JPH01136349A - 半導体装置の素子間分離膜形成方法 - Google Patents
半導体装置の素子間分離膜形成方法Info
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- JPH01136349A JPH01136349A JP29576987A JP29576987A JPH01136349A JP H01136349 A JPH01136349 A JP H01136349A JP 29576987 A JP29576987 A JP 29576987A JP 29576987 A JP29576987 A JP 29576987A JP H01136349 A JPH01136349 A JP H01136349A
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- silicon nitride
- nitride film
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- element isolation
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Links
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Landscapes
- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Element Separation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、半導体装置に厚い酸化膜を局所的に形成して
半導体素子を分離する半導体装置の素子間分離膜形成方
法に関する。
半導体素子を分離する半導体装置の素子間分離膜形成方
法に関する。
［従来の技術］
第２図（ａ）乃至（Ｃ）は、半導体装置における素子間
分離のための厚い酸化膜を形成する従来方法を示す断面
図である。先ず、第２図（ａ）に示すように、半導体基
板１上に薄い酸化膜２を形成し、この酸化膜２上に窒化
ケイ素膜を成長させた後、フォトレジスト４を被着する
。そして、このフォトレジスト４をパターニングした後
、フォトレジスト４をマスクとして窒化ケイ素膜３をエ
ツチングすることにより、窒化ケイ素膜３をパターニン
グする。
分離のための厚い酸化膜を形成する従来方法を示す断面
図である。先ず、第２図（ａ）に示すように、半導体基
板１上に薄い酸化膜２を形成し、この酸化膜２上に窒化
ケイ素膜を成長させた後、フォトレジスト４を被着する
。そして、このフォトレジスト４をパターニングした後
、フォトレジスト４をマスクとして窒化ケイ素膜３をエ
ツチングすることにより、窒化ケイ素膜３をパターニン
グする。
次いで、第２図（ｂ）に示すように、熱処理することに
よって、窒化ケイ素膜３の下方の半導体基板１は酸化せ
ず、窒化ケイ素膜３により被覆されていない領域の基板
１表面に厚い酸化膜７を形成する。
よって、窒化ケイ素膜３の下方の半導体基板１は酸化せ
ず、窒化ケイ素膜３により被覆されていない領域の基板
１表面に厚い酸化膜７を形成する。
［発明が解決しようとする問題点］
しかしながら、上述した従来の素子分離用酸化膜７の形
成方法においては、第２図（ａ）に示すように、フォト
レジスト４を保護膜として窒化ケイ素膜３を垂直方向に
エツチング処理することにより窒化ケイ素膜３をパター
ニングした後、この窒化ケイ素膜３をマスクにして熱処
理するため、第２図（ｂ）に示すように、パターニング
された窒化ケイ素膜３の開口端の下方にも厚い酸化膜が
くい込み、素子を形成すべき領域８が設計値よりも大幅
に狭くなってしまうという欠点がある。
成方法においては、第２図（ａ）に示すように、フォト
レジスト４を保護膜として窒化ケイ素膜３を垂直方向に
エツチング処理することにより窒化ケイ素膜３をパター
ニングした後、この窒化ケイ素膜３をマスクにして熱処
理するため、第２図（ｂ）に示すように、パターニング
された窒化ケイ素膜３の開口端の下方にも厚い酸化膜が
くい込み、素子を形成すべき領域８が設計値よりも大幅
に狭くなってしまうという欠点がある。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、
素子間分離膜間の半導体素子形成領域を設計値通りに十
分に広く確保することができる半導体装置の素子間分離
膜形成方法を提供することを目的とする。
素子間分離膜間の半導体素子形成領域を設計値通りに十
分に広く確保することができる半導体装置の素子間分離
膜形成方法を提供することを目的とする。
［問題点を解決するための手段］
本発明に係る半導体装置の素子間分離膜形成方法は、半
導体基板の上方に窒化ケイ素膜を成長させる工程と、こ
の窒化ケイ素膜上にフォトレジストをパターニング形成
する工程と、このフォトレジストをマスクにして前記窒
化ケイ素膜をエツチングしその側面が傾斜した開口を形
成する工程と、この開口が形成された窒化ケイ素膜をマ
スクとして熱酸化させることにより前記開口に素子間分
離用酸化ケイ素膜を形成する工程とを有することを特徴
とする。
導体基板の上方に窒化ケイ素膜を成長させる工程と、こ
の窒化ケイ素膜上にフォトレジストをパターニング形成
する工程と、このフォトレジストをマスクにして前記窒
化ケイ素膜をエツチングしその側面が傾斜した開口を形
成する工程と、この開口が形成された窒化ケイ素膜をマ
スクとして熱酸化させることにより前記開口に素子間分
離用酸化ケイ素膜を形成する工程とを有することを特徴
とする。
［作用］
本発明においては、窒化ケイ素膜上にフォトレジストを
パターニング形成し、このフォトレジストをマスクとし
て前記窒化ケイ素膜をエツチングして開口を形成する。
パターニング形成し、このフォトレジストをマスクとし
て前記窒化ケイ素膜をエツチングして開口を形成する。
この場合に、前記開口は、上端が広く、基板側になるに
つれて狭くなるようにその側面が半導体基板に対して傾
斜するように形成する。
つれて狭くなるようにその側面が半導体基板に対して傾
斜するように形成する。
次いで、窒化ケイ素膜をマスクとして半導体基板を熱酸
化させることにより前記開口に素子間分離用酸化ケイ素
膜を形成する。そうすると、開口側面が傾斜しているの
で、素子間分離用酸化ケイ素膜による窒化ケイ素膜の下
方への侵入が軽減され、素子間分離用酸化ケイ素膜間に
十分に広い素子形成領域が形成される。
化させることにより前記開口に素子間分離用酸化ケイ素
膜を形成する。そうすると、開口側面が傾斜しているの
で、素子間分離用酸化ケイ素膜による窒化ケイ素膜の下
方への侵入が軽減され、素子間分離用酸化ケイ素膜間に
十分に広い素子形成領域が形成される。
［実施例］
次に、本発明の実施例について、添付の図面を参照して
説明する。
説明する。
第１図（ａ）乃至（ｅ）は本発明の実施例をその製造工
程順に示す断面図である。
程順に示す断面図である。
先ず、第１図（ａ）に示すように、半導体基板１上に絶
縁酸化膜２を被着し、この絶縁酸化膜２上に窒化ケイ素
膜３を成長させる。
縁酸化膜２を被着し、この絶縁酸化膜２上に窒化ケイ素
膜３を成長させる。
そして、第１図（ｂ）に示すように、窒化ケイ素膜３上
にフォトレジスト４をパターニング形成した後、このフ
ォトレジスト４をマスクにして窒化ケイ素膜３に異方性
のエツチング処理５を施す。
にフォトレジスト４をパターニング形成した後、このフ
ォトレジスト４をマスクにして窒化ケイ素膜３に異方性
のエツチング処理５を施す。
これにより、窒化ケイ素膜３に溝９を形成する。
この異方性エツチング処理５により形成された溝９の側
面は基板１の表面に対して略々垂直である。
面は基板１の表面に対して略々垂直である。
次に、第１図（Ｃ）に示すように、等方性エツチング処
理６を施す、これにより、窒化ケイ素膜３には開口１０
が形成されて下層の絶縁酸化膜２が露出する。この場合
に、窒化ケイ素膜３の渭及び開口の形成工程においては
、前半の異方性エツチング処理５にて半導体基板１の表
面に対して垂直の側面が形成され、後半の等方性エツチ
ング処理６にてなだらかに傾斜した側面が形成される。
理６を施す、これにより、窒化ケイ素膜３には開口１０
が形成されて下層の絶縁酸化膜２が露出する。この場合
に、窒化ケイ素膜３の渭及び開口の形成工程においては
、前半の異方性エツチング処理５にて半導体基板１の表
面に対して垂直の側面が形成され、後半の等方性エツチ
ング処理６にてなだらかに傾斜した側面が形成される。
つまり、開口１０はその基板１側が狭く、上端側が広く
なるように側面が傾斜して形成される。
なるように側面が傾斜して形成される。
次いで、第１図（ｄ）に示すように、熱処理することに
より、窒化ケイ素膜３をマスクにして基板１を熱酸化さ
せて厚い素子間分離用酸化膜７を形成する。そうすると
、側面が傾斜した開口１０の端部から窒化ケイ素膜３が
薄く開口１０の中心に向けて延出しているため、厚い酸
化膜７が形成゛される際に、開口１０の端部では熱酸化
の負荷が少ないため、酸化膜７の窒化ケイ素膜３下への
くい込みが最小限に抑制される。
より、窒化ケイ素膜３をマスクにして基板１を熱酸化さ
せて厚い素子間分離用酸化膜７を形成する。そうすると
、側面が傾斜した開口１０の端部から窒化ケイ素膜３が
薄く開口１０の中心に向けて延出しているため、厚い酸
化膜７が形成゛される際に、開口１０の端部では熱酸化
の負荷が少ないため、酸化膜７の窒化ケイ素膜３下への
くい込みが最小限に抑制される。
次いで、第１図（ｅ）に示すように、窒化ケイ素膜３を
除去すると、素子形成領域８はフォトレジスト４により
被覆された領域の大きさに近く、設計通りの十分に広い
領域を確保することができる。
除去すると、素子形成領域８はフォトレジスト４により
被覆された領域の大きさに近く、設計通りの十分に広い
領域を確保することができる。
なお、上記実施例は、異方性エツチング処理５と等方性
エツチング処理６との組合せにより開口側面に傾斜をつ
けたが、この開口側面の傾斜は、上記方法に限らず、種
々の方法により形成することができることは勿論である
。
エツチング処理６との組合せにより開口側面に傾斜をつ
けたが、この開口側面の傾斜は、上記方法に限らず、種
々の方法により形成することができることは勿論である
。
［発明の効果］
以上説明したように本発明によれば、半導体装置におけ
る素子分離用の厚い酸化膜を形成する際に、熱処理の保
護膜となる窒化ケイ素膜をパターニングする工程におい
て、例えば、異方性エツチング処理と等方性エツチング
処理とを組合わせることにより、窒化ケイ素膜の開口の
側面に傾斜をつけるから、後工程の熱処理において厚い
酸化膜が窒化ケイ素膜の下方にくい込むことが抑制され
、素子間分離膜間に十分に広い素子形成領域を残存させ
ることができる。
る素子分離用の厚い酸化膜を形成する際に、熱処理の保
護膜となる窒化ケイ素膜をパターニングする工程におい
て、例えば、異方性エツチング処理と等方性エツチング
処理とを組合わせることにより、窒化ケイ素膜の開口の
側面に傾斜をつけるから、後工程の熱処理において厚い
酸化膜が窒化ケイ素膜の下方にくい込むことが抑制され
、素子間分離膜間に十分に広い素子形成領域を残存させ
ることができる。
第１図（ａ）乃至（ｅ）は本発明の実施例を工程順に示
す断面図、第２図（ａ）乃至（Ｃ）は従来方法を工程順
に示す断面図である。 １；半導体基板、２；絶縁酸化膜、３；窒化ケイ素膜、
４；フォトレジスト、５；異方性エツチング処理、６；
等方性エツチング処理、７；素子間分離用酸化膜、８；
素子形成領域
す断面図、第２図（ａ）乃至（Ｃ）は従来方法を工程順
に示す断面図である。 １；半導体基板、２；絶縁酸化膜、３；窒化ケイ素膜、
４；フォトレジスト、５；異方性エツチング処理、６；
等方性エツチング処理、７；素子間分離用酸化膜、８；
素子形成領域
Claims (2)
- （１）半導体基板の上方に窒化ケイ素膜を成長させる工
程と、この窒化ケイ素膜上にフォトレジストをパターニ
ング形成する工程と、このフォトレジストをマスクにし
て前記窒化ケイ素膜をエッチングしその側面が傾斜した
開口を形成する工程と、この開口が形成された窒化ケイ
素膜をマスクとして熱酸化させることにより前記開口に
素子間分離用酸化ケイ素膜を形成する工程とを有するこ
とを特徴とする半導体装置の素子間分離膜形成方法。 - （２）前記開口を形成する工程は、異方性エッチング工
程と、その後の等方性エッチング工程とを有することを
特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の半導体装置の
素子間分離膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29576987A JPH01136349A (ja) | 1987-11-24 | 1987-11-24 | 半導体装置の素子間分離膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29576987A JPH01136349A (ja) | 1987-11-24 | 1987-11-24 | 半導体装置の素子間分離膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01136349A true JPH01136349A (ja) | 1989-05-29 |
Family
ID=17824928
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29576987A Pending JPH01136349A (ja) | 1987-11-24 | 1987-11-24 | 半導体装置の素子間分離膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01136349A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0412528A (ja) * | 1990-05-02 | 1992-01-17 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| WO2005065982A1 (de) | 2003-12-24 | 2005-07-21 | Daimlerchrysler Ag | Schaltverfahren bei einem sensorausfall für ein automatisiertes schaltklauengetriebe |
-
1987
- 1987-11-24 JP JP29576987A patent/JPH01136349A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0412528A (ja) * | 1990-05-02 | 1992-01-17 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| WO2005065982A1 (de) | 2003-12-24 | 2005-07-21 | Daimlerchrysler Ag | Schaltverfahren bei einem sensorausfall für ein automatisiertes schaltklauengetriebe |
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