JPH0210836A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0210836A JPH0210836A JP16283588A JP16283588A JPH0210836A JP H0210836 A JPH0210836 A JP H0210836A JP 16283588 A JP16283588 A JP 16283588A JP 16283588 A JP16283588 A JP 16283588A JP H0210836 A JPH0210836 A JP H0210836A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野ン
この発明は、半導体装置の製造方法に関し、さらに詳し
くは、半導体装置における素子間分離のためのフィール
ド分離酸化膜の形成方法の改良に係るものである。
くは、半導体装置における素子間分離のためのフィール
ド分離酸化膜の形成方法の改良に係るものである。
従来例によるこの種の半導体装置における素子間分離の
ためのフィールド分離酸化膜の形成方法での主要な製造
工程を第２図（ａ）ないしくｄ）に示しである。
ためのフィールド分離酸化膜の形成方法での主要な製造
工程を第２図（ａ）ないしくｄ）に示しである。
すなわち、これらの第２図（ａ）ないしくｄ）に示す従
来例方法においては、まず、シリコン半導体基板ｌの一
主面上にあって、熱酸化法により下敷層となる薄い二酸
化珪素（Ｓｉ０２）膜（以下、下敷酸化膜と呼ぶ）２を
形成し、かつこの下敷酸化膜２上に、科学的気相成長法
により窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）膜（以丁、窒化膜と呼ぶ
）４を堆積させ（同図（ａ））、ついで、写真製版法に
より素子量分ｗｉ領域以外の素子形成領域にのみパター
ニングされたフォトレジスト６を残して（同図（ｂ））
、素子間分離領域での窒化膜４をエツチング除去してお
き（同図（Ｃ））、さらに、その後、このウェハを熱酸
化処理することにより、残された窒化膜４がマスクとし
て働き、素子間分離領域に厚いフィールド分離酸化膜８
を形成でき、最後に、このマスクとして用いた窒化膜４
を除去しく同図（ｄ））、このようにして、所期通りの
フィールド分離酸化膜を形成するのである。
来例方法においては、まず、シリコン半導体基板ｌの一
主面上にあって、熱酸化法により下敷層となる薄い二酸
化珪素（Ｓｉ０２）膜（以下、下敷酸化膜と呼ぶ）２を
形成し、かつこの下敷酸化膜２上に、科学的気相成長法
により窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）膜（以丁、窒化膜と呼ぶ
）４を堆積させ（同図（ａ））、ついで、写真製版法に
より素子量分ｗｉ領域以外の素子形成領域にのみパター
ニングされたフォトレジスト６を残して（同図（ｂ））
、素子間分離領域での窒化膜４をエツチング除去してお
き（同図（Ｃ））、さらに、その後、このウェハを熱酸
化処理することにより、残された窒化膜４がマスクとし
て働き、素子間分離領域に厚いフィールド分離酸化膜８
を形成でき、最後に、このマスクとして用いた窒化膜４
を除去しく同図（ｄ））、このようにして、所期通りの
フィールド分離酸化膜を形成するのである。
しかしながら、前記した従来例によるフィールド分離酸
化膜の形成方法においては、−数的な現象としてよく知
られているように、厚いフィールド分離酸化膜８の熱酸
化処理による形成時にあって、この熱酸化のためのマス
クとして働く窒化膜４の下での素子形成領域側に酸化作
用がまわり込んで働き、いわゆる、バーズビークを生じ
て素子形成領域の面積を減少させ、同時に、素子構成の
微細化を妨げることになると云う不利があり、また、こ
のバーズビークを小さくするためには、酸化マスクとな
る窒化膜４を厚く堆積させる必要があるが、この窒化膜
とシリコンとでは、その熱膨張係数が異なることから、
内部に発生する応力に伴って素子形成領域側に欠陥を与
え易く、これによって装置の信頼性を著しく劣化させる
ものであった。
化膜の形成方法においては、−数的な現象としてよく知
られているように、厚いフィールド分離酸化膜８の熱酸
化処理による形成時にあって、この熱酸化のためのマス
クとして働く窒化膜４の下での素子形成領域側に酸化作
用がまわり込んで働き、いわゆる、バーズビークを生じ
て素子形成領域の面積を減少させ、同時に、素子構成の
微細化を妨げることになると云う不利があり、また、こ
のバーズビークを小さくするためには、酸化マスクとな
る窒化膜４を厚く堆積させる必要があるが、この窒化膜
とシリコンとでは、その熱膨張係数が異なることから、
内部に発生する応力に伴って素子形成領域側に欠陥を与
え易く、これによって装置の信頼性を著しく劣化させる
ものであった。
この発明は、従来のこのような問題点を解消するために
なされたもので、その目的とするところは、フィールド
分離酸化膜の形成時に生ずるバーズビークを減少させ得
るようにした。この種の半導体装置の製造方法、こ＼で
は、フィールド分離酸化膜の形成方法を提供することで
ある。
なされたもので、その目的とするところは、フィールド
分離酸化膜の形成時に生ずるバーズビークを減少させ得
るようにした。この種の半導体装置の製造方法、こ＼で
は、フィールド分離酸化膜の形成方法を提供することで
ある。
（課題を解決するための手段〕
前記目的を達成するために、この発明に係る半導体装置
の製造方法は、素子形成領域上での窒化膜を酸化マスク
として開口された素子間分離領域対応部分にあって、そ
の内面に対して第２の窒化膜を形成させることにより、
フィールド分離酸化膜の形成時における素子形成領域側
への酸化作用のまわり込みを可及的に抑制させるように
したものである。
の製造方法は、素子形成領域上での窒化膜を酸化マスク
として開口された素子間分離領域対応部分にあって、そ
の内面に対して第２の窒化膜を形成させることにより、
フィールド分離酸化膜の形成時における素子形成領域側
への酸化作用のまわり込みを可及的に抑制させるように
したものである。
すなわち、この発明は、素子間分離のためのフィールド
分離酸化膜の形成方法であって、半導体基板の主面上に
下敷層となる薄い下敷酸化膜を形成し、かつこの下敷酸
化膜上に多結晶シリコン膜、第１の窒化膜、および第２
の酸化膜を順次に堆積させる工程と、素子間分離領域以
外の素子形成領域にのみパターニングされたフォトレジ
ストを残し、これをマスクに用い、これらの第２の酸化
膜、第１の窒化膜、多結晶シリコン膜、および下敷酸化
膜での素子量分ｔｌｌｌｆｆｉ域に対応する各部分を選
択的に異方性エツチングして、多結晶シリコン膜、下敷
酸化膜に対し、第２の酸化膜、第１の窒化膜がオーバー
ハングされた状態にエツチング除去する工程と、エツチ
ング除去された素子間分離領域対応部分を含む全面に、
第２の窒化膜を堆積させる工程と、この第２の空化膜を
異方性エツチングして、オーバーハング部分に第２の窒
化膜を残す工程と、これを熱酸化処理して素子間分離領
域対応部分に厚いフィールド分離酸化膜を形成する工程
とを、少なくとも含むことを特徴とする半導体装置の製
造方法である。
分離酸化膜の形成方法であって、半導体基板の主面上に
下敷層となる薄い下敷酸化膜を形成し、かつこの下敷酸
化膜上に多結晶シリコン膜、第１の窒化膜、および第２
の酸化膜を順次に堆積させる工程と、素子間分離領域以
外の素子形成領域にのみパターニングされたフォトレジ
ストを残し、これをマスクに用い、これらの第２の酸化
膜、第１の窒化膜、多結晶シリコン膜、および下敷酸化
膜での素子量分ｔｌｌｌｆｆｉ域に対応する各部分を選
択的に異方性エツチングして、多結晶シリコン膜、下敷
酸化膜に対し、第２の酸化膜、第１の窒化膜がオーバー
ハングされた状態にエツチング除去する工程と、エツチ
ング除去された素子間分離領域対応部分を含む全面に、
第２の窒化膜を堆積させる工程と、この第２の空化膜を
異方性エツチングして、オーバーハング部分に第２の窒
化膜を残す工程と、これを熱酸化処理して素子間分離領
域対応部分に厚いフィールド分離酸化膜を形成する工程
とを、少なくとも含むことを特徴とする半導体装置の製
造方法である。
従って、この発明においては、素子間分離領域対応部分
を開口させ、これに隣接する素子形成領域上での窒化膜
を酸化マスクに用いて、この素子間分離領域対応部分に
フィールド分離酸化膜を形成させる方法にあって、素子
間分離領域対応部分の内面に対し、第２の窒化膜を形成
させるようにしたから、この第２の窒化膜の存在により
、フィールド分離酸化膜の形成時における素子形成領域
側への酸化作用のまわり込みを可及的に抑制させること
ができ、これによってバーズビークの発生を低減し得る
のである。
を開口させ、これに隣接する素子形成領域上での窒化膜
を酸化マスクに用いて、この素子間分離領域対応部分に
フィールド分離酸化膜を形成させる方法にあって、素子
間分離領域対応部分の内面に対し、第２の窒化膜を形成
させるようにしたから、この第２の窒化膜の存在により
、フィールド分離酸化膜の形成時における素子形成領域
側への酸化作用のまわり込みを可及的に抑制させること
ができ、これによってバーズビークの発生を低減し得る
のである。
以下、この発明に係る半導体装置の製造方法の実施例に
つき、第１図（ａ）ないしくｇ）を参照して詳細に説明
する。
つき、第１図（ａ）ないしくｇ）を参照して詳細に説明
する。
これらの第１図（ａ）ないしくｇ）はこの実施例を適用
したフィールド分離酸化膜の形成方法の主要な製造工程
を順次模式的に示したそれぞれに断面図であり、これら
の第１図実施例方法において、前記第２図従来例方法と
同一符号は同一または相当部分を表わしている。
したフィールド分離酸化膜の形成方法の主要な製造工程
を順次模式的に示したそれぞれに断面図であり、これら
の第１図実施例方法において、前記第２図従来例方法と
同一符号は同一または相当部分を表わしている。
この第１図実施例方法においては、まず、シリコン半導
体基板ｌの−１面上にあって、熱酸化法により下敷層と
なる薄い二酸化珪素（Ｓｉ０２）膜（以下、下敷酸化膜
と呼ぶ）２を形成し、続いて、この下敷酸化１１ｑ２上
に、科学的気相成長法により多結晶シリコン膜３と第１
の窒化珪素（ｓ；３Ｎ４）膜（以下、第１の窒化膜と呼
ぶ）４と第２の酸化膜５とを順次連続的に堆積させ（同
図（ａ））、ついで、写真製版法により素子間分離領域
以外の素子形成領域にのみバターニングされたフォトレ
ジスト６を残した上で、このフォトレジスト６をマスク
に用い、これらの第２の酸化膜５．第１の窒化膜４、多
結晶シリコン膜３および下敷酸化膜２での素子間分離領
域に対応する各部分を選択的に太方性エツチングする（
同図（ｂ））。そして、この異方性エツチングに際し−
Ｃは、これを多結晶シリコン膜３のエツチング面が、第
１の窒化膜４のそれよりも幾分か後退するような処理条
件のもとに行なうことで、Ｓ結晶シリコン膜３および下
敷酸化膜２に対して、第２の酸化膜５および第１の窒化
膜４がオーバーハングされた状態にエツチング除去され
る（同図（Ｃ））。
体基板ｌの−１面上にあって、熱酸化法により下敷層と
なる薄い二酸化珪素（Ｓｉ０２）膜（以下、下敷酸化膜
と呼ぶ）２を形成し、続いて、この下敷酸化１１ｑ２上
に、科学的気相成長法により多結晶シリコン膜３と第１
の窒化珪素（ｓ；３Ｎ４）膜（以下、第１の窒化膜と呼
ぶ）４と第２の酸化膜５とを順次連続的に堆積させ（同
図（ａ））、ついで、写真製版法により素子間分離領域
以外の素子形成領域にのみバターニングされたフォトレ
ジスト６を残した上で、このフォトレジスト６をマスク
に用い、これらの第２の酸化膜５．第１の窒化膜４、多
結晶シリコン膜３および下敷酸化膜２での素子間分離領
域に対応する各部分を選択的に太方性エツチングする（
同図（ｂ））。そして、この異方性エツチングに際し−
Ｃは、これを多結晶シリコン膜３のエツチング面が、第
１の窒化膜４のそれよりも幾分か後退するような処理条
件のもとに行なうことで、Ｓ結晶シリコン膜３および下
敷酸化膜２に対して、第２の酸化膜５および第１の窒化
膜４がオーバーハングされた状態にエツチング除去され
る（同図（Ｃ））。
次に、前記のように選択的にエツチング除去された素子
間分離領域対応部分を含む全面に、前記と同様の科学的
気相成長法などの手段で第２の窒化膜７を１１度、堆積
させ（同図（ｄ））だ上で、この第２の窒化膜７につい
てもまた、再度、異方性エツチングして除去する（同図
（Ｃ））が、このとき、前記したオーバーハングされて
いる凹部々分にあってのみ、つまり、こ＼では、素子量
分ｓｉ域に対応して開口された内面部分に第２の窒化膜
７が残されることになる（同図（「））。
間分離領域対応部分を含む全面に、前記と同様の科学的
気相成長法などの手段で第２の窒化膜７を１１度、堆積
させ（同図（ｄ））だ上で、この第２の窒化膜７につい
てもまた、再度、異方性エツチングして除去する（同図
（Ｃ））が、このとき、前記したオーバーハングされて
いる凹部々分にあってのみ、つまり、こ＼では、素子量
分ｓｉ域に対応して開口された内面部分に第２の窒化膜
７が残されることになる（同図（「））。
続いて、その後、従来例方法の場合と同様に、このウェ
ハを熱酸化処理することで、素子間分離領域に対応する
部分に対して厚いフィールド分離酸化膜８を形成させる
が、このとき、萌記残されている第１および第２の窒化
膜４，７がマスクとして働き、しかも、第１の窒化膜４
の下にまわり込もうとする酸化作用が、第２の窒化膜７
により効果的に抑制されるために、従来例方法でのバー
ズビークが低減されることになり、素子間分離領域にの
み厚いフィールド分離酸化膜８が形成されるもので（同
図（ｄ））、このようにして、バーズビークを可及的に
低減させたフィールド分離酸化膜を所期通りに形成し得
るのである。
ハを熱酸化処理することで、素子間分離領域に対応する
部分に対して厚いフィールド分離酸化膜８を形成させる
が、このとき、萌記残されている第１および第２の窒化
膜４，７がマスクとして働き、しかも、第１の窒化膜４
の下にまわり込もうとする酸化作用が、第２の窒化膜７
により効果的に抑制されるために、従来例方法でのバー
ズビークが低減されることになり、素子間分離領域にの
み厚いフィールド分離酸化膜８が形成されるもので（同
図（ｄ））、このようにして、バーズビークを可及的に
低減させたフィールド分離酸化膜を所期通りに形成し得
るのである。
以ト詳述したように、この発明方法によれば、素子間分
離領域対応部分を開口させ、これに隣接する素子形成領
域上での窒化膜を酸化マスクに用いて、この素子間分離
領域対応部分にフィールド分離酸化膜を形成させる方法
にあって、素子間分離領域対応部分の内面に対し、第２
の窒化膜を形成させるようにしたから、この第２の窒化
膜の存在により、フィールド分離酸化膜の形成時におけ
る素子形成領域側への酸化作用のまわり込みを可及的に
抑制し得るもので、酸化マスクとしての窒化膜を厚くせ
ずにバーズビークの発生を効果的に低減させることがで
き、結果的に、素子形成領域での面積の減少がなく、か
つ素子構成の微細化も妨げずにすみ、装置の信頼性を格
段に向上させ得るなどの優れた特長がある。
離領域対応部分を開口させ、これに隣接する素子形成領
域上での窒化膜を酸化マスクに用いて、この素子間分離
領域対応部分にフィールド分離酸化膜を形成させる方法
にあって、素子間分離領域対応部分の内面に対し、第２
の窒化膜を形成させるようにしたから、この第２の窒化
膜の存在により、フィールド分離酸化膜の形成時におけ
る素子形成領域側への酸化作用のまわり込みを可及的に
抑制し得るもので、酸化マスクとしての窒化膜を厚くせ
ずにバーズビークの発生を効果的に低減させることがで
き、結果的に、素子形成領域での面積の減少がなく、か
つ素子構成の微細化も妨げずにすみ、装置の信頼性を格
段に向上させ得るなどの優れた特長がある。
第１図（ａ）ないしくｇ）はこの発明の一実施例を適用
したフィールド分ｉｌ！酸化膜の形成方法の主要な製造
工程を順次模式的に示したそれぞれに断面図であり、ま
た、第２図（ａ）ないしくｄ）は従来例による同上フィ
ールド分離酸化膜の形成方法の主要な製造工程を順次模
式的に示したそれぞれに断面図である。 ｌ・・・・シリコン半導体基板、２・・・・下敷酸化膜
（二酸化珪素膜）、３・・・・多結晶シリコン膜、４・
・・・第１の窒化１１！；！ （第１の窒化珪素膜）、
５・・・・第２の酸化膜、 ・・・・フォトレジスト、 第２の窒化膜（第２の望化珪素膜） ・・・・フィ ールド分離酸化膜。
したフィールド分ｉｌ！酸化膜の形成方法の主要な製造
工程を順次模式的に示したそれぞれに断面図であり、ま
た、第２図（ａ）ないしくｄ）は従来例による同上フィ
ールド分離酸化膜の形成方法の主要な製造工程を順次模
式的に示したそれぞれに断面図である。 ｌ・・・・シリコン半導体基板、２・・・・下敷酸化膜
（二酸化珪素膜）、３・・・・多結晶シリコン膜、４・
・・・第１の窒化１１！；！ （第１の窒化珪素膜）、
５・・・・第２の酸化膜、 ・・・・フォトレジスト、 第２の窒化膜（第２の望化珪素膜） ・・・・フィ ールド分離酸化膜。
Claims (1)
- 素子間分離のためのフィールド分離酸化膜の形成方法で
あつて、半導体基板の主面上に下敷層となる薄い下敷酸
化膜を形成し、かつこの下敷酸化膜上に多結晶シリコン
膜、第１の窒化膜、および第２の酸化膜を順次に堆積さ
せる工程と、素子間分離領域以外の素子形成領域にのみ
パターニングされたフォトレジストを残し、これをマス
クに用い、これらの第２の酸化膜、第１の窒化膜、多結
晶シリコン膜、および下敷酸化膜での素子間分離領域に
対応する各部分を選択的に異方性エッチングして、多結
晶シリコン膜、下敷酸化膜に対し、第２の酸化膜、第１
の窒化膜がオーバーハングされた状態にエッチング除去
する工程と、エッチング除去された素子間分離領域対応
部分を含む全面に、第２の窒化膜を堆積させる工程と、
この第２の窒化膜を異方性エッチングして、オーバーハ
ング部分に第２の窒化膜を残す工程と、これを熱酸化処
理して素子間分離領域対応部分に厚いフィールド分離酸
化膜を形成する工程とを、少なくとも含むことを特徴と
する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16283588A JPH0744214B2 (ja) | 1988-06-29 | 1988-06-29 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16283588A JPH0744214B2 (ja) | 1988-06-29 | 1988-06-29 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0210836A true JPH0210836A (ja) | 1990-01-16 |
| JPH0744214B2 JPH0744214B2 (ja) | 1995-05-15 |
Family
ID=15762151
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16283588A Expired - Lifetime JPH0744214B2 (ja) | 1988-06-29 | 1988-06-29 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0744214B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5254494A (en) * | 1991-06-10 | 1993-10-19 | U.S. Philips Corp. | Method of manufacturing a semiconductor device having field oxide regions formed through oxidation |
| US5260229A (en) * | 1991-08-30 | 1993-11-09 | Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. | Method of forming isolated regions of oxide |
| US5834360A (en) * | 1996-07-31 | 1998-11-10 | Stmicroelectronics, Inc. | Method of forming an improved planar isolation structure in an integrated circuit |
| US5972776A (en) * | 1995-12-22 | 1999-10-26 | Stmicroelectronics, Inc. | Method of forming a planar isolation structure in an integrated circuit |
| US5977607A (en) * | 1994-09-12 | 1999-11-02 | Stmicroelectronics, Inc. | Method of forming isolated regions of oxide |
-
1988
- 1988-06-29 JP JP16283588A patent/JPH0744214B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US6046483A (en) * | 1996-07-31 | 2000-04-04 | Stmicroelectronics, Inc. | Planar isolation structure in an integrated circuit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0744214B2 (ja) | 1995-05-15 |
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