JPH0472625A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0472625A JPH0472625A JP18620490A JP18620490A JPH0472625A JP H0472625 A JPH0472625 A JP H0472625A JP 18620490 A JP18620490 A JP 18620490A JP 18620490 A JP18620490 A JP 18620490A JP H0472625 A JPH0472625 A JP H0472625A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明は、半導体製造プロセス初期の素子分離絶縁膜形
成方法に関し。
成方法に関し。
バーズビークの発生を極力抑制する方法を得ることを目
的とし。
的とし。
シリコン（Ｓｉ）基板の活性領域の周縁に耐エツチング
性のマスクを形成する工程と、該マスクを用い、該Ｓｉ
基板をエツチングして、該Ｓｉ基板に凹凸を形成する工
程と、しかる後、該Ｓｉ基板上全面に第１の二酸化シリ
コン（Ｓｉｎ、）膜を形成する工程と。
性のマスクを形成する工程と、該マスクを用い、該Ｓｉ
基板をエツチングして、該Ｓｉ基板に凹凸を形成する工
程と、しかる後、該Ｓｉ基板上全面に第１の二酸化シリ
コン（Ｓｉｎ、）膜を形成する工程と。
該Ｓｉ基板の該活性領域と該活性領域周縁の凸部をおお
うように、窒化シリコン（ｓｉｓ＋ｔａ）膜を形成する
工程と、該５ｉＪ４膜をマスクとして該Ｓｉ基板を酸化
して、素子分離用の第２の５ｉＯｚ膜を形成する工程と
、該５ｉｓＮ４膜と、第１の５ｉｆｔ膜を除去して。
うように、窒化シリコン（ｓｉｓ＋ｔａ）膜を形成する
工程と、該５ｉＪ４膜をマスクとして該Ｓｉ基板を酸化
して、素子分離用の第２の５ｉＯｚ膜を形成する工程と
、該５ｉｓＮ４膜と、第１の５ｉｆｔ膜を除去して。
該活性領域を露出する工程とを含むように構成する。
本発明は、半導体製造プロセス初期の素子分離絶縁膜形
成方法に関する。
成方法に関する。
近年、Ｓｉ半導体において、高集積化、微細化に伴い、
素子分離のためのフィールド絶縁膜形成も極力微小化す
ることが要求されている。
素子分離のためのフィールド絶縁膜形成も極力微小化す
ることが要求されている。
第３図は従来例の説明図である。
図において、８はＳｉ基板、９はＳｉｎ、膜、 １０は
Ｓｔ、Ｎ、膜、 １１は素子分離用Ｓｉｎ、膜、 １２
は活性領域。
Ｓｔ、Ｎ、膜、 １１は素子分離用Ｓｉｎ、膜、 １２
は活性領域。
１３はバーズビーク、 １４は素子分離領域である。
従来技術における活性領域１２形成のための素子分離Ｓ
ｉｎ、膜１１の製造方法においては。
ｉｎ、膜１１の製造方法においては。
第３図（ａ）に示すように、Ｓｉ基板８上にＳｉＯ□膜
９を被覆し。
９を被覆し。
第３図（ｂ）に示すように、活性領域１２の領域上に、
酸化時のマスクとして５ｉｓＮａ膜１０をパターニング
形成し。
酸化時のマスクとして５ｉｓＮａ膜１０をパターニング
形成し。
第３図（ｃ）に示すように、湿式酸化により。
Ｓｉ、Ｎ、膜１０をマスクとして、 Ｓｉｎ、膜９並び
に、下層のＳｉ基板８を酸化して、厚い素子分離用Ｓｉ
Ｏ□膜１１を形成し。
に、下層のＳｉ基板８を酸化して、厚い素子分離用Ｓｉ
Ｏ□膜１１を形成し。
そして、第３図（ｄ）に示すように、５ｉｓＮａ膜ｌＯ
をエツチング除去し、 ５１０２膜９を活性領域１２が
露出するまでエツチングしていた。
をエツチング除去し、 ５１０２膜９を活性領域１２が
露出するまでエツチングしていた。
ところが、 ５ｉＯｚ膜９の酸化時に５ｉｆ２膜中を酸
素（０２）が拡散して、マスクとしての５ｔ−Ｎ４膜１
０の下のＳｉｎ、膜９まで酸化されて、所謂“バーズビ
ーク”（Ｂｉｒｄ’ｓ Ｂｅａｋ）１３が出来てしまう
。
素（０２）が拡散して、マスクとしての５ｔ−Ｎ４膜１
０の下のＳｉｎ、膜９まで酸化されて、所謂“バーズビ
ーク”（Ｂｉｒｄ’ｓ Ｂｅａｋ）１３が出来てしまう
。
このバーズビーク１３の存在により、活性領域１２がそ
の分だけ狭く成ってしまう。
の分だけ狭く成ってしまう。
特に高集積パターンではバーズビークの形成幅が、微細
化の大きな障害となる。
化の大きな障害となる。
このバーズビークの量は、湿式酸化の膜厚などで変化し
、活性化領域の高精度な作成が困難となり、微細なパタ
ーンに成るほど問題は大きくなる。
、活性化領域の高精度な作成が困難となり、微細なパタ
ーンに成るほど問題は大きくなる。
従って、従来技術で問題となってきたバーズビークの発
生は、素子分離形成用ＳｉＯ□膜の中を酸化材９例えば
酸素が拡散して＋ ５ｉｓＮ、膜の下面のＳｉ面を部分
的に酸化することが主な原因とされている。
生は、素子分離形成用ＳｉＯ□膜の中を酸化材９例えば
酸素が拡散して＋ ５ｉｓＮ、膜の下面のＳｉ面を部分
的に酸化することが主な原因とされている。
本発明は９以上の点に鑑み、バーズビークの発生を極力
抑制する方法を得ることを目的として提供されるもので
ある。
抑制する方法を得ることを目的として提供されるもので
ある。
第１図は本発明の原理説明図、第２図は本発明の一実施
例の工程順模式断面図である。
例の工程順模式断面図である。
図において、ｌはＳｉ基板、２はマスク、３は第１の５
ｉＯｔ膜、 ３Ｂは第２の５ｉｙｘ膜、４は５ｉｓＮａ
膜。
ｉＯｔ膜、 ３Ｂは第２の５ｉｙｘ膜、４は５ｉｓＮａ
膜。
５は活性領域、６は素子分離領域、７はバーズビークで
ある。
ある。
第１図（ａ）に示すように、Ｓｉ基板ｌ上に第１の５ｉ
Ｏｚ膜３を被覆し、素子分離領域６上にＳｉ、Ｎ。
Ｏｚ膜３を被覆し、素子分離領域６上にＳｉ、Ｎ。
膜４をマスクとしてパターニング形成し、第１図（ｂ）
に示すように、湿式酸化により、Ｓｉ基基板上酸化する
と、前述のように、素子分離形成用の第２のＳｉＯ□膜
３Ｂ中を酸素か拡散して、 ５ｉＪＪｓ膜４の下面の
Ｓｉ面を部分的に酸化することが主な原因でバーズビー
ク７か発生する。
に示すように、湿式酸化により、Ｓｉ基基板上酸化する
と、前述のように、素子分離形成用の第２のＳｉＯ□膜
３Ｂ中を酸素か拡散して、 ５ｉＪＪｓ膜４の下面の
Ｓｉ面を部分的に酸化することが主な原因でバーズビー
ク７か発生する。
従って、第１図（ｃ）に示すように、第１のＳｉＯ□膜
３と酸化形成された第２の５１０２膜３Ｂが活性領域５
と素子分離領域６の境界点で不連続であれば、第１図（
ｄ）に示すように、 Ｓｉ、Ｎ、膜４の下には酸化材
が拡散していく径路が絶たれて、第１のＳｔｅｗ膜３と
第２の５ｉｆ２膜３Ｂの不連続点より活性領域５の側に
バーズビーク７の拡張はなくなり。
３と酸化形成された第２の５１０２膜３Ｂが活性領域５
と素子分離領域６の境界点で不連続であれば、第１図（
ｄ）に示すように、 Ｓｉ、Ｎ、膜４の下には酸化材
が拡散していく径路が絶たれて、第１のＳｔｅｗ膜３と
第２の５ｉｆ２膜３Ｂの不連続点より活性領域５の側に
バーズビーク７の拡張はなくなり。
活性領域５は一定の寸法を確保して再現出来ることにな
る。
る。
本発明では、 Ｓｉ、Ｎ４膜４とＳｉ基基板上の接触
が最小限度の面積で、第１のＳｉＯ□膜３と第２のＳｉ
Ｏ２ｉ３Ｂが不連続となるように、Ｓｉ基基板上エツチ
ングして、Ｓｉ基基板上小さな段差を形成し、活性領域
上の第１の３ｉ０２膜３への酸化材の拡散が行われない
ようにする。
が最小限度の面積で、第１のＳｉＯ□膜３と第２のＳｉ
Ｏ２ｉ３Ｂが不連続となるように、Ｓｉ基基板上エツチ
ングして、Ｓｉ基基板上小さな段差を形成し、活性領域
上の第１の３ｉ０２膜３への酸化材の拡散が行われない
ようにする。
即ち１本発明の目的は、第２図（ａ）に示すように、Ｓ
ｉ基板１の活性領域５の周縁に耐エツチング性のマスク
２を形成する工程と。
ｉ基板１の活性領域５の周縁に耐エツチング性のマスク
２を形成する工程と。
第２図（ｂ）に示すように、該マスク２を用い。
該Ｓｉ基板１をエツチングして、該Ｓｉ基板ｌに凹凸を
形成する工程と。
形成する工程と。
しかる後、第２図（Ｃ）に示すように、該Ｓｉ基板ｌ上
全面に第１のＳｉＯ□膜３を形成する工程と。
全面に第１のＳｉＯ□膜３を形成する工程と。
第２図（ｄ）に示すように、該Ｓｉ基板１の該活性領域
５と該活性領域５周縁の凸部をおおうように、 Ｓｉ
、Ｎ、膜４を形成する工程と。
５と該活性領域５周縁の凸部をおおうように、 Ｓｉ
、Ｎ、膜４を形成する工程と。
第２図（ｅ）に示すように、該５ｉｓＮ４膜４をマスク
として該Ｓｉ基板ｌを酸化して、素子分離用の第２の５
ｉＯｚ膜３Ｂを形成する工程と。
として該Ｓｉ基板ｌを酸化して、素子分離用の第２の５
ｉＯｚ膜３Ｂを形成する工程と。
該Ｓｉ、Ｎ４膜４と、該第１の５ｉＯｚ膜３を除去して
。
。
該活性領域５を露出する工程とを含むことにより達成さ
れる。
れる。
本発明では、第２図（ｅ）に示すように５ｊｓＬ膜とＳ
ｉとの接触が最小限度で、下敷きＳｉＯ□膜が不連続と
なるように、Ｓｉ基板をエツチングして１段差を形成し
、下敷きＳｉＯ□膜への酸化材の拡散を遮断しているの
で、バーズビークの形成は不連続点の所で完全にカット
される。
ｉとの接触が最小限度で、下敷きＳｉＯ□膜が不連続と
なるように、Ｓｉ基板をエツチングして１段差を形成し
、下敷きＳｉＯ□膜への酸化材の拡散を遮断しているの
で、バーズビークの形成は不連続点の所で完全にカット
される。
第２図は本発明の一実施例の工程順模式断面図である。
第２図（ａ）に示すように、Ｓｉ基板１上に熱酸化法に
より、５００人の厚さにＳｉＯ２膜を被覆し、パタニン
グして、活性領域５の周縁に耐エツチング性のマスク２
としての５ｉｎ２膜パターンを形成する。
より、５００人の厚さにＳｉＯ２膜を被覆し、パタニン
グして、活性領域５の周縁に耐エツチング性のマスク２
としての５ｉｎ２膜パターンを形成する。
次に、第２図（ｂ）に示すように、 ＳｉＯ□膜２をマ
スクとして、Ｓｉ基板１を約ｉ、 ｏｏｏ人の深さにＲ
ＩＥ法により異方性ドライエツチングを行い、Ｓｉ基板
１に凹凸を形成する。
スクとして、Ｓｉ基板１を約ｉ、 ｏｏｏ人の深さにＲ
ＩＥ法により異方性ドライエツチングを行い、Ｓｉ基板
１に凹凸を形成する。
しかる後に、第２図（Ｃ）に示すように、Ｓｉ基板ｌ上
のマスクとして利用したＳｉＯ□膜２をウェットエツチ
ングにより除去した後、常圧ＣＶＤ法により３００人の
厚さに、Ｓｉ基板ｌ上全面に第１のＳｉＯ□膜３を形成
する。
のマスクとして利用したＳｉＯ□膜２をウェットエツチ
ングにより除去した後、常圧ＣＶＤ法により３００人の
厚さに、Ｓｉ基板ｌ上全面に第１のＳｉＯ□膜３を形成
する。
第２図（ｄ）に示すように、Ｓｉ基板１の全面にＳｔ、
Ｎ４膜４をＣＶＤ法により ｌ、 ５００人の厚すニ被
覆し１図示しないレジストをマスクとして、活性領域５
と該活性領域５周縁の凸部をおおうように。
Ｎ４膜４をＣＶＤ法により ｌ、 ５００人の厚すニ被
覆し１図示しないレジストをマスクとして、活性領域５
と該活性領域５周縁の凸部をおおうように。
３ｉ３Ｎ４膜４をパターニング形成する。
第２図（ｅ）に示すように＋ ５ｉＪ４膜４をマスク
として、Ｓｉ基板Ｉをウェット酸化して、素子分離用の
第２の５ｉＯｙ膜３Ｂを６．０００人の厚さに形成する
。
として、Ｓｉ基板Ｉをウェット酸化して、素子分離用の
第２の５ｉＯｙ膜３Ｂを６．０００人の厚さに形成する
。
そして、第２図（ｆ）に示すように、Ｓｉ基板ｌ上の５
ｌｓＮａ膜４と第１の５ｉｆｔ膜３を除去して、活性領
域５の表面を露出する。
ｌｓＮａ膜４と第１の５ｉｆｔ膜３を除去して、活性領
域５の表面を露出する。
この後、活性領域５に素子を形成する。
以上説明したように１本発明によれば、素子分離形成用
のＳｉｎ、膜が活性領域上のＳｉＯ□膜と不連続となる
ように、Ｓｉ基板をエツチングして段差を形成して、
ＳｉＯ□膜への酸化材の拡散を遮断しているので、バー
ズビークの形成は不連続点の所で完全にカットされる。
のＳｉｎ、膜が活性領域上のＳｉＯ□膜と不連続となる
ように、Ｓｉ基板をエツチングして段差を形成して、
ＳｉＯ□膜への酸化材の拡散を遮断しているので、バー
ズビークの形成は不連続点の所で完全にカットされる。
このため、活性領域が有効に設計通り活用され。
半導体装置の高集積化、微細化に寄与するところが大き
い。
い。
第１図は原理説明図。
第２図は本発明の一実施例の工程順模式断面図。
第３図は従来例の説明図
である。
図において。
ｌはＳｉ基板、 ２はマスク。
３は第１の５ｉｎ２膜、 ３Ｂは第２の５ｉｎ２膜。
４はＳｉ、Ｎ、膜、 ５は活性領域。
６は素子分離領域、 ７はバーズビーク水食り月Ｉつ
！！、理説明Ｂつ 蔓 図 ホイと０月の一実＾丑＋ｌめ、工−オ象噸牛奨氏圀〒ｉ
図第
！！、理説明Ｂつ 蔓 図 ホイと０月の一実＾丑＋ｌめ、工−オ象噸牛奨氏圀〒ｉ
図第
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 シリコン基板（１）の活性領域（５）の周縁に耐エッ
チング性のマスク（２）を形成する工程と、 該マスク（２）を用い、該シリコン基板（１）をエッチ
ングして、該シリコン基板（１）に凹凸を形成する工程
と、 しかる後、該シリコン基板（１）上全面に第１の二酸化
シリコン膜（３）を形成する工程と、 該シリコン基板（１）の該活性領域（５）と該活性領域
（５）周縁の凸部をおおうように、窒化シリコン膜（４
）を形成する工程と、 該窒化シリコン膜（４）をマスクとして該シリコン基板
（１）を酸化して、素子分離用の第２の二酸化シリコン
膜（３Ｂ）を形成する工程と、該窒化シリコン膜（４）
と、該第１の二酸化シリコン膜（３）を除去して、該活
性領域（５）を露出する工程とを含むことを特徴とする
半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18620490A JPH0472625A (ja) | 1990-07-12 | 1990-07-12 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18620490A JPH0472625A (ja) | 1990-07-12 | 1990-07-12 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0472625A true JPH0472625A (ja) | 1992-03-06 |
Family
ID=16184198
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18620490A Pending JPH0472625A (ja) | 1990-07-12 | 1990-07-12 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0472625A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100321698B1 (ko) * | 1998-06-17 | 2002-03-08 | 박종섭 | 트렌치형소자분리산화막을포함하는반도체소자제조방법 |
-
1990
- 1990-07-12 JP JP18620490A patent/JPH0472625A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100321698B1 (ko) * | 1998-06-17 | 2002-03-08 | 박종섭 | 트렌치형소자분리산화막을포함하는반도체소자제조방법 |
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