決するための手段
本発明は上述した課題に鑑みて為されたものであり、第
１図に示す如く、表面が露出する様にケース材によって
所定間隔離間配置された対向する混成集積回路基板（１
）（３）と、対向配置された混成集積回路基板（１）（
３）間の略中間部に配置された他の混成集積回路基板（
２）とを備えて解決する。
１図に示す如く、表面が露出する様にケース材によって
所定間隔離間配置された対向する混成集積回路基板（１
）（３）と、対向配置された混成集積回路基板（１）（
３）間の略中間部に配置された他の混成集積回路基板（
２）とを備えて解決する。
（＊）作用
この様に本発明に依れば、ケース材（４）に収納された
対向する混成集積回路基板（１）（３）間の略中間部に
他の混成集積回路基板（２）を配置することにより、夫
々の混成集積回路基板（１）（２）（３）上に半導体素
子（９）（９）（９）を固着することが可能となり混成
集積回路の高集積化が行える。
対向する混成集積回路基板（１）（３）間の略中間部に
他の混成集積回路基板（２）を配置することにより、夫
々の混成集積回路基板（１）（２）（３）上に半導体素
子（９）（９）（９）を固着することが可能となり混成
集積回路の高集積化が行える。
（へ）実施例
以下に第１図に示した実施例に基づいて本発明の混成集
積回路を詳細に説明する。
積回路を詳細に説明する。
本発明の混成集積、回路は第１図に示す如く、３枚の混
成集積回路基板（１）（２）（３）と、３枚の混成集積
回路基板（１）（２）（３）を夫々離間収納配置するケ
ース材（４）と、３枚の混成集積回路基板（１）（２）
（３）間に設けられた接続体（５）とから構成される。
成集積回路基板（１）（２）（３）と、３枚の混成集積
回路基板（１）（２）（３）を夫々離間収納配置するケ
ース材（４）と、３枚の混成集積回路基板（１）（２）
（３）間に設けられた接続体（５）とから構成される。
３枚の混成集積回路基板（１ ）（２）（３） （以下
基板という）のケース材（４）の外側に配置される２枚
の基板（１）（３）は放熱性の優れた金属基板が用いら
れる。金属基板としてはアルミニウム基板、鉄基板、ホ
ーロー基板等を用いることが可能であるが、ここではア
ルミニウム基板を用いるものとする。そのアルミニウム
基板の表面には周知の陽極酸化技術によって酸化アルミ
ニウム膜が形成されて絶縁きれる。夫々の基板（１）（
３）上には接着性樹脂によって銅箔が貼若されへており
、その銅箔がエッチングきれて所望形状の導電路（６）
（８）が形成きれている。
基板という）のケース材（４）の外側に配置される２枚
の基板（１）（３）は放熱性の優れた金属基板が用いら
れる。金属基板としてはアルミニウム基板、鉄基板、ホ
ーロー基板等を用いることが可能であるが、ここではア
ルミニウム基板を用いるものとする。そのアルミニウム
基板の表面には周知の陽極酸化技術によって酸化アルミ
ニウム膜が形成されて絶縁きれる。夫々の基板（１）（
３）上には接着性樹脂によって銅箔が貼若されへており
、その銅箔がエッチングきれて所望形状の導電路（６）
（８）が形成きれている。
基板（１）（３）間の略中間部に配置きれる他の基板（
２）は熱伝導性の低いガラスエポキシ基板であり、その
両面には所望形状の導電路（７）（７’）が形成されて
いる。その導電路（７）（７’）上には発熱を有さない
小信号系の半導体素子（９）及びチップ抵抗、チップコ
ンデンサ等の電子部品（１０》が固着されている。一方
、基板表面が露出する様にケース材（４）に配置される
基板（１）（３）のいずれか一方の基板（１）上にはパ
ワートランジスタ、ＬＳＩチップ等の特に発熱を有する
半導体素子（９）及び抵抗体が固着、形成され、他方の
基板（３》上には基板（２）と同様に発熱を有さない小
信号系の半導体素子（９》が固若されている。
２）は熱伝導性の低いガラスエポキシ基板であり、その
両面には所望形状の導電路（７）（７’）が形成されて
いる。その導電路（７）（７’）上には発熱を有さない
小信号系の半導体素子（９）及びチップ抵抗、チップコ
ンデンサ等の電子部品（１０》が固着されている。一方
、基板表面が露出する様にケース材（４）に配置される
基板（１）（３）のいずれか一方の基板（１）上にはパ
ワートランジスタ、ＬＳＩチップ等の特に発熱を有する
半導体素子（９）及び抵抗体が固着、形成され、他方の
基板（３》上には基板（２）と同様に発熱を有さない小
信号系の半導体素子（９》が固若されている。
夫々の基板（１）（２）（３）の周端辺には外部回路と
接続するための複数本の外部リード端子（１０）（１０
）（１０）が半田付けによって固着きれている。
接続するための複数本の外部リード端子（１０）（１０
）（１０）が半田付けによって固着きれている。
夫々の基板（１）（２）＜３）上に形成された導電路の
（６）（７）とく７′）（８）とは接続体（５）によっ
て夫々互いに接続される。
（６）（７）とく７′）（８）とは接続体（５）によっ
て夫々互いに接続される。
接続体（５）は第２図に示す如く、ゴム又は合成樹脂か
ら成る絶縁シートの厚さ方向に線状導体〈１１）が複数
本埋め込められており、接続体（５）の両面からはその
線状導体（１１）が突出されており、接続体（５）は挾
持されることにより接続が行える。
ら成る絶縁シートの厚さ方向に線状導体〈１１）が複数
本埋め込められており、接続体（５）の両面からはその
線状導体（１１）が突出されており、接続体（５）は挾
持されることにより接続が行える。
斯る接統体（５）は特開昭６２−２２９７１４号公報及
び特開昭５９−５８７０９号公報に記載されている。接
続体（５）によって接続される導電路（６）〈７）及び
（７’）（８）は第３図に示す如く、複数本づつ接続さ
れるか、あるいは導電路（６）（７）及び（７゛）（８
）の所定部分を１木づつ選択的に接続することができる
。
び特開昭５９−５８７０９号公報に記載されている。接
続体（５）によって接続される導電路（６）〈７）及び
（７’）（８）は第３図に示す如く、複数本づつ接続さ
れるか、あるいは導電路（６）（７）及び（７゛）（８
）の所定部分を１木づつ選択的に接続することができる
。
夫々の基板（１）（３）はその表面が露出する様に固着
され、基板（１）（３）間の略中間部に基板（２）が配
置される様にケース材（４）に夫々離間固着されている
。夫々の基板＜１）（２）及び（２）（３）間には接続
体（５）が配置されており、この接続体（５）は夫々の
基板（１）（２）（３）によって強固に挾持され導電路
（６）（７）及び（７’ ）（８）が圧接接続きれる。
され、基板（１）（３）間の略中間部に基板（２）が配
置される様にケース材（４）に夫々離間固着されている
。夫々の基板＜１）（２）及び（２）（３）間には接続
体（５）が配置されており、この接続体（５）は夫々の
基板（１）（２）（３）によって強固に挾持され導電路
（６）（７）及び（７’ ）（８）が圧接接続きれる。
一方、この接続体（５）はケース材（４》に設けられた
保持ガイド部（１２）内に離脱することがない様に保持
されている。ケース材（４）は絶縁樹脂で形成され、上
述した如く、接続体（５）を保持するための保持ガイド
部（１２）が形成されている。この保持ガイド部（１２
〉は絶縁体（５》と略同様の形状に形成されているため
、保持ガイド部（１２）内に配置された接続体（５）は
作業中に離脱することはない。また、ケース材（４）に
は３枚の基板（１）（２）（３）を離間固着するための
第１乃至第３の段差部（１３）（１４）（１５）が形成
されており、この段差部（１３）（１４）（１５）に夫
々の基板（１）（２）（３）が配置されて接若シ一ト等
の接若剤によって接着される。このとき、基板（１）（
２）間に配置された接続体（５）は第１の段差部（１３
）よりも突出され、基板（２）（３）間に配置された接
続体（５）は第３の段差部（１５）よりも突出されてい
るために夫々の基板（１）（２）（３）によって接続体
（５）が挾持きれ導電路（６）（７）及び（７′）（８
）が接続される。
保持ガイド部（１２）内に離脱することがない様に保持
されている。ケース材（４）は絶縁樹脂で形成され、上
述した如く、接続体（５）を保持するための保持ガイド
部（１２）が形成されている。この保持ガイド部（１２
〉は絶縁体（５》と略同様の形状に形成されているため
、保持ガイド部（１２）内に配置された接続体（５）は
作業中に離脱することはない。また、ケース材（４）に
は３枚の基板（１）（２）（３）を離間固着するための
第１乃至第３の段差部（１３）（１４）（１５）が形成
されており、この段差部（１３）（１４）（１５）に夫
々の基板（１）（２）（３）が配置されて接若シ一ト等
の接若剤によって接着される。このとき、基板（１）（
２）間に配置された接続体（５）は第１の段差部（１３
）よりも突出され、基板（２）（３）間に配置された接
続体（５）は第３の段差部（１５）よりも突出されてい
るために夫々の基板（１）（２）（３）によって接続体
（５）が挾持きれ導電路（６）（７）及び（７′）（８
）が接続される。
斯る本発明の混成集積回路に依れば、表面が露出する様
にケース材に配置された基板（１）（３）間の略中間部
に他の基板（２）を配置することにより、夫々の基板（
１）（２）（３）上に半導体素子を固着することができ
高集積度を有する混成集積回路を提供することができる
。
にケース材に配置された基板（１）（３）間の略中間部
に他の基板（２）を配置することにより、夫々の基板（
１）（２）（３）上に半導体素子を固着することができ
高集積度を有する混成集積回路を提供することができる
。
また、表面が露出された一方の基板上に発熱を有する半
導体素子が固若されているため、その基板から発熱され
た熱は他方の表面が露出された基板上に固若された発熱
をしない半導体素子へ悪影響を及ぼす恐れがあるが、本
発明では両基板間に熱伝導性の低いガラスエボキシから
なる基板（２）が配置されているため発熱を有する半導
体素子が固着きれた基板からの発熱を断熱することがで
きる。
導体素子が固若されているため、その基板から発熱され
た熱は他方の表面が露出された基板上に固若された発熱
をしない半導体素子へ悪影響を及ぼす恐れがあるが、本
発明では両基板間に熱伝導性の低いガラスエボキシから
なる基板（２）が配置されているため発熱を有する半導
体素子が固着きれた基板からの発熱を断熱することがで
きる。
第５図は本発明の他の実施例を示す断面図であり、ケー
ス材ク４）内に収納される基板（２〉から外部ノード端
子（１０）が導出されない場合は基板（２）をケース材
（４）内に完全に収納配置した場合を示すものである。
ス材ク４）内に収納される基板（２〉から外部ノード端
子（１０）が導出されない場合は基板（２）をケース材
（４）内に完全に収納配置した場合を示すものである。
（ト）発明の効果
以上に詳述した如く、本発明の混成集積回路に依れば、
表面が露出する様にケース材に配置された基板（１）（
３）間の略中間部に他の基板（２）を配ｊδすることに
より、夫々の基板（１）（２）（３）上に半導体素子を
固若することができ高集積度を有する混成集積回路を提
供することができ、混成集積回路の小型化に大きく寄与
することができる。
表面が露出する様にケース材に配置された基板（１）（
３）間の略中間部に他の基板（２）を配ｊδすることに
より、夫々の基板（１）（２）（３）上に半導体素子を
固若することができ高集積度を有する混成集積回路を提
供することができ、混成集積回路の小型化に大きく寄与
することができる。
また本発明では表面が露出きれた一方の基板上に発熱を
有する半導体素子が固着されているため、その基板から
発熱された熱は他方の表面が露出詐れた基板上に固若さ
れた発熱をしない半導体素子へ悪影響を及ぼす恐れがあ
るが、本発明では両基板間に熱伝導性の低いガラスエボ
キシからなる基板（２）が配置されているため発熱を有
する半導体素子が固着きれた基板からの発熱を断熱する
ことができ、熱によって発熱性のない素子への悪影響を
防止することができ信頼性の優れた混成集積回路を提供
することができる。
有する半導体素子が固着されているため、その基板から
発熱された熱は他方の表面が露出詐れた基板上に固若さ
れた発熱をしない半導体素子へ悪影響を及ぼす恐れがあ
るが、本発明では両基板間に熱伝導性の低いガラスエボ
キシからなる基板（２）が配置されているため発熱を有
する半導体素子が固着きれた基板からの発熱を断熱する
ことができ、熱によって発熱性のない素子への悪影響を
防止することができ信頼性の優れた混成集積回路を提供
することができる。
第１図は本発明の混成集積回路を示す断面図、第２図は
本実施例で用いる接続体を示す斜視図、第３図、第４図
は接続体と導電路とを示す斜視図、第５図、第６図は他
の実施例を示す断面図、第７図は従来例を示す断面図で
ある。 （１）（２）（３）・・・混成集積回路基板、（４）・
・・ケース ク５）・・・接続体．
本実施例で用いる接続体を示す斜視図、第３図、第４図
は接続体と導電路とを示す斜視図、第５図、第６図は他
の実施例を示す断面図、第７図は従来例を示す断面図で
ある。 （１）（２）（３）・・・混成集積回路基板、（４）・
・・ケース ク５）・・・接続体．
Claims (7)
- （１）表面が露出する様にケース材によって所定間隔離
間配置された対向する混成集積回路基板と、 対向配置された前記混成集積回路基板間の略中間部に配
置された他の混成集積回路基板とを備え、 前記夫々の混成集積回路基板上に複数の回路素子が固着
されていることを特徴とする混成集積回路。 - （２）前記中間部に配置された他の混成集積回路基板で
対向配置された一方の前記混成集積回路基板から発熱さ
れる熱を断熱することを特徴とする請求項１記載の混成
集積回路。 - （３）前記対向配置された混成集積回路基板間の中間部
に配置された他の混成集積回路基板は熱伝導性の低いガ
ラスエポキシ基板であることを特徴とする請求項１記載
の混成集積回路。 - （４）前記対向する混成集積回路基板は絶縁金属基板で
あることを特徴とする請求項１記載の混成集積回路。 - （５）前記夫々の混成集積回路基板上に複数の回路素子
が固着されていることを特徴とする請求項１記載の混成
集積回路。 - （６）前記対向する混成集積回路基板の一方の前記基板
上に発熱性を有する回路素子、他方の前記基板上に発熱
のない回路素子が固着されていることを特徴とする請求
項１記載の混成集積回路。 - （７）前記夫々の混成集積回路基板は夫々接続体によっ
て接続されていることを特徴とする請求項１記載の混成
集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1030400A JP2771575B2 (ja) | 1989-02-09 | 1989-02-09 | 混成集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1030400A JP2771575B2 (ja) | 1989-02-09 | 1989-02-09 | 混成集積回路 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63286045A Division JPH02130992A (ja) | 1988-11-11 | 1988-11-11 | 混成集積回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02132877A true JPH02132877A (ja) | 1990-05-22 |
| JP2771575B2 JP2771575B2 (ja) | 1998-07-02 |
Family
ID=12302883
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1030400A Expired - Lifetime JP2771575B2 (ja) | 1989-02-09 | 1989-02-09 | 混成集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2771575B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014072349A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6248673U (ja) * | 1985-09-13 | 1987-03-25 |
-
1989
- 1989-02-09 JP JP1030400A patent/JP2771575B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6248673U (ja) * | 1985-09-13 | 1987-03-25 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014072349A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2771575B2 (ja) | 1998-07-02 |
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