JPH02121987A - 1―カルバ(デチア)セファロスポリン類の製造法 - Google Patents
1―カルバ(デチア)セファロスポリン類の製造法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、1−カルバ(デチア)セファロスポリン系抗
生物質化合物の製造法に関する。さらに詳しくは、本発
明は、セファロスポリン・1,1−ジオキシドを1−カ
ルバ(デチア)セファロスポリンに変換するための遊離
ラジカル法に関する。
生物質化合物の製造法に関する。さらに詳しくは、本発
明は、セファロスポリン・1,1−ジオキシドを1−カ
ルバ(デチア)セファロスポリンに変換するための遊離
ラジカル法に関する。
[従来の技術]
l−カルバ(デチア)セファロスポリン類は全合成によ
って製造されていた。例えば、クリステンセン(Chr
istensen)らは米国特許N o、 4.226
.866に3−置換メチル l−カルバセファロスポリ
ン類の製造法を記載しており、一方、エバンス(Eva
ns)らは米国特許N o、 4.665.171に不
斉全合成を記載している。1−オキサ(デチア)セファ
ロスポリン類およびセファロスポリン類それ自体は広範
囲に研究されており、治療学的に有用な郭しい数のこれ
ら型の抗生物質類が開発されている。l−カルバ(デチ
ア)セファロスポリン類は、研究用のようには利用する
のが容易ではなかった。従って、lカルバセファロスポ
リン類の製造法、特に大スケールの製造に供することが
できる製造法が求められていた。
って製造されていた。例えば、クリステンセン(Chr
istensen)らは米国特許N o、 4.226
.866に3−置換メチル l−カルバセファロスポリ
ン類の製造法を記載しており、一方、エバンス(Eva
ns)らは米国特許N o、 4.665.171に不
斉全合成を記載している。1−オキサ(デチア)セファ
ロスポリン類およびセファロスポリン類それ自体は広範
囲に研究されており、治療学的に有用な郭しい数のこれ
ら型の抗生物質類が開発されている。l−カルバ(デチ
ア)セファロスポリン類は、研究用のようには利用する
のが容易ではなかった。従って、lカルバセファロスポ
リン類の製造法、特に大スケールの製造に供することが
できる製造法が求められていた。
[発明が解決しようとする課題]
本発明は、遊離ラジカル中間体を経て、2−置換メチル
セファロスポリン・1,1−ジオキシドを直t?1−カ
ルバ(デチア)セファロスポリンに変換する方法を提供
するものである。置換基か遊離ラジカル前駆体、例えば
フェニルセレノ基である2−置換メチルセファロスポリ
ンを、水素化トリアルキルスズ、水素化トリアリールス
ズ、トリアルキルまたはトリアリールゲルマンなどの遊
離ラジカルイニシェークーと反応させてl−カルバ(テ
チア)−3−セフェム−4−カルボン酸またはそのエス
テルを得る。
セファロスポリン・1,1−ジオキシドを直t?1−カ
ルバ(デチア)セファロスポリンに変換する方法を提供
するものである。置換基か遊離ラジカル前駆体、例えば
フェニルセレノ基である2−置換メチルセファロスポリ
ンを、水素化トリアルキルスズ、水素化トリアリールス
ズ、トリアルキルまたはトリアリールゲルマンなどの遊
離ラジカルイニシェークーと反応させてl−カルバ(テ
チア)−3−セフェム−4−カルボン酸またはそのエス
テルを得る。
この1−カルバ(デチア)−3−セフェム産物を所望の
1=カルパー3−セフェム抗生物質に変換することがで
きるし、また、ある場合には本方法によって所望の抗生
物質が直接得られる。
1=カルパー3−セフェム抗生物質に変換することがで
きるし、また、ある場合には本方法によって所望の抗生
物質が直接得られる。
[課題を解決するための手段]
本発明の製造法によれば、式1:
[式中、Zは次式で示される二価の基でありRはアミノ
、アシルアミ/、保護アミノ、またはC,−C4アルキ
ルスルホニルアミノであり;R1は水素またはC,−C
,アルコキンであり;Yは遊離ラジカル前駆体基であり
、 R2は水素、C4−08アルキル、C,−C,アルケニ
ル、ハロゲン、C,−C,アルコキシ、C1C4アルキ
ルチオ、トリ(C,−C,アルキル)シリルオキシ、C
2−C6アルカノイルオキシ、C1C4アルキルスルホ
ニルオキシ、トリフルオロメチルスルホニルオキシ、ま
たは次式で示される置換メチル基であり Cl−1、R’″ (式中、R”はヒドロキシ、c、−C,アルコキシ、C
,−C,アルカノイルオキシ、ヘンジイルオキシ、C,
−C,アルキルチオ、ベンジルチオ、ベンジルオキシ、
または1〜4個の窒素環原子および/または酸素もしく
はイオウ環原子を含有する5または6員の1V素環であ
ってその複素環が環の炭素原子を介してチオ基に結合し
ている複素環チオ基である) R3は水素またはC,−C3アルキルであり;そして Aはカルホキシ保護基である」 で示される2−置換メチルセファロスポリン・l。
、アシルアミ/、保護アミノ、またはC,−C4アルキ
ルスルホニルアミノであり;R1は水素またはC,−C
,アルコキンであり;Yは遊離ラジカル前駆体基であり
、 R2は水素、C4−08アルキル、C,−C,アルケニ
ル、ハロゲン、C,−C,アルコキシ、C1C4アルキ
ルチオ、トリ(C,−C,アルキル)シリルオキシ、C
2−C6アルカノイルオキシ、C1C4アルキルスルホ
ニルオキシ、トリフルオロメチルスルホニルオキシ、ま
たは次式で示される置換メチル基であり Cl−1、R’″ (式中、R”はヒドロキシ、c、−C,アルコキシ、C
,−C,アルカノイルオキシ、ヘンジイルオキシ、C,
−C,アルキルチオ、ベンジルチオ、ベンジルオキシ、
または1〜4個の窒素環原子および/または酸素もしく
はイオウ環原子を含有する5または6員の1V素環であ
ってその複素環が環の炭素原子を介してチオ基に結合し
ている複素環チオ基である) R3は水素またはC,−C3アルキルであり;そして Aはカルホキシ保護基である」 で示される2−置換メチルセファロスポリン・l。
1−ジオキシドを、不活性溶媒中、遊離ラジカルイニシ
エーターを用いて反応させることによって、式2 [式中、RSR’、R3、AおよびZは上記定義に同じ
である1 で示される1−カルバ(デチア)セフェムまたはセファ
ムエステルが得られる。
エーターを用いて反応させることによって、式2 [式中、RSR’、R3、AおよびZは上記定義に同じ
である1 で示される1−カルバ(デチア)セフェムまたはセファ
ムエステルが得られる。
本発明の遊離ラジカル法は、約45°C〜約15o’c
の温度、好ましくは約60°C〜約90°Cの温度で行
うことができる。本方法は不活性溶媒中で行うのが最も
良く、この溶媒は通常の有機溶媒あるいはそのような溶
媒の混合物であってよい。例えば、セファロスポリンス
ルホンlが少な(とモ部分的に可溶性であるエーテル、
アルコール、ニトリル、ケトン、アミドおよびエステル
などの溶媒を本方法に用いることができる。使用するこ
とができるI′8煤の例は、ジプロピルエーテル、ジブ
チルエーテル、ジグリム、ジオキサン、エタノール、プ
ロパツール、ブタノール、エチレングリコール、アセト
ニトリル、ブチロニトリル、ベンゾニトリル、ジエチル
ケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、
ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ヘキサ
メチルホスホルアミド、酢酸エチル、プロピオン酸メチ
ル、酪酸エチルおよび安息香酸メチルである。ニトロベ
ンゼンなどの既知の遊離ラジカル捕獲剤またはスカベン
ジャーである溶媒は本方法においては避けるべきである
。
の温度、好ましくは約60°C〜約90°Cの温度で行
うことができる。本方法は不活性溶媒中で行うのが最も
良く、この溶媒は通常の有機溶媒あるいはそのような溶
媒の混合物であってよい。例えば、セファロスポリンス
ルホンlが少な(とモ部分的に可溶性であるエーテル、
アルコール、ニトリル、ケトン、アミドおよびエステル
などの溶媒を本方法に用いることができる。使用するこ
とができるI′8煤の例は、ジプロピルエーテル、ジブ
チルエーテル、ジグリム、ジオキサン、エタノール、プ
ロパツール、ブタノール、エチレングリコール、アセト
ニトリル、ブチロニトリル、ベンゾニトリル、ジエチル
ケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、
ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ヘキサ
メチルホスホルアミド、酢酸エチル、プロピオン酸メチ
ル、酪酸エチルおよび安息香酸メチルである。ニトロベ
ンゼンなどの既知の遊離ラジカル捕獲剤またはスカベン
ジャーである溶媒は本方法においては避けるべきである
。
セファロスポリンスルホンlのY基は、本明細書におい
ては「遊離ラジカル前駆体基」と定義されている。この
ようなバは、遊離ラジカルの化学において、遊離ラジカ
ル生成条件で相互作用させたときに容易に遊離ラジカル
を与える基であると認められている基である。本発明に
ついて言えば、Y基は次式Aで示される遊離ラジカルを
与えるあらゆる基である: 多数のこのような基が知られているが、具体的な例は、
セレニド類R’Se−またはスルフィド類R’S−(こ
こで、R4はC,−C,アルキル、C3−C,シクロア
ルキル、C,−C,アルケニル、C,−C,アルキニル
、フェニル、ナフチル、ピリミジニル、テトラフリル、
ピリジニル、ベンゾチェニル、またはベンゾフリルであ
る);カルボキシ基;チオカーボネート Ar0C(S
)O,Ar5C(S)O(ここで、Arはフェニルまた
はナフチルである):または複素環のチオンエステル、
例えば、(N−ピリジル−2−チオン)オキシカルボニ
ルおよび(N−ピリミジル−2−チオン)オキシカルボ
ニルなどである。また、YはコバルトIサロフェン(S
a 1ophen)、例えば配位共有結合によってコバ
ルト(II)イオンとジベンザルエチレンジアミンとか
ら生成したものなどであって、コバルトが1の2−メチ
レン基に結合しているものであってもよい。遊離ラジカ
ルAは、CoIサロフェンと放射、例えばUV放射によ
って生成する。本発明の好ましい遊離ラジカル前駆体基
はセレニドR’Se、特にアリールセレニド、例えばフ
ェニルセレニドである(YがCaHsSe−である)。
ては「遊離ラジカル前駆体基」と定義されている。この
ようなバは、遊離ラジカルの化学において、遊離ラジカ
ル生成条件で相互作用させたときに容易に遊離ラジカル
を与える基であると認められている基である。本発明に
ついて言えば、Y基は次式Aで示される遊離ラジカルを
与えるあらゆる基である: 多数のこのような基が知られているが、具体的な例は、
セレニド類R’Se−またはスルフィド類R’S−(こ
こで、R4はC,−C,アルキル、C3−C,シクロア
ルキル、C,−C,アルケニル、C,−C,アルキニル
、フェニル、ナフチル、ピリミジニル、テトラフリル、
ピリジニル、ベンゾチェニル、またはベンゾフリルであ
る);カルボキシ基;チオカーボネート Ar0C(S
)O,Ar5C(S)O(ここで、Arはフェニルまた
はナフチルである):または複素環のチオンエステル、
例えば、(N−ピリジル−2−チオン)オキシカルボニ
ルおよび(N−ピリミジル−2−チオン)オキシカルボ
ニルなどである。また、YはコバルトIサロフェン(S
a 1ophen)、例えば配位共有結合によってコバ
ルト(II)イオンとジベンザルエチレンジアミンとか
ら生成したものなどであって、コバルトが1の2−メチ
レン基に結合しているものであってもよい。遊離ラジカ
ルAは、CoIサロフェンと放射、例えばUV放射によ
って生成する。本発明の好ましい遊離ラジカル前駆体基
はセレニドR’Se、特にアリールセレニド、例えばフ
ェニルセレニドである(YがCaHsSe−である)。
本方法で用いられる遊離ラジカルイニシェークーは、放
射、例えば水銀燈なとによって発生する紫外線放射など
:過酸化物、例えば過酸化ジベンゾイルなど、水素化有
機スズ、例えば水素化トリ(C,−C,アルキル)スズ
、水素化トリアリールスズ、(A r)3s nil
(ここて、Arはフェニル、01C4アルキルフエニル
、クロロフェニルである)、水素化トリアラルキルスズ
、例えば水素化トリヘンシルスズおよび水素化置換トリ
ヘンンルスス(例えば、水素化トリー(4−メチルベン
ンル)スズ1、および同様の水素化有機スズ;トリアル
キルケルマン、例えばトリエチルゲルマン、またはトリ
アリールゲルマン、例えハトリフェニルゲルマンなどで
ある。本発明の好ましい遊離ランカルイニンエーターは
水素化有機スズであり、特に水素化トノアルキルスズで
ある。これら好ましい水Z化スズの例は、水素化トリメ
チルスズ、水素化トリエチルスズおよび水素化トリーn
−ブチルスズである。
射、例えば水銀燈なとによって発生する紫外線放射など
:過酸化物、例えば過酸化ジベンゾイルなど、水素化有
機スズ、例えば水素化トリ(C,−C,アルキル)スズ
、水素化トリアリールスズ、(A r)3s nil
(ここて、Arはフェニル、01C4アルキルフエニル
、クロロフェニルである)、水素化トリアラルキルスズ
、例えば水素化トリヘンシルスズおよび水素化置換トリ
ヘンンルスス(例えば、水素化トリー(4−メチルベン
ンル)スズ1、および同様の水素化有機スズ;トリアル
キルケルマン、例えばトリエチルゲルマン、またはトリ
アリールゲルマン、例えハトリフェニルゲルマンなどで
ある。本発明の好ましい遊離ランカルイニンエーターは
水素化有機スズであり、特に水素化トノアルキルスズで
ある。これら好ましい水Z化スズの例は、水素化トリメ
チルスズ、水素化トリエチルスズおよび水素化トリーn
−ブチルスズである。
水素化有機スズを別の遊離う/カルイニンエーター、例
えば2−2°−アソビスイソブチロニトリルなどのアゾ
化合物とともに用いて本方法の開始を増強することかで
きる。
えば2−2°−アソビスイソブチロニトリルなどのアゾ
化合物とともに用いて本方法の開始を増強することかで
きる。
過酸化物イニシエーターは熱によって本遊離ラジカル法
を開始させることができ、一方、放射は本方法を直接開
始させることができる。
を開始させることができ、一方、放射は本方法を直接開
始させることができる。
本発明の方法は早く進行し、スルホン形のセファロスポ
リンを対応の1−カルバ(デチア)セファロスポリンに
変換する。本方法に包含される遊離ラジカル反応の全工
程を以下の反応式に示す。
リンを対応の1−カルバ(デチア)セファロスポリンに
変換する。本方法に包含される遊離ラジカル反応の全工
程を以下の反応式に示す。
(以下、
余白)
上に示したように、鍵となるラジカルBは、SOlの除
去を伴うAの分子内ラジカル移動によって生成する。ラ
ジカルBのラジカルCへの崩壊に続き、水素原子が本工
程を終結させる。この終結用の水素は本工程で用いられ
る水素化スズから、または他の供給源、例えば溶媒から
得ることができる。
去を伴うAの分子内ラジカル移動によって生成する。ラ
ジカルBのラジカルCへの崩壊に続き、水素原子が本工
程を終結させる。この終結用の水素は本工程で用いられ
る水素化スズから、または他の供給源、例えば溶媒から
得ることができる。
本方法で得られる生成物2は常法によって反応混合物か
ら回収され、クロマトグラフィーによって副生成物から
分離され、精製される。出発原料lが3−セフェム(Z
= 、J−R’ )であるときには、1−カルパー3
−セフェム生成物2には若干異性化した1−カルパー2
−セフェム(Z−、LRりが付随する。この異性体はト
リエチルアミンなどの3級アミンで処理することによっ
て所望の3−セフェムに容易に異性化することができる
。水素化有機スズが用いられたときに本方法において見
い出されることが多い副生成物は、2−メチル−3=セ
フエムスルホンエステルである。この後者の副生成物は
、遊離ラジカル工程によるよりむしろ2−電子の還元に
よって生成することが明らかである。
ら回収され、クロマトグラフィーによって副生成物から
分離され、精製される。出発原料lが3−セフェム(Z
= 、J−R’ )であるときには、1−カルパー3
−セフェム生成物2には若干異性化した1−カルパー2
−セフェム(Z−、LRりが付随する。この異性体はト
リエチルアミンなどの3級アミンで処理することによっ
て所望の3−セフェムに容易に異性化することができる
。水素化有機スズが用いられたときに本方法において見
い出されることが多い副生成物は、2−メチル−3=セ
フエムスルホンエステルである。この後者の副生成物は
、遊離ラジカル工程によるよりむしろ2−電子の還元に
よって生成することが明らかである。
本発明は、前記式AおよびBで示される遊離ラジカルを
も提供するものである。これらのラジカル化合物は一時
的な中間体であるが、これらの存在は、前記反応式中に
示したこれらの生成を経て得られる生成物によってのみ
ならず、遊離ラジカルの捕獲実験によっても証明される
。例えば、10%ニトロベンゼンを反応混合物に加える
こと以外は、ラジカルへの生成について上で説明した条
件下で化合物1を反応させると、ラジカルAが捕獲され
、遊離ラジカル工程によって得られる上記説明の生成物
の代わりに2−電子の工程を経て還元生成物が得られる
。また、これらラジカルの存在は物理学的な方法によっ
ても証明することができる。
も提供するものである。これらのラジカル化合物は一時
的な中間体であるが、これらの存在は、前記反応式中に
示したこれらの生成を経て得られる生成物によってのみ
ならず、遊離ラジカルの捕獲実験によっても証明される
。例えば、10%ニトロベンゼンを反応混合物に加える
こと以外は、ラジカルへの生成について上で説明した条
件下で化合物1を反応させると、ラジカルAが捕獲され
、遊離ラジカル工程によって得られる上記説明の生成物
の代わりに2−電子の工程を経て還元生成物が得られる
。また、これらラジカルの存在は物理学的な方法によっ
ても証明することができる。
好ましい本発明のラジカル化合物は、Rがアシルアミノ
、特にフェニルアセチルアミンおよびフェノキシアセチ
ルアミノであり、R3か水素であり、そしてAI)<t
−ブチル、アリルまたはベンジルである式AおよびBの
化合物である。このような好ましいラジカルの例を2つ
挙げると以下のようである: 出発原料1は、式lに対して定義されているような7−
アシルアミノ置換セファロスポリンスルホンであってよ
い。このような基の例は、カルボン酸から導かれる基、
特にセファロスポリン抗生物質の7位およびペニシリン
抗生物質の6位にあるアシル基である。具体的には、ア
シルアミノ基R4CoNHのアシル基R4CO−は、C
,−C,フルカッイル;ハロケン、シアノまたはヒドロ
キシで置換されたC 、−C5アルカノイル:次式で示
されるアリールアセチルまたはヘテロアリールアセチル
基: (式中、Roはチエニル、ベンゾチエニル、フリル、ベ
ンゾフリル、チアゾリル、オキサシリル、インオキサシ
リル、イソチアゾリル、ピラゾリル、チアジアゾリル、
オキサジアゾリル、ピリジルまたはC,−C,アルキル
、アミノ、保護アミノまたはヒドロキシで置換されたこ
れら複素環;シクロへキサジェニル、ナフチル、フェニ
ルまたは次式: [式中、aおよびaoは独立して、水素、ハロケン、ヒ
ドロキ/、C,−C,アルキル、C,−C,アルコキシ
、アミン、アミ/メチル、メチルスルホニルアミノ、ヒ
ドロキシメチル、トリフルオロメチル、カルホキ/、保
護カルボキシ、カルボキシメチルまたは保護カルボキシ
メチルである1で示される置換フェニル基であり; Qは水素、ヒドロキシ、C,−C4アルカ/イルオキン
、カルボキン、保護カルボキシ、スルホ(−8o、H)
、アミノ、保護アミノ、または次式で示される置換アミ
ン基 [式中、R′はフリル、チエニル、フエニh、)\ロフ
ェニル、メチルフェニル、スチリル、ノーロスチリル、
メチルスチリル;または式 (式中、R”は水素、C,−C,アルキル、ヘンシル、
C,−C5アルカノイルまたはC,−C。
、特にフェニルアセチルアミンおよびフェノキシアセチ
ルアミノであり、R3か水素であり、そしてAI)<t
−ブチル、アリルまたはベンジルである式AおよびBの
化合物である。このような好ましいラジカルの例を2つ
挙げると以下のようである: 出発原料1は、式lに対して定義されているような7−
アシルアミノ置換セファロスポリンスルホンであってよ
い。このような基の例は、カルボン酸から導かれる基、
特にセファロスポリン抗生物質の7位およびペニシリン
抗生物質の6位にあるアシル基である。具体的には、ア
シルアミノ基R4CoNHのアシル基R4CO−は、C
,−C,フルカッイル;ハロケン、シアノまたはヒドロ
キシで置換されたC 、−C5アルカノイル:次式で示
されるアリールアセチルまたはヘテロアリールアセチル
基: (式中、Roはチエニル、ベンゾチエニル、フリル、ベ
ンゾフリル、チアゾリル、オキサシリル、インオキサシ
リル、イソチアゾリル、ピラゾリル、チアジアゾリル、
オキサジアゾリル、ピリジルまたはC,−C,アルキル
、アミノ、保護アミノまたはヒドロキシで置換されたこ
れら複素環;シクロへキサジェニル、ナフチル、フェニ
ルまたは次式: [式中、aおよびaoは独立して、水素、ハロケン、ヒ
ドロキ/、C,−C,アルキル、C,−C,アルコキシ
、アミン、アミ/メチル、メチルスルホニルアミノ、ヒ
ドロキシメチル、トリフルオロメチル、カルホキ/、保
護カルボキシ、カルボキシメチルまたは保護カルボキシ
メチルである1で示される置換フェニル基であり; Qは水素、ヒドロキシ、C,−C4アルカ/イルオキン
、カルボキン、保護カルボキシ、スルホ(−8o、H)
、アミノ、保護アミノ、または次式で示される置換アミ
ン基 [式中、R′はフリル、チエニル、フエニh、)\ロフ
ェニル、メチルフェニル、スチリル、ノーロスチリル、
メチルスチリル;または式 (式中、R”は水素、C,−C,アルキル、ヘンシル、
C,−C5アルカノイルまたはC,−C。
アルキルスルホニルでアル)
で示される基であり
Xおよびyは、独立しているときには水素またはC,−
C,アルキルであり、−緒になっているときには式 (式中、 は前記定義に同してあり、 qは2 または3である) で示される5または6員環を形成する]または Qは式: で示される置換アミン基 または Qは式: [式中、 は1〜3の整数である] て示されるベンズアミ ド基である) または R’C○は次式で示されるアシル基・ (式中、aおよびa′は前記定義に同じであり、ZはO
またはSであり、そしてnは0または1である) ; または、次式で示されるオキシイミノ置換されたアシル
基である: Ro−C−C− \ −R (式中、Roは前記定義に同じであり、R””は水素、
C,−C,アルキル、または次式で示されるカルボキシ
置換されたアルキルまたはシクロアルキル基である [式中、mはO〜3であり、Cおよびdは、独立してい
るときにはそれぞれ水素またはC,−C,アルキルであ
り、それらが結合している炭素原子と一緒になっている
ときには3〜6員の炭素環を形成し、モしてR””は水
素、C,−C,アルキル、またはカルボキシをf’l+
F’するエステル形成基であるコ) 。
C,アルキルであり、−緒になっているときには式 (式中、 は前記定義に同してあり、 qは2 または3である) で示される5または6員環を形成する]または Qは式: で示される置換アミン基 または Qは式: [式中、 は1〜3の整数である] て示されるベンズアミ ド基である) または R’C○は次式で示されるアシル基・ (式中、aおよびa′は前記定義に同じであり、ZはO
またはSであり、そしてnは0または1である) ; または、次式で示されるオキシイミノ置換されたアシル
基である: Ro−C−C− \ −R (式中、Roは前記定義に同じであり、R””は水素、
C,−C,アルキル、または次式で示されるカルボキシ
置換されたアルキルまたはシクロアルキル基である [式中、mはO〜3であり、Cおよびdは、独立してい
るときにはそれぞれ水素またはC,−C,アルキルであ
り、それらが結合している炭素原子と一緒になっている
ときには3〜6員の炭素環を形成し、モしてR””は水
素、C,−C,アルキル、またはカルボキシをf’l+
F’するエステル形成基であるコ) 。
Rがアシルアミノ基であるときの上記定義のアシル基の
例は、アセチル、プロピオニル、ンアノアセチル、ブロ
モアセチル、フェニルアセチル、フェノキンアセチル、
フェニルチオアセチル、ベンゾイル、チエニルアセチル
、フリルアセチル、ベンゾチエニルアセチル、ベンゾフ
リルアセチル、フェニルグリンル、マンゾロイル、フェ
ニルマロニル、α−スルホフェニルアセチル、α−(4
ヒドロキシベンズアミド)フェニルアセチル、α(4−
エチルピラジン−2,3−ジオン−1−イルカルボニル
アミノ)−α−フェニルアセチル、4−クロロフェニル
チオアセチル、4−ヒドロキシフェニルグリシル、2,
6−シメトキシベンゾイル、3−クロロ−4−ヒドロキ
シフェニルグリシル、2−(2−アミノチアゾール−4
−イル)2−メトキシイミノアセチル、および2−(2
アミノチアゾール−4−イル)−2−カルホキシメトキ
ンイミノアセチルである。
例は、アセチル、プロピオニル、ンアノアセチル、ブロ
モアセチル、フェニルアセチル、フェノキンアセチル、
フェニルチオアセチル、ベンゾイル、チエニルアセチル
、フリルアセチル、ベンゾチエニルアセチル、ベンゾフ
リルアセチル、フェニルグリンル、マンゾロイル、フェ
ニルマロニル、α−スルホフェニルアセチル、α−(4
ヒドロキシベンズアミド)フェニルアセチル、α(4−
エチルピラジン−2,3−ジオン−1−イルカルボニル
アミノ)−α−フェニルアセチル、4−クロロフェニル
チオアセチル、4−ヒドロキシフェニルグリシル、2,
6−シメトキシベンゾイル、3−クロロ−4−ヒドロキ
シフェニルグリシル、2−(2−アミノチアゾール−4
−イル)2−メトキシイミノアセチル、および2−(2
アミノチアゾール−4−イル)−2−カルホキシメトキ
ンイミノアセチルである。
本発明の好ましいアシル基はフェニルアセチルおよびフ
ェノキシアセチルである。
ェノキシアセチルである。
Rで示される保護アミ7基は、アミン基の一時的な保護
に通常用いられる訝通の保護基またはブロック基である
。このような基を化合物の製造時に用いて、保護されて
いないアミン基か関与する望ましくない副反応を防止す
ることが多い。例えば、アミ7基か同一分子中の他の部
位に向けられたアシル化反応あるいはエステル化試薬と
競合するときにアミ7基が保護またはプロ、りされる。
に通常用いられる訝通の保護基またはブロック基である
。このような基を化合物の製造時に用いて、保護されて
いないアミン基か関与する望ましくない副反応を防止す
ることが多い。例えば、アミ7基か同一分子中の他の部
位に向けられたアシル化反応あるいはエステル化試薬と
競合するときにアミ7基が保護またはプロ、りされる。
このような通常の保護基の例は、次式で示されるアリー
ル、アラルキル、アルキル、シクロアルキル、またはビ
シクロ−オキシカルボニル基であるR5−0−C− [式中 R5はアリール、例えばフェニル、4−メチル
フェニルまたはナフチル;アラルキル、例えばヘンシル
または4−メトキシベンジル;アルキル、例えばメチル
、エチルまたはt−ブチルなどのC,−C,アルキル;
シクロアルキル、例えばシクロプロピル、シクロペンチ
ルまたはシクロヘキシル;ビンクロアルキル、例えばア
クマンチルまたはビシクロへブテニルなどである1゜ また、アミノ保護基は、例えば保護されていないアミノ
基とβ−ケトエステルまたはβ−ジケトン(例えば、ア
セト酢酸エチル、アセト酢酸メチル、アセチルアセトン
あるいはベンゾイルアセトンなと)とで形成されるエナ
ミンであってもよい。Rて表すことができるその他の通
常の保護基には、トリフェニルメチルアミン、ジフェニ
ルメチルアミノ、roxJ基(ここでは、Rは4.5−
7フエニル4−オキサゾリン−2−オン−1−イルであ
る)、あるいはハロアセチル基(例えば、クロロアセチ
ルまたはジクロロアセチル)か含まれる。
ル、アラルキル、アルキル、シクロアルキル、またはビ
シクロ−オキシカルボニル基であるR5−0−C− [式中 R5はアリール、例えばフェニル、4−メチル
フェニルまたはナフチル;アラルキル、例えばヘンシル
または4−メトキシベンジル;アルキル、例えばメチル
、エチルまたはt−ブチルなどのC,−C,アルキル;
シクロアルキル、例えばシクロプロピル、シクロペンチ
ルまたはシクロヘキシル;ビンクロアルキル、例えばア
クマンチルまたはビシクロへブテニルなどである1゜ また、アミノ保護基は、例えば保護されていないアミノ
基とβ−ケトエステルまたはβ−ジケトン(例えば、ア
セト酢酸エチル、アセト酢酸メチル、アセチルアセトン
あるいはベンゾイルアセトンなと)とで形成されるエナ
ミンであってもよい。Rて表すことができるその他の通
常の保護基には、トリフェニルメチルアミン、ジフェニ
ルメチルアミノ、roxJ基(ここでは、Rは4.5−
7フエニル4−オキサゾリン−2−オン−1−イルであ
る)、あるいはハロアセチル基(例えば、クロロアセチ
ルまたはジクロロアセチル)か含まれる。
式lにおいてAで示されるカルボキシ(SA 4基は、
酸性のカルボキシ基を一時的に保護またはプロ。
酸性のカルボキシ基を一時的に保護またはプロ。
りして分子中の他の部位で行われる所望の反応との競合
を防止するためにβ=ラクタムの分野で普通に用いられ
る通常のVj= 3%基である。このような(1基の例
は、アルキル、アルケニル、ハロフルキル、アラルキル
、シリル、N−ヒドロキシ化合物とで形成された活性エ
ステル、無水物などである。このような基を例示すると
、アルキル、例えばエチル、t−ブチルまたはt−アミ
ル;アルケニル、例えばアリル、2−ブテニルまたは2
,2−ジメチルプロペニル;アラルキル、例えばベンジ
ル、または4−メトキシベンジルもしくはジフェニルメ
チルなどの置換ベンジル;シリル基、例えばトリエチル
シリルベ トリエチルシリル、t−ブチルジメチルシリ
ルもしくは2−0リメチルシリル)エチルなどのトリ(
C,−C,アルキル)シリル:N−ヒドロキシ化合物と
で形成される活性エステル、例えばフタルイミド、スク
シンイミドもしくはベンゾトリアゾール:カルボキシ基
とハロキ酸エステルとの反応によって形成される無水物
、例えばクロロギ酸エチル、クロロギ酸メチルもしくは
クロロギ酸イソブチルとで形成される無水物;酢酸もし
くは安息香酸などのその他の酸とで形成される無水物:
ペンタクロロフェノールなどのフェノール類とで形成さ
れるr重性エステル;および、その他の通常のカルボキ
シ1♀護2人、例えばフェナシルもしくはクロロギエチ
ルなとが挙げられる。
を防止するためにβ=ラクタムの分野で普通に用いられ
る通常のVj= 3%基である。このような(1基の例
は、アルキル、アルケニル、ハロフルキル、アラルキル
、シリル、N−ヒドロキシ化合物とで形成された活性エ
ステル、無水物などである。このような基を例示すると
、アルキル、例えばエチル、t−ブチルまたはt−アミ
ル;アルケニル、例えばアリル、2−ブテニルまたは2
,2−ジメチルプロペニル;アラルキル、例えばベンジ
ル、または4−メトキシベンジルもしくはジフェニルメ
チルなどの置換ベンジル;シリル基、例えばトリエチル
シリルベ トリエチルシリル、t−ブチルジメチルシリ
ルもしくは2−0リメチルシリル)エチルなどのトリ(
C,−C,アルキル)シリル:N−ヒドロキシ化合物と
で形成される活性エステル、例えばフタルイミド、スク
シンイミドもしくはベンゾトリアゾール:カルボキシ基
とハロキ酸エステルとの反応によって形成される無水物
、例えばクロロギ酸エチル、クロロギ酸メチルもしくは
クロロギ酸イソブチルとで形成される無水物;酢酸もし
くは安息香酸などのその他の酸とで形成される無水物:
ペンタクロロフェノールなどのフェノール類とで形成さ
れるr重性エステル;および、その他の通常のカルボキ
シ1♀護2人、例えばフェナシルもしくはクロロギエチ
ルなとが挙げられる。
式lのR2に関して、rc、−c8アルキル」は直鎖お
よび分岐鎖のアルキル基、例えばメチル、エチル、n−
プロピル、i−’7”ロビル、n−ブチル、jブチル、
t−ブチル、n−ペンチル、ネオペンチル、n−ヘキシ
ルなどを意味し; rc、−c、アルケニル」はビニ
ル、アリル、2−ブテニル、3−ペンテニルなどを意味
し; 「ハロゲン」はフルオロ、クロロ、ブロモおよび
ヨードを意味しく本明細書においてはハロゲンをハロで
表すこともある>: rc。
よび分岐鎖のアルキル基、例えばメチル、エチル、n−
プロピル、i−’7”ロビル、n−ブチル、jブチル、
t−ブチル、n−ペンチル、ネオペンチル、n−ヘキシ
ルなどを意味し; rc、−c、アルケニル」はビニ
ル、アリル、2−ブテニル、3−ペンテニルなどを意味
し; 「ハロゲン」はフルオロ、クロロ、ブロモおよび
ヨードを意味しく本明細書においてはハロゲンをハロで
表すこともある>: rc。
C4アルコキシ」はメトキシ、エトキシ、プロポキシ、
L−ブトキシ、n−ブトキシなどを意味しrc、−c、
アルキルチオ」はメチルチオ、エチルチオ、プロピルチ
オ、n−ブチルチオなどを意味し;「トリ(C,−C,
アルキル)シリル」はトリメチルシリル、トリエチルシ
リル、トリー(n−ブチル)シリル、t−ブチルジメチ
ルシリルなどの基を意味し;rct Coアルカノイ
ルオキシ」はアセトキシ、プロピオンオキン、ブチリル
オキシなどを意味し;そして、rc、−c、アルキルス
ルホニルオキシ」はメチルスルホニルオキシ、エチルス
ルホニルオキシ、n−ブチルスルホニルオキシなどを意
味する。
L−ブトキシ、n−ブトキシなどを意味しrc、−c、
アルキルチオ」はメチルチオ、エチルチオ、プロピルチ
オ、n−ブチルチオなどを意味し;「トリ(C,−C,
アルキル)シリル」はトリメチルシリル、トリエチルシ
リル、トリー(n−ブチル)シリル、t−ブチルジメチ
ルシリルなどの基を意味し;rct Coアルカノイ
ルオキシ」はアセトキシ、プロピオンオキン、ブチリル
オキシなどを意味し;そして、rc、−c、アルキルス
ルホニルオキシ」はメチルスルホニルオキシ、エチルス
ルホニルオキシ、n−ブチルスルホニルオキシなどを意
味する。
R″′で示される「複素環チオ」基とは、複素環の環炭
素原子に結合しているイオウ原子を有する5および6員
の複素環を意味する。このような基の例を以下に挙げる
が、好都合なように、複素環を記し、そしてチオ−8−
基の環への結合位置を表示することによって命名されて
いる。例えば、ピロール−2−チオは次式; の基を意味する。このような基の例は、ピリジン−2−
チオ、ピリジン−3−チオ、ピリジン−4チオ、イミダ
ゾール−2−チす、ピラジン−2−チオ、ピリミジン−
2−チオ、S−トリアジン−2−チオ、as−トリアジ
ン−5−チオ、チエニル2−チオ、フリル−2−チオ、
ピラン−2−チオ、チオビラン−2−チオ;トリアゾリ
ル−2チオ、オキサシリル−2−チオ; 1,3.4−
オキサジアゾリル−2−チオ、1,3.4−チアジアゾ
リル−2−チオ、テトラゾリル−2−チオ、および同様
の5および6員の複素環チオ基である。
素原子に結合しているイオウ原子を有する5および6員
の複素環を意味する。このような基の例を以下に挙げる
が、好都合なように、複素環を記し、そしてチオ−8−
基の環への結合位置を表示することによって命名されて
いる。例えば、ピロール−2−チオは次式; の基を意味する。このような基の例は、ピリジン−2−
チオ、ピリジン−3−チオ、ピリジン−4チオ、イミダ
ゾール−2−チす、ピラジン−2−チオ、ピリミジン−
2−チオ、S−トリアジン−2−チオ、as−トリアジ
ン−5−チオ、チエニル2−チオ、フリル−2−チオ、
ピラン−2−チオ、チオビラン−2−チオ;トリアゾリ
ル−2チオ、オキサシリル−2−チオ; 1,3.4−
オキサジアゾリル−2−チオ、1,3.4−チアジアゾ
リル−2−チオ、テトラゾリル−2−チオ、および同様
の5および6員の複素環チオ基である。
YがR’Se−またはR’S−である式1て示される2
−置換メチルスルホン類は以下の式3:で示される2−
メチレンスルホンと、セレノール化合物R’SeHまた
はメルカプタンR’SH(ここで、R4は上記定義に同
しである)の反応によって得られる。例えば、セレノフ
ェノールを3と反応させて2−フェニルセレノメチルス
ルホンlを得ることができる。メルカプタンあるいはセ
レノール化合物の反応は、ライト(Wright)らの
米国特許N o、 3.660.395の記載のように
して行うことができる(ライトらが用いたセファロスポ
リンスルホキシドの代わりにセファロスポリンスルホン
を用いる)。ライトらが記載しているあらゆる2−チオ
置換メチルセファロスポリン化合物を、本発明の方法に
おいて出発物質としてスルホン形で用いることかできる
。
−置換メチルスルホン類は以下の式3:で示される2−
メチレンスルホンと、セレノール化合物R’SeHまた
はメルカプタンR’SH(ここで、R4は上記定義に同
しである)の反応によって得られる。例えば、セレノフ
ェノールを3と反応させて2−フェニルセレノメチルス
ルホンlを得ることができる。メルカプタンあるいはセ
レノール化合物の反応は、ライト(Wright)らの
米国特許N o、 3.660.395の記載のように
して行うことができる(ライトらが用いたセファロスポ
リンスルホキシドの代わりにセファロスポリンスルホン
を用いる)。ライトらが記載しているあらゆる2−チオ
置換メチルセファロスポリン化合物を、本発明の方法に
おいて出発物質としてスルホン形で用いることかできる
。
2−エキソメチレンスルホン類(3)は、2−非置換セ
ファロスポリンスルホンのマンニッヒ型の反応によって
製造される。例えば、7−アシルアミノ−3−メチル−
3−セフェム−4−カルボン酸エステルスルホンをアル
デヒドR’C(0)Hおよび2級アミン塩酸塩(例えば
、ジメチルアンモニウムクロリド)と反応させて不安定
なジメチルアミノメチル付加体を得ることができる。こ
の不安定な付加体を分解して2−エキソメチレンセフェ
ムスルホン(3)を得る。この(3)を製造する方法は
ライトの米国特許N o、 3.660.396に記載
されている(この特許ではスルホキシド形のセファロス
ポリンが2−エキソメチレンスルホキシドに変換されて
いる)。ライトが用いたスルホキシド形の代わりにセフ
ァロスポリンスルホンを用いると3が得られる。
ファロスポリンスルホンのマンニッヒ型の反応によって
製造される。例えば、7−アシルアミノ−3−メチル−
3−セフェム−4−カルボン酸エステルスルホンをアル
デヒドR’C(0)Hおよび2級アミン塩酸塩(例えば
、ジメチルアンモニウムクロリド)と反応させて不安定
なジメチルアミノメチル付加体を得ることができる。こ
の不安定な付加体を分解して2−エキソメチレンセフェ
ムスルホン(3)を得る。この(3)を製造する方法は
ライトの米国特許N o、 3.660.396に記載
されている(この特許ではスルホキシド形のセファロス
ポリンが2−エキソメチレンスルホキシドに変換されて
いる)。ライトが用いたスルホキシド形の代わりにセフ
ァロスポリンスルホンを用いると3が得られる。
アルデヒドR3C(0)Hの例は、ホルムアルデヒド、
アセトアルデヒドおよびプロピオンアルデヒドである。
アセトアルデヒドおよびプロピオンアルデヒドである。
Yがカルボキシ基である出発物質(1)は、既知の2−
カルボキシセファロスポリンを用いて製造することかで
きる。始めに、2−カルボキシセファロスポリンエステ
ルを、酸く例えば、m−クロロ過安息香酸、過硫酸)に
対して過剰に用いて、あるいは過マンガン酸塩を用いて
スルホンに酸化する。
カルボキシセファロスポリンを用いて製造することかで
きる。始めに、2−カルボキシセファロスポリンエステ
ルを、酸く例えば、m−クロロ過安息香酸、過硫酸)に
対して過剰に用いて、あるいは過マンガン酸塩を用いて
スルホンに酸化する。
次いで、この2−カルボキシセファロスポリンスルホン
を酸クロリドに変換し、これをジアゾメタンと反応させ
るとアルントーアイスチルト反応を経て進行し、2〜カ
ルボキシメチルセフアロスポリンスルホン(1)が得ら
れる。
を酸クロリドに変換し、これをジアゾメタンと反応させ
るとアルントーアイスチルト反応を経て進行し、2〜カ
ルボキシメチルセフアロスポリンスルホン(1)が得ら
れる。
本発明方法において用いることかできるセファロスポリ
ンスルホン類(1)の例を以下の第1表に示す。
ンスルホン類(1)の例を以下の第1表に示す。
箸上衣 式lで示される2
スルホン類
置換メチルセファロスポリン
C,l1sCHIC(0)Nil
C,++50CH2C(0)NH
C,++、0CI(、C(0)Nll−C,Il、OC
H,C(0)NH− CelsCH(NHt)C(0)NH 2−チエニルアセチルアミノ t−C,H,10C(0)NH t−C4H,0C(0)NH C113C(0)Nl− C,1150C(0)Nil R’ R’ H−C113 ++ −CQ −OCII3H )1 −CIl=C1l。
H,C(0)NH− CelsCH(NHt)C(0)NH 2−チエニルアセチルアミノ t−C,H,10C(0)NH t−C4H,0C(0)NH C113C(0)Nl− C,1150C(0)Nil R’ R’ H−C113 ++ −CQ −OCII3H )1 −CIl=C1l。
−CQ
++ −5C113
11−0C113
11C1l、R””
H−C1120C(0)CII3
II −C1120C(0)C10
JsSe−
CeHsSe−
C,R5−S
CII3Se−
n−C4HsSe−
−COOI+
C,H,−8
aHs 5
CtHsSe−
ピリミジン−2−3e
Δ
7リル
1リル
pMB’
−CI。
TCE”
7リル
II)MB
1)MB
c−He
t−C,ll。
第1表(続き)
RR’ R’
11 C,II、C(0)Nll−111,2C,l
l5−CIl、C(0)Nll−ll13 2−チエ
ニル7セチルアミノ l114 2−7
ミノチアゾールー4−イル−2メト舷イミノ7セチル1
ミノ 1115 C,11,0CI1
.C(0)Nll−11162−7リル7セfル1ミノ
1117 t−C,Il、0C(
0)Nll−111/pMB = p−メトキシベ
ンジル2/TCE ・ 2,2.21リクロロ工チル
3/DPM −シフ1ニルメチル n C41sSe CallsSe− ピリジニル−2−Se− C,++、−3 5−テトラゾリル−3e− C,11,−3 C2115Cs1ls−3e− +1 II ++ C,ll5CIL C,11,CIL C,115CI12 7リル 本発明の製造方法において、YがR’Se−であり、R
3が水素原子であり、Zが)−R’であり(ここで R
/2はクロロ、メチルまたは水素原子である)、R1が
水素原子であり、Rがアミノ保護フェニルグリシルアミ
ノ基であり、Aがアリル、ベンジル、ジフェニルメチル
またはし一ブチルであり、遊離ラジカルイニシエーター
が水素化トリ(n−ブチル)スズである、式1で示され
る化合物を用いることが好ましい。
l5−CIl、C(0)Nll−ll13 2−チエ
ニル7セチルアミノ l114 2−7
ミノチアゾールー4−イル−2メト舷イミノ7セチル1
ミノ 1115 C,11,0CI1
.C(0)Nll−11162−7リル7セfル1ミノ
1117 t−C,Il、0C(
0)Nll−111/pMB = p−メトキシベ
ンジル2/TCE ・ 2,2.21リクロロ工チル
3/DPM −シフ1ニルメチル n C41sSe CallsSe− ピリジニル−2−Se− C,++、−3 5−テトラゾリル−3e− C,11,−3 C2115Cs1ls−3e− +1 II ++ C,ll5CIL C,11,CIL C,115CI12 7リル 本発明の製造方法において、YがR’Se−であり、R
3が水素原子であり、Zが)−R’であり(ここで R
/2はクロロ、メチルまたは水素原子である)、R1が
水素原子であり、Rがアミノ保護フェニルグリシルアミ
ノ基であり、Aがアリル、ベンジル、ジフェニルメチル
またはし一ブチルであり、遊離ラジカルイニシエーター
が水素化トリ(n−ブチル)スズである、式1で示され
る化合物を用いることが好ましい。
また、本発明の製造方法において、Rがフェノキシアセ
チルアミノまたはフェニルアセチルアミ/であり、R1
が水素原子であり、Zが、LcH。
チルアミノまたはフェニルアセチルアミ/であり、R1
が水素原子であり、Zが、LcH。
であり、R3が水素原子であり、YがCaHsSe−で
あり、Aがアリルである、式lで示される化合物を用い
ることが好ましい。
あり、Aがアリルである、式lで示される化合物を用い
ることが好ましい。
さらに、本発明の製造方法において、Rがフェノキシア
セチルアミノ、フェニルアセチルアミノまたはアミン保
護基であり、R1およびR3が水素原子であり、Zがグ
1Pである(ここで、R1はメチル、水素原子またはク
ロロである)、式1で示される化合物を用いることが好
ましい。
セチルアミノ、フェニルアセチルアミノまたはアミン保
護基であり、R1およびR3が水素原子であり、Zがグ
1Pである(ここで、R1はメチル、水素原子またはク
ロロである)、式1で示される化合物を用いることが好
ましい。
以下に製造例および実施例を挙げて、本発明をさらに詳
述するか、これらは本発明を限定するものではない。
述するか、これらは本発明を限定するものではない。
Fia例1 アリル7β−フエ/キシアセチルアミノ
−2−エキソメチレン−3−メチル−3=セフェム−4
−カルボキシレート・1.l−ジオキシド ジオキサン400j!Qおよび水200R12に7−ア
ミツデアセトキンセフアロスポラニン酸(7−ADCA
)42.859(200ミリモル)を加えたスラリーを
IN水酸化ナトリウム200mCで30分間処理した。
−2−エキソメチレン−3−メチル−3=セフェム−4
−カルボキシレート・1.l−ジオキシド ジオキサン400j!Qおよび水200R12に7−ア
ミツデアセトキンセフアロスポラニン酸(7−ADCA
)42.859(200ミリモル)を加えたスラリーを
IN水酸化ナトリウム200mCで30分間処理した。
アセトン130JIgに塩化フェノキシアセチル29x
ff(210ミリモル)を溶解した溶液と2N水酸化ナ
トリウム1ooJ+cとを別々に、かつ同時に、スラリ
ーのpHを8〜9に維持するような速度で滴下した。得
られた溶液を真空下で蒸発させて揮発成分を除去し、ジ
エチルエーテルで抽出して中性物質を除去した。
ff(210ミリモル)を溶解した溶液と2N水酸化ナ
トリウム1ooJ+cとを別々に、かつ同時に、スラリ
ーのpHを8〜9に維持するような速度で滴下した。得
られた溶液を真空下で蒸発させて揮発成分を除去し、ジ
エチルエーテルで抽出して中性物質を除去した。
2N水酸化ナトリウムでpH7,5に再調節した塩化メ
チレン7001および水700mQ中のテトラ−n−ブ
チルアンモニウム ヒドロキシドスルフェート71.3
9(210ミリモル)の溶l夜に、7フエノキシアセチ
ルアミノー3−メチル−3セフェム−4−カルボン酸ナ
トリウムの溶液を添加した。混合物を約5分間撹拌し、
塩化メチレン層を分離した。水相を塩化メチレンで2回
抽出し、抽出液を有機相と混合した。有機相を硫酸マグ
ネシウムで乾燥し、蒸発させて褐色の曲状物を得た。
チレン7001および水700mQ中のテトラ−n−ブ
チルアンモニウム ヒドロキシドスルフェート71.3
9(210ミリモル)の溶l夜に、7フエノキシアセチ
ルアミノー3−メチル−3セフェム−4−カルボン酸ナ
トリウムの溶液を添加した。混合物を約5分間撹拌し、
塩化メチレン層を分離した。水相を塩化メチレンで2回
抽出し、抽出液を有機相と混合した。有機相を硫酸マグ
ネシウムで乾燥し、蒸発させて褐色の曲状物を得た。
曲状物をクロロホルム250TIQに溶解し、撹拌しな
がら、予め活性アルミナで濾過しておいた臭化アリル3
4.6x((400ミリモル)を添加した。
がら、予め活性アルミナで濾過しておいた臭化アリル3
4.6x((400ミリモル)を添加した。
混合物を室温で約19時間撹拌した時点で薄層クロマト
グラフィーが出発物質の残存を示したので、臭化アリル
17jlQを添加し、混合物を約2時間撹拌しながら5
0°Cに加熱した。反応混合物を回転式エバポレーター
で蒸発させてクロロホルムを除去し、この濃縮物をジエ
チルエーテル:塩化メチレン(3:L v:v)に溶解
し、この溶液を、pH7緩衝液で2回、および食塩水で
1回抽出し、硫酸マグ不ソウムで乾燥させた。溶液を真
空下で蒸発させ、粗製の黄色固体として7−フェノキン
アセチルアミノ−3−メチル−3−セフェム−4カルボ
ン酸アリルを得た。
グラフィーが出発物質の残存を示したので、臭化アリル
17jlQを添加し、混合物を約2時間撹拌しながら5
0°Cに加熱した。反応混合物を回転式エバポレーター
で蒸発させてクロロホルムを除去し、この濃縮物をジエ
チルエーテル:塩化メチレン(3:L v:v)に溶解
し、この溶液を、pH7緩衝液で2回、および食塩水で
1回抽出し、硫酸マグ不ソウムで乾燥させた。溶液を真
空下で蒸発させ、粗製の黄色固体として7−フェノキン
アセチルアミノ−3−メチル−3−セフェム−4カルボ
ン酸アリルを得た。
粗エステル(約200ミリモル)をDMF 800mQ
に溶解し、溶液を5°Cに冷却し、酢酸エチル250m
Qにm−クロロ過安息香酸(85%tech、)439
9(210ミリモル)を溶解した溶液を、温度が25°
C以下に維持されるような速度で添加した。
に溶解し、溶液を5°Cに冷却し、酢酸エチル250m
Qにm−クロロ過安息香酸(85%tech、)439
9(210ミリモル)を溶解した溶液を、温度が25°
C以下に維持されるような速度で添加した。
添加が完了した後、薄層クロマトグラフィーは、主とし
てスルホキシド、および痕跡!nのスルホンを示し、出
発物質は示さなかった。次いで、?f1合物を室温まで
t温め、スルホキシドとスルホンの混合物を得た。この
混合物を以下のようにして得た別のスルホン調製物と混
合した。
てスルホキシド、および痕跡!nのスルホンを示し、出
発物質は示さなかった。次いで、?f1合物を室温まで
t温め、スルホキシドとスルホンの混合物を得た。この
混合物を以下のようにして得た別のスルホン調製物と混
合した。
DMF200mgにアリル7−フェノキンアセチルアミ
ノ−3−メチル−3−セフェム−4−カルボキシレート
・l−オキシド24g(59,3llモル)を溶解した
溶液を、室温で、m−クロロ過安息香酸13.69(6
5ミリモル)で処理した。反応混合物を酢酸エチル中に
注ぎ、溶液をNHCl!クロライド 食塩水(1: l
)で3回、pH7緩衝液で1回、および重炭酸塩で1回
抽出し、乾燥させ、澤発乾固させた。残留物を、上記に
従って得たスルホキシド−スルホン混合物と混合し、ス
ルホンをジイソプロピルエーテル−塩化メチレンから結
晶化した。母液を調製用HPLCでクロマトグラフィー
処理して、さらにスルホン生成物を得た。得られたスル
ホンの合計重量は43.09であった。
ノ−3−メチル−3−セフェム−4−カルボキシレート
・l−オキシド24g(59,3llモル)を溶解した
溶液を、室温で、m−クロロ過安息香酸13.69(6
5ミリモル)で処理した。反応混合物を酢酸エチル中に
注ぎ、溶液をNHCl!クロライド 食塩水(1: l
)で3回、pH7緩衝液で1回、および重炭酸塩で1回
抽出し、乾燥させ、澤発乾固させた。残留物を、上記に
従って得たスルホキシド−スルホン混合物と混合し、ス
ルホンをジイソプロピルエーテル−塩化メチレンから結
晶化した。母液を調製用HPLCでクロマトグラフィー
処理して、さらにスルホン生成物を得た。得られたスル
ホンの合計重量は43.09であった。
ジオキサン600C!iこ、スルホン、アリル7β−フ
ェノキシアセチルアミノ−3−メチル−3セフェム−4
−カルボキシレート・1.1−ジオキシド43.0h(
102,2ミリモル)を溶解した溶液に、37%ホルム
アルデヒド水溶液150肩Qを添加した。溶液を室温で
撹拌し、塩化ジメチルアンモニウム12.649(15
5ミリモル)ヲ添加した。混合物を室温で約2時間撹拌
し、真空蒸発によってジオキサンの約半分を除去すると
、固体が生成した。固体を含む全混合物を酢酸エチルと
食塩水: IN HC&(1: l)とに分配した。酢
酸エチル層を分離し、硫酸マグネシウムで乾燥させ、回
転式エバポレーターで葎発乾固させた。生成物の固体残
留物をジイソプロピルエーテル−塩化メチレンから結晶
化させた。所望の生成物、アリル7β−フェノキシアセ
チルアミノ−2−エキソメチレン−3−メチル−3−セ
フェム−4カルボキシレート・1,1−ジオキシド40
.3yく91%)を得た。
ェノキシアセチルアミノ−3−メチル−3セフェム−4
−カルボキシレート・1.1−ジオキシド43.0h(
102,2ミリモル)を溶解した溶液に、37%ホルム
アルデヒド水溶液150肩Qを添加した。溶液を室温で
撹拌し、塩化ジメチルアンモニウム12.649(15
5ミリモル)ヲ添加した。混合物を室温で約2時間撹拌
し、真空蒸発によってジオキサンの約半分を除去すると
、固体が生成した。固体を含む全混合物を酢酸エチルと
食塩水: IN HC&(1: l)とに分配した。酢
酸エチル層を分離し、硫酸マグネシウムで乾燥させ、回
転式エバポレーターで葎発乾固させた。生成物の固体残
留物をジイソプロピルエーテル−塩化メチレンから結晶
化させた。所望の生成物、アリル7β−フェノキシアセ
チルアミノ−2−エキソメチレン−3−メチル−3−セ
フェム−4カルボキシレート・1,1−ジオキシド40
.3yく91%)を得た。
質ニスベクトル(フィールド・デソーブション)M”4
32 UVスペクトル(C,+15011)λmax 307
nm e =4092λwax 261nm e −7
558IRスペク ト ル(KBr): 1772c
r’(β−ラクタムカBJ)1732cr’(エステル
カルボニル)NMR: (CDCf23)δ 2.2
3(s、311)、 4.59(s、2H)、 4.8
0(d、2+1)、 4.91(d、1ll)、 5.
35(d、ilり、 5.39(d、1ll)、5.9
5(m、IH)、 6.20(d、11()、 6.2
5(d/d、IH)、 6.65(d。
32 UVスペクトル(C,+15011)λmax 307
nm e =4092λwax 261nm e −7
558IRスペク ト ル(KBr): 1772c
r’(β−ラクタムカBJ)1732cr’(エステル
カルボニル)NMR: (CDCf23)δ 2.2
3(s、311)、 4.59(s、2H)、 4.8
0(d、2+1)、 4.91(d、1ll)、 5.
35(d、ilり、 5.39(d、1ll)、5.9
5(m、IH)、 6.20(d、11()、 6.2
5(d/d、IH)、 6.65(d。
ilり、6.90−7.38(芳香族11)、8.02
(d、 1ll)。
(d、 1ll)。
?2造例2 アリル7β−フェノキシアセチルアミノ
−2−フェニルセレノメチル−3−メチル4−カルボキ
シレート・1,1−ジオキシド製造例1記載のように製
造した2−メチレンスルホン1.309(:19モル)
をアセトニトリル10.51&に溶解した溶液に、過剰
量のセレノフェノールを添加し、この溶液を室温で約3
0分間撹拌した。反応混合物から生成物を沈澱させ、濾
過し、真空下で乾燥させた。無色の結晶体として標記化
合物446119を得た。濾液を蒸発乾固し、生成物の
残留物を塩化メチレン−ジイソプロピルエーテルから結
晶化させ、第2生成物を得た。
−2−フェニルセレノメチル−3−メチル4−カルボキ
シレート・1,1−ジオキシド製造例1記載のように製
造した2−メチレンスルホン1.309(:19モル)
をアセトニトリル10.51&に溶解した溶液に、過剰
量のセレノフェノールを添加し、この溶液を室温で約3
0分間撹拌した。反応混合物から生成物を沈澱させ、濾
過し、真空下で乾燥させた。無色の結晶体として標記化
合物446119を得た。濾液を蒸発乾固し、生成物の
残留物を塩化メチレン−ジイソプロピルエーテルから結
晶化させ、第2生成物を得た。
質量スペクトル(フィールド・デソーブション):M”
590 IJV(C,+1500) :λmax 239nm
ε=13481.6NMR:(CDCI23)δ 2.
03(s、 3H)、3.40(d、 21+)、3.
95(t、 IH)、4.59(s、 2H)、4.6
9−4.81(m、 30)、5.32(d/d、 1
1()、5.38(d/d、 1B)、5.85−6.
00(m、 IH)、6.19(d/d、 LH)、6
.90−7.62(芳香族H)、8. to(a、 i
H)。
590 IJV(C,+1500) :λmax 239nm
ε=13481.6NMR:(CDCI23)δ 2.
03(s、 3H)、3.40(d、 21+)、3.
95(t、 IH)、4.59(s、 2H)、4.6
9−4.81(m、 30)、5.32(d/d、 1
1()、5.38(d/d、 1B)、5.85−6.
00(m、 IH)、6.19(d/d、 LH)、6
.90−7.62(芳香族H)、8. to(a、 i
H)。
IR(KBr):1766cx−’(β−ラクタムカル
ボニル)1727cm−’ (エステルカルボニル)’
Xfftuflll アリル7β−フェノキシアセチ
ルアミノ−3−メチル−1−カルバ(デチア)−3セフ
ェム−4−カルボキシレート ジグリム10M中のアリル7β−フェノキシアセチルア
ミノ−2−フェニルセレノメチル3−メチル−3−セフ
ェム−4−カルボキンレート・1,1−ジオキッド59
(8,5ミリモル)およびアゾビスイソブチロニトリル
2.62y(16ミリモル)ので濁液に、水素化トリー
n−ブチルスズ677R&(25,7ミ’)モル)を添
加した。反応混合物を約100’Cの温度に加熱した。
ボニル)1727cm−’ (エステルカルボニル)’
Xfftuflll アリル7β−フェノキシアセチ
ルアミノ−3−メチル−1−カルバ(デチア)−3セフ
ェム−4−カルボキシレート ジグリム10M中のアリル7β−フェノキシアセチルア
ミノ−2−フェニルセレノメチル3−メチル−3−セフ
ェム−4−カルボキンレート・1,1−ジオキッド59
(8,5ミリモル)およびアゾビスイソブチロニトリル
2.62y(16ミリモル)ので濁液に、水素化トリー
n−ブチルスズ677R&(25,7ミ’)モル)を添
加した。反応混合物を約100’Cの温度に加熱した。
約86°Cの温度で反応混合物から気体が放出され始め
、約15分後におさまった。最高温度は112°Cに達
した。
、約15分後におさまった。最高温度は112°Cに達
した。
25分後、酢酸エチル:塩化メチレン(1585、v:
v)を用いて、if!6物の少■を薄層クロマトグラフ
ィーにかけた。このクロマトグラムは、出発物質の全て
か反応したことを示した。
v)を用いて、if!6物の少■を薄層クロマトグラフ
ィーにかけた。このクロマトグラムは、出発物質の全て
か反応したことを示した。
次いで、反応混合物を蒸発させ、ジグリムを除去し、残
留物をアセトニトリルに溶解した。この溶液をペンタン
で洗浄し、蒸発乾固し、黄色の油状物899を得た。こ
の油状物を、フロリシル(Florisil)のクロマ
トグラフィーにかけ、まず塩化メチレンて、次に酢酸エ
チル、塩化メチレン(20・80.v:v)で、次いで
酢酸エチルで溶離した。多数の分画を取った。初めの方
の分画から、アリル7β−フェノキシアセチルアミノ−
2−(トリーローブチルスズ)メチル−3−メチル−3
−セフェム−4−カルボキシレート・1.1−ジオキシ
ド1、129を得た。中間の分画は未同定の還元生成物
1.669を含んでいた。後の方の分画からはlカルパ
ー3−セフェムと還元生成物との混合物0939を得た
。この混合物は、酢酸エチル:ヘキサン(60: 40
、v:v)を用いるシリカゲル薄層クロマトグラフィー
上に3つのスポットを示した。
留物をアセトニトリルに溶解した。この溶液をペンタン
で洗浄し、蒸発乾固し、黄色の油状物899を得た。こ
の油状物を、フロリシル(Florisil)のクロマ
トグラフィーにかけ、まず塩化メチレンて、次に酢酸エ
チル、塩化メチレン(20・80.v:v)で、次いで
酢酸エチルで溶離した。多数の分画を取った。初めの方
の分画から、アリル7β−フェノキシアセチルアミノ−
2−(トリーローブチルスズ)メチル−3−メチル−3
−セフェム−4−カルボキシレート・1.1−ジオキシ
ド1、129を得た。中間の分画は未同定の還元生成物
1.669を含んでいた。後の方の分画からはlカルパ
ー3−セフェムと還元生成物との混合物0939を得た
。この混合物は、酢酸エチル:ヘキサン(60: 40
、v:v)を用いるシリカゲル薄層クロマトグラフィー
上に3つのスポットを示した。
l−カルバー3−セフェムと還元生成物との混合物を、
ヘキサン中O〜60%酢酸エチルの勾配液を用いて、シ
リカゲルクロマトグラフィー処理し、(A)1−カルバ
−3−セフェム19R9、(B)混合物510xy、お
よび(C)薄層上の低いスポット7319を得た。
ヘキサン中O〜60%酢酸エチルの勾配液を用いて、シ
リカゲルクロマトグラフィー処理し、(A)1−カルバ
−3−セフェム19R9、(B)混合物510xy、お
よび(C)薄層上の低いスポット7319を得た。
1−カルバ−3−セフェム(A)アリル7βフエノキシ
アセチルアミノ−3−メチル−1−カルバ(デチア)−
3−セフェム−4−カルボキシレートは、質量スペクト
ルで測定すると分子量370を有しており、以下のスペ
クトル特性を有していた。
アセチルアミノ−3−メチル−1−カルバ(デチア)−
3−セフェム−4−カルボキシレートは、質量スペクト
ルで測定すると分子量370を有しており、以下のスペ
クトル特性を有していた。
UV(C,11,011) :λ 268;ε−8,5
84NMR(CDC(!3) :δ 1.42(m、
III)、1.91(m、 III)、2゜5(s、3
tl)、2.31(m、 2tl)、3.85(m、
III)、4.55(s、 211)、4、65−4.
80(m、 411)、5.95(m、 1tl)、6
.85−7.30(芳香族11)。
84NMR(CDC(!3) :δ 1.42(m、
III)、1.91(m、 III)、2゜5(s、3
tl)、2.31(m、 2tl)、3.85(m、
III)、4.55(s、 211)、4、65−4.
80(m、 411)、5.95(m、 1tl)、6
.85−7.30(芳香族11)。
混合物(B)510y+9を、勾配溶離液を用いてシリ
カゲルクロマトグラフィー処理し、アリル7β−フェノ
キシアセチルアミノ−3−メチル−1−カルバ(デチア
)−2−セフェム−4−カルボキシレート49!9を得
た。
カゲルクロマトグラフィー処理し、アリル7β−フェノ
キシアセチルアミノ−3−メチル−1−カルバ(デチア
)−2−セフェム−4−カルボキシレート49!9を得
た。
質量スペクトル:370=M。
NMR(CDCI23) :δ 1.80(s、 21
1)、2.40(m、 1ll)、2.62(m、 1
tl)、3.80(t、 III)、4.55(s、
211)、4.82(d、 III)、5、30(d、
IH)、 5.40(d、 1ll)、 70(s、 III)、 95(+++、 1 )1)、 6.90 7.42(芳香族10゜ uv(c、u5o+D : λ 268; ε λ 275; カ ルバセ フェム %式% 混合物(B)から得られた1 カル セフェムは構造式: %式% ほか1名
1)、2.40(m、 1ll)、2.62(m、 1
tl)、3.80(t、 III)、4.55(s、
211)、4.82(d、 III)、5、30(d、
IH)、 5.40(d、 1ll)、 70(s、 III)、 95(+++、 1 )1)、 6.90 7.42(芳香族10゜ uv(c、u5o+D : λ 268; ε λ 275; カ ルバセ フェム %式% 混合物(B)から得られた1 カル セフェムは構造式: %式% ほか1名
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、以下の式2: ▲数式、化学式、表等があります▼2 {式中、Rはアミノ、アシルアミノ、保護アミノ、また
はC_1−C_4アルキルスルホニルアミノであり;R
^1は水素またはC_1−C_4アルコキシであり;Z
は次式で示される二価の基であり: ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、または▲数式、化学式、表等があり
ます▼ [式中、R^2は水素、C_1−C_6アルキル、C_
2−C_6アルケニル、ハロゲン、C_1−C_4アル
コキシ、C_1−C_4アルキルチオ、トリ(C_1−
C_4アルキル)シリルオキシ、C_2−C_6アルカ
ノイルオキシ、C_1−C_4アルキルスルホニルオキ
シ、トリフルオロメチルスルホニルオキシ、または次式
で示される置換メチル基である: −CH_2R^2’ (式中、R^2’はヒドロキシ、C_1−C_6アルコ
キシ、C_1−C_6アルカノイルオキシ、ベンジルオ
キシ、C_1−C_6アルキルチオ、ベンジルチオ、ま
たは1〜4個の窒素環原子および/または酸素もしくは
イオウ環原子を含有する5または6員の複素環であって
その複素環が環の炭素原子を介してチオ基に結合してい
る複素環チオ基である)]; R^3は水素またはC_1−C_3アルキルであり;そ
して Aはカルボキシ保護基である} で示される1−カルバ(1−デチア)セフェム化合物の
製造法であって、以下の式1: ▲数式、化学式、表等があります▼1 [式中、R、R^1、R^3およびAは上記定義に同じ
であり、Yは遊離ラジカル前駆体基である]で示される
2−置換メチルセファロスポリン・1,1−ジオキシド
を遊離ラジカルイニシエーターを用いて反応させること
を特徴とする製造法。 2、不活性溶媒中、45℃〜150℃の温度で行う請求
項1記載の製造法。 3、Rがアミノまたはアシルアミノ基であり、R^1お
よびR^3が水素であり、そしてZが▲数式、化学式、
表等があります▼、または▲数式、化学式、表等があり
ます▼ である請求項1記載の製造法。 4、Yが式: R^4Se−またはR^4S− [式中、R^4はC_1−C_4アルキル、C_3−C
_8シクロアルキル、C_2−C_6アルケニル、C_
2−C_6アルキニル、フェニル、ナフチル、ピリミジ
ニル、テトラゾリル、ピリジニル、ベンゾチエニル、ま
たはベンゾフリルである] で示される遊離ラジカル前駆体基である請求項1記載の
製造法。 5、遊離ラジカルイニシエーターが水素化トリアルキル
スズである請求項4記載の製造法。 6、イニシエーターが水素化トリ(n−ブチル)スズで
ある請求項5記載の製造法。 7、Rが次式で示されるアシルアミノ基である請求項4
記載の製造法: R^4CONH− {式中、R^4COはC_1−C_5アルカノイル;ハ
ロゲン、シアノまたはヒドロキシで置換されたC_2−
C_5アルカノイル;次式で示されるアリールアセチル
またはヘテロアリールアセチル基: ▲数式、化学式、表等があります▼ [式中、R^0はチエニル、ベンゾチエニル、フリル、
ベンゾフリル、チアゾリル、オキサゾリル、イソオキサ
ゾリル、イソチアゾリル、ピラゾリル、チアジアゾリル
、オキサジアゾリル、ピリジル;C_1−C_4アルキ
ル、アミノ、保護アミノまたはヒドロキシで置換された
これら複素環;シクロヘキサジエニル、ナフチル、フェ
ニルまたは次式:▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、aおよびa’は独立して、水素、ハロゲン、ヒ
ドロキシ、C_1−C_4アルキル、C_1−C_4ア
ルコキシ、アミノ、アミノメチル、メチルスルホニルア
ミノ、ヒドロキシメチル、トリフルオロメチル、カルボ
キシ、保護カルボキシ、カルボキシメチルまたは保護カ
ルボキシメチルである)で示される置換フェニル基であ
り; Qは水素、ヒドロキシ、C_1−C_4アルカノイルオ
キシ、カルボキシ、保護カルボキシ、スルホ(−SO_
3H)、アミノ、保護アミノ、または次式で示される置
換アミノ基: ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R’はフリル、チエニル、フェニル、ハロフェ
ニル、メチルフェニル、スチリル、ハロスチリル、メチ
ルスチリル;または式: ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R”は水素、C_1−C_4アルキル、ベンジ
ル、C_2−C_5アルカノイルまたはC_1−C_3
アルキルスルホニルである) で示される基であり; xおよびyは、独立しているときには水素またはC_1
−C_4アルキルであり、一緒になっているときには式
: ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R”は前記定義に同じであり、qは2または3
である) で示される5または6員環を形成する);またはQは式
: (C_1〜C_4アルキル)▲数式、化学式、表等があ
ります▼ で示される置換アミノ基;または Qは式: ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、b’は1〜3の整数である) で示されるベンズアミド基である];またはR^4CO
は次式で示されるアシル基: ▲数式、化学式、表等があります▼ [式中、aおよびa’は前記定義に同じであり、ZはO
またはSであり、そしてnは0または1である]; または、次式で示されるオキシイミノ置換されたアシル
基である: ▲数式、化学式、表等があります▼ [式中、R^0は前記定義に同じであり、R’”は水素
、C_1−C_4アルキル、または次式で示されるカル
ボキシ置換されたアルキルまたはシクロアルキル基であ
る: ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、mは0〜3であり、cおよびdは、独立してい
るときにはそれぞれ水素またはC_1−C_3アルキル
であり、それらが結合している炭素原子と一緒になって
いるときには3〜6員の炭素環を形成し、そしてR””
は水素、C_1−C_4アルキル、またはカルボキシを
保護するエステル形成基である)]}。 8、R^4COがアミノ保護されたフェニルグリシル基
、フェノキシアセチル、またはフェニルアセチルである
請求項7記載の製造法。 9、以下の式Aで示される遊離ラジカル化合物:▲数式
、化学式、表等があります▼A {式中、Rはアミノ、アシルアミノ、保護アミノ、また
はC_1−C_4アルキルスルホニルアミノであり;R
^1は水素またはC_1−C_4アルコキシであり;R
^3は水素またはC_1−C_3アルキルであり;Zは
次式で示される二価の基であり: ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、または▲数式、化学式、表等があり
ます▼ [式中、R^2は水素、C_1−C_6アルキル、C_
2−C_6アルケニル、ハロゲン、C_1−C_4アル
コキシ、C_1−C_4アルキルチオ、トリ(C_1−
C_4アルキル)シリルオキシ、C_2−C_6アルカ
ノイルオキシ、C_1−C_4アルキルスルホニルオキ
シ、トリフルオロメチルスルホニルオキシ、または次式
で示される置換メチル基である; −CH_2R^2’ (式中、R^2’はヒドロキシ、C_1−C_6アルコ
キシ、C_1−C_6アルカノイルオキシ、ベンゾイル
オキシ、C_1−C_6アルキルチオ、ベンジルチオ、
ベンジルオキシ、または1〜4個の環窒素原子およびイ
オウまたは酸素原子を含有する5または6員の複素環で
あってその複素環が環中の炭素原子を介してチオ基に結
合している複素環チオ基である)];そして Aはカルボキシ保護基である}。 10、Rがフェニルグリシルアミノ、アミノ保護された
フェニルグリシルアミノ基、フェノキシアセチルアミノ
またはフェニルアセチルアミノである請求項9記載の化
合物。 11、以下の式Bで示される遊離ラジカル化合物:▲数
式、化学式、表等があります▼B {式中、Rはアミノ、アシルアミノ、保護アミノ、また
はC_1−C_4アルキルスルホニルアミノであり;R
^1は水素またはC_1−C_4アルコキシであり;R
^3は水素またはC_1−C_3アルキルであり;Zは
次式で示される二価の基であり: ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、または▲数式、化学式、表等があり
ます▼ [式中、R^2は水素、C_1−C_6アルキル、C_
2−C_8アルケニル、ハロゲン、C_1−C_4アル
コキシ、C_1−C_4アルキルチオ、トリ(C_1−
C_4アルキル)シリルオキシ、C_2−C_6アルカ
ノイルオキシ、C_1−C_4アルキルスルホニルオキ
シ、トリフルオロメチルスルホニルオキシ、または次式
で示される置換メチル基である: −CH_2R^2’ (式中、R^2’はヒドロキシ、C_1−C_6アルコ
キシ、C_1−C_6アルカノイルオキシ、ベンゾイル
オキシ、C_1−C_6アルキルチオ、ベンジルチオ、
または1〜4個の環窒素原子および/または酸素または
イオウ環原子を含有する5または6員の複素環であって
その複素環が環の炭素原子を介してチオ基に結合してい
る複素環チオ基である)];そしてAはカルボキシ保護
基である}。 12、Rがフェノキシアセチルアミノ、フェニルアセチ
ルアミノ、フェニルグリシルアミノまたはアミノ保護さ
れたフェニルグリシルアミノ基であり、R^1およびR
^3が水素であり、Zが▲数式、化学式、表等がありま
す▼(ここで、R^2は水素、メチル、またはハロゲン
である)である請求項11記載の化合物。
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