JPH02133319A - 超伝導物質の製造方法 - Google Patents
超伝導物質の製造方法Info
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- JPH02133319A JPH02133319A JP63285125A JP28512588A JPH02133319A JP H02133319 A JPH02133319 A JP H02133319A JP 63285125 A JP63285125 A JP 63285125A JP 28512588 A JP28512588 A JP 28512588A JP H02133319 A JPH02133319 A JP H02133319A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明はＢ１−３ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系超伝導物質の製
造方法に関し、Ｂ１−３ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系超伝導体
の高Ｔｃ相を短時間に作製することを目的とし、 酸化物に換算して、下記（１）式で示される出発原料組
成比からなる混合物を７５０℃〜８８０℃の温度で焼成
する工程を有して構成する。
造方法に関し、Ｂ１−３ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系超伝導体
の高Ｔｃ相を短時間に作製することを目的とし、 酸化物に換算して、下記（１）式で示される出発原料組
成比からなる混合物を７５０℃〜８８０℃の温度で焼成
する工程を有して構成する。
Ｂ Ｉ！ Ｐ ｔ）＋ｘ−ａ ＋ｚｚＳ ｒｚ Ｃａ
ｔ Ｃｕｍ＋＋ ｏｙ ’但し、 ｌ ≦ｎ＜ｘ ２＜ｘ＜ ｌ Ｏ ９＜ｙ＜４０．５ ０：酸素 （産業上の利用分野〕 液体窒素温度で超伝導が達成されうる高温超伝導材料の
研究・開発が急激に進められ、これを用いる実用化技術
の開発も進められつつある。
ｔ Ｃｕｍ＋＋ ｏｙ ’但し、 ｌ ≦ｎ＜ｘ ２＜ｘ＜ ｌ Ｏ ９＜ｙ＜４０．５ ０：酸素 （産業上の利用分野〕 液体窒素温度で超伝導が達成されうる高温超伝導材料の
研究・開発が急激に進められ、これを用いる実用化技術
の開発も進められつつある。
臨界温度Ｔｃが１００Ｋを超える高温超伝導体は液体窒
素温度の応用に温度マージンが広くとれる、臨界電流密
度Ｊｃ、臨界磁界Ｈｃが原理的には上がる、薄膜、線材
の応用、より高いＴｃを持つ高温超伝導材料の可能性等
の観点から研究・開発が進められている。
素温度の応用に温度マージンが広くとれる、臨界電流密
度Ｊｃ、臨界磁界Ｈｃが原理的には上がる、薄膜、線材
の応用、より高いＴｃを持つ高温超伝導材料の可能性等
の観点から研究・開発が進められている。
臨界温度Ｔｃが１００Ｋを超える高温超伝導物質として
、Ｂ １−３ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系超伝導体Ｔｌ−Ｂａ
−Ｃａ−Ｃｕ−０系趙伝導体が開発されている。 （
Ｊ、Ｊ、＾、Ｐ、ｖｏ１．２７．Ｎｏ２，１９８Ｂ、ｐ
ｐＬ２０９−１．２１０； 日経エレクトロニクス１
９８８，４．１８（Ｎｏ５５）ｐ１７５−１７７） 上記Ｂｉ系では臨界温度Ｔｃが約８０にの低温和と、約
１１０にの高温相の複数の超伝導相が混在し、上記ＴＩ
系では臨界温度Ｔｃが約１０５にの低温和と、約１２５
にの高温相の複数の超伝導相が混在し、高温相の超伝導
相を単独で取り出すことが出来ていない。
、Ｂ １−３ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系超伝導体Ｔｌ−Ｂａ
−Ｃａ−Ｃｕ−０系趙伝導体が開発されている。 （
Ｊ、Ｊ、＾、Ｐ、ｖｏ１．２７．Ｎｏ２，１９８Ｂ、ｐ
ｐＬ２０９−１．２１０； 日経エレクトロニクス１
９８８，４．１８（Ｎｏ５５）ｐ１７５−１７７） 上記Ｂｉ系では臨界温度Ｔｃが約８０にの低温和と、約
１１０にの高温相の複数の超伝導相が混在し、上記ＴＩ
系では臨界温度Ｔｃが約１０５にの低温和と、約１２５
にの高温相の複数の超伝導相が混在し、高温相の超伝導
相を単独で取り出すことが出来ていない。
上記Ｂｉ系、ＴＩ系は水や酸素の影響を受けにくい、作
りやすい加工が容易である、希土類元素を含まないので
資源の制約を受けにくい、という特徴を有するが上記Ｂ
ｉ系では臨界温度Ｔｃが約８０にの低温和で規定され、
上記ＴＩ系では臨界温度Ｔｃが１００Ｋを超えるものの
、毒性があるとされている。
りやすい加工が容易である、希土類元素を含まないので
資源の制約を受けにくい、という特徴を有するが上記Ｂ
ｉ系では臨界温度Ｔｃが約８０にの低温和で規定され、
上記ＴＩ系では臨界温度Ｔｃが１００Ｋを超えるものの
、毒性があるとされている。
前述の如＜ 、Ｂ１−３ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系超伝導体
は現在までＴｃの異なる複数の相（高Ｔｃ相、低Ｔｃ相
）が発見されている。低Ｔｃ相の作製は容易であるが高
Ｔｃ相の単相化は困難である。
は現在までＴｃの異なる複数の相（高Ｔｃ相、低Ｔｃ相
）が発見されている。低Ｔｃ相の作製は容易であるが高
Ｔｃ相の単相化は困難である。
従来技術としてＢ１−３ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系にｐｂｏ
を添加することによって、高Ｔｃ相の生成割合を増加さ
せる技術がある。その出発原料組成比はＢｉ：Ｐｂ：Ｓ
ｒ：Ｃａ：Ｃｕ＝０．７：０．３：１：１：１．８
であり、２００時間以上の焼成でＴｃｅｎｄが１００に
以上になる。この技術の欠点は長時間の焼成が必要であ
ることである。
を添加することによって、高Ｔｃ相の生成割合を増加さ
せる技術がある。その出発原料組成比はＢｉ：Ｐｂ：Ｓ
ｒ：Ｃａ：Ｃｕ＝０．７：０．３：１：１：１．８
であり、２００時間以上の焼成でＴｃｅｎｄが１００に
以上になる。この技術の欠点は長時間の焼成が必要であ
ることである。
Ｂ１−５ｒ−Ｃｕ−０系超伝導体は旧ｃｈｅ１等（Ｚ、
Ｐｈｙｓ、Ｂ６８１９８７．４２１）及び、秋光等（Ｊ
ｐｎ、Ｊ、Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、２６゜１９８７、 Ｌ
２０８０） により発見された。この系のＴｃは７にで
ある。
Ｐｈｙｓ、Ｂ６８１９８７．４２１）及び、秋光等（Ｊ
ｐｎ、Ｊ、Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、２６゜１９８７、 Ｌ
２０８０） により発見された。この系のＴｃは７にで
ある。
前出等（Ｊｐｎ、Ｊ、Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、２７．１９
８８． Ｌ２０９）は新しい、高Ｔｃ相Ｂ１−５ｒ−Ｃ
ａ−Ｃｕ−０系を発見した。この系は、式ＢｉｚＳｒｚ
Ｃａｎ−＋Ｃｕ ｎ Ｏ８において、ｎ ＝１に対する
Ｔｃ＝７にの相、ｎ・２に対するＴｃ・８０にの相、及
び、ｎ・３に対するＴｃ・１０５にの相の、三つの超伝
導相を有することが見出された。ｎが１から３に増加す
るにつれて、結晶構造中におけるＣｕＯ層の数が増加し
、Ｃ軸は２４人から、３０人、３７人へと変化する。
８８． Ｌ２０９）は新しい、高Ｔｃ相Ｂ１−５ｒ−Ｃ
ａ−Ｃｕ−０系を発見した。この系は、式ＢｉｚＳｒｚ
Ｃａｎ−＋Ｃｕ ｎ Ｏ８において、ｎ ＝１に対する
Ｔｃ＝７にの相、ｎ・２に対するＴｃ・８０にの相、及
び、ｎ・３に対するＴｃ・１０５にの相の、三つの超伝
導相を有することが見出された。ｎが１から３に増加す
るにつれて、結晶構造中におけるＣｕＯ層の数が増加し
、Ｃ軸は２４人から、３０人、３７人へと変化する。
高Ｔｃ単一相の試料が合成されていないので、高Ｔｃ相
の研究はまだほとんど報告されていない。
の研究はまだほとんど報告されていない。
高野等（Ｊｐｎ、Ｊ、Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、２７＋ １
９８８．Ｌ１０４１）がＢｉをｐｂで￥ｌ換することに
より、高Ｔｃ相の割合が増加することを報告した。しか
しながら、ｐｂの役割はまだ明確ではない。
９８８．Ｌ１０４１）がＢｉをｐｂで￥ｌ換することに
より、高Ｔｃ相の割合が増加することを報告した。しか
しながら、ｐｂの役割はまだ明確ではない。
本発明は、Ｂ１−５ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系＋ Ｂ１−Ｐ
ｂ−５ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系における、超伝導特性に及
ぼすＰｂＯ，ＣａｚＰｂＯｘ添加の影響を明確にし、 Ｂｉ：Ｐｂ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕ＝０．７：０．３：１：
１：１．８の従来のｐｂ。
ｂ−５ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系における、超伝導特性に及
ぼすＰｂＯ，ＣａｚＰｂＯｘ添加の影響を明確にし、 Ｂｉ：Ｐｂ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕ＝０．７：０．３：１：
１：１．８の従来のｐｂ。
添加技術の組成より短い焼成時間で高Ｔｃ相の生成割合
を増加させる。
を増加させる。
酸化物に換算して、下記（１）式で示される出発原料組
成比からなる混合物を７５０℃〜８８０ ’Ｃの温度で
焼成する工程を有して構成する。
成比からなる混合物を７５０℃〜８８０ ’Ｃの温度で
焼成する工程を有して構成する。
Ｂ ｉ、 Ｐ ｂ＋ｘ、、ｎ ＋ｚｚＳ ｒｔ Ｃａｗ
Ｃｕｘ＋＋ Ｏｙ −但し、 １≦ｎ＜ｘ ２≦−Ｘ≦１０ ９ ＜ｙ＜４０． ５ ０：酸素 そして、下記（２）式で示される超伝導物質、或いは、
その一部にｐｂを構成元素として含有する超伝導物質等
の製造方法を提供する。
Ｃｕｘ＋＋ Ｏｙ −但し、 １≦ｎ＜ｘ ２≦−Ｘ≦１０ ９ ＜ｙ＜４０． ５ ０：酸素 そして、下記（２）式で示される超伝導物質、或いは、
その一部にｐｂを構成元素として含有する超伝導物質等
の製造方法を提供する。
Ｂ ｉｔ Ｓ ｒ、Ｃａｗ Ｃｕｘ、＋ Ｏｙ’
・・・ （２）但し、 ２＜ｘ＜ ｌ Ｏ ８，５＜ｙ“ ＜３１．５ ０：酸素 ＣａとＰｂのモル比の関係と高Ｔｃ相の生成とは密接な
関係にあるために、 Ｃａ ： Ｐｂ＝ｘ ： （ｘ−ｎ）／２となるよう
な出発原料組成比とする。
・・・ （２）但し、 ２＜ｘ＜ ｌ Ｏ ８，５＜ｙ“ ＜３１．５ ０：酸素 ＣａとＰｂのモル比の関係と高Ｔｃ相の生成とは密接な
関係にあるために、 Ｃａ ： Ｐｂ＝ｘ ： （ｘ−ｎ）／２となるよう
な出発原料組成比とする。
Ｂ１−３ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系にＰｂＯを添加した場合
、７５０ ’Ｃ以下でｐｂはＣａと結合し、ＣａｔＰｂ
Ｏｎ となる。
、７５０ ’Ｃ以下でｐｂはＣａと結合し、ＣａｔＰｂ
Ｏｎ となる。
そして、この物質は８２２“ＣでＣａＯと液相に分離す
る。液相中のＣａＯと低Ｔｃ相との反応によって、高Ｔ
ｃ相が生成すると考えられる。短い焼成時間で高Ｔｃ相
を生成させるためには、８００℃以上で低Ｔｃ相とＣａ
ｔＰｂＯ，を生成させねばならない、 ＣａｔＰｂＯ４
の生成の際、Ｐｂ１モルに対しＣａは２モル必要となる
ので Ｃａ ： Ｐｂ＝ｘ ： （ｘ−ｎ ） ／２の割
合でＰｂＯを添加しなければならない。
る。液相中のＣａＯと低Ｔｃ相との反応によって、高Ｔ
ｃ相が生成すると考えられる。短い焼成時間で高Ｔｃ相
を生成させるためには、８００℃以上で低Ｔｃ相とＣａ
ｔＰｂＯ，を生成させねばならない、 ＣａｔＰｂＯ４
の生成の際、Ｐｂ１モルに対しＣａは２モル必要となる
ので Ｃａ ： Ｐｂ＝ｘ ： （ｘ−ｎ ） ／２の割
合でＰｂＯを添加しなければならない。
なお、ｎは１以上Ｘより小さい整数である。ｎが０であ
ると、Ｃ−ａとｐｂがＣａ、ＰｂＯｘ となり、超伝
導体形成のためのＣａ量が不足する。
ると、Ｃ−ａとｐｂがＣａ、ＰｂＯｘ となり、超伝
導体形成のためのＣａ量が不足する。
上記焼成温度として７５０″Ｃ〜８８０℃としたのは、
温度の下限として７５０℃としたのは、７５０ ’Ｃよ
り低い温度では高Ｔｃ相、低Ｔｃ相は形成されない、ま
た、温度の上限としては、Ｂｉ系超超伝導体材料融点近
傍、好ましくは、融点以下の温度でＢｉ系超超伝導体材
料焼成が可能な温度である。８８０℃より高い温度では
超伝導体が溶融する。
温度の下限として７５０℃としたのは、７５０ ’Ｃよ
り低い温度では高Ｔｃ相、低Ｔｃ相は形成されない、ま
た、温度の上限としては、Ｂｉ系超超伝導体材料融点近
傍、好ましくは、融点以下の温度でＢｉ系超超伝導体材
料焼成が可能な温度である。８８０℃より高い温度では
超伝導体が溶融する。
上記（２）のＢ ｉｚ Ｓｒｔ ＣａＸＣｕｘ＊＋
ｏｙｌで、２＜ｘ＜１０としたのは、Ｂｉ系超超伝導体
はＢｔｘＯｚ層間のＣｕＯ面間にはＣａがサンドイッチ
状にはさまれており、ＣｕＯ面が多い結晶構造の場合に
はそれだけ多くのＣｕ、Ｃａを供給しておくことが必要
であり、ＢｉｇＯ□層間に挟まれるＣｕＯの層の数が３
〜１１層であることを意図し、ＣｕＯ面の間にはＣａが
存在するので、ｘ＝２〜１０とするものである。
ｏｙｌで、２＜ｘ＜１０としたのは、Ｂｉ系超超伝導体
はＢｔｘＯｚ層間のＣｕＯ面間にはＣａがサンドイッチ
状にはさまれており、ＣｕＯ面が多い結晶構造の場合に
はそれだけ多くのＣｕ、Ｃａを供給しておくことが必要
であり、ＢｉｇＯ□層間に挟まれるＣｕＯの層の数が３
〜１１層であることを意図し、ＣｕＯ面の間にはＣａが
存在するので、ｘ＝２〜１０とするものである。
Ｃａの供給には、Ｃａの拡散が容易な液相状態で行うの
が有利である。
が有利である。
Ｂ１−Ｐｂ−３ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系におけるｐｂの役
割を調へ次のことが判った。
割を調へ次のことが判った。
Ｘ線回折及びマイクロラマン散乱より、ＣａｔＰｂｏに
は７５０℃以下の温度でＰｂＯとＣａＯとの反応により
形成される。
は７５０℃以下の温度でＰｂＯとＣａＯとの反応により
形成される。
高Ｔｃ相は単一ＣｕＯｉｉを有するＢ１−５ｒ−Ｃｕ−
０系にＣａ１ＰｂＯｘを添加することにより合成される
。
０系にＣａ１ＰｂＯｘを添加することにより合成される
。
高Ｔｃ相の合成プロセスは８２２”ＣでのＣａ１ＰｂＯ
ｘの分解により生ずる液相中における低Ｔｃ相とＣａ”
との反応にもとすくものと思われる。
ｘの分解により生ずる液相中における低Ｔｃ相とＣａ”
との反応にもとすくものと思われる。
〔実施例１〕及び〔比較例〕
二式料はＢｉ：Ｐｂ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕ＝０．７：０．
３：１：１：１．８．２：ｘ：２：２：３（Ｘ＝０．０
．５．１．０） （７）組成のものを、固相反応により
調整した。
３：１：１：１．８．２：ｘ：２：２：３（Ｘ＝０．０
．５．１．０） （７）組成のものを、固相反応により
調整した。
出発原料はＢ ｌ ｚ Ｏｓ ＋ Ｐ ｂ Ｏ＋ Ｓ
ｒ ＣＯｘ Ｉ Ｃａ ＯＨ及びＣｕＯである。これら
の出発原料粉末をボール（ル中２４時間混合粉砕し、次
いで、２００ＭＰａの圧力で、１５ｖ＋ｗ径約３１厚さ
のペレットに成型する。
ｒ ＣＯｘ Ｉ Ｃａ ＯＨ及びＣｕＯである。これら
の出発原料粉末をボール（ル中２４時間混合粉砕し、次
いで、２００ＭＰａの圧力で、１５ｖ＋ｗ径約３１厚さ
のペレットに成型する。
試料の調整条件を表１に示す。
表１組成及び調整条件
試料 主成分
番号 Ｂｉ Ｐｂ ５ｒ
ＩＡ” Ｏ１？ ０．３ １．Ｏ
ＩＢ” ０．７ ０．３ １．０
ＩＣ” ０．７ ０．３ １．０
２＾ ２．０ ０．０ ２．０
２Ｂ ２．０ ０．５ ２．０
２Ｃ２，０１，０２，０
２０２，００，５２，０
ａ
１．０
１．０
１．０
２．０
２．０
２．０
２．０
Ｃｕ
１．８
１．８
１．８
３．０
３．０
３．０
３．０
２．０ ０．０ ２．０ ０．０ ３．Ｏｏ、
ｏ ｉ、ｏ Ｏ，０２，００，０３Ｃ試料３Ａ
十試料３Ｂ（３０ｗｔχ）傘ｌ：従来例 Ｂ Ａ 焼成条件 ８４１℃１０ｈ大気 ０ｈ ００ｈ ８４１℃１５ｈ大気 同上 同上 ７５０℃９ｈ大気 室温ヘクエンチ ８４１ ℃２４ｈ大気 ８１７℃１７ｈ大気 ８４８”Ｃ７４ｈ大気 試料３Ｃは、８４０℃で６時間焼成した、Ｂｉ：Ｓｒ：
Ｃｕ＝２：２：３のＢ１−５ｒ−Ｃｕ−０系に、Ｃａｚ
ＰｂＯｘ を３０ｗ ｔχ添加して混合し、８４８℃で
２４時間焼成し、次いで２００ＭＰａの圧力で成型し、
８４８℃で５０時間焼成して調整した。
ｏ ｉ、ｏ Ｏ，０２，００，０３Ｃ試料３Ａ
十試料３Ｂ（３０ｗｔχ）傘ｌ：従来例 Ｂ Ａ 焼成条件 ８４１℃１０ｈ大気 ０ｈ ００ｈ ８４１℃１５ｈ大気 同上 同上 ７５０℃９ｈ大気 室温ヘクエンチ ８４１ ℃２４ｈ大気 ８１７℃１７ｈ大気 ８４８”Ｃ７４ｈ大気 試料３Ｃは、８４０℃で６時間焼成した、Ｂｉ：Ｓｒ：
Ｃｕ＝２：２：３のＢ１−５ｒ−Ｃｕ−０系に、Ｃａｚ
ＰｂＯｘ を３０ｗ ｔχ添加して混合し、８４８℃で
２４時間焼成し、次いで２００ＭＰａの圧力で成型し、
８４８℃で５０時間焼成して調整した。
直流電気伝導度は四端子法により測定した。試料は低融
点ハンダ電極を設けた。
点ハンダ電極を設けた。
Ｘ線回折により、室温下、試料の結晶構造を調べた。Ｘ
線月折パターンをＣｕＸ α線、及び、Ｘ線回折装置に
より得た。
線月折パターンをＣｕＸ α線、及び、Ｘ線回折装置に
より得た。
ラマンスペクトルをＣａ−Ｐｂ−０系及びＢ１−Ｐｂ−
５ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系について、Ａｒイオンレーザ（
５１４５人）とダブルモノクロメータを用いて得た。
５ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系について、Ａｒイオンレーザ（
５１４５人）とダブルモノクロメータを用いて得た。
ミクロ及びマクロラマン散乱をＢ１−５ｒ−Ｃａ−Ｃｕ
−０系、及ヒ、Ｃａ−Ｐｂ−０系について調べた。
−０系、及ヒ、Ｃａ−Ｐｂ−０系について調べた。
（結果）
〔比較例〕
第８図及び第９図に従来法によるＰｂＯ添加効果を示ず
。出発原料はＢ ｌ ２０ ｓ ＋ Ｓ ｒ ＣＯｘ
、Ｃａ Ｏ＋ Ｃｕ Ｏ＋ Ｐ ｂ Ｏ７ある。
。出発原料はＢ ｌ ２０ ｓ ＋ Ｓ ｒ ＣＯｘ
、Ｃａ Ｏ＋ Ｃｕ Ｏ＋ Ｐ ｂ Ｏ７ある。
これらの原料をＢｉ：Ｐｂ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕ＝０．７
：０．３：１：１：１．８となるように秤量し、混合・
圧粉（２００ＭＰａ）の後、８４１℃大気中で焼成した
。焼成時間を１０ｈ、５０ｈ２００ｈと変化させた試料
を作製した。
：０．３：１：１：１．８となるように秤量し、混合・
圧粉（２００ＭＰａ）の後、８４１℃大気中で焼成した
。焼成時間を１０ｈ、５０ｈ２００ｈと変化させた試料
を作製した。
第８図は試料の電気抵抗の温度変化をを示し、第９図は
試料の粉末Ｘ線回折を示す図である。
試料の粉末Ｘ線回折を示す図である。
第９図において、２θ＝５．７° （Ｃ＝３０人）が低
Ｔｃ相の（００２）面に対応したピークであり、２θ−
４，８° （Ｃ＝３７人）が高Ｔｃ用の（００２）面に
対応したピークである。
Ｔｃ相の（００２）面に対応したピークであり、２θ−
４，８° （Ｃ＝３７人）が高Ｔｃ用の（００２）面に
対応したピークである。
焼成時間が長くなるにつれて、高Ｔｃ用の（００２）面
のピークが強くなることがわかる。
のピークが強くなることがわかる。
それに対応して、Ｔｃｅｎｄも高くなり、２００ｈでＴ
ｃｅｎｄ＝１０３にとなる。２００ｈの焼成を行っても
、Ｘ線回折測定から高Ｔｃ用の割合より低Ｔｃ相の割合
の方が大きいことがわかる。
ｃｅｎｄ＝１０３にとなる。２００ｈの焼成を行っても
、Ｘ線回折測定から高Ｔｃ用の割合より低Ｔｃ相の割合
の方が大きいことがわかる。
上記の如く、第８図は、試料ＩＡ、ＩＢ、ＩＣの電気抵
抗の温度依存性を示す。試料ＩＡについては、抵抗ドロ
ップは１１０にで観測された。しかしながら、この試料
のＴｃｅｎｄ は７４Ｋ であった、同じオンセント１
４度にかかわらず、試料ＩＢのＴｃｅｎｄ は７４Ｋか
ら８５Ｋに上昇した。さらに、焼成時間が試料ＩＡ及び
ＩＢより長いとき、１７０Ｋにおける抵抗は試料ＩＡ、
ＩＢの抵抗の約１１５に減少する、そして、Ｔｃｅｎｄ
は１０３Ｋに上昇する。
抗の温度依存性を示す。試料ＩＡについては、抵抗ドロ
ップは１１０にで観測された。しかしながら、この試料
のＴｃｅｎｄ は７４Ｋ であった、同じオンセント１
４度にかかわらず、試料ＩＢのＴｃｅｎｄ は７４Ｋか
ら８５Ｋに上昇した。さらに、焼成時間が試料ＩＡ及び
ＩＢより長いとき、１７０Ｋにおける抵抗は試料ＩＡ、
ＩＢの抵抗の約１１５に減少する、そして、Ｔｃｅｎｄ
は１０３Ｋに上昇する。
第９図は試料ＩＡ、ＩＢ、ＩＣのＸ線回折パターンを示
す。焼成時間が長くなるにつれて、４．８°のピークは
強くなる。このピークは高Ｔｃ、相の（００２） に
対応し、Ｃ軸は３７人である。Ｘ線回折パターンは長時
間焼成により、高Ｔｃ用の増加を示す。
す。焼成時間が長くなるにつれて、４．８°のピークは
強くなる。このピークは高Ｔｃ、相の（００２） に
対応し、Ｃ軸は３７人である。Ｘ線回折パターンは長時
間焼成により、高Ｔｃ用の増加を示す。
径約１０μｍの未同定の物質が試料ＩＡに観察された。
ミクロラマン散乱によりこの物質の同定を行った。Ｃａ
２Ｉ’ｂＯｘ Ｍｉ成の試料３Ｂのラマンスペクトルと
比較した試料ＩＡの結果を第１０図に示す。六つのラマ
ンスペクトル（２５５，３４０，３５４，４２２，５４
０，５６２ｃｎａ −１）が両試料において２００〜１
０００ｃＩｌ−１の間で観察された。
２Ｉ’ｂＯｘ Ｍｉ成の試料３Ｂのラマンスペクトルと
比較した試料ＩＡの結果を第１０図に示す。六つのラマ
ンスペクトル（２５５，３４０，３５４，４２２，５４
０，５６２ｃｎａ −１）が両試料において２００〜１
０００ｃＩｌ−１の間で観察された。
第１１図に示す、試料３ＢのＸ線回折パターンより、試
料３ＢがＣａｚＰｂＯｘ（Ｚ、ａｎｏｒｇ、ａｌｌｇｅ
ｍ、Ｃｈｅｍ、３７１゜１９６９．２３７）単一相であ
ることが確認された。
料３ＢがＣａｚＰｂＯｘ（Ｚ、ａｎｏｒｇ、ａｌｌｇｅ
ｍ、Ｃｈｅｍ、３７１゜１９６９．２３７）単一相であ
ることが確認された。
Ｂ１−５ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系へのｐｂｏ添加が（、ａ
ｌＰｂｏｘの形成の原因となることは明らかである。
ｌＰｂｏｘの形成の原因となることは明らかである。
Ｃａ、ＰｂＯｘの主なＸ線回折ピークは、１７．７’で
あり、Ｂ１−Ｐｂ−５ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系におけるＸ
線回折パターンの中に観察された（第９図）。焼成時間
が増加するにつれて、このピークは弱くなる。
あり、Ｂ１−Ｐｂ−５ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系におけるＸ
線回折パターンの中に観察された（第９図）。焼成時間
が増加するにつれて、このピークは弱くなる。
顕微鏡によるＢ１−Ｐｂ−５ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系の表
面観察からも、焼成時間が増加するにつれてＣａ、Ｐｂ
Ｏｘが減少することが認められた。
面観察からも、焼成時間が増加するにつれてＣａ、Ｐｂ
Ｏｘが減少することが認められた。
（実施例１ ） ＢｉｚＰｂ＋＋、５ＳｒｚＣａｚＣｕ
、ＯｙＭｉ成第１図に出発原料比がＢｉｚＰｂｘＳｒｚ
ＣａｚＣｕｚＯｙ（ｘ＝０．０．５，１．０ ）となる
ように秤量し、混合後、８４１℃，１５ｈ、大気中で焼
成した試料の粉末Ｘ線回折測定の結果を示す。
、ＯｙＭｉ成第１図に出発原料比がＢｉｚＰｂｘＳｒｚ
ＣａｚＣｕｚＯｙ（ｘ＝０．０．５，１．０ ）となる
ように秤量し、混合後、８４１℃，１５ｈ、大気中で焼
成した試料の粉末Ｘ線回折測定の結果を示す。
ｘ＝ｏ、１．０では、高Ｔｃ用の（００２）面に対応す
るピーク（２θ−４，８°）がほとんどないことがわか
る。それに対して、ｘ＝０．５では１５ｈという短時間
焼成において、高Ｔｃ用の存在が確認できる。
るピーク（２θ−４，８°）がほとんどないことがわか
る。それに対して、ｘ＝０．５では１５ｈという短時間
焼成において、高Ｔｃ用の存在が確認できる。
第１図は試料２Ａ、２８．２ＣのＸ線回折パターンを示
す、χが０のときく試料２Ａ） 、５．７ ”のピーク
及び７．３°のより小さなピークが観察されるが、高Ｔ
ｃ相の（００２）に対応する４、８″′のピークは観察
されない、７．３＠のピークはＣ軸が２４人のＢ１−５
ｒ−ＣｕＯ系の（００２）に対応する。
す、χが０のときく試料２Ａ） 、５．７ ”のピーク
及び７．３°のより小さなピークが観察されるが、高Ｔ
ｃ相の（００２）に対応する４、８″′のピークは観察
されない、７．３＠のピークはＣ軸が２４人のＢ１−５
ｒ−ＣｕＯ系の（００２）に対応する。
表１に示される焼成条件下でＢｉ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕ＝
２：２；２：３である化学量論組成（試料２Ａ、ｘ＝０
）では高Ｔｃ相は合成されなかった。
２：２；２：３である化学量論組成（試料２Ａ、ｘ＝０
）では高Ｔｃ相は合成されなかった。
Ｘが０．５のとき（試料２Ｂ）、高Ｔｃ相の（００２）
に対応する４、８°のピークが観察された。
に対応する４、８°のピークが観察された。
Ｘが１．０のとき（試料２Ｃ）、高Ｔｃ相は観察されず
、低Ｔｃ相およびＢ１−３ｒ−Ｃｕ−０系が観察された
。
、低Ｔｃ相およびＢ１−３ｒ−Ｃｕ−０系が観察された
。
ＣａｔＰｂＯｘのピークはＰｂＯの増加とともに増加す
る。
る。
高Ｔｃ相はＢｉ：Ｐｂ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕ＝２：Ｘ：２
：２：３の組成で合成された。ｐｂｏの適切な添加量は
約Ｘ・０．５である第２図は７５０’Ｃ（９時間焼成）
から室温ヘクエンチした試料２ＤのＸ線回折パターンを
示す。
：２：３の組成で合成された。ｐｂｏの適切な添加量は
約Ｘ・０．５である第２図は７５０’Ｃ（９時間焼成）
から室温ヘクエンチした試料２ＤのＸ線回折パターンを
示す。
Ｂ１−５ｒ−Ｃｕ−０系の（００２）に対応する７、３
＠のピークが観察された。他の相として、Ｃａ１ＰｂＯ
ｘ＋及び未反応のＣｕＯが見出される。
＠のピークが観察された。他の相として、Ｃａ１ＰｂＯ
ｘ＋及び未反応のＣｕＯが見出される。
従って、７５０ ’ＣでＣａｇＰｂＯｘ及びＢ１−５ｒ
−Ｃｕ−０系が合成される。
−Ｃｕ−０系が合成される。
試料３Ａの主相はＢ１−３ｒ−Ｃｕ−０系である。試料
３Ａに試料３ＢのＣａ１ＰｂＯｘを添加した試料３Ｃの
Ｘ線回折パターンを従来の試料ｌＣのＸ線回折パターン
と比較して第３図に示す０図より明らかな如く、高Ｔｃ
相が合成され、そして、低Ｔｃ相（８０に級）に対する
高Ｔｃ相（１００Ｋ級）の割合は従来法による試料ＩＣ
の割合のそれよりも約１０倍に増加する。
３Ａに試料３ＢのＣａ１ＰｂＯｘを添加した試料３Ｃの
Ｘ線回折パターンを従来の試料ｌＣのＸ線回折パターン
と比較して第３図に示す０図より明らかな如く、高Ｔｃ
相が合成され、そして、低Ｔｃ相（８０に級）に対する
高Ｔｃ相（１００Ｋ級）の割合は従来法による試料ＩＣ
の割合のそれよりも約１０倍に増加する。
第２図に示す、試料２ＤのＸ線回折結果は、高Ｔｃ相（
ＬＯＯＫ級）および低Ｔｃ相（８０に級）は７５０’Ｃ
で形成されないが、Ｂ１−３ｒ−Ｃｕ−０箔化合物（１
０に級）およびＣａｚＰｂＯｘ は合成されることを示
す。
ＬＯＯＫ級）および低Ｔｃ相（８０に級）は７５０’Ｃ
で形成されないが、Ｂ１−３ｒ−Ｃｕ−０箔化合物（１
０に級）およびＣａｚＰｂＯｘ は合成されることを示
す。
第１図に示されるように、Ｘ＝０．５の試料２Ｂは、８
４１℃１５時間焼成後Ｂ１−３ｒ−Ｃｕ−０箔化合物は
消失し、高Ｔｃ相および低Ｔｃ相が形成される。
４１℃１５時間焼成後Ｂ１−３ｒ−Ｃｕ−０箔化合物は
消失し、高Ｔｃ相および低Ｔｃ相が形成される。
ＣａＯ−ＰｂＯ系の相図（Ｕ、Ｋｕｘｍａｎｎ等、Ｅｒ
ｚｍｅｔａｌｌ、２７．１９７４．５３３）はＣａｔＰ
ｂＯｘが８２２℃でＣａＯ及び液相に分解することを示
す。
ｚｍｅｔａｌｌ、２７．１９７４．５３３）はＣａｔＰ
ｂＯｘが８２２℃でＣａＯ及び液相に分解することを示
す。
これら二つの相が高Ｔｃ相の形成に促進剤として作用す
ると考えられる。 ＣａＯおよび液相の存在は、Ｔｃｅ
ｎｄ ８０にの超伝導Ｂ１−３ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０箔化
合物の二つのＣｕＯ層と、液相中を移動する分解された
ＣａＯとの間の、化学反応を強めることが予期される。
ると考えられる。 ＣａＯおよび液相の存在は、Ｔｃｅ
ｎｄ ８０にの超伝導Ｂ１−３ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０箔化
合物の二つのＣｕＯ層と、液相中を移動する分解された
ＣａＯとの間の、化学反応を強めることが予期される。
ＣａｚＰｂＯｘはＣａ：Ｐｂ＝２：ｌ として結合する
ことが重要である。第１図に示されるように、試料２Ｂ
（χ＝０．５）では高Ｔｃ相が形成されるが、試料２
Ｃ（ｘ＝１．０）では高Ｔｃ相が形成されない理由はＣ
ａＯとｐｂｏ との間の反応がＣａ ： Ｐｂ・２：１
であるからであると考えられる。
ことが重要である。第１図に示されるように、試料２Ｂ
（χ＝０．５）では高Ｔｃ相が形成されるが、試料２
Ｃ（ｘ＝１．０）では高Ｔｃ相が形成されない理由はＣ
ａＯとｐｂｏ との間の反応がＣａ ： Ｐｂ・２：１
であるからであると考えられる。
単一のＣｕＯ層を存するＢ１−５ｒ−Ｃｕ−０箔化合物
及びＣａ、ＰｂＯｘは７５（ＭＣ以下の温度で合成され
る。（第２図） 二つのＣｕＯＪｉを有する低Ｔｃ相（８０に級）は８０
０ ℃以上の温度で形成されうる。
及びＣａ、ＰｂＯｘは７５（ＭＣ以下の温度で合成され
る。（第２図） 二つのＣｕＯＪｉを有する低Ｔｃ相（８０に級）は８０
０ ℃以上の温度で形成されうる。
試料２ＢでＣａｚＰｂＯｘ（０，５ｍｏｌ） は７５
０ ℃で形成されそして、低Ｔｃ相は８２２℃以下の温
度で残りのＣａイオンを用いて形成される。
０ ℃で形成されそして、低Ｔｃ相は８２２℃以下の温
度で残りのＣａイオンを用いて形成される。
８２２℃において、ＣａｚＰｂＯｘはＣａＯと液相に分
解する。高子ｃ相は液相中、低丁ｃ相とＣａＯとの間で
形成されると考えられる。
解する。高子ｃ相は液相中、低丁ｃ相とＣａＯとの間で
形成されると考えられる。
なお、試料２０組成で、Ｘが１．０のとき、低Ｔｃ相は
８００℃では形成されなかった。Ｃａ”イオンの不足の
ため形成され得ないものと考えられる。
８００℃では形成されなかった。Ｃａ”イオンの不足の
ため形成され得ないものと考えられる。
Ｃａ２ＰｂＯｘは８２２℃において初めてＣａＯをＢ１
−５ｒ−Ｃｕ−０系に供給する。
−５ｒ−Ｃｕ−０系に供給する。
Ｂ１−Ｐｂ−３ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系におけるｐｂの役
割を調べ、次のことが判った。
割を調べ、次のことが判った。
ＣａｇＰｂＯｘは７５０℃以下の温度で形成され、高Ｔ
ｃ相は単一のＣｕＯ層を有するＢ１−５ｒ−Ｃｕ−０箔
化合物にＣａ １ＰｂＯｘを添加することにより合成さ
れることができる。
ｃ相は単一のＣｕＯ層を有するＢ１−５ｒ−Ｃｕ−０箔
化合物にＣａ １ＰｂＯｘを添加することにより合成さ
れることができる。
高Ｔｃ相は８２２℃におけるＣａｚＰｂＯｘの分解によ
り生ずる液相中、低Ｔｃ相とＣａ”°イオンの間で形成
されると考えられる。
り生ずる液相中、低Ｔｃ相とＣａ”°イオンの間で形成
されると考えられる。
（実施例２） Ｂｉ、Ｐｂ、５ｒｘＣａｚＣｕａＯｙ組
成第４図に出発原料比がＢｉｚＰｂ＋５ｒｚＣａｓＣｕ
ａＯｙ となるように秤量し、混合、圧粉後（２００Ｍ
Ｐａ）８４０ ’Ｃ１７２ｈ、大気中で焼成した試料の
粉末Ｘ線回折パターンをしめす、高Ｔｃ相のピークが低
Ｔｃ相のピークよりも強くなることが観測された。！気
抵抗の温度変化を第５図に示す、 Ｔｃｅｎｄ＝１０５
にの特性が得られた。
成第４図に出発原料比がＢｉｚＰｂ＋５ｒｚＣａｓＣｕ
ａＯｙ となるように秤量し、混合、圧粉後（２００Ｍ
Ｐａ）８４０ ’Ｃ１７２ｈ、大気中で焼成した試料の
粉末Ｘ線回折パターンをしめす、高Ｔｃ相のピークが低
Ｔｃ相のピークよりも強くなることが観測された。！気
抵抗の温度変化を第５図に示す、 Ｔｃｅｎｄ＝１０５
にの特性が得られた。
（実施例３ ） Ｂ１１Ｐｂ、、５Ｓｒ２Ｃａ４Ｃｕ５
０ｙ組成第６図に出発原料比がＢｉｚＰｂ＋、 ５ｓｒ
ｚｃａｎｃｕ５０ｙ となるように秤量し、混合、圧粉
後（２００ＭＰａ）８４０ ’Ｃ１７２ｈ、大気中で焼
成した試料の粉末Ｘ線回折パターンをしめす、実施例２
と同様に、高Ｔｃ相のピークが低Ｔｃ相のピークよりも
強くなることが観測された。電気抵抗の温度変化を第７
図に示す、 Ｔｃｅｎｄ＝ １０３ Ｋの特性が得られ
たいずれの実施例も高Ｔｃ相が出現する組成は（１）式
によって表せる。
０ｙ組成第６図に出発原料比がＢｉｚＰｂ＋、 ５ｓｒ
ｚｃａｎｃｕ５０ｙ となるように秤量し、混合、圧粉
後（２００ＭＰａ）８４０ ’Ｃ１７２ｈ、大気中で焼
成した試料の粉末Ｘ線回折パターンをしめす、実施例２
と同様に、高Ｔｃ相のピークが低Ｔｃ相のピークよりも
強くなることが観測された。電気抵抗の温度変化を第７
図に示す、 Ｔｃｅｎｄ＝ １０３ Ｋの特性が得られ
たいずれの実施例も高Ｔｃ相が出現する組成は（１）式
によって表せる。
ＢｉｚＰｂ （ｘ−＊、ｙｔＳｒｘＣａ＊ Ｃｕｔｘ＋
＋ 、ＯＶ ・・・（１）実施例１ ｘ＝２ 実施例２ ｘ＝３ 実施例３ Ｘ＝４ 但し、実施例の場合 ｎ＝１ なお、焼成により超伝導物質が合成される範囲において
ｎはχ〉ｎ〉１の数値を取りうる。
＋ 、ＯＶ ・・・（１）実施例１ ｘ＝２ 実施例２ ｘ＝３ 実施例３ Ｘ＝４ 但し、実施例の場合 ｎ＝１ なお、焼成により超伝導物質が合成される範囲において
ｎはχ〉ｎ〉１の数値を取りうる。
本発明によればＢ １−３ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系超伝導
体の高Ｔｃ相（ｌｌｏＫ級）を短時間焼成で生成するこ
とが出来るのでｌｌｏＫ級超伝導体の厚膜、ＴＲ膜の作
製に対しても効果があり、従来よりもＴｃの高い超伝導
配線を作成することができる。
体の高Ｔｃ相（ｌｌｏＫ級）を短時間焼成で生成するこ
とが出来るのでｌｌｏＫ級超伝導体の厚膜、ＴＲ膜の作
製に対しても効果があり、従来よりもＴｃの高い超伝導
配線を作成することができる。
第１図は組成りｉ：Ｐｂ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕ＝２：Ｘ：
２：２：３（Ｘ＝０．０．５．１．０）を８４１ ℃１
５ｈで焼成した試料の粉末Ｘ線回折パターンを示す図、 第２図は組成りｉ：Ｐｂ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕ＝２：０．
５：２：２；３を７５０’Ｃ９ｈで焼成し、室温にクエ
ンチした試料の粉末Ｘ線回折パターンを示す図、 第３図はＢ１−３ｒ−Ｃｕ−０系にＣａ、ＰｂＯｘ ３
０ｉｉｔχ添加した試料と組成りｉ：Ｐｂ：Ｓｒ：Ｃａ
：Ｃｕ＝０．７：０．３：１：１：１．８の試料の粉末
Ｘ線回折パターンを示す図、 第４図はＢｉｚＰｂ、５ｒｚＣａ３Ｃｕ４０ｙ組成の粉
末Ｘ線回折パターンを示す図、 第５図はＢｉ２Ｐｂ１ＳｒｚＣａｓＣｕ４０ｙ ＩＪＩ
成の電気抵抗の温度変化を示す図、 第６図はＢｉｚＰｂ＋、５ＳｒｚＣａ４ＣＬｌｓＯＶ
＆ｌ成の粉末Ｘ線回折パターンを示す図、 第７図はＢｉｚＰｂ＋、５ｓｒｚｃａａｃｕｓｏｙ ｍ
成の電気抵抗の温度変化を示す図、 第８図は組成りｉ：Ｐｂ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕ＝０．７：
０．３：１：１：１．８を８４１ ℃１０ｈ、５０ｈ、
２００ｈ大気中焼成した試料の電気抵抗の温度依存性を
示す図、 第９図は組成りｉ：Ｐｂ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕ＝０．７：
０．３：１：１：１．８を８４１ ℃ｌｏｈ、５０ｈ、
２００ｈ大気中焼成した試料の粉末Ｘ線回折パターンを
示す図、 第１Ｏ図は焼成したＣａｚＰｂＯｘ及びＢ１−Ｐｂ−５
ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系のベレットのラマン散乱スペクト
ルを示す図第１１図は８１７℃１７ｈ大気中焼成して形
成したＣａｔＰｂＯｎ の粉末Ｘ線回折パターンを示す
図である。 ２θ ｅ （〆ｅ３．〕 第 ■ ｅ （ｄｅ、ｇ−） 薯 ２ケ（ｄｅ３） Ｂｒ２ＰＩｙＪＳｆ２ （４３Ｃｕ、４−ど＋、ｖａＱ
’ｃｖ８ンーｑ＞ぐ、１．ｌ Ｗ＊ ｌ＼ｌ、７− ン
形５０ Ｂ７２ ｆ’ｆ） ｒ Ｓｒ２ Ｃｎ３Ｃｕ−、ｓ Ｏ
；ｙ誹１；’ｘ；”）Ｆｍ彰帥−温琳盟化’ｆｈ ７
ＧＥＩ Ｂｒ２Ｆ’層５ｒ２ＣｔｔｃＣｃｔｓＯｙＷＥ
Ｊ爪’ｎ’ｌＸ気拭Ｊｉ’）Ｅ：ＬｔＸ 、’３一〇 ２θ（ｃｌｅ３． ） 第 ？ ■ ＲａｙｒｌｃＬｎ ５ｈｉｆｔＪ （Ｃｙｎ り 夷 ｆθ ■
２：２：３（Ｘ＝０．０．５．１．０）を８４１ ℃１
５ｈで焼成した試料の粉末Ｘ線回折パターンを示す図、 第２図は組成りｉ：Ｐｂ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕ＝２：０．
５：２：２；３を７５０’Ｃ９ｈで焼成し、室温にクエ
ンチした試料の粉末Ｘ線回折パターンを示す図、 第３図はＢ１−３ｒ−Ｃｕ−０系にＣａ、ＰｂＯｘ ３
０ｉｉｔχ添加した試料と組成りｉ：Ｐｂ：Ｓｒ：Ｃａ
：Ｃｕ＝０．７：０．３：１：１：１．８の試料の粉末
Ｘ線回折パターンを示す図、 第４図はＢｉｚＰｂ、５ｒｚＣａ３Ｃｕ４０ｙ組成の粉
末Ｘ線回折パターンを示す図、 第５図はＢｉ２Ｐｂ１ＳｒｚＣａｓＣｕ４０ｙ ＩＪＩ
成の電気抵抗の温度変化を示す図、 第６図はＢｉｚＰｂ＋、５ＳｒｚＣａ４ＣＬｌｓＯＶ
＆ｌ成の粉末Ｘ線回折パターンを示す図、 第７図はＢｉｚＰｂ＋、５ｓｒｚｃａａｃｕｓｏｙ ｍ
成の電気抵抗の温度変化を示す図、 第８図は組成りｉ：Ｐｂ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕ＝０．７：
０．３：１：１：１．８を８４１ ℃１０ｈ、５０ｈ、
２００ｈ大気中焼成した試料の電気抵抗の温度依存性を
示す図、 第９図は組成りｉ：Ｐｂ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕ＝０．７：
０．３：１：１：１．８を８４１ ℃ｌｏｈ、５０ｈ、
２００ｈ大気中焼成した試料の粉末Ｘ線回折パターンを
示す図、 第１Ｏ図は焼成したＣａｚＰｂＯｘ及びＢ１−Ｐｂ−５
ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系のベレットのラマン散乱スペクト
ルを示す図第１１図は８１７℃１７ｈ大気中焼成して形
成したＣａｔＰｂＯｎ の粉末Ｘ線回折パターンを示す
図である。 ２θ ｅ （〆ｅ３．〕 第 ■ ｅ （ｄｅ、ｇ−） 薯 ２ケ（ｄｅ３） Ｂｒ２ＰＩｙＪＳｆ２ （４３Ｃｕ、４−ど＋、ｖａＱ
’ｃｖ８ンーｑ＞ぐ、１．ｌ Ｗ＊ ｌ＼ｌ、７− ン
形５０ Ｂ７２ ｆ’ｆ） ｒ Ｓｒ２ Ｃｎ３Ｃｕ−、ｓ Ｏ
；ｙ誹１；’ｘ；”）Ｆｍ彰帥−温琳盟化’ｆｈ ７
ＧＥＩ Ｂｒ２Ｆ’層５ｒ２ＣｔｔｃＣｃｔｓＯｙＷＥ
Ｊ爪’ｎ’ｌＸ気拭Ｊｉ’）Ｅ：ＬｔＸ 、’３一〇 ２θ（ｃｌｅ３． ） 第 ？ ■ ＲａｙｒｌｃＬｎ ５ｈｉｆｔＪ （Ｃｙｎ り 夷 ｆθ ■
Claims (1)
- （１）酸化物に換算して、下記（１）式で示される出発
原料組成比からなる混合物を７５０℃〜８８０℃の温度
で焼成する工程を有することを特徴とする超伝導物質の
製造方法。 Ｂｉ＿２Ｐｂ＿（＿ｘ＿−＿ｎ＿）＿／＿ｚＳｒ＿２Ｃ
ａ＿ｘＣｕ＿ｘ＿＋＿１Ｏ＿ｙ・・・（１） 但し、１≦ｎ＜ｘ ２＜ｘ＜１０ ９＜ｙ＜４０．５ Ｏ：酸素
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63285125A JPH02133319A (ja) | 1988-11-11 | 1988-11-11 | 超伝導物質の製造方法 |
| US07/382,180 US5049541A (en) | 1988-07-25 | 1989-07-19 | Process for preparing superconductor |
| KR1019890010339A KR920000224B1 (ko) | 1988-07-25 | 1989-07-21 | 초전도물질의 제조방법 |
| DE8989307481T DE68905701T2 (de) | 1988-07-25 | 1989-07-24 | Verfahren zur herstellung von supraleitern. |
| EP89307481A EP0352996B1 (en) | 1988-07-25 | 1989-07-24 | Process for preparing superconductors |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63285125A JPH02133319A (ja) | 1988-11-11 | 1988-11-11 | 超伝導物質の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02133319A true JPH02133319A (ja) | 1990-05-22 |
Family
ID=17687439
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63285125A Pending JPH02133319A (ja) | 1988-07-25 | 1988-11-11 | 超伝導物質の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02133319A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02120227A (ja) * | 1988-10-28 | 1990-05-08 | Fujikura Ltd | Ｂｉ系酸化物超電導体の製造方法 |
-
1988
- 1988-11-11 JP JP63285125A patent/JPH02133319A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02120227A (ja) * | 1988-10-28 | 1990-05-08 | Fujikura Ltd | Ｂｉ系酸化物超電導体の製造方法 |
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