JPH01186856A - 4−アルキルチオ置換フェノール化合物の製造方法 - Google Patents

4−アルキルチオ置換フェノール化合物の製造方法

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JPH01186856A
JPH01186856A JP658788A JP658788A JPH01186856A JP H01186856 A JPH01186856 A JP H01186856A JP 658788 A JP658788 A JP 658788A JP 658788 A JP658788 A JP 658788A JP H01186856 A JPH01186856 A JP H01186856A
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JP658788A
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Shigeru Yamazaki
茂 山崎
Hidetoshi Kobayashi
英俊 小林
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Fuji Photo Film Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は4−アルキルチオ−1−フェノール及び4−ア
ルキルチオ−1−ナフトール誘導体の製造方法に関する
ものである。
(従来の技術) 4−アルキルチオ−1−フェノール及び4−アルキルチ
オ−1−ナフトール誘導体は染料や生瑠活性を有する化
合物(医薬、農薬等)の合成中間体として重要である。
さらに、4−置換チオー1−フェノール及び4−アルキ
ルチオ−1−ナフトール誘導体は写真化学の分野で、2
当量塁シアン発色カプラーとして知られている0例えば
、米国特許第3,227゜554号、特開昭60−50
533号、特開昭60−91355号、特開昭61−2
01247!、 $811116□−□734611e
え。例を、にとができる。ところで、4−置換チオー1
−フェノール及び4−置換チオー1−ナフトール誘導体
の中て、4−ヘテロ環チオー1−フェノール%4−へテ
ロ環チオー1−ナフトール%4−アリールチオ−1−フ
ェノール及び4−アリールチオ−1−ナフトール誘導体
に比べて4−アルキルチオ−1−ナフトール誘導体が実
際に利用されている例はあまり多くは知られていない、
その最大の理由は合成の困難さ、あるいは合成収率の低
さにある。
一方、従来より1−フェノール及び1−ナフトール誘導
体の4位にアリールチオ基を導入する手法としてアリー
ルスルフェニルクロライドを用いる方法が一般に用いら
れている。
(米国特許第3,227,551辱;同第3,227,
554号)このアリールスルフェニルクロライドは比較
的安定なため、合成に用いることが可能である。これに
対して、アルキルスルフェニルクロライドは不安定なた
めに合成に用いることは困難とされていた。そのため、
1−フェノール及び1−ナフトールの4位のアルキルチ
オ化の手法として用いられることはなかった。
従来、1−フェノール及び!−ナフトールの4位をアル
キ“ルチオ化する方法としては以下の2つが知られてい
るに過ぎない。
すなわち、l−デフトールあるいは1−フェノールに対
し、二塩化二イオウを作用させると、対応するスルフィ
ト、ジスルフィド、トリスルフィドの混合物が得られる
。ジスルフィド及びトリスルフィトを夏鉛で還元すると
対応するメルカプタンが得られる0次に塩基の存在下、
ハロゲノ化アルキルと反応を行い、4−アルキルチオ−
1−ナフトールを合成することができる。(米国特許第
3,479,407号:新実験化学講座m。
1740: Chew、 Abgtr、、 72.31
445(1970) )(x−c*、 Br)    
   (Rsはアルキル基)銅メルカプチドを4−ハロ
ゲノ−1−ナフトールと反応させ、4位をアルキルチオ
化する反応である(Chell、 Abgtr、 53
.16!45(1959)) 。
(発明が解決しようとする問題点) しかしながら、■ては1−ナフトールの種類により反応
が全く進行しなかったり、収率が低くなる場合がある(
新実験化学論座■、1740)及び、目的物を得るため
の工程数が長いという欠点がある。■では、副反応とし
て還元が起こるために収率が低いという欠点を、もつ。
以上、従来知られている4−アルキルチオ−l−ナフト
ール誘導体の合成法では、4位が無置換であるl−フェ
ノールまたは1−ナフトール誘導体を収率よく、4−ア
ルキルチオ−1−フェノールまたは4−アルキルチオ−
1−ナフトール誘導体に変換することは不可能である。
従って、本発明の目的は4−アルキルチオ−1−フェノ
ールまたは4−アルキルチオ−1−ナフトール誘導体を
、対応する1−フェノールまたはl−ナフトール誘導体
より収率よく得る一般的合成法を提供することにある。
(問題点を解決するための手段) 本発明者は、こうした従来法の欠点を克服するため種湯
検討を行りた結果、チオグリコール酸エチルのスルフェ
ニルクロリドが比較的安定であるという知見(Chew
、 Pharm、 Bull、、 !JI、 (198
5)、)を得% 1−フェノールまたは1−ナフトール
誘導体に対し、チオグリコール酸誘導体より合成したア
ルキルスルフェニルクロライドを反応させると収率よく
対応する4−アルキルチオ−1−フェノールまたは4−
アルキルチオ−1−ナフトール誘導体を合成することが
可能であることを見出し、これに基づき本発明を完成す
るに至フた。
すなわち本発明は、−数式(I−a)または−数式(I
−b) で表わされるフェノール化合物と一般式(n)で表わさ
れるアルキルスルフェニルクロリドとを反応させて 一般式(m−a)または−数式(m−b)で表わされる
4−アルキルチオ置換フェノール化合物な得ることを特
徴とする4−アルキルチオ置換フェノール化合物の製造
方法を提供するものである。
(式中、R1は芳香族環に置換可能な基を示し、フェノ
ール及びナフトールの4位以外の位置に置換する0mは
0から4までの整数を示し、nは0から6までの整数を
示し、R2及びR3は水素原子、アルキル基、アリール
基またはアラルキル基を示し%Yはアルキル基、アリー
ル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ
基、アリールチオ基または置換アミノ基を示す、)次に
一般式(I−a)、(I−b)、(If)、(m −a
 )及び(m−b)により表わされる化合物について詳
しく述べる。
一般式(I−a)または(I−b)で表わされる化合物
において、R1は芳香族環に置換可能な基であり、例え
ばへロゲン原子:アルキル基、アルケニル基、アリール
基、カルボキシル基、スルホ基、ヒドロキシル基、シア
ノ基、カルバモイル基、スルファモイル基、ウレイド基
、カルボンアミド基、スルホンアミド基、アルコキシ基
、アリールオキシ基、ヘテロ環基、アミノ基、アルキル
スルホニル基、アリールスルホニル基、アルコキシカル
ボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシス
ルホニル基、アリールオキシスルホニル基、スルファモ
イルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アシル
基、ニトロ基等がある0mは0から4までの整数であり
、mが複数のとき、複数のR1は同じでも異なっていて
もよく、複数のR1が互いに結合していて芳香族炭化水
素環、脂肪族環またはへテロ環を形成していてもよい、
nは0から6までの整数であり、nが複数のとき複数の
R1は同じでも具なっていてもよく、複数のR1が互い
に結合していて芳香族炭化水素環、脂肪族環またはへテ
ロ環を形成していてもよい。
上記のR1の例示した基は、より詳細にはさらに置換基
を有するものを包含する意であり、そのような置換基と
しては、例えばへロゲン原子、アルキル基、アルケニル
基、アリール基、カルボキシル基、スルホ基、ヒドロキ
シル基、シアノ基、カルバモイル基、スルファモイル基
、ウレイド基、カルボンアミド基、スルホンアミド基、
アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロ環基、アミノ
基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、ア
ルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、
アルコキシスルホニル基、アリールオキシスルホニル基
、スルファモイルアミノ基、アルコキシカルボニルアミ
ノ基、アシル基、ニトロ基等が挙げられる。
一般式(II)で表わされる化合物においてFt2゜R
3は水素原子または置換されていてもよい直鎖または分
岐鎖のアルキル基を示す、Yは前記の通りである。
一般式(1−a)または(I−b)で表わされる化合物
の置換基として本発明に好ましく用いられるものは以下
の通りである。すなわち、R1としてはへロゲン原子(
フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子)、炭素
数1〜19のアルキル基(例えばメチル、エチル、i−
プロピル、を−ブチル、トリフルオロメチル、n−ドデ
シル、n−オクタデシル)、炭素数7〜19のアラルキ
ル基(例えばベンジル、フェネチル)、カルボキシル基
、スルホ基、ヒドロキシル基、シアノ基、炭素数1〜3
7のカルバモイル基(例えば、カルバモイル、N、N−
ジメチルカルバモイル、N。
N−ジエチルカルバモイル、N−メチルカルバモイル、
N−ブチルカルバモイル、N−シクロへキシルカルバモ
イル%N、N−ジヘキシルカルバモイル、N−(2−カ
ルボキシルエチル)カルバモイル、N−ヘキサデシルカ
ルバモイル、N−ドデシルカルバモイル、N−(3−ド
デシルオキシプロビル)カルバモイル、N−[3−(2
,4−ジ二1−ベンチJレフエノキシ)プロピル]力J
レバモイル、N−(4−(2,4−ジ−t−ペンチルフ
ェノキシ)ブチルカルバモイル)、炭素数0〜36のス
ルファモイル基(例えばスルファモイル、N−メチルス
ルファモイル、N−ブチルスルファモイル、N、N−ジ
メチルスルファモイル、N、N−ジエチルスルファモイ
ル、N−ドデシルスルファモイル、N−オクタデシルス
ルファモイル)、炭素数1〜36のカルボンアミド基(
例えばホルムアミド基、アセトアミド基、トリフルオロ
アセトアミド基、プロピオンアミド主、ベンズアミド基
、p−ニトロベンズアミド、n−ドデカンアミド、n−
オクタデカンアミド、i−ブタンアミド、t−ブタンア
ミド、2−エチルヘキサンアミド、2− (2,4−ジ
−t−ペンチルフェノキシ)ブタンアミド、トリクロロ
アセトアミド、p−クロロベンズアミド、ペンタフルオ
ロベンズアミド、2− (2,4−ジ−t−ペンチルフ
ェノキシ)ヘキサンアミド、2−(2,4−ジ−t−ペ
ンチルフェノキシ)オクタンアミド、2−(3−ペンタ
デシルフェノキシ)ブタンアミド、2−(4−ドデシル
フェニルチオ)オクタンアミド、2−(4−ブタンスル
ホンアミドフェノキシ)テトラデカンアミド、2− (
2,4−ジ−t−オクチルフェノキシ)オクタンアミド
、2− (2,4−ジ−t−ペンチルフェノキシ)テト
ラデカンアミド、2−(4−(p−ヒドロキシベンゼン
スルホニル)フェノキシ)テトラデカンアミド、2−(
2−クロロ−4−(3’−クロロー4′−ヒドロキシベ
ンゼンスルホニル)フェノキシ)ドデカンアミド、2−
(2−クロロ−4−カルボキシルフェノキシ)テトラデ
カンアミド、2− (3−を−ブチル−4−ヒドロキシ
フェノキシ)テトラデカンアミド)、炭素数1〜36の
スルホンアミド基(例えばメタンスルホンアミド、エタ
ンスルホンアミド、n−ブタンスルホンアミド、トリフ
ルオロメタンスルホンアミド、ベンゼンスルホンアミド
、p−)ルエンスルホンアミド、フェニルメタンスルホ
ンアミド、n−ヘキサデカンスルホンアミド、n−オク
タデカンスルホンアミド、m−ニトロメタンスルホンア
ミド、p−ドデシルベンゼンスルホンアミド)、炭素数
6〜36のアリールオキシ基(例えばフェノキシ、p−
メチルフェノキシ、p−メトキシフェノキシ、p−ニト
ロフェノキシ、O−クロロフェノキシ)、炭素数1〜3
6のアルコキシ基(例えばメトキシ、エトキシ、メトキ
シエトキシ、ベンジルオキシ、2−ビラノキシ、n−ブ
トキシ、n−ドデシルオキシ、n−オクタデシルオキシ
)、炭素数2〜36のアルコキシカルボニル基(例えば
メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、n−オクチ
ルカルボニル、n−オクタデジルカルボニル)、アミノ
基、炭素数1〜36のアルキルアミノ基(例えばメチル
アミノ、ジメチルアミノ、モルホリノ、n−オクチルア
ミノ)、ニトロ基、炭素数1〜36のアシル基(例えば
ホルミル、アセチル、ベンゾイル、プロピオニル、n−
ブチリル、シクロヘキサンカルボニル%n−デカノイル
、n−オクタデカノイル)、炭素数1〜36のアルコキ
シカルボニルアミノ基(例えばメトキシカルボニルアミ
ノ。
エトキシカルボニルアミノ、i−ブトキシカルボニルア
ミノ、ベンジルオキシカルボニルアミノ。
n−ブトキシカルボニルアミノ、t−ブトキシカルボニ
ルアミノ、n−オクチルオキシカルボニルアミノ、n−
ドデシルオキシカルボニルアミノ、n−オクタデシルオ
キシカルボニルアミノ)、炭素数1〜36までのウレイ
ド基(例えばウレイド、N−メチルウレイド、N−エチ
ルウレイド、N−フェニルウレイド、N−(p−シアノ
フェニル)ウレイド、N−(m−クロロ−p−シアノフ
ェニル)ウレイド、N−プロパンスルホニルフェニ“ル
ウレイト、N−ブタンスルホニルフェニルウレイド、N
−(m、p−ジクロロフェニル)ウレイド、N−(o−
クロロ−p−シアノフェニル)ウレイド、N−(4−シ
アノナフチル)ウレイド、N−(m−シアノフェニル)
ウレイド、N−メタンスルホニルフェニルウレイド、N
−(p−クロロフェニル)ウレイド、N−(p−メチル
フェニル)ウレイド、N−(m−メタンスルホンアミド
フェニル)ウレイド)がそれぞれ好ましい。
置換基R1は、−数式(I−a)の化合物において少な
くとも2−及び5−位に導入されているのが好ましく、
−数式(I−b)の化合物においても少なく七も2−及
び5−位に導入されているのが好ましい。
一般式(I−a)または(I−b)て表わされる化合物
のうち、特に以下の構造を有するもの(V)、(Vl)
が好ましい。
ここでR1は前述のR1と同義である。Arははアルキ
ルカルボンアミドを表わし、アルキルは置換されていて
もよい R’−N−はモノ置換アミノ基を表わし、より
詳しくはアルキルカルボンアミド、アリールカルボンア
ミド、アルコキシカルボニルアミノ、アリールオキシカ
ルボニルアミノ、アルカンスルホンアミド、アリールス
ルホンアミド、等を表わし、アルキル及びアリールは置
換されていてもよい。
次に一般式(II)、  (m−a)及び(m−b)に
おいてR及びR3としては、′水素原子、炭素数1〜3
6のアルキル基(例えばメチル、エチル、プロピル、i
−ブチル、n−ブチル、ヒドロキシエチル、3−ヒドロ
キシプロピル、メトキシエチル%2−エチルヘキシル、
アリル、プロパルギル、ツェノキシエチル、p−ニトロ
フェノキシエチル、クロロエチル、ブロモエチル、n−
ヘキシル、ヒドロキシエトキシエチル)、炭素数6〜4
0のアリール基(例えばフェニル、p−メチルフェニル
、p−ニトロフェニル、1−ナフチル、2−ナフチル&
2.4−ジニトロフェニル、p −クロロフェニル、0
−ブロモフェニル)または炭素数1〜36のアラルキル
基(例えばベンジル、フェネチル、p−二°トロベンジ
ル)が好ましい。
またYとしては、炭素数1〜19のアルキル基(例えば
メチル、エチル、n−プロピル、i−ブチル、t−ブチ
ル、トリフルオロメチル、ベンジル、n−オクチル、n
−オクタデシル)、炭素数1〜36のアルコキシ基(例
えばメトキシ、エトキシ、n−プロポキシ、i−プロポ
キシ、n−ブトキシ、メトキシエトキシ、ベンジルオキ
シ、2−ピラノキシ、n−ブトキシ、n−ドデシルオキ
シ、n−オクタデシルオキシ)、炭素数1〜36のアリ
ールオキシ基(例えばフェノキシ、p−ニトロフェノキ
シ、O−ニトロフェノキシ、1−ナフトキシ、2−ナフ
トキシ、p−メトキシフェノキシ、p−クロロフェノキ
シ%p−ブロモフェノキシ、p−トルエンオキシ、2.
4−ジニトロフェノキシ)、炭素数1〜36のアルキル
チオ基(例えば、メチルチオ、エチルチオ、n−ブチル
チオ、n−オクチルチオ、n−オクタデシルチオ)、炭
素数1〜36のアリールチオ基(例えば、フェニルチオ
%p−メトキシフェニルチオ。
p−メチルフェニルチオ、l−ナフチルチオ%2−ナフ
チルチオ、p−ニトロフェニルチオ)、炭素数1〜36
の置換アミノ基(例えばN、N−ジメチルアミノ、N、
N−ジエチルアミノ、N、N−ジエチルアミノ、N、N
−メチルフェニルアミノ、N、N−エチルフェニルアミ
ノ、N−メチルアミノ、N−エチルアミノ、N−(n−
ブチル)アミノ、N−シクロヘキシルアミノ、N−(n
−ドデシル)アミノ、N、N−ジベンジルアミノ、N、
N−ジナフチルアミノ、N、N−ジフェニルアミノ、N
−ベンジルアミノ、N−ナフチルアミノ、N−フェニル
アミノ、N−(p−メトキシフェニル)アミノ、N−(
p−ニトロフェニル)アミノ)、または炭素数1〜36
のアリール基(例えばフェニル、1−ナフチル%2−ナ
フチル、p−ニトロフェニル、p−メトキシフェニル、
p−ブロモフェニル)が好ましい。
次に本発明の反応の反応条件について詳細に述べる。
本発明における一般式(II)で表わされるアルコール
類の反応基質すなわち一般式(I−a)または(I−b
)で示される化合物に対するモル比は0.01〜100
0であり、好ましくは0.1〜100、さらに好ましく
は0.9〜5.0である。
本発明め反応における溶媒としては塩化メチレン、クロ
ロホルム、1,2−ジクロロエタン、アセトニトリル、
N、N−ジメチルホルムアミド、N、N−ジメチルアセ
トアミド、ジメチルスルホキシド、N−メチルピロリド
ン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメトキシエタ
ン、ジグライム、エーテル、ベンゼン、トルエン、ヘキ
サメチルホス本リルトリアミド、スルホラン、ジエチル
カーボネート、1.3−ジメチル−2−イミダゾリトン
iを挙げることができるが、中でも塩化メチレン、クロ
ロホルム、1.2−ジクロロエタンがより好ましい。
反応温度は一78℃〜200℃、好ましくは一45℃〜
100℃、さらに好ましくは一10℃〜45℃である。
反応にあたつては、ルイス酸を添加してもよい、ルイス
酸としては、塩化アルミニウム、四塩化スズ、五フッ化
ホウ素エーテラート、四塩化チタン、塩化至鉛、真北亜
鉛、ヨウ化夏鉛、臭化マグネシウム、テトラブトキシチ
タンが挙げられるが、これ5限定されるものではない。
次に一般式(n)で示される化合物は次の反応に従フて
合成することができる。
(If)               (II)(n
)に対応するチオール(IV)に対するクロル化剤のモ
ル比は0.01〜1000であり、好ましくは0.1〜
100.さらに好ましくは0.8〜3.0である。
反応溶媒としては、塩化メチレン、クロロホルム、1,
2−ジクロロエタン、アセトニトリル、N、N−ジメチ
ルホルムアミド、N、N−ジメチルアセトアミド、ジメ
チルスルホキシド、N−メチルピロリドン、テ・トラヒ
ドロフラン、ジオキサン、ジメトキシエタン、ジグライ
ム、エーテル、ベンゼン、トルエン、ヘキサメチルホス
ホリルトリアミド、スルホラン、ジエチルカーボネート
、1.3−ジメチル−2−イミダゾリトン等を挙げるこ
とができるが、中でも塩化メチレン、クロロホルムが好
ましい。
反応温度は、−78°C〜Zoo℃、好ましくは一45
°C〜100℃、さらに好ましくは一10℃〜25℃で
ある。
(IV)に対し塩化スルフリルを加えた後、反応温度と
同じ温度で溶媒を留去して残留物をそのまま次の反応に
用いてもよい。
クロル化剤としては、塩化スルフリル、塩化チオニル、
塩素、N−クロロこはく酸イミド等が挙げられるが、こ
れらに限定されるものではない。
(化合物の具体例) 以下に本発明方法を適用する化合物の具体例を示すが、
これらに限定されるものではない。
−数式(I−a)または(r−b)で表わされる化合物
の具体例を示す。なお、以下の構造式で(t)C5H1
、は−C(CH3) 2C2H5を(t)C8H17は
−C(CH3)2CH2C:(CH3)3をそれぞれ表
わす。
(l−7) H (I−19) OH (I−20) OH (I−22) OH CF3CONH 一〇 (I−26) (I−28) H OM 0M r 0■ (I−34) u ([−36) (I−37) 0M H CI−41) (I−45) OR H H H H L;f135(J2N11 1J CI−56) H 1i1C;48g0L;0Ntl CI−59) 0■ CI−61) OC l−61)O 0M 。□        (■−6“) (I−65) u (I−66) 0M 一般式(II)で表わされる化合物の具体例を示す。
(表つづき) (表つづき) (表つづき) (表つづき) (化合物の具体例) 以下に本発明を適用する化合物の具体例を示すが、これ
らに限定されるものではない。
−数式(m−a)または(m−b)で表わされる化合物
の具体例を示す、なお、以下の構造式テ(t)C5n、
1は−C(CH3)2C2H,を(t)C81117は
−C(CH3)2CH2C(CH3)、をそれでれ表わ
す。
(璽−1) 0甘 H R H H (厘−12) R 5CH2CO2C4HgliJ (R5CH2 C02C4H 0M l (夏−17) Ou 0M H 0■ 0M H (F3(υNtl  5LIn2レリLJL、n3CI
−26) R (II−29) ^U (夏−33) AM し1!fitg四 (N−37) R H (璽−43) CI−45) H H 0甘 OM (夏−50) 0甘 0M CH3SOtNH5CH2GO(4H171nl0M IJ 0甘 H 111L、41’llりしυNn bLJ121.、υ
りし211B0M H 0M OH scuzcosacti2clout (発明の効果) 本発明によれば1−フェノールもしくはl−ナフトール
誘導体のようなフェノール化合物の4−位にアルキルチ
オ基を導入して目的の4−アルキルチオフェノール化合
物を低温で好収率で得ることができる。さらに本発明に
よれば合成工程が一工程で済み、工業的に実施する方法
として極めて好適である。
(実施例) 次に本発明を実施例に基づきさらに詳細に゛説明する。
原料の製法(一般式(n)で表わされる化合物の合成) 窒素気流下、対応するメルカプタン(1,0■gaol
)の塩化メチレン溶液に0℃にて塩化スルフリル(1,
1■■ol)の塩化メチレン溶液を滴下し、1時間攪拌
する。さらに、室温にて30分攪拌する。−圧下、0℃
にて溶媒および過剰の塩化スルフリルを留去する。残留
物に塩化メチレンを加え、一般式(II)て表わされる
化合物の塩化メチレン溶液として反応に用いる。
実施例1(例示化合物m−1の合成) 窒素気流下、化合物I−1(24,0g、40■mol
)の塩化メチレン溶液に0℃にて化合物n−6(18,
3g、100謹■ol)の塩化メチレン溶液を滴下し、
1時間攪拌する。さらに室温にて12時間攪拌する。
飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を加え、塩化メチレンて
3回抽出する。有機層を水、次に飽和食塩水て洗い、無
水硫酸ナトリウムで乾燥する。減圧下溶媒を留去し、シ
リカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒:ヘキサ
ン:酢酸エチル冨2:1)で精製すると化合物m−1(
12,0g。
40%)が得られた。
実施例2(例示化合物m−7の合成) 窒素気流下、化合物I−7(65,1g、100謹■o
l)の塩化メチレン溶液に、0℃にて化合物If−8(
71,4g%300■■ol)の塩化メチレン溶液を滴
下し、1時間攪拌する。さらに室温にて6時間攪拌する
飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を加え、塩化メチレンで
3回抽出する。有機層を水、次に飽和食塩水て洗い、無
水硫酸ナトリウムで乾燥する。減圧下溶媒を留去し、シ
リカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒;ヘキサ
ン:酢酸エチル=3:1)て精製すると化合物m−7(
59,8g、■、9.163℃、70%)が得られた。
実施例3(例示化合物m−9の合成) 窒素気流下、化合物I−9(63,3g、100謹■o
l)の塩化メチレン溶液に、0℃にて化合物ll−3(
46,2g、300謹■ol)の塩化メチレン溶液を滴
下し、1時間攪拌する。さらに室温にて9時間攪拌する
飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を加え、塩化メチレンで
3回抽出する。有機層を水、次に飽和食塩水で洗い、無
水硫酸ナトリウムで乾燥する。減圧下溶媒を留去し、シ
リカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒:ヘキサ
ン:酢酸エチル=3=1)で精製すると化合物m−9(
36,0g、m、p、203℃、48X)が得られた。
実施例4(例示化合物I[[−11の合成)窒素気流下
、化合物I−11(4,4gg、5.9■mol)の塩
化メチレン溶液に、0℃にて化合物ll−14(5,5
7g、14.8mmol)の塩化メチレン溶液を滴下し
、1時間攪拌する。さらに室温にて8時間攪拌する。
飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を加え、塩化メチレンで
3回抽出する。有機層を水、次に飽和食塩水で洗い、無
水硫酸ナトリウムで乾燥する。減圧下溶媒を留去し、シ
リカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒:ヘキサ
ン:酢酸エチル−4:1)で精製すると化合物m−11
(2,59g、40%)が得られた。    ゛ 実施例5(例示化合物m−25の合成)窒素気流下、化
合物l−25(特開昭60−237448号に記載の合
成法に従い合成した。
5.19g、10.0■■ol)の塩化メチレン溶液に
、室温にて化合物n−6(4,51g、24.6臘鳳o
1)の塩化メチレン溶液を滴下し、1時間攪拌する。
飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を加え、塩化メチレンで
3回抽出する。有機層を水、次に飽和食塩水で洗い、無
水硫酸ナトリウムで乾燥する。減圧下溶媒を留去し、メ
タノ、−ルより再結晶すると化合物m−25(5,65
g%謹、9.162℃。
85%)が得られた。
実施例6(例示化合物m−26の合成)窒素気流下、化
合物l−26(特開昭60−237448号に記載の合
成法に従い合成した。
5.55g、10.0mmol)の塩化メチレン溶液に
、0℃にて化合物■−3(3,1g、0.02■−ol
)の塩化メチレン溶液を滴下し、1時間攪拌する。さら
に室温にて1時間攪拌する。
飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を加え、塩化メチレンで
3回抽出する。有機層を水、次に飽和食塩水で洗い、無
水硫酸ナトリウムで乾燥する。減圧下溶媒を留去し、メ
タノールより再結晶すると化合物m−26(5,99g
、m、p、149℃、89%)が得られた。
実施例7(例示化合物■−56の合成)窒素気流下、化
合物l−56(10,6g。
20.1■−ol)の塩化メチレン溶液に、0℃にて化
合物ll−3(6,16g%40.0mmol)の塩化
メチレン溶液を滴下し、1時間攪拌する。さらに室温に
て6時間攪拌する。
飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を加え、塩化メチレンで
3回抽出する。有機層を水、次に飽和食塩水で洗い、無
水硫酸ナトリウムで乾燥する。減圧下溶媒を留去し、ア
セトニトリルから再結晶すると化合物m−58(10,
0g、m、p、120℃、77%)が得られた。
比較例1(例示化合物■−56の合成)窒素気流下、化
合物l−56(52,8g。
0.1mol)の塩化メチレン(500m)溶液に室温
にて二塩化二イオウ(6,80g、0.05■ol )
を加え12時間加熱還流する。冷却後水を加え、塩化メ
チレンにて2回抽出し、有機層を無水硫酸ナトリウムで
乾燥する。減圧下溶媒を留去し、シリカゲルカラムクロ
マトグラフィー(展開溶媒:ヘキサン:酢酸エチル=4
:l)で精製すると、目的とするジスルフィド体は得ら
れず原料回収に終った。このように二塩化二イオウを用
いる従来法により例示化合物m−5sを合成することは
不可能でありた。
比較例2(例示化合物m−56の合成)窒素気流下、4
−ブロモ−5−イソブトキシカルボニルアミノ−2−(
3−ドデシルオキシプロピルアミノカルボニル)−1−
ナフトール(60,8g、0.10mol )のキノリ
ン(2001nli)溶液に室温にて2−メトキシカル
ボニルメタンチオールの銅メルカプチド(18,5g、
 0.11mol )のピリジン(l O′WIl)溶
液を加え、80℃にて1時間加熱攪拌する。
冷却後0.1規定塩酸を加え酢酸エチルで3回抽出する
。有機層を飽和食塩水で洗い無水硫酸ナトリウムで乾燥
する。減圧下溶媒を留去し、シリカゲルカラムクロマト
グラフィー(展開溶媒:ヘキサン:酢酸エチル=4:1
)で精製すると、5−イソブトキシカルボニルアミノ−
2−(3−ドデシルオキシプロビルカルバモイル)−1
−ナフトール(48,0g、91%)が得られた。この
ように4位のハロゲン原子の還元が進行するために銅メ
ルカプチドを用いる合成法により例示化合物lll−5
6を合成することは不可能であった。
比較例3(例示化合物(■)の合成) 窒素気流下、化合物l−56(10,6g、20.1■
jol)の塩化メチレン溶液に、0℃にて、β−メルカ
プトプロピオン酸メチルのスルフェニルクロリド(48
,0g、40.0mmol)の塩化メチレン溶液を滴下
し1時間攪拌する。さらに室温にて6時間攪拌する。
飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を加え塩化メチレンて3
回抽出する。有機層を水、次に飽和食塩水で洗い無水硫
酸ナトリウムで乾燥する。減圧下溶媒を留去し、シリカ
ゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒;ヘキサン:
酢酸エチル=4:1)で精製すると化合物(■’)(0
,13g、鵬、p、 120℃、1%)が得られた。
比較例3より、β−メルカプトプロピオン酸メチルのス
ルフェニルクロリドは不安定なために目的物(■)の収
率が低いと考えることができる。
これに対し実施例7では化合物n−3が比較的安定であ
るために取り扱いが容易であり、かつ十分な反応性を持
っているため、化合物l−56と反応し、高収率でm−
5aが得られた。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)一般式( I −a)または一般式( I −b) ▲数式、化学式、表等があります▼▲数式、化学式、表
    等があります▼ で表わされるフェノール化合物と一般式(II) ▲数式、化学式、表等があります▼ で表わされるアルキルスルフェニルクロリドとを反応さ
    せて 一般式(III−a)または一般式(III−b) ▲数式、化学式、表等があります▼▲数式、化学式、表
    等があります▼ で表わされる4−アルキルチオ置換フェノール化合物を
    得ることを特徴とする4−アルキルチオ置換フェノール
    化合物の製造方法。 (式中、R_1は芳香族環に置換可能な基を示し、フェ
    ノール及びナフトールの4位以外の位置に置換する。m
    は0から4までの整数を示し、nは0から6までの整数
    を示し、R_2及びR_3は水素原子、アルキル基、ア
    リール基またはアラルキル基を示し、Yはアルキル基、
    アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキ
    ルチオ基、アリールチオ基または置換アミノ基を示す。 )
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5719292A (en) * 1997-03-27 1998-02-17 Eastman Kodak Company Process for preparing a thioether compound
WO2005114325A1 (en) * 2004-05-13 2005-12-01 Eastman Kodak Company Photographic material with improved development inhibitor releasers

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US5719292A (en) * 1997-03-27 1998-02-17 Eastman Kodak Company Process for preparing a thioether compound
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