JP2005097156A - カルバモイルオキシ基が置換された芳香族化合物と求核剤との反応による芳香族化合物誘導体の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 フェノール類から誘導できる化合物を用いて、容易に、かつ安価に、短工程で選択性良く、かつ収率良く芳香族化合物誘導体を合成する方法を提供する。
【解決手段】 下記一般式(II)で表される化合物と求核剤を反応させることを特徴とする下記一般式(I)で表される化合物の製造方法。
一般式(I)
【化1】
一般式(II)
【化2】
一般式(I)、(II)において、Xは置換基を表す。R1はハメットのσp値が0より大きい電子吸引性の置換基を表す。mは1以上5以下の整数を表す。R2は置換基を表す。nは0以上4以下の整数を表す。複数のR1同士、R2同士またはR1とR2が互いに結合して環を形成してもよい。R3およびR4はそれぞれ独立にアルキル基、アリール基またはヘテロ環基を表す。R3とR4が互いに結合して環を形成してもよい。)
【選択図】 なし
【解決手段】 下記一般式(II)で表される化合物と求核剤を反応させることを特徴とする下記一般式(I)で表される化合物の製造方法。
一般式(I)
【化1】
一般式(II)
【化2】
一般式(I)、(II)において、Xは置換基を表す。R1はハメットのσp値が0より大きい電子吸引性の置換基を表す。mは1以上5以下の整数を表す。R2は置換基を表す。nは0以上4以下の整数を表す。複数のR1同士、R2同士またはR1とR2が互いに結合して環を形成してもよい。R3およびR4はそれぞれ独立にアルキル基、アリール基またはヘテロ環基を表す。R3とR4が互いに結合して環を形成してもよい。)
【選択図】 なし
Description
本発明はハロゲン化銀写真感光材料に用いられる写真用有用性化合物や、医薬品あるいは農薬などの合成中間体として有用な化合物である、置換基を有する芳香族化合物の誘導体の合成法に関する。
芳香族化合物の芳香環への求核反応は、求核剤との反応で離脱する基(以後、離脱基とも称す)の種類によって左右され、また芳香環に電子吸引性基を導入することで反応が促進される。離脱基としてハロゲン原子、アリールまたはアルキルスルホニル基、アリールまたはアルキルスルフィニル基、アリールまたはアルキルスルホニルオキシ基、アリールまたはアルキルチオ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アミノ基、ニトロ基、アジド基が、また、電子吸引性基としてはニトロ基が挙げられる。
一方、芳香族化合物としてフェノール類は安価で入手容易であることから、該フェノールの水酸基を他の置換基に変換することができれば、芳香族化合物誘導体の合成法としては極めて有用である。従来、該水酸基をp−トルエンスルホニル化した後、求核剤と反応する方法(例えば非特許文献1、非特許文献2参照)や、またトリフルオロメタンスルホニル化した後、求核剤と反応する方法(例えば非特許文献3、非特許文献4参照)が知られている。しかしながら、前者の反応においては、芳香族化合物の置換基によっては求核剤がp−トルエンスルホニル基の硫黄部を攻撃し、フェノール類が離脱するという副反応が生じるという問題がある。また後者においては、その原料となるトリフルオロメタンスルホニルクロライド、もしくはトリフルオロメタンスルホン酸無水物が高価であり、目的物を安価に製造できないという問題があった。
このため、フェノール類と、容易に、かつ安価に入手できる原料を用いて、短工程で選択性良く、かつ収率良く芳香族化合物誘導体を合成する製造法の開発が望まれていた。
さらには、簡便で、高収率かつ安価で汎用性の高い芳香族化合物誘導体の製造方法の開発が望まれていた。
「ジャーナル・オブ・ジ・アメリカン・ケミカル・ソサエティ(Journal of the American Chemical Society)」1959年,第81巻,p.2104−2109 「ザ・ジャーナル・オブ・オーガニック・ケミストリー(The Journal of Organic Chemistry)」2002年,第67巻,p.1277−1281 「シンセシス(Synthesis)」1990年,p.1145−1147 「シンレット(Synlett)」1999年,第10巻,p.1559−1562
一方、芳香族化合物としてフェノール類は安価で入手容易であることから、該フェノールの水酸基を他の置換基に変換することができれば、芳香族化合物誘導体の合成法としては極めて有用である。従来、該水酸基をp−トルエンスルホニル化した後、求核剤と反応する方法(例えば非特許文献1、非特許文献2参照)や、またトリフルオロメタンスルホニル化した後、求核剤と反応する方法(例えば非特許文献3、非特許文献4参照)が知られている。しかしながら、前者の反応においては、芳香族化合物の置換基によっては求核剤がp−トルエンスルホニル基の硫黄部を攻撃し、フェノール類が離脱するという副反応が生じるという問題がある。また後者においては、その原料となるトリフルオロメタンスルホニルクロライド、もしくはトリフルオロメタンスルホン酸無水物が高価であり、目的物を安価に製造できないという問題があった。
このため、フェノール類と、容易に、かつ安価に入手できる原料を用いて、短工程で選択性良く、かつ収率良く芳香族化合物誘導体を合成する製造法の開発が望まれていた。
さらには、簡便で、高収率かつ安価で汎用性の高い芳香族化合物誘導体の製造方法の開発が望まれていた。
「ジャーナル・オブ・ジ・アメリカン・ケミカル・ソサエティ(Journal of the American Chemical Society)」1959年,第81巻,p.2104−2109 「ザ・ジャーナル・オブ・オーガニック・ケミストリー(The Journal of Organic Chemistry)」2002年,第67巻,p.1277−1281 「シンセシス(Synthesis)」1990年,p.1145−1147 「シンレット(Synlett)」1999年,第10巻,p.1559−1562
前記問題点を克服し、簡便で、高収率かつ安価で汎用性の高い芳香族化合物誘導体の製造方法、特にフェノール類から誘導できる化合物を用いて、容易に、かつ安価に、短工程で選択性良く、かつ収率良く芳香族化合物誘導体を合成する製造法を提供する。
本発明者らは鋭意検討の結果、本発明の上記課題は下記手段で達成できることを見出した。
(1)下記一般式(II)で表される化合物と求核剤を反応させることを特徴とする下記一般式(I)で表される化合物の製造方法。
一般式(I)
(1)下記一般式(II)で表される化合物と求核剤を反応させることを特徴とする下記一般式(I)で表される化合物の製造方法。
一般式(I)
(式中、Xは置換基を表す。R1はハメットのσp値が0より大きい電子吸引性の置換基を表す。mは1以上5以下の整数を表す。R2は置換基を表す。nは0以上4以下の整数を表す。ここで、m+nは1〜5であり、mが2以上のとき、複数のR1は互いに同一でも異なってもよく、nが2以上のとき、複数のR2は互いに同一でも異なってもよく、また複数のR1同士、R2同士またはR1とR2が互いに結合して環を形成してもよい。)
一般式(II)
一般式(II)
(式中、R1はハメットのσp値が0より大きい電子吸引性の置換基を表す。mは1以上5以下の整数を表す。R2は置換基を表す。nは0以上4以下の整数を表す。ここで、m+nは1〜5であり、mが2以上のとき、複数のR1は互いに同一でも異なってもよく、nが2以上のとき、複数のR2は互いに同一でも異なってもよく、また複数のR1同士、R2同士またはR1とR2が互いに結合して環を形成してもよい。R3およびR4はそれぞれ独立にアルキル基、アリール基、またはヘテロ環基を表す。R3とR4が互いに結合して環を形成してもよい。)
(2)前記一般式(II)で表される化合物が、下記一般式(III)で表される化合物と下記一般式(IV)で表される化合物を反応させて合成された化合物であることを特徴とする前記(1)に記載の製造方法。
一般式(III)
(2)前記一般式(II)で表される化合物が、下記一般式(III)で表される化合物と下記一般式(IV)で表される化合物を反応させて合成された化合物であることを特徴とする前記(1)に記載の製造方法。
一般式(III)
(式中、R1はハメットのσp値が0より大きい電子吸引性の置換基を表す。mは1以上5以下の整数を表す。R2は置換基を表す。nは0以上4以下の整数を表す。ここで、m+nは1〜5であり、mが2以上のとき、複数のR1は互いに同一でも異なってもよく、nが2以上のとき、複数のR2は互いに同一でも異なってもよく、また複数のR1同士、R2同士またはR1とR2が互いに結合して環を形成してもよい。)
一般式(IV)
一般式(IV)
(式中、R3およびR4はそれぞれ独立にアルキル基、アリール基、またはヘテロ環基を表す。R3とR4が互いに結合して環を形成してもよい。Yはハロゲン原子を表す。)
(3)R1がニトロ基であることを特徴とする前記(1)または(2)に記載の製造方法。
(4)前記一般式(I)において、Xが窒素または硫黄のいずれかでベンゼン環に結合する基であることを特徴とする前記(1)〜(3)のいずれか1項に記載の製造方法。
(5)前記一般式(III)で表される化合物と前記一般式(IV)で表される化合物を反応させて合成した前記一般式(II)で表される化合物を単離することなく反応混合物のまま用いることを特徴とする前記(2)に記載の製造方法。
(6)前記一般式(I)において、mが1であることを特徴とする前記(1)〜(5)のいずれか1項に記載の製造方法。
(7)前記一般式(II)において、R3およびR4がともにアルキル基であることを特徴とする前記(1)〜(6)のいずれか1項に記載の製造方法。
(8)前記一般式(IV)において、Yがクロル原子であることを特徴とする前記(2)項に記載の製造方法。
(3)R1がニトロ基であることを特徴とする前記(1)または(2)に記載の製造方法。
(4)前記一般式(I)において、Xが窒素または硫黄のいずれかでベンゼン環に結合する基であることを特徴とする前記(1)〜(3)のいずれか1項に記載の製造方法。
(5)前記一般式(III)で表される化合物と前記一般式(IV)で表される化合物を反応させて合成した前記一般式(II)で表される化合物を単離することなく反応混合物のまま用いることを特徴とする前記(2)に記載の製造方法。
(6)前記一般式(I)において、mが1であることを特徴とする前記(1)〜(5)のいずれか1項に記載の製造方法。
(7)前記一般式(II)において、R3およびR4がともにアルキル基であることを特徴とする前記(1)〜(6)のいずれか1項に記載の製造方法。
(8)前記一般式(IV)において、Yがクロル原子であることを特徴とする前記(2)項に記載の製造方法。
本発明により、ハロゲン化銀写真感光材料に用いられる写真用有用性化合物や、医薬品あるいは農薬などの合成中間体として有用な化合物である、置換基を有する芳香族化合物の誘導体の合成法を提供することができる。
以下に、本発明について詳細に説明する。
本発明は、前記一般式(II)で表される化合物と求核剤を反応させることにより、前記(I)で表される化合物を製造するものである。より具体的には以下の反応スキームの第2工程に示す方法であり、好ましくは、前記一般式(III)で表されるフェノール性化合物と前記一般式(IV)で表される化合物との反応で該一般式(II)を合成し、該一般式(I)で表される化合物を製造する方法であり、好ましくは下記反応スキームの第1工程と第2工程からなる。
本発明は、前記一般式(II)で表される化合物と求核剤を反応させることにより、前記(I)で表される化合物を製造するものである。より具体的には以下の反応スキームの第2工程に示す方法であり、好ましくは、前記一般式(III)で表されるフェノール性化合物と前記一般式(IV)で表される化合物との反応で該一般式(II)を合成し、該一般式(I)で表される化合物を製造する方法であり、好ましくは下記反応スキームの第1工程と第2工程からなる。
次に本発明で使用される一般式(I)、一般式(II) 、一般式(III) および一般式(IV) で表される化合物について詳しく述べる。
一般式(I)において、X は置換基を表す。この置換基としては例えば、ハロゲン原子、アルキル基(シクロアルキル基、ビシクロアルキル基を含む)、アルケニル基(シクロアルケニル基、ビシクロアルケニル基を含む)、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基、シアノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ、アミノ基(アルキルアミノ基、アニリノ基、環状アミノ基を含む)、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキルまたはアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、チオシアノ基、イソチオシアノ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキルまたはアリールスルフィニル基、アルキルまたはアリールスルホニル基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基等が挙げられる。ただしXは水酸基ではない。
一般式(I)において、X は置換基を表す。この置換基としては例えば、ハロゲン原子、アルキル基(シクロアルキル基、ビシクロアルキル基を含む)、アルケニル基(シクロアルケニル基、ビシクロアルケニル基を含む)、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基、シアノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ、アミノ基(アルキルアミノ基、アニリノ基、環状アミノ基を含む)、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキルまたはアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、チオシアノ基、イソチオシアノ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキルまたはアリールスルフィニル基、アルキルまたはアリールスルホニル基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基等が挙げられる。ただしXは水酸基ではない。
なお、上述の置換基はさらに置換基で置換されていてもよく、該置換基としては上述の基が挙げられる。
好ましくはXは、窒素、硫黄、酸素、炭素でベンゼン環に結合する基であり、より好ましくは窒素、硫黄でベンゼン環に結合する基であり、さらに好ましくは硫黄でベンゼン環に結合する基であり、最も好ましくはアルキルチオ基、アリールチオ基である。
なお、一般式(II)と反応させる求核剤としてはXアニオン、もしくはXに水素原子あるいは金属原子が結合した化合物が挙げられる。なお、ここでXは、一般式(I)におけるXと同じ意味の構造である。
求核剤の例としては、アミン類(アンモニア、ジエチルアミン、ドデシルアミン、ピロリジン等)、アニリン類(アニリン、N−メチルアニリン等)、アルコール類(メタノール、エタノール、i−プロパノール、n−ドデカノール等)、フェノール類(フェノール、p−クロルフェノール等)、チオール類(メチルメルカプタン、i−プロピルメルカプタン、2−エチルヘキシルメルカプタン等)、チオフェノール類(チオフェノール、p−ドデシルチオフェノール等)、イミド類(スクシンイミド等)、活性メチレン化合物(マロン酸ジメチル、アセト酢酸エチル等)、およびこれらの塩類、アルキルまたはアリールグリニャール試薬(メチルグリニャール試薬、フェニルグリニャール試薬等)、アルキルまたはアリールリチウム(n−ブチルリチウム等)、シアン化物塩、硫化物塩、アジ化物塩、ハロゲン化物塩、シアン酸塩、チオシアン酸塩、亜硫酸塩等が挙げられる。
これらの求核剤のうち、ベンゼン環上の炭素原子に求核攻撃して該炭素原子と結合する原子が窒素、硫黄、酸素、炭素、より好ましくは窒素、硫黄、さらに好ましくは硫黄である求核剤である。求核剤のうち、最も好ましくはアルキルまたはアリールのチオール類もしくはそのアニオンまたは塩である。
求核剤の例としては、アミン類(アンモニア、ジエチルアミン、ドデシルアミン、ピロリジン等)、アニリン類(アニリン、N−メチルアニリン等)、アルコール類(メタノール、エタノール、i−プロパノール、n−ドデカノール等)、フェノール類(フェノール、p−クロルフェノール等)、チオール類(メチルメルカプタン、i−プロピルメルカプタン、2−エチルヘキシルメルカプタン等)、チオフェノール類(チオフェノール、p−ドデシルチオフェノール等)、イミド類(スクシンイミド等)、活性メチレン化合物(マロン酸ジメチル、アセト酢酸エチル等)、およびこれらの塩類、アルキルまたはアリールグリニャール試薬(メチルグリニャール試薬、フェニルグリニャール試薬等)、アルキルまたはアリールリチウム(n−ブチルリチウム等)、シアン化物塩、硫化物塩、アジ化物塩、ハロゲン化物塩、シアン酸塩、チオシアン酸塩、亜硫酸塩等が挙げられる。
これらの求核剤のうち、ベンゼン環上の炭素原子に求核攻撃して該炭素原子と結合する原子が窒素、硫黄、酸素、炭素、より好ましくは窒素、硫黄、さらに好ましくは硫黄である求核剤である。求核剤のうち、最も好ましくはアルキルまたはアリールのチオール類もしくはそのアニオンまたは塩である。
一般式(I)、一般式(II)および一般式(III)において、R1はハメットの置換基定数σp 値が0より大きい電子吸引性の置換基を表す。該ハメットの置換基定数σp値は0以上1.5以下が好ましい。
なお、ハメットの置換基定数σp については、例えば稲本直樹著「ハメット則−構造と反応性−」(丸善)、「新実験化学講座14・有機化合物の合成と反応V」2605頁(日本化学会編、丸善)、仲矢忠雄著「理論有機化学解説」217頁(東京化学同人)、ケミカル・レビュー(91巻),165〜195頁(1991年)等の成書に詳しく解説されている。
R1は例えば、ハロゲン原子、ホルミル基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルキルまたはアリールスルホニル基、アルキルまたはアリールスルフィニル基、カルバモイル基、スルファモイル基、シアノ基、ニトロ基、トリフルオロメチルやトリフルオロメトキシのようなハロゲン原子が置換したアルキル基またはアルコキシ基、アシルオキシ基、アシルアミド基等が挙げられる。
R1は例えば、ハロゲン原子、ホルミル基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルキルまたはアリールスルホニル基、アルキルまたはアリールスルフィニル基、カルバモイル基、スルファモイル基、シアノ基、ニトロ基、トリフルオロメチルやトリフルオロメトキシのようなハロゲン原子が置換したアルキル基またはアルコキシ基、アシルオキシ基、アシルアミド基等が挙げられる。
R1は置換基を有していてもよく、置換基の例としては前記Xの置換基として挙げたものが挙げられる。好ましくはR1は、ハメットのσp値が0.4より大きい電子吸引性の置換基であり、より好ましくはハメットのσp値が0.6より大きい電子吸引性の置換基であり、最も好ましくはニトロ基である。
一般式(I)、一般式(II)および一般式(III)において、mは1〜5の整数を表す。好ましくはmは1〜3の整数であり、より好ましくはmは1〜2の整数であり、最も好ましくはmは1である。mが1のときR1はオルト又はパラ位に置換することが最も好ましい。
一般式(I)、一般式(II)および一般式(III)において、R2は置換基を表す。この置換基の例としては前記Xの置換基として挙げたものが挙げられる。
一般式(I)、一般式(II)および一般式(III)において、nは0〜4の整数を表す。好ましくはnは0〜3の整数であり、より好ましくはnは0〜2の整数である。
なお、m+nは1〜5の整数である。
なお、m+nは1〜5の整数である。
一般式(I)、一般式(II)および一般式(III)において、複数のR1同士、R2同士、またはR1とR2が互いに結合して環を形成してもよい。この環としては、芳香族性、非芳香族性、脂環式、ヘテロ環式のいずれであっても良い。
一般式(II)および一般式(IV)において、R3、R4はそれぞれ独立にアルキル基、アリール基、またはヘテロ環基を表す。
アルキル基としては炭素数1から30の置換もしくは無置換、直鎖もしくは分岐(シクロアルキルを含む)のアルキル基で、例えばメチル、エチル、プロピル、i−プロピル、t−ブチル、ドデシル、2−エチルヘキシル、シクロヘキシルが挙げられる。
アリール基としては炭素数6から30の置換もしくは無置換、単環もしくは縮環のアリール基で、例えばフェニル、p−トリル、ナフチル、m−クロロフェニル、o−ヘキサデカノイルアミノフェニルが挙げられる。
ヘテロ環基としては、5員または6員環のものが好ましく、それらは更に縮環していてもよい。また、芳香族ヘテロ環であっても非芳香族ヘテロ環であっても良い。ヘテロ環基におけるヘテロ環は、例えば、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジン、キノリン、イソキノリン、キナゾリン、シンノリン、フタラジン、キノキサリン、ピロール、インドール、フラン、ベンゾフラン、チオフェン、ベンゾチオフェン、ピラゾール、イミダゾール、ベンズイミダゾール、トリアゾール、オキサゾール、ベンズオキサゾール、チアゾール、ベンゾチアゾール、イソチアゾール、ベンズイソチアゾール、チアジアゾール、イソオキサゾール、ベンズイソオキサゾール、ピロリジン、ピペリジン、ピペラジン、イミダゾリジン、チアゾリンなどのヘテロ環が挙げられる。
アルキル基としては炭素数1から30の置換もしくは無置換、直鎖もしくは分岐(シクロアルキルを含む)のアルキル基で、例えばメチル、エチル、プロピル、i−プロピル、t−ブチル、ドデシル、2−エチルヘキシル、シクロヘキシルが挙げられる。
アリール基としては炭素数6から30の置換もしくは無置換、単環もしくは縮環のアリール基で、例えばフェニル、p−トリル、ナフチル、m−クロロフェニル、o−ヘキサデカノイルアミノフェニルが挙げられる。
ヘテロ環基としては、5員または6員環のものが好ましく、それらは更に縮環していてもよい。また、芳香族ヘテロ環であっても非芳香族ヘテロ環であっても良い。ヘテロ環基におけるヘテロ環は、例えば、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジン、キノリン、イソキノリン、キナゾリン、シンノリン、フタラジン、キノキサリン、ピロール、インドール、フラン、ベンゾフラン、チオフェン、ベンゾチオフェン、ピラゾール、イミダゾール、ベンズイミダゾール、トリアゾール、オキサゾール、ベンズオキサゾール、チアゾール、ベンゾチアゾール、イソチアゾール、ベンズイソチアゾール、チアジアゾール、イソオキサゾール、ベンズイソオキサゾール、ピロリジン、ピペリジン、ピペラジン、イミダゾリジン、チアゾリンなどのヘテロ環が挙げられる。
R3およびR4は、好ましくはアルキル基であり、より好ましくは炭素数2以上のアルキル基であり、さらに好ましくはエチル基もしくはi−プロピル基であり、最も好ましくはi−プロピル基である。
一般式(II)および一般式(IV)において、R3とR4が互いに結合して環を形成してもよい。この環としては、芳香族性、非芳香族性、脂環式、ヘテロ環式のいずれであっても良いが、非芳香族性の環が好ましい。
一般式(IV)において、Yはハロゲン原子を表し、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子が挙げられ、特に塩素原子が好ましい。
次に本発明の一般式(I) で表される化合物について具体例を挙げるが、本発明はこれら具体例に限定されるものではない。下記に表される化合物において、Meはメチル基を、Etはエチル基を示すものとする(以下、同様)。
次に本発明の一般式(I) で表される化合物について具体例を挙げるが、本発明はこれら具体例に限定されるものではない。下記に表される化合物において、Meはメチル基を、Etはエチル基を示すものとする(以下、同様)。
一般式(III)で表されるフェノール化合物は、既知の種々の合成法により合成することができる。また、一般式(IV)で表される化合物は公知であり、市場で入手できるかまたは公知の方法により容易に製造できる。
次に本発明の一般式(II) で表される化合物について具体例を挙げるが、本発明はこれら具体例に限定されるものではない。
前記反応スキームの第1工程および第2工程はそれぞれあるいは一貫して無溶媒で行ってもよいし、適当な溶媒に溶解または分散して行ってもよい。本発明の反応に用いることのできる溶媒としては、例えば、水、アルコール系溶媒(例えばメタノール、イソプロパノール)、塩基系溶媒(例えばジクロロメチレン)、芳香族系溶媒(例えば、ベンゼン、クロルベンゼン、トルエン)、アミド系溶媒(例えば、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン)、ニトリル系溶媒(例えば、アセトニトリル、プロピオニトリル)、エーテル系溶媒(例えばテトラヒドロフラン、エチレングリコールジエチルエーテル)、スルホン系溶媒(例えばジメチルスルホン、スルホラン)、リン酸アミド系溶媒(例えばヘキサメチルホスホリックトリアミド)または炭化水素系溶媒(例えばシクロヘキサン、ノルマルヘキサン)が挙げられる。
これらの溶媒は単独で使用してもよいし、2種以上を混合して使用してもよい。特に水と、水と混合しない有機溶媒を併用し、2層系で反応を行うことも好ましい。また一貫法で行う時は、第2工程の時に別の溶媒を加えてもよい。溶媒の使用量は第1工程においては一般式(III)で表される化合物の1質量部当たり、第2工程においては一般式(II)で表される化合物の1質量部当たり、それぞれ通常0.1〜1000質量部、好ましくは、0.5〜100質量部、さらに好ましくは1〜50質量部の割合である。
本発明の方法においては第1工程においてあるいは第2工程において、好ましくは第1工程、第2工程ともに塩基を使用することが好ましい。本発明に用いることのできる塩基としては、例えば水酸化化合物(水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化テトラブチルアンモニウム等)、炭酸化合物(炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸テトラブチルアンモニウム等)、アミン類(アンモニア、トリエチルアミン等)、アニリン類(ジエチルアニリン等)、芳香族ヘテロ環類(ピリジン、イミダゾール等)、グアニジン類(テトラメチルグアニジン等)、重炭酸化合物(重曹等)、含窒素ヘテロ環類(1,8−ジアザビシクロ〔5,4,0〕−7−ウンデセン等)、酢酸化合物(酢酸ナトリウム、酢酸カリウム等)、有機化合物の金属塩(ナトリウムメトキシド等)などが挙げられる。
これらの塩基は単独で使用してもよいし、2種以上を混合して使用しても良い。塩基の使用量は第1工程においては一般式(III)で表される化合物の1モル当たり、第2工程においては一般式(II)で表される化合物の1モル当たり、それぞれ通常0.1〜100モル、好ましくは、0.5〜10モル、さらに好ましくは1〜5モルの割合である。
また、本発明の方法においては第1工程においてあるいは第2工程において、あるいは第1工程、第2工程ともに相間移動触媒を使うことも好ましい。本発明において用いられる相間移動触媒としてはアンモニウム塩(テトラブチルアンモニウムブロマイド、ベンジルトリメチルアンモニウムクロライド、テトラエチルアンモニウムアイオダイド等)、ホスフィニウム塩(テトラブチルホスフィニウムブロマイド等)などが挙げられ、さらに好ましくはアンモニウム塩が使用される。相間移動触媒の使用量としては、一般式(I)で表される化合物の1モル当たり、好ましくは0.001 〜10モル、より好ましくは0.01〜1モル、さらに好ましくは0.02〜0.5モルの割合で使用される。
このうち、少なくとも第2工程に相間移動触媒を使用するのが好ましく、特に一般式(I)におけるXがアルキルチオ基、アリールチオ基の場合に好ましい。このとき、反応溶媒としては水と芳香族系溶媒(好ましくはトルエン)が好ましい。
このうち、少なくとも第2工程に相間移動触媒を使用するのが好ましく、特に一般式(I)におけるXがアルキルチオ基、アリールチオ基の場合に好ましい。このとき、反応溶媒としては水と芳香族系溶媒(好ましくはトルエン)が好ましい。
第2工程において、求核剤の使用量は一般式(II)で表される化合物の1モル当たり通常0.01〜100モル、好ましくは0.1〜50モル、さらに好ましくは0.2〜20モル、特に好ましくは0.5〜10モルの割合である。
第2工程においては、第1工程において調製した一般式(II)で表される化合物を単離して用いても良いが、単離をせずに一般式(II)で表される化合物を含む溶液をそのまま用いることがより好ましい。
第2工程においては、第1工程において調製した一般式(II)で表される化合物あるいはその溶液中に、求核剤あるいはその溶液を添加してもよいし、逆に求核剤あるいはその溶液に一般式(II)で表される化合物あるいはその溶液を添加してもよい。
本反応の反応温度は第1工程、第2工程ともに特に制限はないが、−50℃から150℃の範囲で実施可能であり、好ましくは−10℃から100℃の範囲で実施でき、特に好ましくは0℃〜80℃の範囲で実施できる。
本反応の反応温度は第1工程、第2工程ともに特に制限はないが、−50℃から150℃の範囲で実施可能であり、好ましくは−10℃から100℃の範囲で実施でき、特に好ましくは0℃〜80℃の範囲で実施できる。
以下本発明の具体的合成例を挙げるが本発明はこれらに限定されるものではない。
実施例1.例示化合物(1)の合成
以下の反応スキームで合成した。
実施例1.例示化合物(1)の合成
以下の反応スキームで合成した。
4−t−ブチル−2−ニトロフェノール5.80g(29.7ミリモル)、N,N−ジイソプロピルカルバモイルクロライド5.00g(30.6ミリモル)をアセトニトリル50mlに溶解し、トリエチルアミン4.8ml、ピリジン1.0mlを加え、60℃にて5時間攪拌した。反応液に酢酸エチル、水を加えて抽出し、有機層を0.1N炭酸カリウム水溶液、希塩酸水、飽和食塩水にて洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。濾過後、溶媒を減圧留去し、残留物をシリカゲルクロマトグラフィーにて酢酸エチル/ヘキサン混合溶媒を溶離液として用いて精製し、8.82g(27.4ミリモル)の例示化合物(21)を淡黄色結晶として得た。収率92.1%。1H NMR(400MHz,CDCl3)δ1.31−1.34(12H,m),1.35(9H,s),3.85−3.89(1H,m),4.17−4.21(1H,m),7.18(1H,d,J=8.4Hz),7.62(1H,dd,J=8.4,2.4Hz),8.04(1H,d,J=2.4Hz)。
例示化合物(21)3.22g(0.010モル)、2−エチルヘキシルメルカプタン1.76g(0.012モル)、テトラブチルアンモニウムブロミド(TBAB)0.32g(0.0010モル)をトルエン10mlに溶解し、2M水酸化ナトリウム水溶液6mlを加えて80℃にて11時間撹拌した。反応液に酢酸エチル、水を加えて抽出し、有機層を希塩酸水、飽和食塩水にて洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。濾過後、溶媒を減圧留去し、残留物をシリカゲルクロマトグラフィーにて酢酸エチル/ヘキサン混合溶媒を溶離液として用いて精製し、2.75g(0.00850モル)の例示化合物(1)を黄色油状物として得た。収率85.0%。1H NMR(400MHz,CDCl3)δ0.88−1.56(14H,m),1.35(9H,s),1.65−1.71(1H,m),2.89(2H,d,J=6.3Hz),7.36(1H,d,J=8.6Hz),7.57(1H,dd,J=8.6,2.2Hz),8.18(1H,d,J=2.2Hz)。
実施例2.例示化合物(1)の合成
以下の反応スキームで合成した。
以下の反応スキームで合成した。
4−t−ブチル−2−ニトロフェノール9.75g(0.050モル)、N,N−ジエチルカルバモイルクロライド8.13g(0.060モル)をアセトニトリル50mlに溶解し、トリエチルアミン8.4ml、ピリジン1.0mlを加え、50℃にて6時間攪拌した。反応液に酢酸エチル、水を加えて抽出し、有機層を0.1N炭酸カリウム水溶液、希塩酸水、飽和食塩水にて洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。濾過後、溶媒を減圧留去し、残留物をシリカゲルクロマトグラフィーにて酢酸エチル/ヘキサン混合溶媒を溶離液として用いて精製し、14.3g(0.043モル)の例示化合物(22)を淡黄色油状物として得た。収率86.6%。1H NMR(400MHz,CDCl3)δ1.22(3H,t,J=7.2Hz),1.28(3H,t,J=7.2Hz),1.35(9H,s),3.38(2H,q,J=7.2Hz),3.48(2H,q,J=7.2Hz),7.21(1H,d,J=8.2Hz),7.62(1H,dd,J=8.2,2.4Hz),8.04(1H,d,J=2.4Hz)。
例示化合物(22)2.95g(0.010モル)、2−エチルヘキシルメルカプタン1.72g(0.012モル)、テトラブチルアンモニウムブロミド0.32g(0.0010モル)をトルエン6mlに溶解し、2M水酸化ナトリウム水溶液6mlを加えて80℃にて10時間撹拌した。反応液に酢酸エチル、水を加えて抽出し、有機層を希塩酸水、飽和食塩水にて洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。濾過後、溶媒を減圧留去し、残留物をシリカゲルクロマトグラフィーにて酢酸エチル/ヘキサン混合溶媒を溶離液として用いて精製し、2.60g(0.00804モル)の例示化合物(1)を黄色油状物として得た。収率80.4%。1H NMR(400MHz,CDCl3)δ0.88−1.56(14H,m),1.35(9H,s),1.65−1.71(1H,m),2.89(2H,d,J=6.3Hz),7.36(1H,d,J=8.6Hz),7.57(1H,dd,J=8.6,2.2Hz),8.18(1H,d,J=2.2Hz)。
比較例1.例示化合物(1)の合成
以下の反応スキームのようにp−トルエンスルホニル体を経由して合成した。
以下の反応スキームのようにp−トルエンスルホニル体を経由して合成した。
4−t−ブチル−2−ニトロフェノール19.5g(0.100モル)、トリエチルアミン16.7ml(0.120モル)を塩化メチレン100mlに溶解し、水冷下p−トルエンスルホニルクロライド21.0g(0.110モル)を加え、室温にて4時間攪拌した。反応液に酢酸エチル、水を加えて抽出し、有機層を0.1N炭酸カリウム水溶液、希塩酸水、飽和食塩水にて洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。濾過後、溶媒を減圧留去し、残留物を酢酸エチル/ヘキサン混合溶液から晶析し、化合物(A−1)30.9g(0.0884モル)を淡黄色結晶として得た。収率88.4%。
化合物(A−1)3.49g(0.010モル)、2−エチルヘキシルメルカプタン1.75g(0.012モル)、テトラブチルアンモニウムブロマイド0.28g(0.0010モル)をトルエン15mlに溶解し、25%水酸化ナトリウム水溶液5mlを加えて60℃にて1時間撹拌した。反応液に酢酸エチル、水を加えて抽出し、有機層を希塩酸水、飽和食塩水にて洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。濾過後、溶媒を減圧留去し、残留物をシリカゲルクロマトグラフィーにて酢酸エチル/ヘキサン混合溶媒を溶離液として用いて精製したところ、1.46g(0.00452モル)の例示化合物(1)(収率45.2%)と0.94g(0.00482モル)の4−t−ブチル−2−ニトロフェノールが得られた。このようにp−トルエンスルホニル体経由では選択性が非常に低い。
Claims (4)
- 下記一般式(II)で表される化合物と求核剤を反応させることを特徴とする下記一般式(I)で表される化合物の製造方法。
一般式(I)
一般式(II)
- 前記一般式(II)で表される化合物が、下記一般式(III)で表される化合物と下記一般式(IV)で表される化合物を反応させて合成された化合物であることを特徴とする請求項1に記載の製造方法。
一般式(III)
一般式(IV)
- R1がニトロ基であることを特徴とする請求項1または2に記載の製造方法。
- 前記一般式(I)において、Xが窒素または硫黄のいずれかでベンゼン環に結合する基であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の製造方法。
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