JPH02111756A - 4−チオ置換フェノール化合物の製造方法 - Google Patents
4−チオ置換フェノール化合物の製造方法Info
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C319/00—Preparation of thiols, sulfides, hydropolysulfides or polysulfides
- C07C319/14—Preparation of thiols, sulfides, hydropolysulfides or polysulfides of sulfides
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は4−チオ置換フェノール化合物である4−置換
チオー1−フェノールおよび4−置換チオー1−ナフト
ール誘導体の製造方法に関するものである。
チオー1−フェノールおよび4−置換チオー1−ナフト
ール誘導体の製造方法に関するものである。
(従来の技術)
4−置換チオー1−フェノールおよび4−置換チオー1
−ナフトール誘導体は染料や生理活性を有する化合物(
医薬、農薬等)の合成中間体として重要である。一方、
写真化学の分野で2当量型シアン発色カプラーとして知
られている。例えば、米国特許第3,227,554号
、特開昭60−50533号、同60−91355号、
同61−201247号、同62−1734.67号に
その例を見ることができる。
−ナフトール誘導体は染料や生理活性を有する化合物(
医薬、農薬等)の合成中間体として重要である。一方、
写真化学の分野で2当量型シアン発色カプラーとして知
られている。例えば、米国特許第3,227,554号
、特開昭60−50533号、同60−91355号、
同61−201247号、同62−1734.67号に
その例を見ることができる。
一方、1−フェノールおよびl−ナフトール誘導体の4
位に置換チオ基を導入する方法としては以下の4つの方
法が知られている。
位に置換チオ基を導入する方法としては以下の4つの方
法が知られている。
■
(米国特許第3.227.551号;同第3.227.
554号)l−フェノールまたは1−ナフトール誘導体
にアリールスルフェニルクロリドを作用させると4位が
アリールチオ化される。アリールスルフェニルクロリド
は対応するアリールメルカプタンに塩化スルフリル、塩
素、N−クロロこはく酸イミド等を作用させて合成する
ことができる。
554号)l−フェノールまたは1−ナフトール誘導体
にアリールスルフェニルクロリドを作用させると4位が
アリールチオ化される。アリールスルフェニルクロリド
は対応するアリールメルカプタンに塩化スルフリル、塩
素、N−クロロこはく酸イミド等を作用させて合成する
ことができる。
■
号)
l−ナフトールの4位をヨウ素化し、続いてアリールメ
ルカプタンと反応させることにより、4位をアリールチ
オ化することができる。
ルカプタンと反応させることにより、4位をアリールチ
オ化することができる。
Ar
■
(米国特許第3.479.407号;新実験化学講座1
4−In、 1740; Chem、 Abstr
、、 72゜31445(1970) )すなわち、
l−フェノールあるいはl−ナフトールに対し、二塩化
二イオウを作用させると、対応するスルフィド、ジスル
フィド、トリスルフィドの混合物が得られる。ジスルフ
ィド、トリスルフィドを亜鉛で還元すると対応するメル
カプタンが得られる。次に塩基の存在下、ハロゲン化ア
ルキルと反応を行い、4位をアルキルチオ化することが
できる。
4−In、 1740; Chem、 Abstr
、、 72゜31445(1970) )すなわち、
l−フェノールあるいはl−ナフトールに対し、二塩化
二イオウを作用させると、対応するスルフィド、ジスル
フィド、トリスルフィドの混合物が得られる。ジスルフ
ィド、トリスルフィドを亜鉛で還元すると対応するメル
カプタンが得られる。次に塩基の存在下、ハロゲン化ア
ルキルと反応を行い、4位をアルキルチオ化することが
できる。
(X−CI、 Br)
(Rsはアルキル基)
(Chew、 Abstr、 53. 16145(
1959)、)1−ナフトールにスルフリルクロリド、
塩素、臭素等を作用させ、4−ハロゲノ−1−ナフトー
ルに誘導する。これに銅メルカプチドを反応させ4位を
アルキルチオ化する反応である。
1959)、)1−ナフトールにスルフリルクロリド、
塩素、臭素等を作用させ、4−ハロゲノ−1−ナフトー
ルに誘導する。これに銅メルカプチドを反応させ4位を
アルキルチオ化する反応である。
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら、以上述べた4つの方法はそれぞれ幾つか
の欠点がある。
の欠点がある。
■の方法は4位のアリールチオ化には有力な手段である
が4位のアルキルチオ化には適用できない。このことは
アリールスルフェニルクロリドが反応系内で比較的安定
であるのに対し、アルキルスルフェニルクロリドが反応
系内で非常に不安定なことに起因している。
が4位のアルキルチオ化には適用できない。このことは
アリールスルフェニルクロリドが反応系内で比較的安定
であるのに対し、アルキルスルフェニルクロリドが反応
系内で非常に不安定なことに起因している。
■の方法はやはり4位のアルキルチオ化には適用できな
い。これはアリールメルカプタンのS原子に比べてアル
キルメルカプタンのS原子の求核性が弱いことに起因し
ている。また、ナフトールの4位のヨウ素の収率がそれ
程高(ないことから、全工程を通してみるとこの方法は
収率が高(ない欠点がある。
い。これはアリールメルカプタンのS原子に比べてアル
キルメルカプタンのS原子の求核性が弱いことに起因し
ている。また、ナフトールの4位のヨウ素の収率がそれ
程高(ないことから、全工程を通してみるとこの方法は
収率が高(ない欠点がある。
■の方法は数少ない4位のアルキルチオ化の2つの方法
のうちの1つであるが、4位のアリールチオ化には適用
できない。また、l−ナフトールの種類により反応が全
(進行しなかったり、収率が低い場合がある(新実験化
学講座14−■■、1740)、および目的物を得るた
めの工程数が長いという欠点がある。
のうちの1つであるが、4位のアリールチオ化には適用
できない。また、l−ナフトールの種類により反応が全
(進行しなかったり、収率が低い場合がある(新実験化
学講座14−■■、1740)、および目的物を得るた
めの工程数が長いという欠点がある。
■の方法は、先の■と並び4位のアルキルチオ化の2つ
の方法のうちの1つであるが、副反応として還元が進行
するために収率が低いという欠点をもつ。
の方法のうちの1つであるが、副反応として還元が進行
するために収率が低いという欠点をもつ。
以上、従来知られている4−置換チオー1−フェノール
および4−置換チオー1−ナフトールの合成法には4位
のアリールチオ化およびアルキルチオ化のどちらにも適
用できる方法はない。また、4位のアルキルチオ化につ
いては高収率で目的物を得ることのできる反応の開発が
望まれている。
および4−置換チオー1−ナフトールの合成法には4位
のアリールチオ化およびアルキルチオ化のどちらにも適
用できる方法はない。また、4位のアルキルチオ化につ
いては高収率で目的物を得ることのできる反応の開発が
望まれている。
従って本発明の目的は4−置換チオ−l−フェノールお
よび4−置換チオー1−ナフトール誘導体を、対応する
l−フェノールあるいは1−ナフトール誘導体から収率
よく合成する一般的合成法を提供することにある。
よび4−置換チオー1−ナフトール誘導体を、対応する
l−フェノールあるいは1−ナフトール誘導体から収率
よく合成する一般的合成法を提供することにある。
(課題を解決するための手段)
本発明者は、こうした従来法の欠点を克服した一般的合
成法の開発を目指し種々検討を行った結果、塩基の存在
下、1−フェノールまたはl−ナフトール誘導体とチオ
ールスルホナ−1・とを反応させることにより高収率で
目的物である4−置換チオー1−フェノールまたは4−
置換チオ−1−ナフトール誘導体を合成することが可能
であることを見出し、この知見に基づき本発明をなすに
至った。
成法の開発を目指し種々検討を行った結果、塩基の存在
下、1−フェノールまたはl−ナフトール誘導体とチオ
ールスルホナ−1・とを反応させることにより高収率で
目的物である4−置換チオー1−フェノールまたは4−
置換チオ−1−ナフトール誘導体を合成することが可能
であることを見出し、この知見に基づき本発明をなすに
至った。
すなわち本発明は、一般弐[1−alまたは一般式[I
−bl [I−al [I−blで表わされるフ
ェノール化合物と一般式[II −alまたは一般式[
1l−bl R,−3−So、−OR。
−bl [I−al [I−blで表わされるフ
ェノール化合物と一般式[II −alまたは一般式[
1l−bl R,−3−So、−OR。
口1− a ] [III−b ]で
表わされる化合物とを塩基の存在下反応させ一般式[r
ll−alまたは一般式[■I−b][III −a
] [III −b ]で表わされる4−
チオ置換フェノール化合物を得ることを特徴とする4−
チオ置換フェノール化合物の製造方法を提供するもので
ある。
表わされる化合物とを塩基の存在下反応させ一般式[r
ll−alまたは一般式[■I−b][III −a
] [III −b ]で表わされる4−
チオ置換フェノール化合物を得ることを特徴とする4−
チオ置換フェノール化合物の製造方法を提供するもので
ある。
(式中、R1は芳香族環に置換可能な基を示す(ただし
、フェノール、ナフトールの4位には置換しない)。m
は0から4までの整数を示し、nは0から6までの整数
を示しR2はアルキル基、アリール基またはへテロ環基
を示し、R1およびR4は、水素原子、アルキル基、ア
リール基、ヘテロ環基またはカチオンを示す。) 次に一般式(1−a)、(I−b)、(II)、(nl
−a)および(III −b )により表わされる化合
物および反応に用いられる塩基について詳しく述べる。
、フェノール、ナフトールの4位には置換しない)。m
は0から4までの整数を示し、nは0から6までの整数
を示しR2はアルキル基、アリール基またはへテロ環基
を示し、R1およびR4は、水素原子、アルキル基、ア
リール基、ヘテロ環基またはカチオンを示す。) 次に一般式(1−a)、(I−b)、(II)、(nl
−a)および(III −b )により表わされる化合
物および反応に用いられる塩基について詳しく述べる。
一般式(I−a)または(I−b)で表わされる化合物
において、R1は芳香族環に置換可能な基であり、例え
ばハロゲン原子、アルキル基、アラルキル基、アルケニ
ル基、アリール基、カルボキシル基、スルホ基、ヒドロ
キシル基、シアノ基、カルバモイル基、スルファモイル
基、ウレイド基、カルボンアミド基、スルボンアミド基
、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロ環基、アミ
ノ基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、
アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基
、アルコキシスルホニル基、アリールオキシスルホニル
基、スルファモイルアミノ基、アルコキシカルボニルア
ミノ基、アシル基、ニトロ基等がある。mはOから4ま
での整数であり、mが複数のとき、複数のR1は同じで
も異なっていてもよ(、複数のR1が互いに結合してい
て芳香族炭化水素環、脂肪族環またはへテロ環を形成し
ていてもよい。nはOから6までの整数であり、nが複
数のとき複数のR1は同じでも異なっていてもよく、複
数のR1が互いに結合していて芳香族炭化水素環、脂肪
族環またはへテロ環を形成していてもよい。
において、R1は芳香族環に置換可能な基であり、例え
ばハロゲン原子、アルキル基、アラルキル基、アルケニ
ル基、アリール基、カルボキシル基、スルホ基、ヒドロ
キシル基、シアノ基、カルバモイル基、スルファモイル
基、ウレイド基、カルボンアミド基、スルボンアミド基
、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロ環基、アミ
ノ基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、
アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基
、アルコキシスルホニル基、アリールオキシスルホニル
基、スルファモイルアミノ基、アルコキシカルボニルア
ミノ基、アシル基、ニトロ基等がある。mはOから4ま
での整数であり、mが複数のとき、複数のR1は同じで
も異なっていてもよ(、複数のR1が互いに結合してい
て芳香族炭化水素環、脂肪族環またはへテロ環を形成し
ていてもよい。nはOから6までの整数であり、nが複
数のとき複数のR1は同じでも異なっていてもよく、複
数のR1が互いに結合していて芳香族炭化水素環、脂肪
族環またはへテロ環を形成していてもよい。
上記のR1の例示した基は、より詳細にはさらに置換基
を有するものを包含する意であり、そのような置換基と
しては、例えばハロゲン原子、アルキル基、アラルキル
基、アルケニル基、アリール基、カルボキシル基、スル
ホ基、ヒドロキシル基、シアノ基、カルバモイル基、ス
ルファモイル基、ウレイド基、カルボンアミド基、スル
ホンアミド基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテ
ロ環基、アミノ基、アルキルスルホニル基、アリールス
ルホニル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシ
カルボニル基、アルコキシスルホニル基、アリールオキ
シスルホニル基、スルファモイルアミノ基、アルコキシ
カルボニルアミノ基、アシル基、ニトロ基等が挙げられ
る。
を有するものを包含する意であり、そのような置換基と
しては、例えばハロゲン原子、アルキル基、アラルキル
基、アルケニル基、アリール基、カルボキシル基、スル
ホ基、ヒドロキシル基、シアノ基、カルバモイル基、ス
ルファモイル基、ウレイド基、カルボンアミド基、スル
ホンアミド基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテ
ロ環基、アミノ基、アルキルスルホニル基、アリールス
ルホニル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシ
カルボニル基、アルコキシスルホニル基、アリールオキ
シスルホニル基、スルファモイルアミノ基、アルコキシ
カルボニルアミノ基、アシル基、ニトロ基等が挙げられ
る。
一般式(I−a)または(r−b)で表わされろ化合物
の置換基として本発明に好ましく用いられるものは以下
の通りである。すなわち、R1としてはハロゲン原子(
フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子)、炭素
数1〜19のアルキル基(例えばメチル、エチル、i−
プロピル、を−ブチル、トリフルオロメチル、n−ドデ
シル、n−オクタデシル)、炭素数1〜19のアラルキ
ル基(例えばベンジル、フェネチル)、カルボキシル基
、スルホ基、ヒドロキシル基、シアノ基、炭素数1〜3
7のカルバモイル基(例えば、カルバモイル、N、N−
ジメチルカルバモイル、N。
の置換基として本発明に好ましく用いられるものは以下
の通りである。すなわち、R1としてはハロゲン原子(
フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子)、炭素
数1〜19のアルキル基(例えばメチル、エチル、i−
プロピル、を−ブチル、トリフルオロメチル、n−ドデ
シル、n−オクタデシル)、炭素数1〜19のアラルキ
ル基(例えばベンジル、フェネチル)、カルボキシル基
、スルホ基、ヒドロキシル基、シアノ基、炭素数1〜3
7のカルバモイル基(例えば、カルバモイル、N、N−
ジメチルカルバモイル、N。
N−ジエチルカルバモイル、N−メチルカルバモイル、
N−ブチルカルバモイル、N−シクロへキシルカルバモ
イル、N、N−ジエチルカルバモイル、N−(2−カル
ボキシルエチル)カルバモイル、N−ヘキサデシルカル
バモイル、N−ドデシルカルバモイル、N−(3−ドデ
シルオキシプロビル)カルバモイル、N−[3’−(2
,4−ジー1−ペンチルフェノキシ)プロピル]カルバ
モイル、N−[4−(2,4−ジーも一ペンデルフェノ
キシ)ブチルカルバモイル)、炭素数0〜36のスルフ
ァモイル基(例えばスルファモイル、N−メチルスルフ
ァモイル、N−ブチルスルファモイル、N、N−ジメチ
ルスルファモイル、N、N−ジエチルスルファモイル、
N−ドデシルスルファモイル、N−オクタデシルスルフ
ァモイル)、炭素数1〜36のカルボンアミド基(例え
ばホルムアミド基、アセトアミド基、トリフルオロアセ
トアミド基、プロピオンアミド基、ベンズアミド基、p
−ニトロベンズアミド、n−ドデカンアミド、n−オク
タデカンアミド、i−ブタンアミド、t−ブタンアミド
、2−エチルヘキサンアミド、2− (2,4−ジ−t
−ペンチルフェノキシ)ブタンアミド、トリクロロアセ
トアミド、p−クロロベンズアミド、ペンタフルオロベ
ンズアミド、2− (2,4−ジ−t−ペンデルフェノ
キシ)ヘキサンアミド、2− (2,4−ジー七−ペン
チルフェノキシ)オクタンアミド、2−(3−ペンタデ
シルフェノキシ)ブタンアミド、2(4−ドデシルフェ
ニルチオ)オクタンアミド、2−(4−ブタンスルホン
アミドフェノキシ)テトラデカンアミド、2− (2,
4−ジ−t−オクチルフェノキシ)オクタンアミド、2
− (2,4−ジ−t−ペンチルフェノキシ)テトラデ
カンアミド、2− (4−(p−ヒドロキシベンゼンス
ルボニル)フェノキシ)テトラデカンアミド、2−(2
−クロロ−4−(3′−クロロ−4′−ヒドロキシベン
ゼンスルボニル)フェノキシ) ドデカンアミド、2−
(2−クロロ−4−カルボキシルフェノキシ)テトラデ
カンアミド、2−(3−を−ブチル−4−ヒドロキシフ
ェノキシ)テトラデカンアミド)、炭素数1〜36のス
ルホンアミド基(例えばメタンスルホンアミド、エタン
スルホンアミド、n−ブタンスルホンアミド、トリフル
オロメタンスルホンアミド、ベンゼンスルホンアミド、
p−トルエンスルホンアミド、フェニルメタンスルホン
アミド、n−ヘキサデカンスルホンアミド、n−オクタ
デカンスルホンアミド、m−ニトロメタンスルホンアミ
ド、p−ドデシルベンゼンスルホ、ンアミド)、炭素数
6〜36のアリールオキシ基(例えばフェノキシ、p−
メチルフェノキシ、p−メトキシフェノキシ、p−ニト
ロフェノキシ、0−クロロフェノキシ)、炭素数1〜3
6のアルコキシ基(例えばメトキシ、エトキシ、メトキ
シエトキシ、ベンジルオキシ、2−ピラノキシ、n−ブ
トキシ、n−ドデシルオキシ、n−オクタデシルオキシ
)、炭素数2〜36のアルコキシカルボニル基(例えば
メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、n−オクチ
ルカルボニル、n−オクタデジルカルボニル)、アミノ
基、炭素数1〜36のアルキルアミノ基(例えばメチル
アミノ、ジメチルアミノ、モルホリノ、n−オクチルア
ミノ)、ニトロ基、炭素数1〜36のアシル基(例りば
ホルミル、アセチル、ベンゾイル、プロピオニル、n−
ブチリル、シクロヘキサンカルボニル、n−デカノイル
、n−オフタデカッイル)、炭素数1〜36のアルコキ
シカルボニルアミノ基(例えばメトキシカルボニルアミ
ノ、エトキシカルボニルアミノ、i−ブトキシカルボニ
ルアミノ、ベンジルオキシカルボニルアミノ、n−ブト
キシカルボニルアミノ、t−ブトキシカルボニルアミノ
、n−オフデルオキシカルボニルアミノ、n−ドデシル
オキシカルボニルアミノ、n−オクタデシルオキシカル
ボニルアミノ)、炭素数1〜36までのウレイド基(例
えばウレイド、N−メチルウレイド、N−エヂルウレイ
ド、N−フェニルウレイド、N−(p−シアノフェニル
)ウレイド、N −(m−クロロ−p−シアノフェニル
)ウレイド、N−プロパンスルホニルフェニルウレイド
、N−ブタンスルホニルフェニルウレイド、N−(m、
p−ジクロロフェニル)ウレイド、N−(o−クロロ−
p−シアノフェニル)ウレイド、N−(4−シアノナフ
チル)ウレイド、N−(m−シアノフェニル)ウレイド
、Nメタンスルホニルフェニルウレイド、N−(p−ク
ロロフヱニル)ウレイド、N−(p−メチルフェニル)
ウレイド、N−(m−メタンスルホンアミドフェニル)
ウレイド)がそれぞれ好ましい。
N−ブチルカルバモイル、N−シクロへキシルカルバモ
イル、N、N−ジエチルカルバモイル、N−(2−カル
ボキシルエチル)カルバモイル、N−ヘキサデシルカル
バモイル、N−ドデシルカルバモイル、N−(3−ドデ
シルオキシプロビル)カルバモイル、N−[3’−(2
,4−ジー1−ペンチルフェノキシ)プロピル]カルバ
モイル、N−[4−(2,4−ジーも一ペンデルフェノ
キシ)ブチルカルバモイル)、炭素数0〜36のスルフ
ァモイル基(例えばスルファモイル、N−メチルスルフ
ァモイル、N−ブチルスルファモイル、N、N−ジメチ
ルスルファモイル、N、N−ジエチルスルファモイル、
N−ドデシルスルファモイル、N−オクタデシルスルフ
ァモイル)、炭素数1〜36のカルボンアミド基(例え
ばホルムアミド基、アセトアミド基、トリフルオロアセ
トアミド基、プロピオンアミド基、ベンズアミド基、p
−ニトロベンズアミド、n−ドデカンアミド、n−オク
タデカンアミド、i−ブタンアミド、t−ブタンアミド
、2−エチルヘキサンアミド、2− (2,4−ジ−t
−ペンチルフェノキシ)ブタンアミド、トリクロロアセ
トアミド、p−クロロベンズアミド、ペンタフルオロベ
ンズアミド、2− (2,4−ジ−t−ペンデルフェノ
キシ)ヘキサンアミド、2− (2,4−ジー七−ペン
チルフェノキシ)オクタンアミド、2−(3−ペンタデ
シルフェノキシ)ブタンアミド、2(4−ドデシルフェ
ニルチオ)オクタンアミド、2−(4−ブタンスルホン
アミドフェノキシ)テトラデカンアミド、2− (2,
4−ジ−t−オクチルフェノキシ)オクタンアミド、2
− (2,4−ジ−t−ペンチルフェノキシ)テトラデ
カンアミド、2− (4−(p−ヒドロキシベンゼンス
ルボニル)フェノキシ)テトラデカンアミド、2−(2
−クロロ−4−(3′−クロロ−4′−ヒドロキシベン
ゼンスルボニル)フェノキシ) ドデカンアミド、2−
(2−クロロ−4−カルボキシルフェノキシ)テトラデ
カンアミド、2−(3−を−ブチル−4−ヒドロキシフ
ェノキシ)テトラデカンアミド)、炭素数1〜36のス
ルホンアミド基(例えばメタンスルホンアミド、エタン
スルホンアミド、n−ブタンスルホンアミド、トリフル
オロメタンスルホンアミド、ベンゼンスルホンアミド、
p−トルエンスルホンアミド、フェニルメタンスルホン
アミド、n−ヘキサデカンスルホンアミド、n−オクタ
デカンスルホンアミド、m−ニトロメタンスルホンアミ
ド、p−ドデシルベンゼンスルホ、ンアミド)、炭素数
6〜36のアリールオキシ基(例えばフェノキシ、p−
メチルフェノキシ、p−メトキシフェノキシ、p−ニト
ロフェノキシ、0−クロロフェノキシ)、炭素数1〜3
6のアルコキシ基(例えばメトキシ、エトキシ、メトキ
シエトキシ、ベンジルオキシ、2−ピラノキシ、n−ブ
トキシ、n−ドデシルオキシ、n−オクタデシルオキシ
)、炭素数2〜36のアルコキシカルボニル基(例えば
メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、n−オクチ
ルカルボニル、n−オクタデジルカルボニル)、アミノ
基、炭素数1〜36のアルキルアミノ基(例えばメチル
アミノ、ジメチルアミノ、モルホリノ、n−オクチルア
ミノ)、ニトロ基、炭素数1〜36のアシル基(例りば
ホルミル、アセチル、ベンゾイル、プロピオニル、n−
ブチリル、シクロヘキサンカルボニル、n−デカノイル
、n−オフタデカッイル)、炭素数1〜36のアルコキ
シカルボニルアミノ基(例えばメトキシカルボニルアミ
ノ、エトキシカルボニルアミノ、i−ブトキシカルボニ
ルアミノ、ベンジルオキシカルボニルアミノ、n−ブト
キシカルボニルアミノ、t−ブトキシカルボニルアミノ
、n−オフデルオキシカルボニルアミノ、n−ドデシル
オキシカルボニルアミノ、n−オクタデシルオキシカル
ボニルアミノ)、炭素数1〜36までのウレイド基(例
えばウレイド、N−メチルウレイド、N−エヂルウレイ
ド、N−フェニルウレイド、N−(p−シアノフェニル
)ウレイド、N −(m−クロロ−p−シアノフェニル
)ウレイド、N−プロパンスルホニルフェニルウレイド
、N−ブタンスルホニルフェニルウレイド、N−(m、
p−ジクロロフェニル)ウレイド、N−(o−クロロ−
p−シアノフェニル)ウレイド、N−(4−シアノナフ
チル)ウレイド、N−(m−シアノフェニル)ウレイド
、Nメタンスルホニルフェニルウレイド、N−(p−ク
ロロフヱニル)ウレイド、N−(p−メチルフェニル)
ウレイド、N−(m−メタンスルホンアミドフェニル)
ウレイド)がそれぞれ好ましい。
置換基R11は、一般式(I−a)または(Ib)の化
合物において少な(とも2−及び5−位に導入されてい
るのが好ましい。
合物において少な(とも2−及び5−位に導入されてい
るのが好ましい。
一般式(I−a)または(I−b)で表わされる化合物
のうち、特に以下の構造を有するもの(V)、(Vl)
が好ましい。
のうち、特に以下の構造を有するもの(V)、(Vl)
が好ましい。
アミド、アリールカルボンアミド、アルコキシカルボニ
ルアミノ、アリールオキシカルボニルアミノ、アルカン
スルホンアミド、アリールスルホンアミド、等を表わし
、アルキルおよびアリールは置換されていてもよい。
ルアミノ、アリールオキシカルボニルアミノ、アルカン
スルホンアミド、アリールスルホンアミド、等を表わし
、アルキルおよびアリールは置換されていてもよい。
/
/
/
ここでR1
は前述のR1と同義である。Arは
はアルキルカルボンアミドを表わし、アルキルは置換さ
れていてもよい。8′−N−はモノ置換アI( ミノ基を表わし、より詳しくはアルキルカルボン一般式
(IT−a)または(u−b)で表わされる化合物のR
2としては、炭素数1〜40のアルキル基(例えばメチ
ル、エチル、n−プロピル、i−プロピル、n−ブチル
、S−ブチル、i−ブチル、t−ブチル、n−ヘキシル
、n−オクチル、n−ドデシル、n−テトラデシル、n
−オクタデシル、シクロヘキシル、シクロヘキシルメチ
ル、オレイル、プロパルギル、ベンジル、フェネチル、
クロチル、シンナミル)、炭素数6〜48のアリール基
(例えばフェニル、ナフチル)、炭素数1〜36のへテ
ロ環基(例えば、ピリジル、ピペリジル、キノリル、フ
リル、チエニル、チアゾリル、インチアゾリル、ベンゾ
チアゾリル、ベンゾオキサシリル、ベンゾイミダゾリル
、オキサシリル、イソオキサシリル、イミダゾリル、ト
リアゾリル、ベンゾトリアゾリル、オキサジル、ピロリ
ル、ピロリニル、ピラゾリル、ピラゾリニル、ピラニル
、ピリダジニル、ピリミジニル、ピラジニル、ジヒドロ
オキサジル、ジヒドロチアゾリル、オキサジアゾリル、
チアジアゾリル、セレノジアゾリル、テルロジアゾリル
、テトラゾリル、イミダゾ(5,4−dlピリミジニル
、フラジニル、フラニル、ベンゾフラニル、オキサジニ
ル、テトラヒドロフラニル、テトラヒドロチエニル、テ
トラヒドロピラニル、モルホリニル)、炭素数1〜36
のアシル基(例えばアセチル、n −プロピオニル、n
−テトラデカノイル、n−オクタデカノイル、ベンゾイ
ル、エトキシカルボニル、ジメチルアミノカルボニル、
エトキサリル、ビルボイル)、炭素数1〜36のチオア
シル基(例えばジエチルアミノチオカルボニル、メチル
チオカルボニル、フェニルチオカルボニル、シクロへキ
シルチオカルボニル、l−ピペリジノチオカルボニル)
、炭素数1〜40のアルケニル基(例えば、ビニル、ア
リル、イソプロペニル、1−ブテニル、2−ブテニル、
2−メチルアリル、2−ペンテニル、シクロへキセニル
、2.4−シクロベキサジエニル、スチリル、シンナミ
ル)等がそれぞれ好ましい。これらの基はハロゲン原子
、ニトロ、シアノ、ヒドロキシル、アルコキシ、アリー
ルオキシ、アシルオキシ、スルホニルオキシ、カルボキ
シル、カルボン酸エステル、カルバモイル、スルホ、ス
ルホン酸エステル、スルファモイル、アルキルチオ、ア
リールチオ、スルホニル、アシル、アミノ、アシルアミ
ノ、スルホンアミド、ウレイド、ウレタン、スルフィニ
ル、メルカプト、アリール、ヘテロ環などの置換基で置
換されていてもよい。
れていてもよい。8′−N−はモノ置換アI( ミノ基を表わし、より詳しくはアルキルカルボン一般式
(IT−a)または(u−b)で表わされる化合物のR
2としては、炭素数1〜40のアルキル基(例えばメチ
ル、エチル、n−プロピル、i−プロピル、n−ブチル
、S−ブチル、i−ブチル、t−ブチル、n−ヘキシル
、n−オクチル、n−ドデシル、n−テトラデシル、n
−オクタデシル、シクロヘキシル、シクロヘキシルメチ
ル、オレイル、プロパルギル、ベンジル、フェネチル、
クロチル、シンナミル)、炭素数6〜48のアリール基
(例えばフェニル、ナフチル)、炭素数1〜36のへテ
ロ環基(例えば、ピリジル、ピペリジル、キノリル、フ
リル、チエニル、チアゾリル、インチアゾリル、ベンゾ
チアゾリル、ベンゾオキサシリル、ベンゾイミダゾリル
、オキサシリル、イソオキサシリル、イミダゾリル、ト
リアゾリル、ベンゾトリアゾリル、オキサジル、ピロリ
ル、ピロリニル、ピラゾリル、ピラゾリニル、ピラニル
、ピリダジニル、ピリミジニル、ピラジニル、ジヒドロ
オキサジル、ジヒドロチアゾリル、オキサジアゾリル、
チアジアゾリル、セレノジアゾリル、テルロジアゾリル
、テトラゾリル、イミダゾ(5,4−dlピリミジニル
、フラジニル、フラニル、ベンゾフラニル、オキサジニ
ル、テトラヒドロフラニル、テトラヒドロチエニル、テ
トラヒドロピラニル、モルホリニル)、炭素数1〜36
のアシル基(例えばアセチル、n −プロピオニル、n
−テトラデカノイル、n−オクタデカノイル、ベンゾイ
ル、エトキシカルボニル、ジメチルアミノカルボニル、
エトキサリル、ビルボイル)、炭素数1〜36のチオア
シル基(例えばジエチルアミノチオカルボニル、メチル
チオカルボニル、フェニルチオカルボニル、シクロへキ
シルチオカルボニル、l−ピペリジノチオカルボニル)
、炭素数1〜40のアルケニル基(例えば、ビニル、ア
リル、イソプロペニル、1−ブテニル、2−ブテニル、
2−メチルアリル、2−ペンテニル、シクロへキセニル
、2.4−シクロベキサジエニル、スチリル、シンナミ
ル)等がそれぞれ好ましい。これらの基はハロゲン原子
、ニトロ、シアノ、ヒドロキシル、アルコキシ、アリー
ルオキシ、アシルオキシ、スルホニルオキシ、カルボキ
シル、カルボン酸エステル、カルバモイル、スルホ、ス
ルホン酸エステル、スルファモイル、アルキルチオ、ア
リールチオ、スルホニル、アシル、アミノ、アシルアミ
ノ、スルホンアミド、ウレイド、ウレタン、スルフィニ
ル、メルカプト、アリール、ヘテロ環などの置換基で置
換されていてもよい。
一般式(II−a)または(It−b)で表わされ化合
物において、l) およびR4で表わされるアルキル基
、アリール基、ヘテロ環基は前述したR2のアルキル基
、アリール基、ヘテロ環と同様の基を挙げることができ
る。
物において、l) およびR4で表わされるアルキル基
、アリール基、ヘテロ環基は前述したR2のアルキル基
、アリール基、ヘテロ環と同様の基を挙げることができ
る。
また、RおよびR4で表わすカチオンとしては、ナトリ
ウムイオン、カリウムイオン、マグネシウムイオン、リ
チウムイオン、カルシウムイオン、銀イオンおよび窒素
原子を含むイオン(例えばアンモニウム1′オン、ピリ
ジニウムイオン、トリエチルアンモニウムイオンおよび
ジエチルアンモニウムイオン)等が好ましい。
ウムイオン、カリウムイオン、マグネシウムイオン、リ
チウムイオン、カルシウムイオン、銀イオンおよび窒素
原子を含むイオン(例えばアンモニウム1′オン、ピリ
ジニウムイオン、トリエチルアンモニウムイオンおよび
ジエチルアンモニウムイオン)等が好ましい。
本発明において反応は塩基の存在下で行われる。
本発明にμいて用いられる塩基の例としては、水酸化ナ
トリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、炭酸ナト
リウム、炭酸カリウム、炭酸リチウム、炭酸水素ナトリ
ウム、炭酸水素カリウム、水素化ナトリウム、水素化カ
リウム、水素化リチウム、ナトリウムアミド、t−ブト
キシカリウム、グアニジン、1,8−ジアザビシクロ[
5,4,0l−7−ウンデセン(DBtJ)、1.5−
ジアザビシクロ[4,3,O]−5−ノネン(DBN)
、酢酸ナトリウム、トリウム、トリエチルアミン、ピリ
ジン、ジイソブチルエチルアミン、トリメチルシリルオ
キシカリウム、ナトリウムメトキシド、カリウムメトキ
シド、リチウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、金
属ナトリウム、n−ブチルリチウム、n−メチルリチウ
ム、5eC−ブチルリチウム、i−ブチルリチウム、t
−ブチルリチウム、i−プロピルリチウム、フェニルリ
チウム、ジイソプロピルアミン、ジイソプロピルアミド
リチウム等が挙げられる。
トリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、炭酸ナト
リウム、炭酸カリウム、炭酸リチウム、炭酸水素ナトリ
ウム、炭酸水素カリウム、水素化ナトリウム、水素化カ
リウム、水素化リチウム、ナトリウムアミド、t−ブト
キシカリウム、グアニジン、1,8−ジアザビシクロ[
5,4,0l−7−ウンデセン(DBtJ)、1.5−
ジアザビシクロ[4,3,O]−5−ノネン(DBN)
、酢酸ナトリウム、トリウム、トリエチルアミン、ピリ
ジン、ジイソブチルエチルアミン、トリメチルシリルオ
キシカリウム、ナトリウムメトキシド、カリウムメトキ
シド、リチウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、金
属ナトリウム、n−ブチルリチウム、n−メチルリチウ
ム、5eC−ブチルリチウム、i−ブチルリチウム、t
−ブチルリチウム、i−プロピルリチウム、フェニルリ
チウム、ジイソプロピルアミン、ジイソプロピルアミド
リチウム等が挙げられる。
本発明において好ましく用いられる塩基としては、炭酸
カリウム、炭酸ナトリウム、ナトリウムエトキシド1.
ナトリウムメトキシド、トリメチルシリルオキシカリウ
ム、水酸化カリウム、水素化ナトリウム等がある。
カリウム、炭酸ナトリウム、ナトリウムエトキシド1.
ナトリウムメトキシド、トリメチルシリルオキシカリウ
ム、水酸化カリウム、水素化ナトリウム等がある。
次に本発明の反応の反応条件について詳細に述べる。
本発明における一般式(II−a)または(II−b)
で表わされるチオールスルホナートの一般式(I−a)
または(I−b)で示される化合物に対するモル比は0
.01〜1000であり、好ましくは0.1〜50、さ
らに好ましくは0.5〜10.0である。
で表わされるチオールスルホナートの一般式(I−a)
または(I−b)で示される化合物に対するモル比は0
.01〜1000であり、好ましくは0.1〜50、さ
らに好ましくは0.5〜10.0である。
本発明の反応における溶媒としては塩化メチレン、クロ
ロホルム、1.2−ジクロロエタン、アセトニトリル、
N、N−ジメチルホルムアミド、N、N−ジメチルアセ
トアミド、ジメチルスルホキシド、N−メチルピロリド
ン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメトキシエタ
ン、ジグライム、ベンゼン、トルエン、ヘキサメチルホ
スホリックトリアミド、スルホラン、ジエチルカーボネ
ート、1.3−ジメチル−2−イミダゾリトン、メタノ
ール、エタノール、インプロパツール、ジオキサン、酢
酸エチル、酢酸ブチル、アセトン、メチルエチルケトン
、キシレン、酢酸、石油エーテル、水等が使用されるが
、特にメタノール、エタノール、イソプロパツール、テ
トラヒドロフラン、N、N−ジメチルホルムアミド、N
、N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド等
が好ましい。
ロホルム、1.2−ジクロロエタン、アセトニトリル、
N、N−ジメチルホルムアミド、N、N−ジメチルアセ
トアミド、ジメチルスルホキシド、N−メチルピロリド
ン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメトキシエタ
ン、ジグライム、ベンゼン、トルエン、ヘキサメチルホ
スホリックトリアミド、スルホラン、ジエチルカーボネ
ート、1.3−ジメチル−2−イミダゾリトン、メタノ
ール、エタノール、インプロパツール、ジオキサン、酢
酸エチル、酢酸ブチル、アセトン、メチルエチルケトン
、キシレン、酢酸、石油エーテル、水等が使用されるが
、特にメタノール、エタノール、イソプロパツール、テ
トラヒドロフラン、N、N−ジメチルホルムアミド、N
、N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド等
が好ましい。
反応温度は一78℃〜250℃、好ましくは一20℃〜
200℃、さらに好ましくは0℃〜160℃である。
200℃、さらに好ましくは0℃〜160℃である。
反応時間は1分〜72時間、好ましくは15分〜48時
間、さらに好ましくは30分〜36時間が好ましい。
間、さらに好ましくは30分〜36時間が好ましい。
塩基の一般式(I−a)または(I−b)で表わされる
化合物に対するモル比は、0.01〜10000、好ま
しくは0.2〜100、さらに好ましくは0.4〜20
である。
化合物に対するモル比は、0.01〜10000、好ま
しくは0.2〜100、さらに好ましくは0.4〜20
である。
(化合物の具体例)
以下に本発明方法を適用する化合物の具体例を示すが、
これらに限定されるものではない。
これらに限定されるものではない。
一般式(I−a)または(I−b)で表わされる化合物
の具体例を示す。なお、以下の構造式で(t)Csll
uは−C(CH3) 2CzH5を(t)cgnt7は
−C(CH3)2CH2C(CH3)3をそれぞれ表わ
す。
の具体例を示す。なお、以下の構造式で(t)Csll
uは−C(CH3) 2CzH5を(t)cgnt7は
−C(CH3)2CH2C(CH3)3をそれぞれ表わ
す。
(■
H
H
H
(I
(■
(I
OH
OH
CF3CONH
(I−22)
(■
(I−24)
(I
(I−30)
(I
C2H50CONH
OH
OH
Cl5H31(nl
(■
(【
(【
(r−28)
(I
(I
(I
;35)
OH
OH
OH
OH
(■
(I−40)
(I−45)
(I−46)
(I−48)
L;2l−15UL;L)NM
OH
OH
(I−42)
(I−44)
(I−49)
(■
H
0H
1i1に41(gOcONH
(”IH
H
(I−54)
(■
(I−56)
(■
(■
(I−63)
(I−64)
H
02CH3
(I
CI −60)
(T−65)
よξ;一般式(1−a)
または(I−b)
で表わさ
れる化合物の具体例を示す。
CH2=CH−CH2
S−502−N(C6H5)2
(II−7)
CH3S 5020eNa■
(■
C2H5S−5o2−Oe
(I[
n Cl2H25S−5020H
(I
n C16H33
S−5o2−OeNH4e
(1−4>
(X
(n −C6H13)2NCH2CH28020CH2
CH2N(C6H13n )2<E>−CH2−5−5
o2−N(C2H5)2HOCH2CH2S−8O20
H (!l−13) HOOCCH2S−5O20C3H7 しl−14 ・CH255020CH2CH=CH2(■ C2H5CO2CH2S 5o2o@ (I CH3、 。、、、NCH,C1“3s−soooNP(H HOCH2CH2S−5o2−0<IゲCH3(H 一般式(■ a)または(IIr−b )で表わされる化合物の具体
例を示す。
CH2N(C6H13n )2<E>−CH2−5−5
o2−N(C2H5)2HOCH2CH2S−8O20
H (!l−13) HOOCCH2S−5O20C3H7 しl−14 ・CH255020CH2CH=CH2(■ C2H5CO2CH2S 5o2o@ (I CH3、 。、、、NCH,C1“3s−soooNP(H HOCH2CH2S−5o2−0<IゲCH3(H 一般式(■ a)または(IIr−b )で表わされる化合物の具体
例を示す。
(■
(li[−2)
H
(■
0ト3)
H
(■
H
し
(I[−5)
(IH−6)
(II−7)
(I[−8)
(II[−13)
(■
(■
(■
H
H
H
(IM−9)
(I[−10’)
(+![−11)
(I−12)
(1![−17)
(II−1g)
(li[−19)
(1![−20)
OH
OH
OH
(![−’21)
(I[−22)
(I[−23)
(IN−24)
(II[−29)
(ll[−30)
(I[−31)
(11[−32)
CISH31員
OH
(Iff−25)
(I[−26)
(1[−27)
([−28)
(II
(I
(ff−35)
(TI−36)
H
0H
H
H
(■−37)
(■
(If−39)
(■
(■
(I[
(I−47)
(II[−48)
H
H
H
H
(■
(If−42)
(1![−43)
(■
(II−49)
(I
(■
H
0H
H
H
H
SにH2C(J(JU2Hs
(I−s3)
(Itr−54)
(Ill−55)
([56)
(II[−61)
(■
(Il[−63)
CI[−64)
H
H
H
0■
I
覧IJ(+4jig(JU(JNti :)シ112
シ112シリ21.;113(li−57) (I[−58) (I[−59) (I−60) ([i[−6s) (I−66) (Ti−67) 一般式(I)で表わされる化合物は、米国特許第2,4
74,293号、同4,333,999号および同4,
690,889号等に記載の方法により合成することが
できる。
シ112シリ21.;113(li−57) (I[−58) (I[−59) (I−60) ([i[−6s) (I−66) (Ti−67) 一般式(I)で表わされる化合物は、米国特許第2,4
74,293号、同4,333,999号および同4,
690,889号等に記載の方法により合成することが
できる。
一般式(II−a)または(n−b)で表わされる化合
物においてR2、R3およびR4は前述の通りであるが
、これらの基はさらに置換されていてもよい。そのよう
なさらに置換されていてもよい基としては前記R1につ
いて列挙したものが挙げられる。
物においてR2、R3およびR4は前述の通りであるが
、これらの基はさらに置換されていてもよい。そのよう
なさらに置換されていてもよい基としては前記R1につ
いて列挙したものが挙げられる。
一般式(n−a)で表わされる化合物は、従来公知の方
法で製造することができる。すなわち、上記製造方法は
例えばAngew、Chem。
法で製造することができる。すなわち、上記製造方法は
例えばAngew、Chem。
Int、Ed、第6巻(1967)P544〜553お
よびこれに引用された文献に記載されている。
よびこれに引用された文献に記載されている。
また、一般式(n−b)で表わされる化合物は、例えば
スルフィン酸またはその金属塩とスルフェニルクロライ
ドとを反応せる方法、チオスルホン酸塩とハロゲン化合
物とを反応させる方法、またはメルカプタンとスルホニ
ルクロライドとを反応させる方法等の従来公知の方法を
利用して製造することができる。
スルフィン酸またはその金属塩とスルフェニルクロライ
ドとを反応せる方法、チオスルホン酸塩とハロゲン化合
物とを反応させる方法、またはメルカプタンとスルホニ
ルクロライドとを反応させる方法等の従来公知の方法を
利用して製造することができる。
(発明の効果)
本発明によればl−フェノールもしくはl−ナフトール
誘導体のようなフェノール化合物の4−位にアルキルチ
オ基、もしくはアルケニルチオ基を導入して目的の4−
アルキルもしくはアルケニルチオ置換フェノール化合物
を好収率で得ることができる。本発明によれば合成工程
が一工程で済むので工業的に実施する上でも極めて好適
である。
誘導体のようなフェノール化合物の4−位にアルキルチ
オ基、もしくはアルケニルチオ基を導入して目的の4−
アルキルもしくはアルケニルチオ置換フェノール化合物
を好収率で得ることができる。本発明によれば合成工程
が一工程で済むので工業的に実施する上でも極めて好適
である。
(実施例)
次に本発明を実施例に基づきさらに詳細に説明する。
実施例1
(例示化合物III −56の合成)
窒素気流下、l−56(2,64g、5.0mmo 1
)のテトラヒドロフラン溶液に、室温にて、炭酸カリ
ウム(0,70g%l O,Ommol)を加え、5分
間撹拌後、化合物Tl−34<1.24g、5 、0
mmol)を加え、5時間加熱還流する。
)のテトラヒドロフラン溶液に、室温にて、炭酸カリ
ウム(0,70g%l O,Ommol)を加え、5分
間撹拌後、化合物Tl−34<1.24g、5 、0
mmol)を加え、5時間加熱還流する。
水を加え、酢酸エチルで3回抽出する。有機層を飽和炭
酸水素ナトリウム水溶液、水、飽和食塩水で洗い、無水
硫酸ナトリウムで乾燥する。減圧上溶媒を留去し、カラ
ムクロマトグラフィー(展開溶媒;ヘキサン:酢酸エチ
ル=4:1)で精製すると化合物1■−56(1,63
g%m、p、76℃、55%)が得られた。
酸水素ナトリウム水溶液、水、飽和食塩水で洗い、無水
硫酸ナトリウムで乾燥する。減圧上溶媒を留去し、カラ
ムクロマトグラフィー(展開溶媒;ヘキサン:酢酸エチ
ル=4:1)で精製すると化合物1■−56(1,63
g%m、p、76℃、55%)が得られた。
実施例2
(例示化合物III −67の合成)
窒素気流下、l−56(2,og、3.81nmol)
の80%エタノール溶液に、室温にて炭酸カリウム(2
88mg、4.2mmol)を加え、5分間撹拌後、化
合物U−21(0,93g、4、 2mmol)を加え
1時間加熱還流する。水を加え、酢酸エチルで3回抽出
する。有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水、飽
和食塩水で洗い、無水硫酸ナトリウムで乾燥する。減圧
上溶媒を留去し、カラムクロマトグラフィー(展開溶媒
;ヘキサン:酢酸エチル4:1)で精製すると、化合物
n1−67 (1,74g、71%)が得られた。
の80%エタノール溶液に、室温にて炭酸カリウム(2
88mg、4.2mmol)を加え、5分間撹拌後、化
合物U−21(0,93g、4、 2mmol)を加え
1時間加熱還流する。水を加え、酢酸エチルで3回抽出
する。有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水、飽
和食塩水で洗い、無水硫酸ナトリウムで乾燥する。減圧
上溶媒を留去し、カラムクロマトグラフィー(展開溶媒
;ヘキサン:酢酸エチル4:1)で精製すると、化合物
n1−67 (1,74g、71%)が得られた。
実施例3
(例示化合物l11−6の合成)
窒素気流下、I−6(9,77g、15.0mno 1
)の80%エタノール溶液に室温にて炭酸カリウム(
2,10g、 30.4mmol)を加え15分間撹拌
後、化合物■−1o (3,81g、16、5mmol
)を加え1時間加熱還流する。水を加え、酢酸エチルで
3回抽出する。有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液
、水、飽和食塩水で洗い、無水硫酸ナトリウムで乾燥す
る。減圧上溶媒を留去し、カラムクロマトグラフィー(
H開溶媒;ヘキサン:酢酸エチル=3:l)で精製する
と、化合物111−6 (7,51g、68%)が得ら
れた。
)の80%エタノール溶液に室温にて炭酸カリウム(
2,10g、 30.4mmol)を加え15分間撹拌
後、化合物■−1o (3,81g、16、5mmol
)を加え1時間加熱還流する。水を加え、酢酸エチルで
3回抽出する。有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液
、水、飽和食塩水で洗い、無水硫酸ナトリウムで乾燥す
る。減圧上溶媒を留去し、カラムクロマトグラフィー(
H開溶媒;ヘキサン:酢酸エチル=3:l)で精製する
と、化合物111−6 (7,51g、68%)が得ら
れた。
比較例1(例示化合物III −56の合成)窒素気流
下、化合物l−56(52,8g、0、 1mol)の
塩化メチレン(500ml)溶液に二塩化ニイオウ(6
,80g、0.05mol)を加え12時間加熱還流す
る。冷却後、水を加え、塩化メチレンにて2回抽出し、
有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥する。減圧上溶媒を
留去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶
媒;ヘキサン:酢酸エチル=4 : 1)で精製すると
、目的とするジスルフィド体は得られず原料回収に終わ
った。このことがら二塩化二イオウを用いる従来法によ
り例示化合物II+ −56を合成することは不可能で
あった。
下、化合物l−56(52,8g、0、 1mol)の
塩化メチレン(500ml)溶液に二塩化ニイオウ(6
,80g、0.05mol)を加え12時間加熱還流す
る。冷却後、水を加え、塩化メチレンにて2回抽出し、
有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥する。減圧上溶媒を
留去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶
媒;ヘキサン:酢酸エチル=4 : 1)で精製すると
、目的とするジスルフィド体は得られず原料回収に終わ
った。このことがら二塩化二イオウを用いる従来法によ
り例示化合物II+ −56を合成することは不可能で
あった。
比較例2(例示化合物III −56の合成)窒素気流
下、4−ブロモ−5−イソブトキシカルボニルアミノ−
2−(3−ドデシルオキシプロビルアミノカルボニル)
−1−ナフトール(60,8g、0.10 mol)
のキノリン(200ml)溶液に室温にて2−ヒドロ
キシエタンチオールの銅メルカプチド(18,5g、o
、 11mol) のピリジン(10ml)溶液を
加え、80℃にて1時間加熱撹拌する。
下、4−ブロモ−5−イソブトキシカルボニルアミノ−
2−(3−ドデシルオキシプロビルアミノカルボニル)
−1−ナフトール(60,8g、0.10 mol)
のキノリン(200ml)溶液に室温にて2−ヒドロ
キシエタンチオールの銅メルカプチド(18,5g、o
、 11mol) のピリジン(10ml)溶液を
加え、80℃にて1時間加熱撹拌する。
冷却後、0.1規定塩酸を加え、酢酸エチルで3回抽出
する。有ta層を飽和食塩水で洗い無水硫酸ナトリウム
で乾燥する。減圧上溶媒を留去し、シリカゲルカラムク
ロマトグラフィー(展開溶媒;ヘキサン:酢酸エチル=
4:1)で精製すると、5−インブトキシカルボニルア
ミノ−2−(3−ドデシルオキシプロビルカルバモイル
)−1−ナフトール(48,0g、91%)が回収され
た。このように4位のハロゲン原子の還元が進行するた
めに銅メルカプチドを用いる合成法により例示化合物I
n −56を合成することは不可能であった。
する。有ta層を飽和食塩水で洗い無水硫酸ナトリウム
で乾燥する。減圧上溶媒を留去し、シリカゲルカラムク
ロマトグラフィー(展開溶媒;ヘキサン:酢酸エチル=
4:1)で精製すると、5−インブトキシカルボニルア
ミノ−2−(3−ドデシルオキシプロビルカルバモイル
)−1−ナフトール(48,0g、91%)が回収され
た。このように4位のハロゲン原子の還元が進行するた
めに銅メルカプチドを用いる合成法により例示化合物I
n −56を合成することは不可能であった。
特許出願人 富士写真フィルム株式会社代理人 弁理
士 飯 1)敏 三
士 飯 1)敏 三
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式[ I −a]または一般式[ I −b] ▲数式、化学式、表等があります▼[ I −a] ▲数
式、化学式、表等があります▼[ I −b] で表わされるフェノール化合物と 一般式[II−a]または一般式[II−b] ▲数式、化学式、表等があります▼[II−a] ▲数式
、化学式、表等があります▼[II−b] で表わされる化合物とを塩基の存在下反応させ、一般式
[III−a]または一般式[III−b] ▲数式、化学式、表等があります▼[III−a] ▲数
式、化学式、表等があります▼[III−b] で表わされる4−チオ置換フェノール化合物を得ること
を特徴とする4−チオ置換フェノール化合物の製造方法
。 {式中、R_1は芳香族環に置換可能な基を示す(ただ
し、フェノール、ナフトールの4位には置換しない)。 mは0から4までの整数を示し、nは0から6までの整
数を示し、R_2はアルキル基、アリール基またはヘテ
ロ環基を示し、R_3およびR_4は、水素原子、アル
キル基、アリール基、ヘテロ環基またはカチオンを示す
。}
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63263353A JPH02111756A (ja) | 1988-10-19 | 1988-10-19 | 4−チオ置換フェノール化合物の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63263353A JPH02111756A (ja) | 1988-10-19 | 1988-10-19 | 4−チオ置換フェノール化合物の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02111756A true JPH02111756A (ja) | 1990-04-24 |
Family
ID=17388298
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63263353A Pending JPH02111756A (ja) | 1988-10-19 | 1988-10-19 | 4−チオ置換フェノール化合物の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02111756A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5719292A (en) * | 1997-03-27 | 1998-02-17 | Eastman Kodak Company | Process for preparing a thioether compound |
-
1988
- 1988-10-19 JP JP63263353A patent/JPH02111756A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5719292A (en) * | 1997-03-27 | 1998-02-17 | Eastman Kodak Company | Process for preparing a thioether compound |
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