JPS6325955A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS6325955A JPS6325955A JP16924686A JP16924686A JPS6325955A JP S6325955 A JPS6325955 A JP S6325955A JP 16924686 A JP16924686 A JP 16924686A JP 16924686 A JP16924686 A JP 16924686A JP S6325955 A JPS6325955 A JP S6325955A
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- film
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的コ
（産業上の利用分野）
本発明は半導体装置の製造方法に関するもので、特に半
導体集積回路の素子分離に使用されるものである。
導体集積回路の素子分離に使用されるものである。
（従来の技術）
従来、半導体集積回路装置の素子分離には選択酸化法が
用いられていた。この選択酸化法を第４図乃至第６図を
用いて説明する。
用いられていた。この選択酸化法を第４図乃至第６図を
用いて説明する。
まず、第４図に示すようにシリコン基板１ノを熱酸化し
てバッファ酸化膜１２を例えば９００（Ｘ）成長させる
。その後シリコン窒化膜１３を例えば３０００（＾〕堆
積する。続いて第５図に示すように写真蝕刻法によって
シリコン窒化膜１３をパターニングして開口部１４を設
ける。続いて第５図に示すようにシリコン窒化膜１３を
耐酸化性膜として、選択酸化を行ない、酸化膜１５を例
えばｓ ｏ ｏ Ｏ［：Ｘ：ｌ成長させ、その後シリコ
ン窒化膜１３をＲＩＢによって除去して、素子分離用の
フィールド酸化膜が完成した。
てバッファ酸化膜１２を例えば９００（Ｘ）成長させる
。その後シリコン窒化膜１３を例えば３０００（＾〕堆
積する。続いて第５図に示すように写真蝕刻法によって
シリコン窒化膜１３をパターニングして開口部１４を設
ける。続いて第５図に示すようにシリコン窒化膜１３を
耐酸化性膜として、選択酸化を行ない、酸化膜１５を例
えばｓ ｏ ｏ Ｏ［：Ｘ：ｌ成長させ、その後シリコ
ン窒化膜１３をＲＩＢによって除去して、素子分離用の
フィールド酸化膜が完成した。
（発明が解決しようとする問題点）
上記従来技術であるＬＯＣＯ８法は、素子分離技術とし
て半導体装置に広く用いられている。しかし、いわゆる
「バーズビーク」のため素子分離領域の微細化の障害と
なっている。そのため、耐酸化膜である窒化膜厚を厚く
すれば、バーズビークを押さえることができるが、その
膜厚が厚すぎると、酸化膜の膨張形成時に窒化膜スペー
ス（窒化膜除去部）のニップ部でのシリコン基板へのス
トレスが犬きくなシ、シリコン基板に結晶欠陥が入って
しまうという問題が起きてくる。また、窒化膜スペース
が微細化してくると、バーズビーク形成のため、フィー
ルド酸化膜が酸化剤不足のため、膜減りする問題も起っ
ている。
て半導体装置に広く用いられている。しかし、いわゆる
「バーズビーク」のため素子分離領域の微細化の障害と
なっている。そのため、耐酸化膜である窒化膜厚を厚く
すれば、バーズビークを押さえることができるが、その
膜厚が厚すぎると、酸化膜の膨張形成時に窒化膜スペー
ス（窒化膜除去部）のニップ部でのシリコン基板へのス
トレスが犬きくなシ、シリコン基板に結晶欠陥が入って
しまうという問題が起きてくる。また、窒化膜スペース
が微細化してくると、バーズビーク形成のため、フィー
ルド酸化膜が酸化剤不足のため、膜減りする問題も起っ
ている。
本発明は、バーズビークを抑え、かつシリコン基板の結
晶欠陥のない微細化可能な選択酸化が行なえる半導体装
置の製造方法を提供するものである。
晶欠陥のない微細化可能な選択酸化が行なえる半導体装
置の製造方法を提供するものである。
（問題点を解決するための手段と作用）本発明は、半導
体基板に耐酸化膜を堆積する第１の工程と、前記耐酸化
膜上にレジストを設けこれを７９ターニングする第２の
工程と、前記レゾストをマスクとして前記耐酸化膜と異
方性エツチングによりパターニングする工程で、耐酸化
膜の開口部の表面が底面よシ広くする第３の工程と、該
第３の工程の後、半導体基板を選択的に酸化してフィー
ルド酸化膜を形成する第４の工程とを具備したことを特
徴とする。即ち選択酸化法において、耐酸化膜スペース
ニップ部で集中的にシリコン基板にかかるストレスを抑
制するために、耐酸化膜スペースニップ部では薄くなる
ように、耐酸化膜バターニング工程において、ＲＩＥ等
によって耐酸化膜に順テーノ４’を付ける。このことに
よって耐酸化膜を厚くすることができ、バーズビークを
小さくできかつ、シリコン基板の結晶欠陥をなくするこ
とができる。
体基板に耐酸化膜を堆積する第１の工程と、前記耐酸化
膜上にレジストを設けこれを７９ターニングする第２の
工程と、前記レゾストをマスクとして前記耐酸化膜と異
方性エツチングによりパターニングする工程で、耐酸化
膜の開口部の表面が底面よシ広くする第３の工程と、該
第３の工程の後、半導体基板を選択的に酸化してフィー
ルド酸化膜を形成する第４の工程とを具備したことを特
徴とする。即ち選択酸化法において、耐酸化膜スペース
ニップ部で集中的にシリコン基板にかかるストレスを抑
制するために、耐酸化膜スペースニップ部では薄くなる
ように、耐酸化膜バターニング工程において、ＲＩＥ等
によって耐酸化膜に順テーノ４’を付ける。このことに
よって耐酸化膜を厚くすることができ、バーズビークを
小さくできかつ、シリコン基板の結晶欠陥をなくするこ
とができる。
（実施例）
以下図面を参照して本発明の一実施例を説明する。まず
第１図に示す如くシリコン基板２１を酸化して、・ぐソ
ファ醗化膜２２を例えば５ｏｏｌ設け、その後シリコン
窒化膜２３を例えば４０００ス堆積する。その後シリコ
ン窒化膜２３上にレジスト膜２４を設け、これを写真蝕
刻等によりレジスト除去部２５を設ける。次にＲＩＥで
例えばシリコン窒化膜２３に、例えば第２図の如く４５
°の順テーノ！をつけたシリコン窒化膜除去部２６を設
ける。上記順テーノ卆は、レジスト２４のニップ部から
レジスト除去部２５の中側ヘテーノ４のつく順テーパと
なるようにする。その後第３図の如く選択酸化を行ない
、フィールド酸化膜２７を例えば５ｏｏｏｌ成長させ、
そしてシリコン窒化膜２３をＲＩＥで除去すれば、素子
分離領域が完成するものである。
第１図に示す如くシリコン基板２１を酸化して、・ぐソ
ファ醗化膜２２を例えば５ｏｏｌ設け、その後シリコン
窒化膜２３を例えば４０００ス堆積する。その後シリコ
ン窒化膜２３上にレジスト膜２４を設け、これを写真蝕
刻等によりレジスト除去部２５を設ける。次にＲＩＥで
例えばシリコン窒化膜２３に、例えば第２図の如く４５
°の順テーノ！をつけたシリコン窒化膜除去部２６を設
ける。上記順テーノ卆は、レジスト２４のニップ部から
レジスト除去部２５の中側ヘテーノ４のつく順テーパと
なるようにする。その後第３図の如く選択酸化を行ない
、フィールド酸化膜２７を例えば５ｏｏｏｌ成長させ、
そしてシリコン窒化膜２３をＲＩＥで除去すれば、素子
分離領域が完成するものである。
上記実施例によれば、耐酸化膜であるシリコン窒化膜２
３に頴テーパ（ここではθ＝４５°）をつけたため、シ
リコン窒化膜ニップ部でのシリコン窒化膜は薄く、その
ためシリコン基板２ノへのストレスは小さくなって結晶
欠陥は生じなくなる。
３に頴テーパ（ここではθ＝４５°）をつけたため、シ
リコン窒化膜ニップ部でのシリコン窒化膜は薄く、その
ためシリコン基板２ノへのストレスは小さくなって結晶
欠陥は生じなくなる。
その上、窒化膜ニップ部以外は窒化膜を厚くすることが
でき、そのためバーズビークを小さくすることができる
。またバーズビークを小さくできるため、その小さくで
きる分だけ、窒化膜スペース（窒化膜除去部）の微細化
にともなうフィールド酸化膜の膜減りも防止することが
できる。またレジスト除去部２５からその内側へ入る順
チー・４を窒化膜２３につけるため、順テーパの角度を
θ、窒化膜２３の膜厚をＴとすると「２ＴＸｃｏｔθ」
の分タケ耐酸化膜のスペース（ここでは窒化膜スペース
）を微細化できる。従りてこの部分にできるフィールド
酸化膜を小さく形成できるものである。
でき、そのためバーズビークを小さくすることができる
。またバーズビークを小さくできるため、その小さくで
きる分だけ、窒化膜スペース（窒化膜除去部）の微細化
にともなうフィールド酸化膜の膜減りも防止することが
できる。またレジスト除去部２５からその内側へ入る順
チー・４を窒化膜２３につけるため、順テーパの角度を
θ、窒化膜２３の膜厚をＴとすると「２ＴＸｃｏｔθ」
の分タケ耐酸化膜のスペース（ここでは窒化膜スペース
）を微細化できる。従りてこの部分にできるフィールド
酸化膜を小さく形成できるものである。
なお本発明は上記実施例のみに限られず種々の応用が可
能である。例えばバッファ酸化膜２２とシリコン窒化膜
２３の間に多結晶シリコンを堆積しておくと、フィール
ド酸化時の基板２１に対する窒化膜２３のストレスを緩
和できる。
能である。例えばバッファ酸化膜２２とシリコン窒化膜
２３の間に多結晶シリコンを堆積しておくと、フィール
ド酸化時の基板２１に対する窒化膜２３のストレスを緩
和できる。
［発明の効果］
以上説明した如く本発明によれば、耐酸化膜に順テーパ
をつけるという簡単表方法で、シリコン結晶欠陥がなく
、またフィールド膜減シのない、また微細化可能な選択
酸化が実現できるものである。
をつけるという簡単表方法で、シリコン結晶欠陥がなく
、またフィールド膜減シのない、また微細化可能な選択
酸化が実現できるものである。
第１ないし第３図は本発明の一実施例の工程説明図、第
４図ないし第６図は従来工程の説明図である。 ２１・・・シリコン基板、２２・・・バッファ酸化膜、
２３・・・シリコン窒化膜、２４・・・レゾスト膜、２
５・・・レジスト除去部、２６・・・窒化膜除去部、２
７・・・フィールド酸化膜。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第２図 第３ 図
４図ないし第６図は従来工程の説明図である。 ２１・・・シリコン基板、２２・・・バッファ酸化膜、
２３・・・シリコン窒化膜、２４・・・レゾスト膜、２
５・・・レジスト除去部、２６・・・窒化膜除去部、２
７・・・フィールド酸化膜。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第２図 第３ 図
Claims (4)
- （１）半導体基板に耐酸化膜を堆積する第１の工程と、
前記耐酸化膜上にレジストを設けこれをパターニングす
る第２の工程と、前記レジストをマスクとして前記耐酸
化膜を異方性エッチングによりパターニングする工程で
、耐酸化膜の開口部の表面が底面より広くする第３の工
程と、該第３の工程の後、半導体基板を選択的に酸化し
てフィールド酸化膜を形成する第４の工程とを具備する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - （２）前記耐酸化膜が、シリコン窒化膜であることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置の製造
方法。 - （３）前記第１の工程の前に、半導体基板にバッファ酸
化膜を形成する工程を有することを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の半導体装置の製造方法。 - （４）前記第１の工程の前に、多結晶シリコン層を半導
体基板に形成することを有する特許請求の範囲第１項記
載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16924686A JPS6325955A (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16924686A JPS6325955A (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6325955A true JPS6325955A (ja) | 1988-02-03 |
Family
ID=15882950
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16924686A Pending JPS6325955A (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6325955A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0388370A (ja) * | 1989-08-31 | 1991-04-12 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置の製造方法 |
-
1986
- 1986-07-18 JP JP16924686A patent/JPS6325955A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0388370A (ja) * | 1989-08-31 | 1991-04-12 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置の製造方法 |
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