JPH02120227A - Ｂｉ系酸化物超電導体の製造方法 - Google Patents
Ｂｉ系酸化物超電導体の製造方法Info
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- JPH02120227A JPH02120227A JP63272107A JP27210788A JPH02120227A JP H02120227 A JPH02120227 A JP H02120227A JP 63272107 A JP63272107 A JP 63272107A JP 27210788 A JP27210788 A JP 27210788A JP H02120227 A JPH02120227 A JP H02120227A
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
この発明は臨界温度が高いことで知られているＢｉ系酸
化物超電導体の製造方法に関する。
化物超電導体の製造方法に関する。
「従来の技術」
近年、臨界温度が液体窒素温度を超える値を示す酸化物
系の超電導体が次々と発見されいるが、この種の酸化物
超電導体において、高い臨界温度を示し、希土類元素を
含まない酸化物超電導体としてＢｉ系の酸化物超電導体
が注目されている。
系の超電導体が次々と発見されいるが、この種の酸化物
超電導体において、高い臨界温度を示し、希土類元素を
含まない酸化物超電導体としてＢｉ系の酸化物超電導体
が注目されている。
ところが、発見当初に得られたＢｉ系の酸化物超電導体
は、臨界温度でｌｌ０Ｋ近傍を示すＢｉ２５ ｒｔｃ
ａｔｃ Ｌ１３０ Ｘなる組成の高温相と、臨界温度で
８０Ｋを示すＢ ｉｔｓ ｒｔｃ ａｒｃ ｕｔｏ Ｘ
なる組成の低温相の混合体であることが判明した。そこ
で゛、高温相のみからなるＢｉ系酸化物超電導体の製造
が種々試みられている。
は、臨界温度でｌｌ０Ｋ近傍を示すＢｉ２５ ｒｔｃ
ａｔｃ Ｌ１３０ Ｘなる組成の高温相と、臨界温度で
８０Ｋを示すＢ ｉｔｓ ｒｔｃ ａｒｃ ｕｔｏ Ｘ
なる組成の低温相の混合体であることが判明した。そこ
で゛、高温相のみからなるＢｉ系酸化物超電導体の製造
が種々試みられている。
「発明が解決しようとする課題」
以上のような背景に鑑みて研究が進められた結果、Ｂ
１１０３．ＰｂＯ，Ｓ ｒ（ＮＯ３）ｔ・４ ＨｔＯ，
ＣｕＯの各粉末をＨＮ Ｏｓで溶解し、攪拌、加熱混合
後、８００℃で３０分間加熱して仮焼し、更に粉砕して
成形し焼成することにより、高温相のバルクの単相化に
成功したとの発表がなされている。そして、このような
バルクの単相化が成功したのは、成分元素にＰｂを添加
したことと、共沈法により原料を調製したことが要因と
されている。
１１０３．ＰｂＯ，Ｓ ｒ（ＮＯ３）ｔ・４ ＨｔＯ，
ＣｕＯの各粉末をＨＮ Ｏｓで溶解し、攪拌、加熱混合
後、８００℃で３０分間加熱して仮焼し、更に粉砕して
成形し焼成することにより、高温相のバルクの単相化に
成功したとの発表がなされている。そして、このような
バルクの単相化が成功したのは、成分元素にＰｂを添加
したことと、共沈法により原料を調製したことが要因と
されている。
そこで前記のようにＢｉ系酸化物超電導体にＰｂを添加
する方法が種々試みられているが、前述の製造方法を行
った場合、仮焼段階でＣａｘ５ｒｓ４ＣｕｓＯｙなる組
成の化合物が生成し易い傾向があリ、この組成の化合物
が生成するためにＣａ、Ｓｒ。
する方法が種々試みられているが、前述の製造方法を行
った場合、仮焼段階でＣａｘ５ｒｓ４ＣｕｓＯｙなる組
成の化合物が生成し易い傾向があリ、この組成の化合物
が生成するためにＣａ、Ｓｒ。
Ｃｕが消費されることになり、最終的に得られるＢｉ系
酸化物超電導体の仕込み組成がずれる問題があった。ま
た、ｐｂを添加した場合であっても、バルク内の一部で
は臨界温度８０にの低温相ができることがあり、低温相
の生成が高温相の生成を阻害する問題があった。
酸化物超電導体の仕込み組成がずれる問題があった。ま
た、ｐｂを添加した場合であっても、バルク内の一部で
は臨界温度８０にの低温相ができることがあり、低温相
の生成が高温相の生成を阻害する問題があった。
今回本発明者らは、このような背景に鑑み、種々研究を
重ねた結果、臨界温度が１０５Ｋを示すＢｉ系酸化物超
電導体を製造する方法を見出して本発明に至った。
重ねた結果、臨界温度が１０５Ｋを示すＢｉ系酸化物超
電導体を製造する方法を見出して本発明に至った。
本発明は前記背景に鑑みてなされたもので、臨界温度が
１０５Ｋを示すＢｉ系酸化物超電導体を製造する方法の
提供を目的とする。
１０５Ｋを示すＢｉ系酸化物超電導体を製造する方法の
提供を目的とする。
「課題を解決するための手段」
本発明は前記課題を解決するために、ＢｉとＳｒとＣｕ
と０を具備してなる複合化合物と、ＣａＯおよびｐｂｏ
との熱拡散反応により、Ｂ Ｉｔｓ ｒｔＣａ２Ｃｕ＋
Ｏｘなる組成の酸化物超電導体を生成させるものである
。
と０を具備してなる複合化合物と、ＣａＯおよびｐｂｏ
との熱拡散反応により、Ｂ Ｉｔｓ ｒｔＣａ２Ｃｕ＋
Ｏｘなる組成の酸化物超電導体を生成させるものである
。
「作用 」
ＢｉとＳｒとＣｕと０を含み、Ｃａとｐｂを含まない化
合物と、ＣａＯおよびＰｂＯを熱拡散反応させることに
より、Ｂ Ｉｔｓ ｒｔｃ ａｔｃ ｕ３０ Ｘなる組
成の酸化物超電導体が生成する。ここで、ＢｉとＳｒと
ＣｕとＯを含む複合化合物と、ＣａＯとＰｂＯとを別々
に作製するとＣａｘ Ｓ ｒｓ−ｘＣｕｓＯｙなる組成
の化合物とＢ Ｉｔｓ ｒｔＣａｔ Ｃｌ１ｔＯ’Ｘな
る組成の低温相を生成させることなく複合化合物を生成
させることができ、この複合化合物を基にＣａＯおよび
ＰｂＯとの熱拡散反応により酸化物超電導体を生成させ
るので最終的に得られる酸化物超電導体の組成が仕込み
組成に近いものとなる。また、ｐｂは安定な化合物の状
態で添加されるので得られる酸化物超電導体の内部では
ｐｂは安定化され、Ｂｉ系の高温相を生成させるｐｂの
効果が十分に発揮される。
合物と、ＣａＯおよびＰｂＯを熱拡散反応させることに
より、Ｂ Ｉｔｓ ｒｔｃ ａｔｃ ｕ３０ Ｘなる組
成の酸化物超電導体が生成する。ここで、ＢｉとＳｒと
ＣｕとＯを含む複合化合物と、ＣａＯとＰｂＯとを別々
に作製するとＣａｘ Ｓ ｒｓ−ｘＣｕｓＯｙなる組成
の化合物とＢ Ｉｔｓ ｒｔＣａｔ Ｃｌ１ｔＯ’Ｘな
る組成の低温相を生成させることなく複合化合物を生成
させることができ、この複合化合物を基にＣａＯおよび
ＰｂＯとの熱拡散反応により酸化物超電導体を生成させ
るので最終的に得られる酸化物超電導体の組成が仕込み
組成に近いものとなる。また、ｐｂは安定な化合物の状
態で添加されるので得られる酸化物超電導体の内部では
ｐｂは安定化され、Ｂｉ系の高温相を生成させるｐｂの
効果が十分に発揮される。
以下に本発明を更に詳細に説明する。
本発明を実施してＢ ｉ−Ｓ ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系の
酸化物超電導体を製造するには、まず、出発物を調製す
る。この出発物としては、Ｂｉ化合物とＳｒ化合物とＣ
ｕ化合物を用いる。前記化合物としては、各元素の酸化
物、塩化物、炭酸塩、硫化物、フッ化物などのいずれで
も良い。この例で具体的に用イルツバ、Ｂ１２Ｏ３粉末
と５ｒｃｏ３粉末とＣｕＯ粉末を用いる。なお、用いる
化合物は粒状、粉末状を問わないが、できる限り粒径の
小さなものが好ましい。
酸化物超電導体を製造するには、まず、出発物を調製す
る。この出発物としては、Ｂｉ化合物とＳｒ化合物とＣ
ｕ化合物を用いる。前記化合物としては、各元素の酸化
物、塩化物、炭酸塩、硫化物、フッ化物などのいずれで
も良い。この例で具体的に用イルツバ、Ｂ１２Ｏ３粉末
と５ｒｃｏ３粉末とＣｕＯ粉末を用いる。なお、用いる
化合物は粒状、粉末状を問わないが、できる限り粒径の
小さなものが好ましい。
ココテ前記Ｂ ｉ、Ｏ、粉末とＳ ｒＣＯ３粉末とＣｕ
Ｏ粉末を用意したならば、Ｂ ｉ：Ｓ ｒ：ｃｕ＝ ２
：２ ：３の割合になるように秤量して均一に混合し
、混合粉末を作製する。次に第１混合粉末を大気中にお
いて８２０℃で１２時間加熱して仮焼することにより不
要成分を除去し、Ｂ ｉｔｓ ｒｔｃ ｕｓｏ Ｘなる
組成、あるいは、この組成の化合物を主成分とする複合
化合物を作製する。なお、仮焼処理の温度は７５０〜８
４０℃の範囲が好ましく、時間は数時間〜数ｌθ時間程
度、仮焼処理の雰囲気は真空雰囲気や酸素ガス雰囲気で
も差し支えない。
Ｏ粉末を用意したならば、Ｂ ｉ：Ｓ ｒ：ｃｕ＝ ２
：２ ：３の割合になるように秤量して均一に混合し
、混合粉末を作製する。次に第１混合粉末を大気中にお
いて８２０℃で１２時間加熱して仮焼することにより不
要成分を除去し、Ｂ ｉｔｓ ｒｔｃ ｕｓｏ Ｘなる
組成、あるいは、この組成の化合物を主成分とする複合
化合物を作製する。なお、仮焼処理の温度は７５０〜８
４０℃の範囲が好ましく、時間は数時間〜数ｌθ時間程
度、仮焼処理の雰囲気は真空雰囲気や酸素ガス雰囲気で
も差し支えない。
次に前記の複合化合物を十分に粉砕して粒径を揃え、更
にＣａＯ粉末とＰｂＯ粉末をＢ ｉ：Ｐ ｂ：Ｓ ｒ：
Ｃａ：Ｃｕ＝ ２ ：（０、１〜１．０ ）：２ ：２
：３の割合になるように均一に混合し、Ｏ、ｌ ＝
１０ ｔ、／ａｍ２程度の圧力を加える圧粉成形処理を
施して所望の形状の圧粉成形体を得る。ここで行う圧粉
成形処理には、機械プレス、静水圧プレスなどを用いる
ことが好ましいがこれらの方法に限定されるものではな
く、混合粉末を圧密できる方法であれば、いかなる方法
を用いても差し支えない。
にＣａＯ粉末とＰｂＯ粉末をＢ ｉ：Ｐ ｂ：Ｓ ｒ：
Ｃａ：Ｃｕ＝ ２ ：（０、１〜１．０ ）：２ ：２
：３の割合になるように均一に混合し、Ｏ、ｌ ＝
１０ ｔ、／ａｍ２程度の圧力を加える圧粉成形処理を
施して所望の形状の圧粉成形体を得る。ここで行う圧粉
成形処理には、機械プレス、静水圧プレスなどを用いる
ことが好ましいがこれらの方法に限定されるものではな
く、混合粉末を圧密できる方法であれば、いかなる方法
を用いても差し支えない。
前記圧粉成形体を得たならば、これを酸素ガスを含むＡ
ｒガス雰囲気中などにおいて、８２０〜８７０℃で数分
〜数１００時間程度加熱する熱処理を施して焼結する。
ｒガス雰囲気中などにおいて、８２０〜８７０℃で数分
〜数１００時間程度加熱する熱処理を施して焼結する。
この熱処理によりＢｉ２５ｒｔＣＬＩ３０Ｘなる複合化
合物とＣａＯとＰｂＯが反応してＢ ｉ４Ｓ ｒｔｃ
ａｔ（Ｐ ｂｙ ）Ｃｕ＊ｏ ｘなる組成の酸化物超電
導体が生成する。なお、前記熱処理雰囲気は真空中や酸
素ガス雰囲気中などでも差し支えない。
合物とＣａＯとＰｂＯが反応してＢ ｉ４Ｓ ｒｔｃ
ａｔ（Ｐ ｂｙ ）Ｃｕ＊ｏ ｘなる組成の酸化物超電
導体が生成する。なお、前記熱処理雰囲気は真空中や酸
素ガス雰囲気中などでも差し支えない。
なおまた、先に行った仮焼処理においては複合化合物に
Ｃａを含んでいないので、ＣａｘＳｒ３−ｘＣｕ、Ｏｙ
なる組成の不純物化合物、あるいは、臨界温度の低いＢ
＋ｔＳ ｒｔｃａ＋ｃｕｔｏ Ｘなる組成の低温相が
生成していない。従って、複合化合物と酸化銅と酸化鉛
を混合して焼結することによりＢｉ２５ ｒｔｃ ａｔ
（Ｐ ｂｙ ）Ｃｕｓｏ ｘなる組成の酸化物超電導体
が効率良く生成する。しかもこの場合、ｐｂはＰｂＯの
状態で添加されるのでＰｂを安定化させることができ、
臨界温度の高い高温相のＢ ｉ、Ｓ ｒ。
Ｃａを含んでいないので、ＣａｘＳｒ３−ｘＣｕ、Ｏｙ
なる組成の不純物化合物、あるいは、臨界温度の低いＢ
＋ｔＳ ｒｔｃａ＋ｃｕｔｏ Ｘなる組成の低温相が
生成していない。従って、複合化合物と酸化銅と酸化鉛
を混合して焼結することによりＢｉ２５ ｒｔｃ ａｔ
（Ｐ ｂｙ ）Ｃｕｓｏ ｘなる組成の酸化物超電導体
が効率良く生成する。しかもこの場合、ｐｂはＰｂＯの
状態で添加されるのでＰｂを安定化させることができ、
臨界温度の高い高温相のＢ ｉ、Ｓ ｒ。
Ｃａｔ（Ｐ ｂｙ ）Ｃｕ、ｏ ｘを生成させるＰｂの
効果を十分に発揮させることができる。
効果を十分に発揮させることができる。
以上のような方法を実施することにより、臨界温度が１
０５Ｋを示すＢｉ系酸化物超電導体を製造することがで
きる。
０５Ｋを示すＢｉ系酸化物超電導体を製造することがで
きる。
ところで、本発明方法を用いて薄膜状あるいは厚膜状の
Ｂｉ系超超電導体製造することができる。
Ｂｉ系超超電導体製造することができる。
この場合、ＭｇＯあるいはＳ ｒＴ ｉｏ ｓなどから
なる基板上に化学気相蒸着法、スパッタリング法または
レーザＰＶＤ法などの薄膜形成法、あるいはドクターブ
レード法などの厚膜形成法を実施してＢ ｉｚｓ ｒｔ
Ｃｕｓｏ Ｘなる組成の複合化合物層を形成し、更にこ
の上にＣａＯ層とＰｂＯ層を形成する手順を必要回数行
って積層膜を形成し、この積層膜を前記と同等の条件で
熱処理すれば、元素の相互拡散を進行させてＢ ｉｚｓ
ｒｔｃ ａｔｃ ｕ３０ ｘなる組成の酸化物超電導
層を生成させることができる。
なる基板上に化学気相蒸着法、スパッタリング法または
レーザＰＶＤ法などの薄膜形成法、あるいはドクターブ
レード法などの厚膜形成法を実施してＢ ｉｚｓ ｒｔ
Ｃｕｓｏ Ｘなる組成の複合化合物層を形成し、更にこ
の上にＣａＯ層とＰｂＯ層を形成する手順を必要回数行
って積層膜を形成し、この積層膜を前記と同等の条件で
熱処理すれば、元素の相互拡散を進行させてＢ ｉｚｓ
ｒｔｃ ａｔｃ ｕ３０ ｘなる組成の酸化物超電導
層を生成させることができる。
このような方法を行うことにより臨界温度の高い膜状の
Ｂｉ系酸化物超電導体を形成することができる。
Ｂｉ系酸化物超電導体を形成することができる。
「実施例」
Ｂ ｉ：Ｓ ｒ：ｃｕ＝ ２ ：２ ：３となるように
Ｂｉｔ’ｓ粉末と５ｒＣＯｓ粉末とＣｕＯ粉末を混合し
て混合粉末を作製し、この混合粉末を大気中で８２０℃
で１２時間仮焼してＢ ＋ｔＳ ｒｔＣｕｓｏ ｘなる
組成の複合化合物を作製した。続いて前記複合化合物を
粉砕して粒径を揃え、ＣａＯ粉末とＰｂＯ粉末を混合し
てＢ ｉ：Ｐｂ：Ｓ ｒ：Ｃａ：Ｃｕ＝ ２ ：０．５
：２ ：２ ：３の割合になるように混合して混合粉
末を得た。
Ｂｉｔ’ｓ粉末と５ｒＣＯｓ粉末とＣｕＯ粉末を混合し
て混合粉末を作製し、この混合粉末を大気中で８２０℃
で１２時間仮焼してＢ ＋ｔＳ ｒｔＣｕｓｏ ｘなる
組成の複合化合物を作製した。続いて前記複合化合物を
粉砕して粒径を揃え、ＣａＯ粉末とＰｂＯ粉末を混合し
てＢ ｉ：Ｐｂ：Ｓ ｒ：Ｃａ：Ｃｕ＝ ２ ：０．５
：２ ：２ ：３の割合になるように混合して混合粉
末を得た。
次いでこの混合粉末を機械プレスでｉｔ／ｃｍ’の圧力
をかけて圧粉成形し、厚さ１．５ｍｍ、直径１３ｍｎ＋
のベレット状成形体を得た。
をかけて圧粉成形し、厚さ１．５ｍｍ、直径１３ｍｎ＋
のベレット状成形体を得た。
更に面記ペレット状成形体を大気中において８５０℃で
１００時間加熱する熱処理を施してＢｉ。
１００時間加熱する熱処理を施してＢｉ。
Ｓ ｒｔｃ ａ、（Ｐ ｂｙ ）Ｃｕ＊ｏ ｘなる組成
の酸化物超電導体を作製した。
の酸化物超電導体を作製した。
このように得られた酸化物超電導体の比抵抗温度特性を
第１図に示し、磁化率−温度特性を第２図に示す。
第１図に示し、磁化率−温度特性を第２図に示す。
第１図から明らかなように本発明方法を実施して得られ
たＢｉ系酸化物超電導体は臨界温度（Ｔ ｃ）が！０５
にの優秀な値を示した。
たＢｉ系酸化物超電導体は臨界温度（Ｔ ｃ）が！０５
にの優秀な値を示した。
第２図から明らかなように本発明方法を実施して得られ
たＢｉ系超超電導体１０５に近傍における磁化率の変化
が大きく、１０５に近傍を臨界温度とする超電導相が多
いことが判明した。
たＢｉ系超超電導体１０５に近傍における磁化率の変化
が大きく、１０５に近傍を臨界温度とする超電導相が多
いことが判明した。
「発明の効果」
以上説明したように本発明は、ＢｉとＳｒとＣｕとＯを
含む複合化合物と、ＣａＯ，！：ＰｂＯの熱拡散反応を
行わせるので、Ｃａｘ５ｒｓ４ Ｃｕ５Ｏｙなる組成の
化合物とＢｉｔＳ ｒｔＣａｒｃ ｕｔｏ ｘなる組成
の低温相を生成させることなく複合化合物を生成さ仕る
ことができ、更に、この複合化合物を基に酸化物超電導
体を生成させるので、最終的に得られる酸化物超電導体
の組成が仕込み組成に近いしのとなる。従って臨界温度
１０５Ｋを示す優れた特性のＢｉ系酸化物超電導体を製
造できる効果がある。また、ｐｂは安定な化合物の状態
で添加されるので、得られる酸化物超電導体の内部でＰ
ｂは安定化され、Ｂｉ系の高温相を生成さ仕るｐｂの効
果が十分に発揮されて臨界温度の高いＢｉ系酸化物超電
導体を生成させることができる。
含む複合化合物と、ＣａＯ，！：ＰｂＯの熱拡散反応を
行わせるので、Ｃａｘ５ｒｓ４ Ｃｕ５Ｏｙなる組成の
化合物とＢｉｔＳ ｒｔＣａｒｃ ｕｔｏ ｘなる組成
の低温相を生成させることなく複合化合物を生成さ仕る
ことができ、更に、この複合化合物を基に酸化物超電導
体を生成させるので、最終的に得られる酸化物超電導体
の組成が仕込み組成に近いしのとなる。従って臨界温度
１０５Ｋを示す優れた特性のＢｉ系酸化物超電導体を製
造できる効果がある。また、ｐｂは安定な化合物の状態
で添加されるので、得られる酸化物超電導体の内部でＰ
ｂは安定化され、Ｂｉ系の高温相を生成さ仕るｐｂの効
果が十分に発揮されて臨界温度の高いＢｉ系酸化物超電
導体を生成させることができる。
第１図は本発明方法を実施して得られたＢｉ系酸化物超
電導体の比抵抗−温度特性を示す図、第２図は同酸化物
超電導体の温度−磁化率特性を示す図である。
電導体の比抵抗−温度特性を示す図、第２図は同酸化物
超電導体の温度−磁化率特性を示す図である。
Claims (1)
- ＢｉとＳｒとＣｕとＯとを具備してなる複合化合物とＣ
ａＯとＰｂＯとの熱拡散反応によりＢｉ＿２Ｓｒ＿２Ｃ
ａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿ｘを生成させることを特徴とするＢ
ｉ系酸化物超電導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63272107A JPH02120227A (ja) | 1988-10-28 | 1988-10-28 | Ｂｉ系酸化物超電導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63272107A JPH02120227A (ja) | 1988-10-28 | 1988-10-28 | Ｂｉ系酸化物超電導体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02120227A true JPH02120227A (ja) | 1990-05-08 |
Family
ID=17509180
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63272107A Pending JPH02120227A (ja) | 1988-10-28 | 1988-10-28 | Ｂｉ系酸化物超電導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02120227A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02133319A (ja) * | 1988-11-11 | 1990-05-22 | Fujitsu Ltd | 超伝導物質の製造方法 |
| JPH03199124A (ja) * | 1989-12-28 | 1991-08-30 | Natl Res Inst For Metals | Ｂｉ系酸化物超電導体の粉末とその線材の製造方法 |
| JP2008074686A (ja) * | 2006-09-25 | 2008-04-03 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Ｂｉ系超電導体、超電導線材および超電導機器 |
-
1988
- 1988-10-28 JP JP63272107A patent/JPH02120227A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02133319A (ja) * | 1988-11-11 | 1990-05-22 | Fujitsu Ltd | 超伝導物質の製造方法 |
| JPH03199124A (ja) * | 1989-12-28 | 1991-08-30 | Natl Res Inst For Metals | Ｂｉ系酸化物超電導体の粉末とその線材の製造方法 |
| JP2008074686A (ja) * | 2006-09-25 | 2008-04-03 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Ｂｉ系超電導体、超電導線材および超電導機器 |
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