JPH02103547A - 導電性層の形成方法 - Google Patents
導電性層の形成方法Info
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- JPH02103547A JPH02103547A JP63256022A JP25602288A JPH02103547A JP H02103547 A JPH02103547 A JP H02103547A JP 63256022 A JP63256022 A JP 63256022A JP 25602288 A JP25602288 A JP 25602288A JP H02103547 A JPH02103547 A JP H02103547A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
-
- G—PHYSICS
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-
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（（ｉｌ 要〕
電子線レジストパターン形成時の帯電防止用導電性層の
形成に関し、 形成作業が筒易であり、材料として保存安定性、特１′
ト再現性がよく、電子線露光描画でのパターン位置ずれ
防止効果のある導電性層の形成方法を提供することを目
的とし、 電子線レジストパターン形成時の帯電防止用導電性層を
形成する方法において、レジスト層の上または二層レジ
スト構造の下層レジストとしてフォトアシッドジェネレ
ータ添加の可溶性導電性ポリマープリカーサ−もしくは
フォトアシッドジエネＬ・−夕添加の可溶性共役系導電
性ポリマーの層を形成し、そして電子線露光前または上
層レジスト形成前に紫外線照射を行って前記導電性層と
する。１うに構成する。
形成に関し、 形成作業が筒易であり、材料として保存安定性、特１′
ト再現性がよく、電子線露光描画でのパターン位置ずれ
防止効果のある導電性層の形成方法を提供することを目
的とし、 電子線レジストパターン形成時の帯電防止用導電性層を
形成する方法において、レジスト層の上または二層レジ
スト構造の下層レジストとしてフォトアシッドジェネレ
ータ添加の可溶性導電性ポリマープリカーサ−もしくは
フォトアシッドジエネＬ・−夕添加の可溶性共役系導電
性ポリマーの層を形成し、そして電子線露光前または上
層レジスト形成前に紫外線照射を行って前記導電性層と
する。１うに構成する。
（ｊ”ｎ業−ヒの利用分野〕
本発明は、電子線リソグラフィに関し、より詳しくは電
子線レジストパターン形成時の帯電防止用導電性層の形
成に関する。
子線レジストパターン形成時の帯電防止用導電性層の形
成に関する。
（従来の技術）
近年、ＩＣ，ＬＳＩなどの半導体集積回路の高集積化、
微細化に伴い、微細加工技術においても光の代わりに電
子線を用いた露光法が電子線リソグラフィとして注目さ
れている。この電子線露光法では、描画時に、既に露光
された部分が帯電されており、これと近接する部分を露
光しよ・うとする（電子ビームを当てる）場合に、帯電
による電場の影響を電子ビームが受けてビームの歪曲が
生じて所定位置に露光パターンを描くことが困難となる
（位置ずれが生じる）。そこで、帯電の電荷を効率よく
放電させる（逃がす）ような導電性層（被膜）が必要と
なる。
微細化に伴い、微細加工技術においても光の代わりに電
子線を用いた露光法が電子線リソグラフィとして注目さ
れている。この電子線露光法では、描画時に、既に露光
された部分が帯電されており、これと近接する部分を露
光しよ・うとする（電子ビームを当てる）場合に、帯電
による電場の影響を電子ビームが受けてビームの歪曲が
生じて所定位置に露光パターンを描くことが困難となる
（位置ずれが生じる）。そこで、帯電の電荷を効率よく
放電させる（逃がす）ような導電性層（被膜）が必要と
なる。
従来、このような導電性層を金属や導電性無機物の真空
蒸着によって形成したり、あるいは、金属、導電性無機
物、界面活性剤、電荷移動錯体等を高分子材料に分散さ
せて塗布形成（コーティング）していた。
蒸着によって形成したり、あるいは、金属、導電性無機
物、界面活性剤、電荷移動錯体等を高分子材料に分散さ
せて塗布形成（コーティング）していた。
従来の真空蒸着法では特別な装置を必要とするなど導電
性層形成の簡易性に欠け、また、金属、導電性無機物の
分散した高分子材料塗布法では成ｆｆ９性が悪いうえに
、粒子が異物としてレジスト層上に残ることがあって精
確な微細パターン形成に支障をきたす。そして、界面活
性剤、電荷移動錯体では、経時ないし環境状態（温度、
ン兄度）によって帯電防止機能の劣化が著しい。
性層形成の簡易性に欠け、また、金属、導電性無機物の
分散した高分子材料塗布法では成ｆｆ９性が悪いうえに
、粒子が異物としてレジスト層上に残ることがあって精
確な微細パターン形成に支障をきたす。そして、界面活
性剤、電荷移動錯体では、経時ないし環境状態（温度、
ン兄度）によって帯電防止機能の劣化が著しい。
このように従来の導電性層（膜）では、形成作業性、成
膜性、保存安定性に問題がある。
膜性、保存安定性に問題がある。
本発明の目的は、形成作業が簡易であり、材料として保
存安定性、特性再現性がよく、電子線露光描画でのパタ
ーン位置ずれ防止効果のある導電性層の形成方法を提供
することである。
存安定性、特性再現性がよく、電子線露光描画でのパタ
ーン位置ずれ防止効果のある導電性層の形成方法を提供
することである。
（課題を解決するための手段〕
上述の目的が、電子線レジストパターン形成時の帯電防
止用導電性層を形成する方法において、レジスト層の上
にフォトアシッドジェネレータ添加の可溶性導電性ポリ
マープリカーサ−もしくはフォトアシッドジェネレータ
添加の可溶性共役系導電性ポリマーの層を形成し、そし
て電子線露光前に紫外線照射を行って前記導電性層とす
る形成方法、あるいは、二層レジスト構造の下層レジス
ト層をフォトアシッドジェネレータ添加の可溶性導電性
ポリマープリカーサ−もしくはフォトアシッドジェネレ
ータ添加の可溶性共役系導電性ポリマーで形成し、上層
レジスト層形成前に紫外線照射を行って前記導電性層と
する形成方法によって達成される。
止用導電性層を形成する方法において、レジスト層の上
にフォトアシッドジェネレータ添加の可溶性導電性ポリ
マープリカーサ−もしくはフォトアシッドジェネレータ
添加の可溶性共役系導電性ポリマーの層を形成し、そし
て電子線露光前に紫外線照射を行って前記導電性層とす
る形成方法、あるいは、二層レジスト構造の下層レジス
ト層をフォトアシッドジェネレータ添加の可溶性導電性
ポリマープリカーサ−もしくはフォトアシッドジェネレ
ータ添加の可溶性共役系導電性ポリマーで形成し、上層
レジスト層形成前に紫外線照射を行って前記導電性層と
する形成方法によって達成される。
可溶性導電性ポリマープリカーサ−としては、下記のも
のが好ましい。
のが好ましい。
可溶性共役系導電性ポリマーとして、２−アセチルピリ
ジン、スチレン−アセチレンブロック共重へ・体、ポリ
アクリロニトリルが好ましい。
ジン、スチレン−アセチレンブロック共重へ・体、ポリ
アクリロニトリルが好ましい。
さらに、フォトアシッドジェネレーター（ＰＡＧ）とし
て、トリアリルサルフオニウム塩、ジアリルイオドニウ
ム塩、下記の が好ましい。なお、Ｒはアルキル基であり、ＸはＰｌ・
ｂ 、 ５ｂＦｂ又はＡ、Ｆ、である。
て、トリアリルサルフオニウム塩、ジアリルイオドニウ
ム塩、下記の が好ましい。なお、Ｒはアルキル基であり、ＸはＰｌ・
ｂ 、 ５ｂＦｂ又はＡ、Ｆ、である。
フォトアシッドジェネレーターを含有している可溶性導
電性ポリマーカーサ−ないし可溶性共役系導電性ポリマ
ーに紫外線を照射すると、プロトン酸を生じてポリマー
に対しプロトンドーピングを行うことができ、電子線ビ
ームによって蓄積された電荷を効率良く放電できる導電
性層（膜）とすることができる。
電性ポリマーカーサ−ないし可溶性共役系導電性ポリマ
ーに紫外線を照射すると、プロトン酸を生じてポリマー
に対しプロトンドーピングを行うことができ、電子線ビ
ームによって蓄積された電荷を効率良く放電できる導電
性層（膜）とすることができる。
また、紫外線照射をしないかぎり、フォトアシッドジェ
ネレーターを含有する可溶性導電性ポリマープリカーサ
−ないし可溶性共役系導電性ポリマーは安定しており、
長期保存後の紫外線照射でも得られる導電性は同じであ
る。
ネレーターを含有する可溶性導電性ポリマープリカーサ
−ないし可溶性共役系導電性ポリマーは安定しており、
長期保存後の紫外線照射でも得られる導電性は同じであ
る。
以下、比較例および本発明の実施例によって本発明の詳
細な説明する。
細な説明する。
止較朋土
シリコン基板（ウェハ）上にノボラック系フォトレジス
ｌ−（ＯＦＰＲ−８００東京応化工業株式会社の商品）
を２．０訓厚さにスピンコード塗布し、２００°Ｃに一
ζ２０分間ベータして硬化させ、下層レジスト層を形成
した。上層レジストとしてシリコーン含有レジストを下
層レジスト層上にスピンコード塗布し、８０゛Ｃにて２
０分間プリベークした。そして、所定の位置ズレ評価パ
ターンの電子線ビーム露光（２０ｋｅＶ）を行った。メ
チルイソブチルケトン（旧［３Ｋ）を用いて上層レジス
ト層の現象（３０秒）ヲ行い、イソプロピルアルコール
（ＩＰＡ）でリンスを行って、位置ズレ評価パターンを
形成した。
ｌ−（ＯＦＰＲ−８００東京応化工業株式会社の商品）
を２．０訓厚さにスピンコード塗布し、２００°Ｃに一
ζ２０分間ベータして硬化させ、下層レジスト層を形成
した。上層レジストとしてシリコーン含有レジストを下
層レジスト層上にスピンコード塗布し、８０゛Ｃにて２
０分間プリベークした。そして、所定の位置ズレ評価パ
ターンの電子線ビーム露光（２０ｋｅＶ）を行った。メ
チルイソブチルケトン（旧［３Ｋ）を用いて上層レジス
ト層の現象（３０秒）ヲ行い、イソプロピルアルコール
（ＩＰＡ）でリンスを行って、位置ズレ評価パターンを
形成した。
測定して０．４μｍのズレが生じていることがわかった
。
。
まり列外ｉ
シリコン基板上にポリアクリロニトリルを２．０陶厚さ
に塗布し、２５０°Ｃにて２０分間ベータして下層レジ
スト層を形成した。そして、比較例１と同しにシリコー
ン含有レジストの上層レジスト層を形成し、電子線ビー
ム露光、現象、リンス処理を行って位置ズレ評価パター
ンを形成した。０．２ｐのズレが生じていた。
に塗布し、２５０°Ｃにて２０分間ベータして下層レジ
スト層を形成した。そして、比較例１と同しにシリコー
ン含有レジストの上層レジスト層を形成し、電子線ビー
ム露光、現象、リンス処理を行って位置ズレ評価パター
ンを形成した。０．２ｐのズレが生じていた。
此４ｕ殊ｌ
シリコン基板上にポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ
）を２．０趨厚さに塗布し、１７０°Ｃにて２０分間プ
リベークしてレジスト層を形成した。そして、比較例１
と同じに電子線ビーム露光を行った。
）を２．０趨厚さに塗布し、１７０°Ｃにて２０分間プ
リベークしてレジスト層を形成した。そして、比較例１
と同じに電子線ビーム露光を行った。
旧ＢＫを用いて現像（１分）し、位置ズレ評価パターン
を形成した。０．６−のズレが生じていた。
を形成した。０．６−のズレが生じていた。
尖施桝上
ポリアクリロニトリルをＭＣＡ溶液として、これにフォ
トアシッドジェネレーターとして１．０添加した。該溶
液をシリコン基板上に２．０声厚さに塗布し、窒素（Ｎ
２）雰囲気下で２５０“Ｃにて２０分間ベータして下層
レジスト層を形成した。該レジスト層にＸｅ−Ｈｇラン
プからの紫外線（２５４ｎｍ）をアルゴン（Ａｒ）雰囲
気下で５分間照射した。この照射によってこのレジスト
層は導電性層になった。そして、比較例１と同じにシリ
コーン含有レジストの上層レジスト層を形成し、電子線
ビーム露光、現象、リンス処理を行って位置ズレ評価パ
ターンを形成した。位置ズレは生じなかった。
トアシッドジェネレーターとして１．０添加した。該溶
液をシリコン基板上に２．０声厚さに塗布し、窒素（Ｎ
２）雰囲気下で２５０“Ｃにて２０分間ベータして下層
レジスト層を形成した。該レジスト層にＸｅ−Ｈｇラン
プからの紫外線（２５４ｎｍ）をアルゴン（Ａｒ）雰囲
気下で５分間照射した。この照射によってこのレジスト
層は導電性層になった。そして、比較例１と同じにシリ
コーン含有レジストの上層レジスト層を形成し、電子線
ビーム露光、現象、リンス処理を行って位置ズレ評価パ
ターンを形成した。位置ズレは生じなかった。
比較例２では０．２ 、Ｉ／ＩＩの位置ズレがあったが
、本発明の方法にしたがって、フォトアシッドジェネレ
ーターの添加と紫外線照射を行うことで位置ズレは防止
できた。
、本発明の方法にしたがって、フォトアシッドジェネレ
ーターの添加と紫外線照射を行うことで位置ズレは防止
できた。
夫力旺１１
実施例１にて調製した添加済み溶液を６ケ月間保存した
後で、実施例１と同じにこの溶液で下層レジスト層を形
成した。比較例１と同じに位置ズレ評価パターンを形成
した。位置ズレは生じなかった。このことから、紫外線
照射前に長期保存しても問題ないことがわかる。
後で、実施例１と同じにこの溶液で下層レジスト層を形
成した。比較例１と同じに位置ズレ評価パターンを形成
した。位置ズレは生じなかった。このことから、紫外線
照射前に長期保存しても問題ないことがわかる。
災あ１片走
可溶性導電性ポリマープリカーサ−として、Ｊ、１１．
Ｅｄｗａｒｄｓらの方法（ｐｏｌｙｍｅｒ、 Ｖｏｌ、
２１． ｐ、５９５゜（１９８０）およびＶｏｌ、２５
． ｐ、３９５．（１９８４）参照）で下記化１′−°
式のｐｏｌｙ ７ 、８−ｂｉｓ（ｔｒｉｆｌｕｏｒｏ
ｍｅｔｈｙｌ）ｔｒｉｃｙｃｌｏ （４＋ ２ 、２
、０２・’ ） ｄｅｃａ−３、７９−Ｌｒ１ｅｎｅ
： を合成してモノクロルベンゼン溶液にとかす。フォトジ
ェネレーターとして０．１ ｍｏｅ ／ １のトリアリ
ルサルフォニウム塩をこの溶液に添加し、それをソリコ
ン基板上に２．０μｍ厚さに塗布し、Ｎ２雰囲気下で２
００’Ｃにて２０分間ベータして下層レジスト層を形成
した。該レジスト層にＸｅ−Ｈｇランプからの紫外線（
２５４ｎｍ）をアルゴン（Ａｒ）雰囲気下で５分間照射
した。この照射によってこのレジスト層は導電性層にな
った。そし−で、比較例１と同じにシリコーン含有レジ
ストの上層レジス［・層を形成し、電子線ビーム露光、
現象、リンス処理を行って位置ズレ評価パターンを形成
した。０．１５−の位置ズレが生じていた。
Ｅｄｗａｒｄｓらの方法（ｐｏｌｙｍｅｒ、 Ｖｏｌ、
２１． ｐ、５９５゜（１９８０）およびＶｏｌ、２５
． ｐ、３９５．（１９８４）参照）で下記化１′−°
式のｐｏｌｙ ７ 、８−ｂｉｓ（ｔｒｉｆｌｕｏｒｏ
ｍｅｔｈｙｌ）ｔｒｉｃｙｃｌｏ （４＋ ２ 、２
、０２・’ ） ｄｅｃａ−３、７９−Ｌｒ１ｅｎｅ
： を合成してモノクロルベンゼン溶液にとかす。フォトジ
ェネレーターとして０．１ ｍｏｅ ／ １のトリアリ
ルサルフォニウム塩をこの溶液に添加し、それをソリコ
ン基板上に２．０μｍ厚さに塗布し、Ｎ２雰囲気下で２
００’Ｃにて２０分間ベータして下層レジスト層を形成
した。該レジスト層にＸｅ−Ｈｇランプからの紫外線（
２５４ｎｍ）をアルゴン（Ａｒ）雰囲気下で５分間照射
した。この照射によってこのレジスト層は導電性層にな
った。そし−で、比較例１と同じにシリコーン含有レジ
ストの上層レジス［・層を形成し、電子線ビーム露光、
現象、リンス処理を行って位置ズレ評価パターンを形成
した。０．１５−の位置ズレが生じていた。
丈」１州を
実施例３での０．１ ｒｎｏｌ ／ ４２のトリアリル
サルフォニウム塩の濃度を０．２ ｍｏｌ ／ ｌの濃
度に高めたことのみを変え、実施例３と同様にして位置
ズレ評価パターンを形成した。位置ズレは生じなかった
。
サルフォニウム塩の濃度を０．２ ｍｏｌ ／ ｌの濃
度に高めたことのみを変え、実施例３と同様にして位置
ズレ評価パターンを形成した。位置ズレは生じなかった
。
丈ｊ１汁ｉ
実施例３でのトリアリルサルフォニウム塩をに代えたこ
とのみを変え、実施例３と同様にして位置ズレ評価パタ
ーンを形成した。位置ズレは生じなかった。
とのみを変え、実施例３と同様にして位置ズレ評価パタ
ーンを形成した。位置ズレは生じなかった。
夫Ｊｉ！ｊｆＬＬ
比較例３と同様に、シリコン基板上にＰＭＭＡを２．０
μ■１７さに塗布し、１７０°Ｃにて２０分間プリベー
クしてレジスト層を形成した。実施例３での合成した次
式のポリマーブリカーサー： に１． Ｏｍｏｌ ／ ｌのトリアリルサルフォニウム
塩を加えたモノクロルベンゼン溶液をレジスト層上に５
００ｍＪｆｆさに塗布し、１７０°Ｃにて２０分間ベー
タし、Ｘｅ−ｔ（ｇランプからの紫外線（２５４ｎｍ）
をＡｒ雰囲気下で５分間照射して、導電性層を形成した
。
μ■１７さに塗布し、１７０°Ｃにて２０分間プリベー
クしてレジスト層を形成した。実施例３での合成した次
式のポリマーブリカーサー： に１． Ｏｍｏｌ ／ ｌのトリアリルサルフォニウム
塩を加えたモノクロルベンゼン溶液をレジスト層上に５
００ｍＪｆｆさに塗布し、１７０°Ｃにて２０分間ベー
タし、Ｘｅ−ｔ（ｇランプからの紫外線（２５４ｎｍ）
をＡｒ雰囲気下で５分間照射して、導電性層を形成した
。
そして、比較例１と同じに位置ズレ評価パターンの電子
線ビーム露光（２０ｋｅＶ）を行い、旧ＢＫを用いてレ
ジスト層の現像（１分）を行って位置ズレ評価パターン
を形成した。位置ズレは生じなかった。
線ビーム露光（２０ｋｅＶ）を行い、旧ＢＫを用いてレ
ジスト層の現像（１分）を行って位置ズレ評価パターン
を形成した。位置ズレは生じなかった。
尖施土工
実施例６と同じにＰＭＭＡを２、ＯＩ！ｍＷ−さに塗布
し、１７０°Ｃにて２０分間プリベークしてレジスト層
上リカーサ−とトリアリルサルフォニウム塩とを７容か
したモノクロルベンゼン溶液）夜をレジスト層上に５０
ｎｍ厚さに塗布し、１７０°Ｃにて２０分間ベータし、
Ｘｅ−Ｈｇランプからの紫外線（２５４ｎｍ）をＡｒ雰
囲気下で５分間照射して、導電性層を形成した。
し、１７０°Ｃにて２０分間プリベークしてレジスト層
上リカーサ−とトリアリルサルフォニウム塩とを７容か
したモノクロルベンゼン溶液）夜をレジスト層上に５０
ｎｍ厚さに塗布し、１７０°Ｃにて２０分間ベータし、
Ｘｅ−Ｈｇランプからの紫外線（２５４ｎｍ）をＡｒ雰
囲気下で５分間照射して、導電性層を形成した。
そして、比較例１と同じに位置ズレ評価パターンの電子
線ビーム露光（２０ｋｅＶ）を行い、旧ＢＫを用いてレ
ジスト層の現像（１分）を行って位置ズレ評価パターン
を形成した。位置ズレは生じなかった。
線ビーム露光（２０ｋｅＶ）を行い、旧ＢＫを用いてレ
ジスト層の現像（１分）を行って位置ズレ評価パターン
を形成した。位置ズレは生じなかった。
実施例６および７のようにレジスト層上に本発明にした
がって導電性層を形成することで位置ズレを防止するこ
とができる。
がって導電性層を形成することで位置ズレを防止するこ
とができる。
本発明によれば、可溶性導電性ポリマープリカーサ−も
しくは可溶性共役系導電性ポリマーにフォトアシンドジ
エネレーターを添加したものを、レジスト層上に塗布す
るかまたは二層構造レジストの下層とし、電子線ビーム
露光の前には紫外線照射することによって電子線ビーム
露光の際には電荷蓄積のない導電性層とすることができ
る。したがって、高精度の微細パターンを再現性良く形
成することができる。また、紫外線照射前での保存安定
性に優れ、長期保存後の使用時にも再現性が良い。
しくは可溶性共役系導電性ポリマーにフォトアシンドジ
エネレーターを添加したものを、レジスト層上に塗布す
るかまたは二層構造レジストの下層とし、電子線ビーム
露光の前には紫外線照射することによって電子線ビーム
露光の際には電荷蓄積のない導電性層とすることができ
る。したがって、高精度の微細パターンを再現性良く形
成することができる。また、紫外線照射前での保存安定
性に優れ、長期保存後の使用時にも再現性が良い。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、電子線レジストパターン形成時の帯電防止用導電性
層を形成する方法において、レジスト層の上にフォトア
シッドジェネレータ添加の可溶性導電性ポリマープリカ
ーサーもしくはフォトアシッドジェネレータ添加の可溶
性共役系導電性ポリマーの層を形成し、そして電子線露
光前に紫外線照射を行って前記導電性層とすることを特
徴とする導電性層の形成方法。 ２、電子線レジストパターン形成時の帯電防止用導電性
層を形成する方法において、二層レジスト構造の下層レ
ジスト層をフォトアシッドジェネレータ添加の可溶性導
電性ポリマープリカーサーもしくはフォトアシッドジェ
ネレータ添加の可溶性共役系導電性ポリマーで形成し、
上層レジスト層形成前に紫外線照射を行って前記導電性
層とすることを特徴とする導電性層の形成方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63256022A JPH02103547A (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | 導電性層の形成方法 |
| US07/420,427 US5019485A (en) | 1988-10-13 | 1989-10-12 | Process of using an electrically conductive layer-providing composition for formation of resist patterns |
| KR1019890014666A KR930006125B1 (ko) | 1988-10-13 | 1989-10-13 | 레지스트 패턴들을 형성하기 위한 전기 도전층 조성물 및 공정 |
| EP19890402847 EP0364368A3 (en) | 1988-10-13 | 1989-10-13 | Electrically conductive layer-providing composition and process for formation of resist patterns |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63256022A JPH02103547A (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | 導電性層の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02103547A true JPH02103547A (ja) | 1990-04-16 |
Family
ID=17286828
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63256022A Pending JPH02103547A (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | 導電性層の形成方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5019485A (ja) |
| EP (1) | EP0364368A3 (ja) |
| JP (1) | JPH02103547A (ja) |
| KR (1) | KR930006125B1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8313892B2 (en) | 2004-06-09 | 2012-11-20 | Fujitsu Limited | Multi-layer body, method for forming resist pattern, method for manufacturing device having pattern by fine processing and electronic device |
| WO2014006821A1 (ja) * | 2012-07-02 | 2014-01-09 | 信越ポリマー株式会社 | 導電性高分子組成物、該組成物より得られる帯電防止膜が設けられた被覆品、及び前記組成物を用いたパターン形成方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6331356B1 (en) * | 1989-05-26 | 2001-12-18 | International Business Machines Corporation | Patterns of electrically conducting polymers and their application as electrodes or electrical contacts |
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| JP2586692B2 (ja) * | 1990-05-24 | 1997-03-05 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成材料およびパターン形成方法 |
| JP3019506B2 (ja) * | 1991-08-13 | 2000-03-13 | 東レ株式会社 | 二層構造感放射線性レジストおよびその製造方法 |
| JPH05226238A (ja) * | 1991-10-31 | 1993-09-03 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | Ｅ−ビームレジスト用の塩基現像可能な放電トップ層 |
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| EP0615257B1 (en) * | 1993-03-09 | 1999-06-02 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of manufactoring a laminated structure of a metal layer on a conductive polymer layer |
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| US6586158B2 (en) | 2001-05-25 | 2003-07-01 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Anti-charging layer for beam lithography and mask fabrication |
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| JPS54116883A (en) * | 1978-03-02 | 1979-09-11 | Mitsubishi Electric Corp | Electron beam exposure method |
| JPS56114323A (en) * | 1980-02-15 | 1981-09-08 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Method for electron beam lighography |
| JPS56125834A (en) * | 1980-03-07 | 1981-10-02 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Exposing method for electron beam |
| JPS56125833A (en) * | 1980-03-07 | 1981-10-02 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Exposing method for electron beam |
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1988
- 1988-10-13 JP JP63256022A patent/JPH02103547A/ja active Pending
-
1989
- 1989-10-12 US US07/420,427 patent/US5019485A/en not_active Expired - Fee Related
- 1989-10-13 KR KR1019890014666A patent/KR930006125B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1989-10-13 EP EP19890402847 patent/EP0364368A3/en not_active Withdrawn
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| EP0364368A3 (en) | 1991-10-02 |
| US5019485A (en) | 1991-05-28 |
| EP0364368A2 (en) | 1990-04-18 |
| KR900007071A (ko) | 1990-05-09 |
| KR930006125B1 (ko) | 1993-07-07 |
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