JP4351888B2 - スルファモイルオキシ基またはスルフィナモイルオキシ基が置換された芳香族化合物と求核剤との反応による芳香族化合物誘導体の製造方法 - Google Patents

Description

本発明はハロゲン化銀写真感光材料に用いられる写真用有用性化合物や、医薬品あるいは農薬などの合成中間体として有用な化合物である、置換基を有する芳香族化合物の誘導体の製造方法に関する。

芳香族化合物の芳香環への求核反応は、求核剤との反応で離脱する基（以後、離脱基とも称す）の種類によって左右され、また芳香環に電子吸引性基を導入することで反応が促進される。離脱基としてハロゲン原子、アリールまたはアルキルスルホニル基、アリールまたはアルキルスルフィニル基、アリールまたはアルキルスルホニルオキシ基、アリールまたはアルキルチオ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アミノ基、ニトロ基、アジド基が、また、電子吸引性基としてはニトロ基が挙げられる。
一方、芳香族化合物としてフェノール類は安価で入手容易であることから、該フェノールの水酸基を他の置換基に変換することができれば、芳香族化合物誘導体の合成法としては極めて有用である。従来、該水酸基をｐ−トルエンスルホニル化した後、求核剤と反応する方法（例えば非特許文献１、非特許文献２参照）や、またトリフルオロメタンスルホニル化した後、求核剤と反応する方法（例えば非特許文献３、非特許文献４参照）が知られている。しかしながら、前者の反応においては、芳香族化合物の置換基によっては求核剤がｐ−トルエンスルホニル基の硫黄部を攻撃し、フェノール類が離脱するという副反応が生じるという問題がある。また後者においては、その原料となるトリフルオロメタンスルホニルクロライド、もしくはトリフルオロメタンスルホン酸無水物が高価であり、目的物を安価に製造できないという問題があった。
このため、フェノール類と、容易に、かつ安価に入手できる原料を用いて、短工程で選択性良く、かつ収率良く芳香族化合物誘導体を合成する製造法の開発が望まれていた。
さらには、簡便で、高収率かつ安価で汎用性の高い芳香族化合物誘導体の製造方法の開発が望まれていた。

「ジャーナル・オブ・ジ・アメリカン・ケミカル・ソサエティ（Journal of the American Chemical Society）」 １９５９年，第８１巻，ｐ.２１０４−２１０９ 「ザ・ジャーナル・オブ・オーガニック・ケミストリー（The Journal of Organic Chemistry）」 ２００２年，第６７巻，ｐ.１２７７−１２８１ 「シンセシス（Synthesis）」１９９０年，ｐ.１１４５−１１４７ 「シンレット（Synlett）」１９９９年，第１０巻，ｐ.１５５９−１５６２

前記問題点を克服し、簡便で、高収率かつ安価で汎用性の高い芳香族化合物誘導体の製造方法、特にフェノール類から誘導できる化合物を用いて、容易に、かつ安価に、短工程で選択性良く、かつ収率良く芳香族化合物誘導体を製造する製造法を提供する。

本発明者らは鋭意検討の結果、本発明の上記課題は下記手段で達成できることを見出した。
（１）下記一般式（II）で表される化合物と、アンモニア、アルキルアミン、アニリン、アルキルチオールおよびアリールチオールから選択される求核剤を、無溶媒で、または、水、メタノール、イソプロパノール、ジクロロエチレン、ベンゼン、クロルベンゼン、トルエン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、アセトニトリル、プロピオニトリル、テトラヒドロフラン、エチレングリコールジエチルエーテル、ジメチルスルホン、スルホラン、ヘキサメチルホスホリックトリアミドもしくはシクロヘキサンを溶媒として反応させることを特徴とする下記一般式（Ｉ）で表される化合物の製造方法。
一般式（Ｉ）

（式中、Ｘはアミノ基、アルキルアミノ基、アニリノ基、アルキルチオ基またはアリールチオ基を表す。Ｒ１はハロゲン原子、ホルミル基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルキルもしくはアリールスルホニル基、アルキルもしくはアリールスルフィニル基、カルバモイル基、スルファモイル基、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子が置換したアルキル基もしくはアルコキシ基、アシルオキシ基、またはアシルアミド基を表す。ｍは１以上５以下の整数を表す。Ｒ２はハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基、シアノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ、アミノ基、アルキルアミノ基、アニリノ基、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキルもしくはアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、チオシアノ基、イソチオシアノ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキルもしくはアリールスルフィニル基、アルキルもしくはアリールスルホニル基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、またはホスフィニルアミノ基を表す。ｎは０以上４以下の整数を表す。ここで、ｍ＋ｎは１〜５であり、ｍが２以上のとき、複数のＲ１は互いに同一でも異なってもよく、ｎが２以上のとき、複数のＲ２は互いに同一でも異なってもよく、また複数のＲ１同士、Ｒ２同士またはＲ１とＲ２が互いに結合して環を形成してもよい。）
一般式（II）

（式中、Ｒ１、Ｒ２、ｍおよびｎは一般式（Ｉ）と同義である。ここで、ｍ＋ｎは１〜５であり、ｍが２以上のとき、複数のＲ１は互いに同一でも異なってもよく、ｎが２以上のとき、複数のＲ２は互いに同一でも異なってもよく、また複数のＲ１同士、Ｒ２同士またはＲ１とＲ２が互いに結合して環を形成してもよい。Ｒ３およびＲ４はそれぞれ独立に、無置換のアルキル基、無置換のアリール基、または無置換のヘテロ環基を表す。Ｒ３とＲ４が互いに結合して環を形成してもよい。ｐは１または２を表す。）
（２）前記反応を、塩基存在下に行なうことを特徴とする前記（１）に記載の製造方法。
（３）前記一般式（II）で表される化合物が、下記一般式（III）で表される化合物と下記一般式（IV）で表される化合物を、無溶媒で、または、ジクロロエチレン、ベンゼン、クロルベンゼン、トルエン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、アセトニトリル、プロピオニトリル、テトラヒドロフラン、エチレングリコールジエチルエーテル、ジメチルスルホン、スルホラン、ヘキサメチルホスホリックトリアミドもしくはシクロヘキサンを溶媒として、塩基存在下に反応させて合成された化合物であることを特徴とする前記（１）または（２）に記載の製造方法。
一般式（III）

（式中、Ｒ１はハロゲン原子、ホルミル基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルキルもしくはアリールスルホニル基、アルキルもしくはアリールスルフィニル基、カルバモイル基、スルファモイル基、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子が置換したアルキル基もしくはアルコキシ基、アシルオキシ基、またはアシルアミド基を表す。ｍは１以上５以下の整数を表す。Ｒ２はハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基、シアノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ、アミノ基、アルキルアミノ基、アニリノ基、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキルまたはアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、チオシアノ基、イソチオシアノ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキルまたはアリールスルフィニル基、アルキルまたはアリールスルホニル基、イミド基ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、またはホスフィニルアミノ基を表す。ｎは０以上４以下の整数を表す。ここで、ｍ＋ｎは１〜５であり、ｍが２以上のとき、複数のＲ１は互いに同一でも異なってもよく、ｎが２以上のとき、複数のＲ２は互いに同一でも異なってもよく、また複数のＲ１同士、Ｒ２同士またはＲ１とＲ２が互いに結合して環を形成してもよい。）
一般式（IV）

（式中、Ｒ３およびＲ４はそれぞれ独立に、無置換のアルキル基、無置換のアリール基、または無置換のヘテロ環基を表す。Ｒ３とＲ４が互いに結合して環を形成してもよい。ｐは１または２を表す。Ｙはハロゲン原子を表す。）
（４）Ｒ１がニトロ基であることを特徴とする前記（１）〜（３）のいずれか１項に記載の製造方法。
（５）前記一般式（Ｉ）において、Ｘがアルキルチオ基またはアリールチオ基であることを特徴とする前記（１）〜（４）のいずれか１項に記載の製造方法。
（６）前記一般式（III）で表される化合物と前記一般式（IV）で表される化合物を反応させて合成した前記一般式（II）で表される化合物を単離することなく反応混合物のまま用いることを特徴とする前記（３）に記載の製造方法。
（７）前記一般式（Ｉ）において、ｍが１であることを特徴とする前記（１）〜（６）のいずれか１項に記載の製造方法。
（８）前記一般式（II）において、ｐが２であることを特徴とする前記（１）〜（７）のいずれか１項に記載の製造方法。
（９）前記一般式（II）において、Ｒ３およびＲ４がともに無置換のアルキル基であることを特徴とする前記（１）〜（８）のいずれか１項に記載の製造方法。
（１０）前記一般式（IV）において、Ｙがクロル原子であることを特徴とする前記（３）に記載の製造方法。

本発明により、ハロゲン化銀写真感光材料に用いられる写真用有用性化合物や、医薬品あるいは農薬などの合成中間体として有用な化合物である、置換基を有する芳香族化合物の誘導体の製造方法を提供することができる。

以下に、本発明について詳細に説明する。
本発明は、前記一般式（II）で表される化合物と求核剤を反応させることにより、前記（Ｉ）で表される化合物を製造するものである。より具体的には以下の反応スキームの第２工程に示す方法であり、好ましくは、前記一般式（III）で表されるフェノール性化合物と前記一般式（IV）で表される化合物との反応で該一般式（II）を合成し、該一般式（Ｉ）で表される化合物を製造する方法であり、好ましくは下記反応スキームの第１工程と第２工程からなる。

次に本発明で使用される一般式（Ｉ）、一般式（II）、一般式（III）および一般式（IV）で表される化合物について詳しく述べる。
一般式（Ｉ）において、Ｘはアミノ基、アルキルアミノ基、アニリノ基、アルキルチオ基またはアリールチオ基を表す。

なお、上述の各基はさらに置換基で置換されていてもよく、該置換基としてはハロゲン原子、アルキル基（シクロアルキル基、ビシクロアルキル基を含む）、アルケニル基（シクロアルケニル基、ビシクロアルケニル基を含む）、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基、シアノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ、アミノ基、アルキルアミノ基、アニリノ基、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキルもしくはアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、チオシアノ基、イソチオシアノ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキルもしくはアリールスルフィニル基、アルキルもしくはアリールスルホニル基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基が挙げられる。

Ｘは、上記の窒素原子または硫黄原子でベンゼン環に結合する基であり、好ましくはアルキルチオ基、アリールチオ基である。

なお、一般式（II）と反応させる求核剤としては、Ｘアニオン、もしくはＸに水素原子、あるいは金属原子が結合した化合物が挙げられる。なお、ここでＸは、一般式（Ｉ）におけるＸと同じ意味の構造である。
すなわち、本発明の求核剤は、アンモニア、アルキルアミン（アンモニア、ジエチルアミン、ドデシルアミン、ピロリジン等）、アニリン（アニリン、Ｎ−メチルアニリン等）、アルキルチオール（メチルメルカプタン、ｉ−プロピルメルカプタン、２−エチルヘキシルメルカプタン等）、アリールチオール（チオフェノール、ｐ−ドデシルチオフェノール等）である。
上記求核剤のうち、最も好ましくはアルキルまたはアリールのチオールである。

一般式（Ｉ）、一般式（II）および一般式（III）において、Ｒ１はハロゲン原子、ホルミル基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルキルもしくはアリールスルホニル基、アルキルもしくはアリールスルフィニル基、カルバモイル基、スルファモイル基、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子が置換したアルキル基もしくはアルコキシ基、アシルオキシ基、またはアシルアミド基を表し、これらはハメットの置換基定数σ_p値が０より大きい電子吸引性の置換基である。該ハメットの置換基定数σ_p値は０以上１．５以下が好ましい。

なお、ハメットの置換基定数σ_pについては、例えば稲本直樹著「ハメット則−構造と反応性−」（丸善）、「新実験化学講座１４・有機化合物の合成と反応Ｖ」２６０５頁（日本化学会編、丸善）、仲矢忠雄著「理論有機化学解説」２１７頁（東京化学同人）、ケミカル・レビュー（９１巻），１６５〜１９５頁（１９９１年）等の成書に詳しく解説されている。
Ｒ１におけるハロゲン原子が置換したアルキル基またはアルコキシ基は、例えば、トリフルオロメチル基やトリフルオロメトキシ基が挙げられる。

Ｒ１は置換基を有していてもよく、該置換基の例としては前記Ｘの基が有してもよい置換基として挙げたものが挙げられる。好ましくは、Ｒ１は、ハメットのσ_p 値が０．４より大きい電子吸引性の置換基であり、より好ましくはハメットのσ_p 値が０．６より大きい電子吸引性の置換基であり、最も好ましくはニトロ基である。

一般式（Ｉ）、一般式（II）および一般式（III）において、ｍは１〜５の整数を表す。好ましくはｍは１〜３の整数であり、より好ましくはｍは１〜２の整数であり、最も好ましくはｍは１である。ｍが１のとき、Ｒ１はオルト又はパラ位に置換することが最も好ましい。

一般式（Ｉ）、一般式（II）および一般式（III）において、Ｒ２はハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基、シアノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ、アミノ基、アルキルアミノ基、アニリノ基、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキルまたはアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、チオシアノ基、イソチオシアノ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキルまたはアリールスルフィニル基、アルキルまたはアリールスルホニル基、イミド基ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、またはホスフィニルアミノ基を表す。

一般式（Ｉ）、一般式（II）および一般式（III）において、ｎは０〜４の整数を表す。好ましくはｎは０〜３の整数であり、より好ましくはｎは０〜２の整数である。
なお、ｍ＋ｎは１〜５の整数である。

一般式（Ｉ）、一般式（II）および一般式（III）において、複数のＲ１同士、Ｒ２同士、またはＲ１とＲ２が互いに結合して環を形成してもよい。この環としては、芳香族性、非芳香族性、脂環式、ヘテロ環式のいずれであっても良い。

一般式（II）および一般式（IV）において、Ｒ３およびＲ４はそれぞれ独立に、無置換のアルキル基、無置換のアリール基、または無置換のヘテロ環基を表す。
上記アルキル基としては炭素数１から３０の、直鎖もしくは分岐（シクロアルキルを含む）のアルキル基で、例えばメチル、エチル、プロピル、ｉ−プロピル、ｔ−ブチル、ドデシル、２−エチルヘキシル、シクロヘキシルが挙げられる。
上記アリール基としては炭素数６から３０の、単環もしくは縮環のアリール基で、例えばフェニル、ナフチルが挙げられる。
上記ヘテロ環基としては、５員または６員環のものが好ましく、それらは更に縮環していてもよい。また、芳香族ヘテロ環基であっても非芳香族ヘテロ環基であっても良い。ヘテロ環基におけるヘテロ環は、例えば、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジン、キノリン、イソキノリン、キナゾリン、シンノリン、フタラジン、キノキサリン、ピロール、インドール、フラン、ベンゾフラン、チオフェン、ベンゾチオフェン、ピラゾール、イミダゾール、ベンズイミダゾール、トリアゾール、オキサゾール、ベンズオキサゾール、チアゾール、ベンゾチアゾール、イソチアゾール、ベンズイソチアゾール、チアジアゾール、イソオキサゾール、ベンズイソオキサゾール、ピロリジン、ピペリジン、ピペラジン、イミダゾリジン、チアゾリンなどのヘテロ環が挙げられる。

Ｒ３およびＲ４は、好ましくは置換もしくは無置換のアルキル基であり、より好ましくはメチル基もしくはエチル基であり、最も好ましくはメチル基である。

一般式（II）および一般式（IV）において、Ｒ３とＲ４が互いに結合して形成される環としては、芳香族性であっても非芳香族性であってもよく、また脂環式もしくはヘテロ環式のいずれであっても良いが、非芳香族性の環が好ましい。
一般式（II）および一般式（IV）において、ｐは１または２を表す。ｐは好ましくは２である。
一般式（IV）において、Ｙはハロゲン原子を表し、フッ素原子、クロル原子、ブロム原子、ヨウド原子が挙げられ、特にクロル原子が好ましい。
次に本発明の一般式（Ｉ) で表される化合物について具体例を挙げるが、本発明はこれら具体例に限定されるものではない。下記に表される化合物において、Meはメチル基を、Etはエチル基を示すものとする（以下、同様）。

次に本発明の一般式（II) で表される化合物について具体例を挙げるが、本発明はこれら具体例に限定されるものではない。

一般式（III）で表されるフェノール化合物は、既知の種々の合成法により合成することができる。また一般式（IV）で表される化合物は既知の種々の合成法により合成することができるが、例えばＹがクロル原子の場合、特開平３−１２７７６９号公報に記載の方法により、塩化スルフリルとジメチルアミンから合成する方法が安価であり好ましい。

前記反応スキームの第１工程および第２工程はそれぞれあるいは一貫して無溶媒で行ってもよいし、適当な溶媒に溶解または分散して行ってもよい。本発明の反応に用いることのできる溶媒としては、例えば、水、アルコール系溶媒（例えばメタノール、イソプロパノール）、塩素系溶媒（例えばジクロロメチレン）、芳香族系溶媒（例えば、ベンゼン、クロルベンゼン、トルエン）、アミド系溶媒（例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン）、ニトリル系溶媒（例えば、アセトニトリル、プロピオニトリル）、エーテル系溶媒（例えばテトラヒドロフラン、エチレングリコールジエチルエーテル）、スルホン系溶媒（例えばジメチルスルホン、スルホラン）、リン酸アミド系溶媒（例えばヘキサメチルホスホリックトリアミド）または炭化水素系溶媒（例えばシクロヘキサン、ノルマルヘキサン）が挙げられる。
ただし、本発明において、第１工程では、無溶媒、または、ジクロロエチレン、ベンゼン、クロルベンゼン、トルエン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、アセトニトリル、プロピオニトリル、テトラヒドロフラン、エチレングリコールジエチルエーテル、ジメチルスルホン、スルホラン、ヘキサメチルホスホリックトリアミドもしくはシクロヘキサン中で反応を行なうものであり、第２工程では、無溶媒、または、水、メタノール、イソプロパノール、ジクロロエチレン、ベンゼン、クロルベンゼン、トルエン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、アセトニトリル、プロピオニトリル、テトラヒドロフラン、エチレングリコールジエチルエーテル、ジメチルスルホン、スルホラン、ヘキサメチルホスホリックトリアミドもしくはシクロヘキサン中で反応を行なう。

これらの溶媒は単独で使用してもよいし、２種以上を混合して使用してもよい。特に水と、水と混合しない有機溶媒を併用し、２層系で反応を行うことも好ましい。また一貫法で行う時は、第２工程において、第１工程とは別の溶媒を加えてもよい。溶媒の使用量は第１工程においては一般式（III）で表される化合物の１質量部当たり、第２工程においては一般式（II）で表される化合物の１質量部当たり、それぞれ通常０．１〜１０００質量部、好ましくは、０．５〜１００質量部、さらに好ましくは１〜５０質量部の割合である。

本発明の方法においては第１工程においてあるいは第２工程において、好ましくは第１工程、第２工程ともに塩基を使用することが好ましい。本発明に用いることのできる塩基としては、例えば水酸化化合物（水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化テトラブチルアンモニウム等）、炭酸化合物（炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸テトラブチルアンモニウム等）、アミン類（アンモニア、トリエチルアミン等）、アニリン類（ジエチルアニリン等）、芳香族ヘテロ環類（ピリジン、イミダゾール等）、グアニジン類（テトラメチルグアニジン等）、重炭酸化合物（重曹等）、含窒素ヘテロ環類（１，８−ジアザビシクロ〔５，４，０〕−７−ウンデセン等）、酢酸化合物（酢酸ナトリウム、酢酸カリウム等）、有機化合物の金属塩（ナトリウムメトキシド等）などが挙げられる。

これらの塩基は単独で使用してもよいし、２種以上を混合して使用しても良い。塩基の使用量は第１工程においては一般式（III）で表される化合物の１モル当たり、第２工程においては一般式（II）で表される化合物の１モル当たり、それぞれ通常０．１〜１００モル、好ましくは、０．５〜１０モル、さらに好ましくは１〜５モルの割合である。

また、本発明の方法においては第１工程や第２工程において、あるいは第１工程、第２工程ともに相間移動触媒を使うことも好ましい。このような相間移動触媒としてはアンモニウム塩（例えばテトラブチルアンモニウムブロマイド、ベンジルトリメチルアンモニウムクロライド、テトラエチルアンモニウムアイオダイド）、ホスフィニウム塩（例えば、テトラブチルホスフィニウムブロマイド）などが挙げられ、このうちアンモニウム塩が好ましく使用される。相間移動触媒の使用量としては、一般式（Ｉ）で表される化合物の１モル当たり、好ましくは０．００１ 〜１０モル、より好ましくは０．０１〜１モル、さらに好ましくは０．０５〜０．５モルの割合で使用される。
このうち、少なくとも第２工程に相間移動触媒を使用するのが好ましく、特に一般式（Ｉ）におけるＸがアルキルチオ基、アリールチオ基の場合に好ましい。このとき、反応溶媒としては水と芳香族系溶媒（好ましくはトルエン）が好ましい。

第２工程において、求核剤の使用量は一般式（II）で表される化合物の１モル当たり通常０．０１〜１００モル、好ましくは０．１〜５０モル、さらに好ましくは０．２〜２０モル、特に好ましくは０．５〜１０モルの割合である。

第２工程においては、第１工程において調製した一般式（II）で表される化合物を単離して用いても良いが、単離をせずに一般式（II）で表される化合物を含む溶液をそのまま用いることがより好ましい。

第２工程においては、第１工程において調製した一般式（II）で表される化合物あるいはその溶液中に、求核剤あるいはその溶液を添加してもよいし、逆に求核剤あるいはその溶液に一般式（II）で表される化合物あるいはその溶液を添加してもよい。
本反応の反応温度は第１工程、第２工程ともに特に制限はないが、−５０℃から１５０℃の範囲が好ましく、−１０℃から８０℃の範囲がより好ましく、０℃〜６０℃の範囲が特に好ましい。

以下に本発明の具体的に合成例を記載するが本発明はこれらに限定されるものではない。
実施例１．例示化合物（１）の合成
以下の反応スキームで合成した。

４−ｔ−ブチル−２−ニトロフェノール２９．３ｇ（０．１５０モル）、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルファモイルクロライド２２．６ｇ（０．１５７モル）をトルエン９０ｍｌ、 Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）１８ｍｌに溶解し、炭酸カリウム２４．８ｇ（０．１８０モル）を加え、７０℃にて４時間攪拌した。反応液に酢酸エチル、水を加えて抽出し、有機層を０．１Ｎ炭酸カリウム水溶液、希塩酸水、飽和食塩水にて洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。濾過後、溶媒を減圧留去し、残留物を酢酸エチル／ヘキサン混合溶液から晶析し、３６．３ｇ（０．１２０モル）の例示化合物（２１）を淡黄色結晶として得た。収率８０．０％。

例示化合物（２１）３．０２ｇ（０．０１０モル）、２−エチルヘキシルメルカプタン１．７５ｇ（０．０１２モル）、テトラブチルアンモニウムブロマイド（ＴＢＡＢ）０．２８ｇ（０．００１０モル）をトルエン１５ｍｌに溶解し、２５％水酸化ナトリウム水溶液５ｍｌを加えて６０℃にて１時間撹拌した。反応液に酢酸エチル、水を加えて抽出し、有機層を希塩酸水、飽和食塩水にて洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。濾過後、溶媒を減圧留去し、残留物をシリカゲルクロマトグラフィーにて酢酸エチル／ヘキサン混合溶媒を溶離液として用いて精製し、３．０５ｇ（０．００９４３モル）の例示化合物（１）を黄色油状物として得た。収率９４．３％。^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）δ０．８８−１．５６（１４Ｈ，ｍ），１．３５（９Ｈ，ｓ），１．６５−１．７１（１Ｈ，ｍ），２．８９（２Ｈ，ｄ），７．３６（１Ｈ，ｄ），７．５７（１Ｈ，ｄｄ），８．１８（１Ｈ，ｄ）。

実施例２．例示化合物（４）の合成
以下の反応スキームで合成した。

例示化合物（２１）３．０２ｇ（０．０１０モル）、ジエチルアミン２．１９ｇ（０．０３０モル）をＤＭＦ１５ｍｌに溶解し、８０℃にて８時間撹拌した。反応液に酢酸エチル、水を加えて抽出し、有機層を希塩酸水、飽和食塩水にて洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。濾過後、溶媒を減圧留去し、残留物をシリカゲルクロマトグラフィーにて酢酸エチル／ヘキサン混合溶媒を溶離液として用いて精製し、２．２６ｇ（０．０９０３モル）の例示化合物（４）を橙黄色油状物として得た。収率９０．３％。^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）δ１．０７（６Ｈ，ｔ），１．３３（９Ｈ，ｔ），３．１２（４Ｈ，ｑ），７．１１（１Ｈ，ｄ），７．４４（１Ｈ，ｄｄ），７．６２（１Ｈ，ｄ）。

実施例３．例示化合物（１）の合成
以下の反応スキームで合成した。

塩化スルフリル１６．２ｇ(０．１２０モル）のトルエン５０ｍｌ溶液に氷冷下、ジエチルアミン１７．５ｇ（０．２４０モル）のトルエン２５ｍｌ溶液を１時間かけて滴下した。氷冷下４時間撹拌した後、冷水を加えて抽出し、さらに冷水にて２度洗浄してＮ，Ｎ−ジエチルスルファモイルクロライドのトルエン溶液を得た。

上記で得たＮ，Ｎ−ジエチルスルファモイルクロライドのトルエン溶液を４−ｔ−ブチル−２−ニトロフェノール１９．５ｇ（０．１００モル）および炭酸カリウム１６．６ｇ（０．１２０モル）のＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）１５ｍｌの溶液に加え、７０℃にて４時間攪拌した。反応液に酢酸エチル、水を加えて抽出し、有機層を０．１Ｎ炭酸カリウム水溶液、希塩酸水、飽和食塩水にて洗浄し例示化合物（２２）の反応溶液を得た。

上記で得た例示化合物（２２）の反応溶液に、２−エチルヘキシルメルカプタン１７．５ｇ（０．１２０モル）、テトラブチルアンモニウムブロマイド２．７８ｇ（０．０１０モル）を加え、２５％水酸化ナトリウム水溶液５０ｍｌを加えて６０℃にて２時間撹拌した。反応液に酢酸エチル、水を加えて抽出し、有機層を希塩酸水、飽和食塩水にて洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。濾過後、溶媒を減圧留去し、残留物をシリカゲルクロマトグラフィーにて酢酸エチル／ヘキサン混合溶媒を溶離液として用いて精製し、２９．２ｇ（０．０９０３モル）の例示化合物（１）を黄色油状物として得た。収率９０．３％。本実施例においても、実施例１、２と同様に核磁気共鳴分析（^１Ｈ−ＮＭＲ，４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）を行ったところ、シグナルの数、位置及び分裂において、実施例１と全く同様のスペクトルが得られた。従って、上記黄色油状物は例示化合物（１）として同定された。

比較例１．例示化合物（１）の合成
以下の反応スキームのようにｐ−トルエンスルホニル体を経由して合成した。

４−ｔ−ブチル−２−ニトロフェノール１９．５ｇ（０．１００モル）、トリエチルアミン１６．７ｍｌ（０．１２０モル）を塩化メチレン１００ｍｌに溶解し、水冷下ｐ−トルエンスルホニルクロライド２１．０ｇ（０．１１０モル）を加え、室温にて４時間攪拌した。反応液に酢酸エチル、水を加えて抽出し、有機層を０．１Ｎ炭酸カリウム水溶液、希塩酸水、飽和食塩水にて洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。濾過後、溶媒を減圧留去し、残留物を酢酸エチル／ヘキサン混合溶液から晶析し、化合物（Ａ−１）３０．９ｇ（０．０８８４モル）を淡黄色結晶として得た。収率８８．４％。

化合物（Ａ−１）３．４９ｇ（０．０１０モル）、２−エチルヘキシルメルカプタン１．７５ｇ（０．０１２モル）、テトラブチルアンモニウムブロマイド０．２８ｇ（０．００１０モル）をトルエン１５ｍｌに溶解し、２５％水酸化ナトリウム水溶液５ｍｌを加えて６０℃にて１時間撹拌した。反応液に酢酸エチル、水を加えて抽出し、有機層を希塩酸水、飽和食塩水にて洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。濾過後、溶媒を減圧留去し、残留物をシリカゲルクロマトグラフィーにて酢酸エチル／ヘキサン混合溶媒を溶離液として用いて精製したところ、１．４６ｇ（０．００４５２モル）の例示化合物（１）（収率４５．２％）と０．９４ｇ（０．００４８２モル）の４−ｔ−ブチル−２−ニトロフェノールが得られた。このようにｐ−トルエンスルホニル体経由では選択性が非常に低い。

Claims (5)

1. 下記一般式（II）で表される化合物と、アンモニア、アルキルアミン、アニリン、アルキルチオールおよびアリールチオールから選択される求核剤を、無溶媒で、または、水、メタノール、イソプロパノール、ジクロロエチレン、ベンゼン、クロルベンゼン、トルエン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、アセトニトリル、プロピオニトリル、テトラヒドロフラン、エチレングリコールジエチルエーテル、ジメチルスルホン、スルホラン、ヘキサメチルホスホリックトリアミドもしくはシクロヘキサンを溶媒として反応させることを特徴とする下記一般式（Ｉ）で表される化合物の製造方法。
   一般式（Ｉ）
   

   

   （式中、Ｘはアミノ基、アルキルアミノ基、アニリノ基、アルキルチオ基またはアリールチオ基を表す。Ｒ１はハロゲン原子、ホルミル基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルキルもしくはアリールスルホニル基、アルキルもしくはアリールスルフィニル基、カルバモイル基、スルファモイル基、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子が置換したアルキル基もしくはアルコキシ基、アシルオキシ基、またはアシルアミド基を表す。ｍは１以上５以下の整数を表す。Ｒ２はハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基、シアノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ、アミノ基、アルキルアミノ基、アニリノ基、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキルもしくはアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、チオシアノ基、イソチオシアノ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキルもしくはアリールスルフィニル基、アルキルもしくはアリールスルホニル基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、またはホスフィニルアミノ基を表す。ｎは０以上４以下の整数を表す。ここで、ｍ＋ｎは１〜５であり、ｍが２以上のとき、複数のＲ１は互いに同一でも異なってもよく、ｎが２以上のとき、複数のＲ２は互いに同一でも異なってもよく、また複数のＲ１同士、Ｒ２同士またはＲ１とＲ２が互いに結合して環を形成してもよい。）
   一般式（II）
   

   

   （式中、Ｒ１、Ｒ２、ｍおよびｎは一般式（Ｉ）と同義である。ここで、ｍ＋ｎは１〜５であり、ｍが２以上のとき、複数のＲ１は互いに同一でも異なってもよく、ｎが２以上のとき、複数のＲ２は互いに同一でも異なってもよく、また複数のＲ１同士、Ｒ２同士またはＲ１とＲ２が互いに結合して環を形成してもよい。Ｒ３およびＲ４はそれぞれ独立に、無置換のアルキル基、無置換のアリール基、または無置換のヘテロ環基を表す。Ｒ３とＲ４が互いに結合して環を形成してもよい。ｐは１または２を表す。）
2. 前記反応を、塩基存在下に行なうことを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
3. 前記一般式（II）で表される化合物が、下記一般式（III）で表される化合物と下記一般式（IV）で表される化合物を、無溶媒で、または、ジクロロエチレン、ベンゼン、クロルベンゼン、トルエン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、アセトニトリル、プロピオニトリル、テトラヒドロフラン、エチレングリコールジエチルエーテル、ジメチルスルホン、スルホラン、ヘキサメチルホスホリックトリアミドもしくはシクロヘキサンを溶媒として、塩基存在下に反応させて合成された化合物であることを特徴とする請求項１または２に記載の製造方法。
   一般式（III）
   

   

   （式中、Ｒ１はハロゲン原子、ホルミル基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルキルもしくはアリールスルホニル基、アルキルもしくはアリールスルフィニル基、カルバモイル基、スルファモイル基、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子が置換したアルキル基もしくはアルコキシ基、アシルオキシ基、またはアシルアミド基を表す。ｍは１以上５以下の整数を表す。Ｒ２はハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基、シアノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ、アミノ基、アルキルアミノ基、アニリノ基、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキルまたはアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、チオシアノ基、イソチオシアノ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキルまたはアリールスルフィニル基、アルキルまたはアリールスルホニル基、イミド基ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、またはホスフィニルアミノ基を表す。ｎは０以上４以下の整数を表す。ここで、ｍ＋ｎは１〜５であり、ｍが２以上のとき、複数のＲ１は互いに同一でも異なってもよく、ｎが２以上のとき、複数のＲ２は互いに同一でも異なってもよく、また複数のＲ１同士、Ｒ２同士またはＲ１とＲ２が互いに結合して環を形成してもよい。）
   一般式（IV）
   

   

   （式中、Ｒ３およびＲ４はそれぞれ独立に、無置換のアルキル基、無置換のアリール基、または無置換のヘテロ環基を表す。Ｒ３とＲ４が互いに結合して環を形成してもよい。ｐは１または２を表す。Ｙはハロゲン原子を表す。）
4. Ｒ１がニトロ基であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の製造方法。
5. 前記一般式（Ｉ）において、Ｘがアルキルチオ基またはアリールチオ基であることを特徴とする前記請求項１〜４のいずれか１項に記載の製造方法。