JPH02112234A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業−１，の利用公賓 本発明は半導体装ｉηに関するものである。

従来の技術 従来、たとえは高周波用Ｍ０８型トランジスタにおいて
は、低２１ｕ化のために、グー　ト材料として金属シリ
サイドが使用されている。第２図に従来の高周波用４極
ＭＯ３型ト・ランジスタの構成を示す。第２区において
、２１は第１ゲ−１〜、２２は第２ゲ　ト、２３はソ　
スコンタクト領域、２４はドレインコンタク１へ領域、
２５は第１ゲート側アルミニウム電極配線である。また
、第１ゲ−１へ２１の斜線のない部分２１ａはＭＯ３型
１−ランジスタのグー　１〜として動作する領域、斜線
部分２１ｂはそこからアルミニウム電極配線２５と接続
される配線領域であり、さらにこの斜線部分２１ｂは配
線抵抗を低減づるために斜線のない部分２１ａよりも幅
が広くされている。

発明か解決しようとする課題 ところで、上記の構成において、グ　１・材７−゛１に
金属シリサイドを用いた場合、第１ゲ　１〜２１の斜線
部分２１ｂの下地に段差があると、金属シリサイドか有
する内部応力のために、Ｆ見Ｘテ１部て斜線部分２１ｂ
か断線してしまうという課題かあった。

そこで、本発明はＪ−記課題を解消し得る半導体装置を
提供することを目的とする。

課題を解決するための手段 １記課題を解決するため、本発明の゛１′導体装カ゛は
、半導体基板上に形成された回路部と電極部との間の接
続用配線を複数本設（すたものである。

作用 り記の構成によると、接続用配線部での内部応力は複数
本の配線に分散されるため、配線１本当りの内部応力が
小さくなり、断線の発生が防」１される。

実施例 以ド、本発明の一実施例を第１図に基つき説明する。第
１図は高周波用４１ＭＯ３型１〜ランジスタの構成を示
す。第１図において、１は半導体基板りに形成された回
路部で、第１ヶ−１−２、第２ゲート３、ソースコンタ
クト領域４、ドレインコンタク１〜頭域５によって構成
されている。また、６は第１ゲ−ト２側の電極部である
アルミニウム電極配線である。そして、さらに」二部第
１ゲート２と７゛ルミニウム電極配線６との接続部であ
る接続用配線は２本２ａ、、２ｂつつ並行に設けられて
いる。この接続用配線２ａ、２ｂの幅は、従来の配線幅
（４μｍ　）の１／２けたわち２μｍとされ、もちろん
、このゲー　ト材料とし７ては金属シリサイドたとえば
Ｍ　ｏ　Ｓ　ｉ　２か使用されている。

このように、接続用配線部での内部応力は、２本の配線
に分散されるため、配線１本当りの内部応力が小さくな
って断線の発生が防１１さねる。

なお、−」二部実施例においては、接続用配線を２本と
したか、抵抗値をさらに低くするために３本以上設ける
ようにしてもよい。

発明の効果 以」二のように、本発明の構成によれば、回路部と電極
部との間の接続用配線を複数本設りたのて、たとえはＭ
Ｏ８型１〜ランジスタにおい゛（ケ　１・祠料として金
属シリサイドを便用した場合で６、配線抵抗値を低減し
な状態で内部応力を分散させて断線の発生を防止するこ
とができ、したがって信頼性および歩留りの自−１−に
蔦′すすることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例における′Ｉ′：導体装導体
装概略構成を示ず平面図、第２区は従来例におりる半導
体装置の概略構成を示す５Ｖ血図である。 １・・・回路図、２・・・第１ゲート、２ａ、２ｂ・・
・接続用配線、６・・・アルミニウム電極配線。 代理人　　　森　　木　　義　　弘

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、半導体基板上に形成された回路部と電極部との間の
   接続用配線を複数本設けた半導体装置。