KR930006125B1 - 레지스트 패턴들을 형성하기 위한 전기 도전층 조성물 및 공정 - Google Patents

레지스트 패턴들을 형성하기 위한 전기 도전층 조성물 및 공정 Download PDF

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Abstract

내용 없음.

Description

레지스트 패턴들을 형성하기 위한 전기 도전층 조성물 및 공정
제1a와 b도는 종래의 EB 리소그래픽(lithographic) 공정에서의 레지스트 패턴의 미스어라인먼트(misalig㎚ent)를 나타내는 평면도.
제2a 내지 e도는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 EB 레지스트 패턴의 형성을 연속적으로 나타내는 단면도.
제3a 내지 g도는 본 발명의 다른 바람직한 실시예에 따른 EB 레지스트 패턴의 형성을 연속적으로 나타내는 단면도.
본 발명은 전자비임 리소그래픽 공정에 관한 것으로, 특히 전자비임 리소그래픽 공정에서의 전자비임 레지스트 패턴을 형성하기에 적당한 전기 도전층 조성물 및 전기 도전층 조성물을 사응하는 레지스트 패턴의 형성 공정에 관한 것이다. 본 발명은 대규모 집적(LSI)회로, 초대규모 집적 (VLSI)회로 및 보블(bubble)메모리장치 등의 반도체 제조에 유용하게 사용될 수 있다.
일반적으로 LSI,VLSI 및 다른 반도체장치의 제조중 소자들에 대하여 요구되는 고밀도와 고집적화의 관점에서 전자비임은 진자비임(EB) 리소그래픽 공정에서 노광원으로서 사용되고, 실리콘 함유 레지스트가 사용되는 것과 같이 자외선 X-레이 및 EB 리소그래픽 공정에 적당한 다수의 레지스트 물질등의 증래의 방사공정 대신에 현재 널리 사용된다. 이 EB 리소그래픽 공정에서 레지스튼층의 표면은 기록되어야 할 영상의 소정의 패턴에 따라 전자비임과 함께 연속적으로 주사된다. 불행히도 EB를 주사하거나 패턴화하는 동안에 새로 주사되어야 할 장소는 그곳에 근접하여 노출된 장소에 전하를 축적하므로써 나쁜 영향을 받는다. 즉, 노출된 장소가 EB 공정에 의하여 충전되기 때문에 그것레 의하여 발생된 전계는 근접한 새로운 장소에 지시된 주사비임에 따라 영향을 받는다. 특히, 주사비임은 전계에 의하여 영향받고 왜곡되며, 따라서 레지스트층에 잠상(潛像)으로써 기록왼 비임의 노광패턴이 미스어라인된다. 제1a와 b도는 이동된 레지스트 패턴의 형성을 설명한다. 여기서 1a도는 그의 기판위에 형성된 EB 레지스트 패턴을 가지는 반도체장치의 평면도이다. 제1a도에서 기판 1은 그위에 제조된 두개의 회로소자 3과 4 및 다음 제조단계에서 사용되는 EB 레지스트의 패턴 2를 갖는다. 해치된 영역은 기판 표면의 노출된 표면을 나타낸다. 설명된 EB 레지스트 패턴은 만약 레지스트층의 대전이 EB를 주사하는 동안 발생되지 않으면 제소될 것이나 상술된 바와 같이 실용적인 면에서 이 레지스트층의 대전은 불가피하고, 그러므로 제1b도에 설명된 바와 같이 레지스트의 미스어라인된 패턴 5가 기판 1의 표면에 제조된다. 분명히 미스어라인된 레지스트 패턴을 가지는 반도체장치 물질은 상업상 알맞지 않은 장치의 제조와 보다 낮은 전계 및 제조비용의 릉가를 퍼하기 위하여 제거되어야만 한다. 그러므로, 노광 패턴의 미스어라인먼트의 상술된 문제점을 가지지 않는 개선된 EB 리소그래픽 공정이 필요하다.
다수의 특허출원들은 상기 문제점이 층 또는 도포가 레지스트층에 축적된 전하를 효과적으로 방전시키거나 소비시키는 그러한 전기 도전층 또는 도포를 사용가므로써 해결될 수 있다는 것을 지시하고 있다. 더욱이, 이들 출원들은 전기 도전층이 예를들면, 진공증착금속 또는 전기 도전무기물, 또는 중합물함유 금속, 전기 도전무기물의 도포, 계면활성제, 전하이동제 또는 복합물, 또는 그안에 분산된 관련물질 등을 포함하는 종래의 어떠한 막 형성방법으로도 형성될 수 있다는 것을 지시하고 있다. 상기 기술을 나타내는 대표적인 특허출원이 다음과 같다.
(1) 일본 미심사 특개소 54-43681
이 특개소는 노광방법에 관한 것으로 EB 레지스트막 위에 축적된 전자들이 탄소박막을 통하여 방전되는 용도를 나타낸다. EB 패턴화가 완성된 후에 탄소층은 EB 레지스트막을 위한 현상액인 메틸이소부틸케론에 의해 제거된다.
(2) 일본 특개소 54-l16883
이 특개소 EB 노광방법에 관한 것으로 EB 공정동안 발생사는 일반적인 정전 축적을 피함으로써 노광 정밀도를 개선하기 위한 EB 레지스트막 위의 알루미늄 등의 도전막의 진공증착을 나타낸다. 도전막은 0.1NNaOH 용액을 사용하므로써 제거된다.
(3) 일본 특개소 56-l14323
이 특개소는 EB 리소그래픽 방법에 관한 것으로 레지스트막에 도전성을 전달하고, 그것에 의하여 전술된 충전이 방지되는 염화금속 또는 복합염에서 그안에 증착되는 EB 레지스트막을 가지는 기관의 침지를 나타낸다.
(4) 일본 특개소 56-125833
이 특개소는 EB 노광방법에 관한 것으로 절연물질 위에서 그안에 분산된 탄소등의 도전 미분말을 함유하는 EB 레지스트의 용도를 나타낸다. EB가 레지스트막 위에 패턴-주사되면, 레지스트막의 대전과 EB 패턴의 뒤틀림이 방지될 수 있기 때문에 매우 정밀한 레지스트 패턴이 형성될 수 있다.
(5) 일본 특개소 56-125834
이 특개소는 EB 노장방법에 관한 것으로 EB 노광동안 EB 레지스트막의 대전을 방지하기 위한 EB 레지스트막과 절연물 사이의 도전 글라스막의 삽입을 나타낸다.
(6) 일본 특개소 58-54633
이 특개소는 EB의 백스캐터링에 의하여 야기된 포깅(fogging)을 줄이기 위하여 진공 증착된 Pt층 등의 고밀도 도전막이 EB 레지스트층과 제조된 기판층 사이에 끼워지는 미세한 제조법에 관한 것이다.
(7) 일본 특개소 58-136029
이 특개소는 EB가 노광된 다음의 대전을 방지하는 패턴형성 공정에 관한 것으로, 체개의 층으로 된 레지스트 구조(즉, 유기 중합체층, 중간층 힌 EB 레지스트층)에서 켈코겐화 글라스로 이루어지는 중간층의 용도를 나타낸다.
(8) 일본 특개소 59-93441
이 특개소는 EB 노광 동안에 대전을 랑지하기에 충분히 낮은 저체적 저항률(100-100Ωcm)를 가지는 EB 레지스트 물질에 관한 것으로 페릴렌 할로겐화물등의 전하 이동형 화합물에 할소겐-테트라시아노-에틸렌을 추가하는 것을 나타낸다.
(9) 일본 특개소 59-104126
이 특개소는 네개의 층으로 된 레지스트 구조(즉, 수지레지스트층, 무기물층, 도전층 및 EB 레지스트층)를 사용하는 패턴화 방법에 관한 것이다. 도전층은 무기층과 같은 실리콘 산화층 위에 약 0.01㎛의 두께로 몰립덴을 살포하므로써 형성된다 도전층의 존재차 EB 패턴의 미스어라인먼트를 효과적으로 방지한다.
(10) 일본 특개소 59-132124
이 특개소는 EB 노광 동안에 EB 레지스트층의 대전을 방지하기 위하여 도전폴리실리콘층이 EB 레지스트층과 절연층 사이에 끼워지는 반도체장치를 위한 제조 공정에 관한 것이다.
(11) 일본 특개소 63-181428
이 특개소는 EB 레지스트층의 대전을 방지하기 위하여 탄소의 미세한 입자와 돈핑된 폴리비닐 알콜의 박막등의 도전층이 EB 레지스트층과 실리콘 기판 사이에 끼워지는 여러층으로 된 레치스트 공젱에서 레지스트 패턴들을 형성하기 위한 공정에 관한 것이다.
(12) 일본 특개소 63-204724
이 특개소는 Si 박막을 사용귀지 않는 대전으로부터 보다 낮은 레지스트층을 방지하기 위하여 암모늠 폴리스티렌 술폰산염의 층과 같이 분명하게 충전된 라디칼과 폴리스티렌 술폰산의 음이온 라디칼의 염으로 이루어지는 폴리머 박막이 실리큰 기판 뀌에 도포되는 여러층으로 된 레지스트 공정에서 레지스트 패턴들을 형성하기 위한 공정에 관한 것이다.
(13) 일본 특개소 63-254728
이 특개소는 정밀한 패턴을 가지는 레지스트 패턴을 얻기 위하여 EB 레지스트층과 같은 암모늄 폴리스티렌 술폰 산업이 반절연 Ga 기판 위에 형성되는 EB 레지스트 패턴들을 형성하기 위한 공정에 관한 것이다.
(14) 일본 특개소 63-254729
이 특개소는 뒤틀림없이 레지스트 패턴을 얻기 위하여 암모늄 폴리스터렌 술폰 산업의 얇은 도전막과 폴리메틸메타 아크릴레이트의 EB 레지스트막이 반절연 GaAs 기판위에 형성되는 EB 레지스트 패턴들을 형성하기 위한 공정에 관한 것이다.
이들 일본 특개소들 가운데 일본 특개소 63-254728과 63-254729가 본 출원의 기본일본출원의 출원날짜(1988년 10월 13일)후에 일본에 공보되었고 단지 참고로 여기에 언급된다.
그럼에도 불구하고 진공 증착 또는 스퍼터링 방법이 특별한 장치를 요구하기 때문에, 이클 일본 특개소의 각각에서 제안된 도전층의 형성에서 문제점이 발생되며 따라서 좀더 간단한 헝성공정과 방법의 사용을 피하는 것이 바람직하다. 더욱이, 그안에 분산된 금속 또는 도전무기물 등의 곤전물질을 가지는 폴리머 물질이 도전층의 형성에 사용되면, 얻어진 층은 층형성을 불충분하게 하고 층의 특성을 빈약하게 한다. 예를들면 분산된 도전물질의 작은 입자는 레지스트층의 표면위에 남아 있고 정밀하고 우수한 레지스트 패턴의 형성을 방해한다. 더욱이, 계면활성제 또는 전하 이동제가 도전물질로서 사용되면 정전방지 기능이 에이징 또는 환경조건, 예를들면 온도와 습도등의 여러가지 요인클게 의하여 현저히 감소되기 때문에 그의 정전방지 기능의 형저한 감소가 발생된다. 분명히 EB 리소그래픽 공정에서 사용하기 위한 종래의 도전층이 공정의 동작성, 층의 형성력 및 축전 안정성에서 심각한 문제점들에 직면하게 된다.
그러므로, 본 발명의 목적은 우수한 축전 안정성을 가지며 EB 리소그래픽 공정에 사용된 전기 도전층의 형성에 특히 적당한 조성물을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 다른 목적은 종래의 도전층의 문제점이 제거된 EB 레지스트 패턴들을 형성하기 위한 공정을 제공하기 위한 것이다. 레지스트 형성 공정에서 도전층은 우수한 제조성과 재생산력의 특성을 가지며 결과적인 레지스트 패턴이 미스어라이먼트가 없어야 하고, 진공증착 또는 스퍼터링장치 등의 복잡한 장치를 사용하지 않고도 쉽게 제조될 수 있어야 한다.
발명자들은 본 발명의 목적들이 도전층에 근접하게 위치한 EB 레지스트층과 협력하여 특별한 도전성 또는 반도전성 중합체 또는 그의 비도전성 전구체 및 자외선 노광에 민감한 광-산 생성물(photo-acidgenerator)로 이루어지는 도전층을 사용하므로써 얻어질 수 있다는 것을 발견하였다
본 발명의 하나의 관점에서 용매들의 우수한 용해도를 가지는 도전성 또는 반도전성 중합체나 그의 비도전성 전구체 및 300㎚ 이하의 파장을 가지는 자외선에 노광시, 양성자산을 방출하고, 중합체에 양성자를 도핑시키므로써 전자비임 리소그래픽 공정동안 그곳에 근접한 하나 이상의 층 또는 전기 도전층에 축적된 전하의 방전을 발생시키기에 충분한 레벨로 중합체 전기도전성을 증가시키는 광-산 생성물로. 이루어지는 전기 도전층 조성물이 제공된다.
본 발명의 다른 관점에서, 용매들의 운수한 용해도를 가지는 도전성 또는 반도전성 중합체나 그의 비도전성 전구체 및 300㎚ 미하의 파장을 가지는 자외선에 노광시 양성자산을 방출하고, 중합체의 양성자 도핑을 발생시키므로써 건자비임 레지스트 구조의 선택된 층위치에서 전자비임 리소그래픽 공정으로 그곳에 근접한 하나 이상의 층 또는 전기 도전층페 축적된 전하의 방전을 발생시키기에 충분한 레벨로 중합체의 전기도전성을 증가시키는 광-산 생성물로 이루어지는 조성물로부터 전기 도전층을 형성하고, 그의 중합체의 도전성을 증가시키기 위하여 자외선에 전기 도전층을 노출시키고, 레지스트층에 근접한 전기 도전층의 존재로 전자비임에 전자비임-센스티브 레지스트층을 패턴형으로 노출시키는 단계로 이루어지는 전자비임 리소그래픽 공정에 의하여 레지스트 패턴을 형성하기 위한 공정이 제공된다.
아래에 상세히 서술되는 바와 같이 용매-가용성, 도전성 또는 반도전성 중합체나 그것과 결합되어 광-산 생성물을 가지는 그의 비도전성 전구체가 300㎚ 이하의 파장을 가지는 자외선에 노출되면, 중합체의 양성자 도핑을 광-산 생성물로부터의 양성자산의 발생결과로서 수행될 수 있다. 양성자 도핑은 EB 노광동안 레지스트층에 축적된 전하의 효과적인 방전 또는 소비를 발생시키기 위하여 보다 높은 값으로 중합체의 전기도전성을 증가시킨다. 적당한 전기도전성이 그의 베이킹 또는 비슷한 처리에 따라 전구체로 주어지며, 사용된 자외선은 바람직하게는 약 200 내지 300㎚의 파장을 가지는 자외선이다.
추가로 놀랍게도 중합체나 전구체 및 광-산 생성물의 조합이 자외선에 노출되는 한 오랜시간 동안 매우 안정하고, 자외선에 노출된 후의 축적된 조합은 조합후의 새로운 조합의 그것과 비교할때 증가된 도전성을 나타낸다.
본 발명에 따라 EB 노광동안 레지스트층에 전하가 축적되는 것으로부터 방해받지 않는 도전층이 높은 신뢰도로써 제조될 수 있으며 그러므로, 높은 정밀도와 우수한 특성을 가지는 EB 레지스트 패턴이 높은 재생력으로써 제조될 수 있다. 본 발명의 다른 장점들이 아래에 좀더 서술될 것이다.
본 발명의 실용적인 면에서 매트릭스 중합체로서 사용된 도전성 또는 반도전성 중합체가 대용 아세틸렌 중합체들, 아세틸렌 공중합체들 및 아크릴로니트릴 중합체들로 이루어지는 그릅으로부터 바람직하게 선택된 접합 중합체이다. 상기 그릅에 속하은 중합체들의 광범위한 변화가 사용될 수 있으나 가장 바람직하게는 폴리-2-아세틸렌의 블록공중합체 및 폴리아크릴로니트릴이 사용된다. 여기서 사용된 "중합체"란 말은 중합체, 테르중합체를 포함하는 공중합체 및 중합체의 다른 형태를 의미한다.
더욱이 중합체와 결합하여 또는 단독으로 사용된 상술된 중합체듸 전구체가 바람직하게는 다음의 화학식과 같다.
Figure kpo00002
여기서, R1과 R2는 하나 이상의 할로겐 원자들로 대치되거나 대치되지 않는 저알킬그룹을 각각 나타내고 동일하거나 다를 수 있다. 또는 R,과 Ra의 결합은 방향족 링을 완성하기 위해 필요한 원자를 나타낸다.
Ra,R1및 R2는 저알킬 그룹을 각각 나타내고 동일하거나 다를 수 있다.
X는 할로겐 원자를 나타내고, n은 100,000 이하의 분자량을 얻기 위해 필요한 중합도를 표시한다.
본 발명에 유용한 전구체의 대표적인 예가 예를들면
Figure kpo00003
Figure kpo00004
을 포함한다.
여기서, Et는 에틸그룹을 나타내고, n은 100,000 이하의 분자량을 얻기 위해 필요한 중합도이다
이들 중합체들과 전구체들에 추가로 폴리 β-디케론, 폴리 α-클로로아크릴로니트릴 또는 도전성을 가지지 않는 폴리클로로프렌 등의 다른 중합체들이 원한다면 적절히 사용될 수 있다. 발명자들은 이들 중합체들이 아직 알려지지 않은 이유 때문에 자외선에 노광시 증가된 도전성을 가진다는 것을 고려하였다.
"PAG"로서 때때로 서술된 광-산 생성물이 바람직하게
Figure kpo00005
의 화학식을 갖는 트리아릴술폰산염.
여기서, Ar은 대치되거나 대치되지 않은 방향족 그룹을 나타내는 동일하거나 다를 수 있다.
Y는 BF4, SbF6, PF6또는 AsF6을 나타낸다.
또는
Figure kpo00006
의 화학식을 갖는 디아릴이오도늄염인 도전층 조성물을 형싱하기 위하여 매트릭스 중합체와 결합하여 사용된다.
여기서, Ar과 Y는 위에서 겅의된 바와 같다.
광-산 생성물로 사용된 양은 생성물 형태 또는 바람직한 결과 등의 여러가지 요인즐에 따라 널리 변화될 수 있고, 도조액으도서 조성물의 0.05 레지 2.0몰 단위리터의 양이 적당하다.
전기 도전층 화합물이 종래의 어떤 방법으로도 제조될 수 있으나 바람직하게는 도포액을 제조하기 위하여 유기용매 등의 선택된 용매에 매트릭스 중합체, 광-산 생성문 및 필요하다면 첨가불들을 용해하므로써 제조된다. 이렇게 얻어진 도포액은 반-제조된 반도체방치, 바람직하게는 자른 적절한 적용수단이 사용될지라도 스핀코터 (coater), 딥(dip) 코터 또츤 롤러 코터등의 도포장치를 사용하므로써 적절한 어떠한 층 위치에 도 적용될 수 있다. 전기 도언층의 가장 우수한 효과를 얻기 위하여 도포액디 바람직하게는 EB 레지스트층에 근접한 위치에 적용된다. 본 발명은,이러한 층이 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 한 그들 사이의 중간층의 삽입을 포함하지 않는다.
더욱이, 전기 도전층은 바람직하게는 기반층 또는 회로소자 위의 조성물의 도포액 또는 도포에 의하여 그다음 기반층 또는 회로소자 위의 광-산 생성물의 용액과 매트릭스 중합체의 응액에 의하여 반-제조된 장치에 적용될 수 있다.
상술된 바와 같이, 본 발명의 EB 리소그래픽 공정에 적절히 적응될 수 있으며, 종래에 알려진 어떠한 EB 레지스트들로 본 발명의 공정에 사용될 수 있다.
본 발명의 패턴형성 공정이 두개의 층으로 된 레지스트 공정 또는 세개의 층으로 된 레지스트 공정등의 단일층 레지스트 공정 또는 여러층으로 된 레지스트 공정에 의하여 수행될 수 있다. 여러층으로 된 레지스트 도포가 전자비임의 스캐터링과 패턴화하는데 있어서의 악영향이 근접한 결과를 효과적으로 감소시키기 때문에, 여러층으로 된 레지스트 공정이 불균일한 기판 위에 우수한 패턴을 형성하는데 유용하다. 전자비임 리소그래픽에 있어 단일층 레지스트와 두개의 층으로 된 레지스트 공정들 사이의 차이점이 제2도와 3도에 의거하여 아래에 서술될 것이다. 비록 네가티브-워킹 레지스트의 사용이 제2도와 3도에 의거하여 서술될 지라도 포지티브-워킹 레지스트카 만족스러운 결과로써 본 발명의 공정에 또한 사용될 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시예에서 단일층 레지스트 공정이 적용되며, 전기 도전층은 단일 EB 레지스트층위를 오버코팅하므로서 형성된다. 실시예에서 패턴 형성공정은 바람직하게 기반층 위에 전자비임 레지스트의 층을 형성하고, 전자비임 레지스트층 뉘에 전기 도전층을 또 형성하고, 자외선에 전기 도전층을 노출시키고, 전기 도전출을 통하여 전자비임에 전자비임 레지스트층을 패턴형으로 노출시키고, 현상액으로 노출된 레지스트층을 현상하는 단계들로 이루어진다.
단일층 레지스트 공정을 사용하근 상긴 패턴 형성공정은 제2a 내지 e도에 도시한 바와 같이 실행될 수 있다.
첫째로, 제2a도에 도시한 바와 같이 네가티브-워킹형태의 EB 레지스트층 12는 기판 11 위에 형성된다. 그다음 제2b도에 도시한 바촤 같이 전기 도전층 13은 레지스트층 12 위에 코팅되었다. 도전층 13은 본 발명의 도전층 조성의 용액으로부터 형성될 수 있다. 도전층 13을 형성한 후에 층 13은 제2c도에 화살표로 표시된 가와 같이 양성자산을 방출신키기 위하여 자외선으로 조사(照射)하였다. 층 13의 도전성은 EB 노출시에 레지츠트층의 축적된 전하의 방전을 일으키기에 충분한 레벨까지 증가하였다. 그다음, 제2d도에 도시한 바와 같이 레지스트층 12는 전자비임(e-)의 패턴으로 도전층 33을 통하여 조사되었고, 이 EB 패턴의 결과로서 레지스트층의 노출영역 14는 교차결합이므로 순차적인 현상단계로 사용된 현상액에 용해되지 않는다. 패턴형 노출 레피스트층은 노출되지 않은 레지스트층과 그 위에 코팅된 도전층을 제거하기 위해 현상액으로 현상시켰다. 제2e도에 도시한 바와 같이 미스어라인먼트 패턴을 가지지 않은 미세한 EB 레지스트 패던 14가 얻어졌다. 레지스트 패턴 14는 기판 11이 에칭되었을때 마스크로서 사용된다.
본 발명의 바람직한 다른 실시예에서 2개의 층으로 된 레지스트 공정이 채택되었고, 전기 도전층이 하부 레지스트층으로서 헝성되었다. 즉, 2개의 층으로 된 레지스트 구조의 하부층 또는 레벨층은 본 발명의 도전층으로서 또한 제공될 수 띤다. 이 실시예에서, 패턴 헝성공정은 하부 레지스트층으로서의 전기 도전층의 형성과, 자외선에 전기 도전층을 노출과, 전기 도전층 위의 상분 레지스트층으로서 전자비임 레지스트의 층의 형성과, 전자비임으로 전자비임 레지스트층의 패턴형 노출과, 현상액으로 노출 레지스트층좌 현상 및, 전기 도전층에 레지스트층의 패턱을 이동시키는 바스크로써 쳔상된 레지스트층을 통한 전기 도전층의 건조 에칭의 단계로 이루어졌다.
2개의 층으로 된 레지스트 공정을 사용하는 상기 패턴 형겅공정은 제3a 내지 g도에 도시한 바와같이 실행될 수 있다.
첫째, 제3a도에 도시한 바와같이 하부 레지스트층 또는 레벨층 22(본 발명의 전기 도전층으로 또한 제공)는 기판 21위에 형성되고, 제3b도에 도시한 바와같이 하부 레지스트층 22는 양성자산을 방출시키기 위하여 자외선(화살표로 나타냄)으로 조사하였다. 방출된 양성자산의 기능은 제2c도(단일층 레지스트 공정)의 참조로 설명하였다. 자외선 노출후에 제3c도에 도시한 바와같이 네가티브 워킹 형태의 상부 레지스트층 또는 EB레지스트층 23은 2개의 층으로 된 레지스트 구조를 완성시키기 위해 하부 레지스트층 22위에 코팅되었다. EB레지스트 층 23은 22보다 얇다. 상부 레지스트층 23은 제3d도에 도시한 바와같이 전자비임(e-)의 패턴으로 조사되었다. 전자비임은 높은 도전성을 갖는 하부 레지스트층 22의 존재 때문에 찌그러지지 않고, 도시된 바와같이 상부 레지스트층의 노출된 층 24는 EB레지스트의 교차결합이므로 현상액으로 용해되지 않는다. EB패턴을 완성한 후에 노출된 상부 레지스트층은 제3e도에 도시한 바와같이 그것의 노출되지 않은 영역을 제거하기 위하여 현상액으로 현상되었고, 상부 레지스트층의 패턴 다음에 제3f도에 도시한 바와같이 상부 레지스트층의 패턴 24는 마스크로서 패턴형 레지스트 24를 통하여 총 22를 건조 에칭함으로써 밑에 있는 하부 레지스트층 22로 이동된다. 하부 레지스트층의 결과 패턴 22는 제3g도에 도시한 바와같이 미스어라인 되지 않았다.
비록 도시하지 않았지만 제2도와 제3도의 공정에서 양성반응을 하는 레지스트를 사용하는 패턴 형성은 기술에 능숙한 사람에게 쉽게 이해될 것이다.
본 발명은 다음의 실험 실시예와 비교실시예에 의거하여 설명될 것이다.
[실시예 1]
이것은 비교 실시예이다.
노블랙 포토레지스트의 용액(도쿄오키회사 "OFPR-800")은 실리콘기판 또는 웨이퍼에 2.01㎛의 두께로 스판 도포하였고, 20분 동안 200℃에서 구웠다. 따라서 하부 레지스트층이 형성되었다. 폴리메틸실세스큐옥산(PMSS)액은 하부 레지스트층에 0.2㎛ 두제로 스판 도포하였고, 20분 동안 80℃에서 구웠다. 따라서 상부 레지스트층이 형성되었다. EB패턴의 미스어라인먼트를 평가하기 위하껴 상부 레지스트층은 2000Kev의 가속으로 EB의 소정의 버니어(Vernier) 패턴에 노출되었고, 노출된 레지스트층은 20초 동안 메틸 이소부틸케톤(MIBK)을 분산시킴으로써 현상되었다. 따라서 레지스트층의 노출되지 않은 영역이 제거되었다. 이 현상 위에, 실리콘 기판은 30초 동안 이소프로필 알코올(IPA)로 씻어낸다. 결과의 EB 레지스트 패턴의 측정은 0.4㎛의 패턴 미스어라인먼트가 발생함을 나타낸다.
[실시예 2]
이것이 비교실시예이다.
언급한 실시예 1의 절차는 노블랙 포토레지스트가 폴리아크릴 토니트릴에 위해 대치되는 것을 제외하고는 반복된다. 결과의 EB 레지스트 패턴의 측정은 0.2㎛ 패턴의 미스어라인먼트가 발생함을 나타낸다.
[실시예 3]
이것은 비교실시예 이다.
폴리메틸메타그릴레이트(PMMA)액은 살리콘 기판에 2.0㎛의 두께로 스판 도포하였고, 20분 동안 170℃에서 구웠다. 따라서 단일 레지스트층이 헝성되었다. EB패턴의 미스어라인먼트를 평가하기 위하여 레지스트층은 20Kev의 가속으로 EB의 소정의 버니어 패턴에 노출되고, 노출된 레지스트층은 10분 동안 MISK 기판을 담금으로써 현상시켰고, 레지스트층의 노출되지 않은 영역이 제거되었다.
[실시예 4]
실시예 1의 절차는 하부 레지스트층이 다음과 같이 형성되는 것을 제외하고 반복된다.
광-산 생성물 1.0몰/ℓ
Figure kpo00007
SSbF6는 메틸셀로솔브아세테이트(MCA)에 폴리아크트릴로니트릴의 용액을 첨가하였고, 그 결과의 용액은 실리콘 기판에 2.0㎛ 두께로 스판 도포하였고, 질소대기에서 20분동안 250℃에서 구웠다. 따라서 결과의 하부 레지스트층은 아르곤대기에서 5분 동안 Xe-Hg(Xenon-mercury Vapor)램프의 자외선(254㎚)으로 노출된다. 레지스트층은 높은 도전성을 갖는 층의 UV노출에 의해 충전된다.
하부 레지스트층을 형성한 후에 상부 레지스트층의 형성, EB노출, 현상 및 헹굼처리는 실시예 1에서와 같이 실행되었다. 결과의 EB 레지스트 패턴의 측정은 패턴 미스어라인먼트가 발생하지 않음을 나타낸다. 즉, 이 실시예에서 패턴의 미스어라인먼트는 본 발명의 도전층 조성물을 사용함으로써 방치된다. 이것은 실시예 1(0.4㎛의 패턴 미스어라인먼트)과 실시예 2(2.0㎛의 패턴 미스어라인먼트)와는 현저히 다르다.
[실시예 5]
실시예 4의 절차는 실시예 4에서 제조된 포토-산 제너레이터 함유 용액이 실리콘 기판에 코팅되기 전에 6개월 동안 저장되는 것을 제외하고는 반복된다. 결과 EB 레지스트 패턴의 측정은 패턴 미스어라인먼트가 발생하지 않음을 나타낸다. 이것은 UV노출 전에 본 발명의 광-산 생성물 함유용액이 문제없이 장기간 동안 저장될 수 있음을 나타내었다.
[실시예 6]
실시예 1의 절차는 하부 레지스트층이 다음과 같이 형성되는 것을 제외하고는 반복된다.
광-산 생성물 1.0몰/ℓ
Figure kpo00008
SSbF6는 도전 중합체의 선구체로서 모노클로로벤젠에 용해된 폴리 7,8-비스(트리플루오토메틸) 트리시클로(4.2.2.02.5)데카 -3.7,9-트리엔의 용액이 첨가되었다. 선구체는 화학식을 갖는다 :
Figure kpo00009
은 분자량이 10,000이로, J.H. 에드워드 등이 언급한 방법(폴리머, Vol.21, p.595(1980) 및 Vol.25, p.395(1984))에 따라 제조되었다. 결과의 용액은 실리콘 기판에 2.0㎛ 두께로 스판 도포하였고, 질소 대기에서 20분 동안 200℃에서 구웠다. 그 결과의 하부 레지스트층은 아르곤 대기에서 5초 동안 Xe-Hg 램프로부터 자외선(254㎚)으로 노출되었다. UV노출은 높은 도전성을 갖는 층에 충전되는 레지스트층을 야기시킨다.
하부 레지스트층을 형성한 후에 상부 레지스트층의 형성, EB노출, 현상 및 헹굼처리는 실시예 1에서와 같이 실행되었다. 결과의 EB 레지스트 패턴의 측정은 0.15㎛ 영향없는 패턴 미스어라인먼트가 발생하는 것을 나타전다.
[실시예 7]
실시예 6의 절차는 광-산 생성물의 농도가 0.2몰/ℓ로 증가되어 사용될 때를 제외하고는 반복된다. 결과의 EB 레지드트 패턴의 측정은 패턴 미스어라인먼트가 발생하지 않음을 나타낸다.
[실시예 8]
실시예 6의 절차는 광-산 생성물로서의 트리아릴술폰늄 솔트의 0.1몰/ℓ가 디아릴오도늄 솔트의 1.0몰/ℓ
Figure kpo00010
IAsF6로 대치할 수 있는 것을 제외하고는 반복된달. 결과의 EB 레지스트 패턴의 측정은 패턴미스어라인먼트가 발생하지 않음을 나타낸다.
[실시예 9]
실시예 3의 절차는 레지스트층의 형성 및 EB 노출전에 광-산 생성물의 1.0몰/ℓ 용액,
Figure kpo00011
SSbF6를 실시예 6에서 제조된 폴리 7,8-비스(트리플루오로메틸)트리시클로[4.2.2.02.5]데카-3,7,9-트리엔이 첨가하여 모노클로로벤젠에 녹인 용액이 PMMA 레지스트층(2.0㎛ 두께)에 50㎚ 두께로 스판 도포하고, 질소대기에서 20분 동안 170℃에서 굽는 것을 제외하고는 반복된다. 위에 소팅된 층은 그것의 전기 도전층을 만를기 위하여 아르곤 대기에서 5분 동안 Xe-Hg램프로부터 자외선(254㎚)으로 노출되었다.
결과의 EB 레지스트 패턴의 측정은 미스어라인먼트가 발생하지 않음을 나타낸다.
[실시예 10]
실시예 9의 절차는 광-산 생성물의 농도가 0.1몰/ℓ로 감소되는 것을 제외하고는 반복된다. 결과의 EB 레지스트 패턴의 측정믄 패턴 미스어라인먼트가 발생하지 않음을 나타낸다.
[실시예 11]
이것은 비교실시예이다.
실시예 1의 절차는 다음을 제외하고 반복된다.
(1) 노블랙 포토레지스트는 폴리 β-디케톤으로 대치되었고, 그의 코팅은 20분 동안 100℃에서 구워졌다.
(2) 패턴형 EB 노출은 30Kev의 가속으로 만들어졌다.
결과의 EB 레지스트 패턴의 측정은 0.13㎛의 패턴 미스어라인먼트가 발생함을 나타낸다.
[실시예 12]
이것은 비교실시예이다.
실시예 1의 절차는 다음을 제외하고 반복된다.
(1) 노블랙 포토레지스트는 폴리클로로프렌으로 대치되었고, 그의 코팅은 20분 동안 100℃에서 구워졌다.
(2) 패턴형 EB 노출은 30KeV 의 가속으로 만들어졌다.
결과의 EB 레지스트 패턴의 측정은 0.15㎛의 패턴 미스어라인먼트가 발생함을 나타낸다.
[실시예 13]
이것은 비교실시예이다.
실시예 1의 절차는 다음을 제외하고 반복된다.
(1) 노블랙 포토레지스트는 폴지 α-클로로아크릴로니트릴로 대치되었고, 그의 코팅은 20분 동안 100℃에서 구워졌다.
(2) 패턴형 EB 노출은 30Kev의 가속으로 만들어졌다.
결과의 EB 레지스트 패턴의 측정은 0.13㎛의 패턴 미스어라인먼트가 발생함을 나타낸다.
[실시예 14]
실시예 11의 절차는 광-산 생성물
Figure kpo00012
IP6의 1.0몰/ℓ이 폴리 β-디케론의 코팅액에 결합되는 것을 제외하고는 반복된다.
결과의 EB 레지스트 패턴의 측정은 미스어라민먼트가 발생하지 않음을 나타낸다.
[실시예 15]
실시예 12의 절차는 폴리클로로프렌 코팅을 구운후에 실키콘 기판이 메틸셀로솔브에 용해된 광-산 생성물
Figure kpo00013
IFP6의 용액에 침지되고, 5분 동안 100℃에서 구워진 것을 제외하고는 반복된다.
결과의 EB 레지스트 패턴의 측정은 미스어라인먼트가 발생되지 않음을 나타낸다.
[실시예 16]
실시예 13의 절차는 폴리 α-클로로아크릴로니트릴 코팅을 구운후에 실리큰 기판이 메틸셀로솔브에 용해된 포토산 제너레이터 :
Figure kpo00014
IFP6의 용액에 침지되고, 5분 동안 100℃에서 구워진 것을 제외하고는 반복된다.
결과의 EB 레지스트 패턴의 측정은 미스어라인먼트가 발생되지 않음을 나타낸다.

Claims (23)

  1. 300㎚ 이하의 파장을 갖는 자외선에 노출시 전자 비임 리소그래픽 공정에서 거기에 인접한 전구 도전층이나 하나 이상의 층레 축적된 전하의 방전을 일으키기에 충분한 레벨까지 중합체꼭 도전성을 증가시키기 위하여 중합체의 양성자 도핑을 야기시키고, 양성자산을 방출시키는 광-산 생성물과 용매나 그의 비도전 선구체에 좋은 용해도를 갖는 도체 또는 반도체 중합체에 이루어진 전기 도전층 조성물.
  2. 청구범위 제1항에 있어서, 용매 가용성 중합체가 대치된 아세틸렌 중합체, 아세틸렌 공중합체 및 아크릴로트릴 중합체로 이루어진 기로부터 선택된 결합 중합체인 전기 도전층 조성물.
  3. 청구범위 제 1항에 있어서, 용매 가용성 중합체의 선구체가
    Figure kpo00015
    의 화학식을 갖고, 여기서 R1과 R2는 동일하거나 다르며, 하나 이상의 할로겐원자로 대치되거나 대비되지 않는 저알킬기를 각각 나타내고, 또는 R1과 R2는 일괄적으로 생각되면 방향족 환을 완성시키기에 필요한 원자를 나타내며, R3,R4및 R5는 동일하거나 다르며, 각각 저알킬기를 나타내고, X는 할로겐원자를 나타내고, n은 100,000보다 적은 분자량을 제공하기에 필요한 중합 정도를 나타내는 전기 도전층 조성물.
  4. 청구범위 제1항에 있어서, 광-산 생성물이 화학식,
    Figure kpo00016
    의 트리아틸설포늄 솔트이고, 여기서 Ar은 동일하거나 다르며 대치되거나 대치되지 않는 방향족 환을 나타내고, Y는 BF4, SbF6, PF6또는 AsF6를 나타내는 전기 도전층 조성물.
  5. 청구범위 제1항에 있,어서, 광-산 생성물이 화학극 Ar-I+, Y-의 디아릴리오도늄 솔트이고, 여기서 Ar 및 Y는 위에서 규정한 바와같은 전기 도전층 조성물.
  6. 청구범위 제1항에 있어서, 광-산 생성물이 0.05 내지 2.0몰/ℓ의 양으로 사용되는 전기 도전층 조성물.
  7. 청구범위 제1항에 있어서, 전기 도전층이 하부층에 조성물의 용액을 코팅함으로써 제공되는 전기 도전층 조성물.
  8. 청구범위 제1항에 있어서, 전구 도전층이 하부층에 미리 형성된 용해된 용매 중합체와 그의 선구체의 코팅 위에 광-산 생성물의 용액을 코팅함으로써 제공되는 전기 도전층 조성물.
  9. 청구범위 제1항에 있어서, 전기 도전층이 반도체장치의 제조에서 단일층 구조의 전자비임 레지스트 위의 오우버 코우팅으로서 가해지는 전지 도전층 조성물.
  10. 청구범위 제1항에 있어서, 전기 도전층이 반도체장치의 제조에서 2개의 층으로 된 구조의 전자비임 레지스트에 하부 레지스트층으로 가해지는 전기 도전층 조성물.
  11. 300㎚ 이하의 파장을 갖는 자외선에 노출시 전자비임 레지스트 구조의 선택된 층 위치의 전자비임 리소그래픽 공정에서 거기에 인접한 전기 도전층이나 하나 이상의 층에.축적된 전하를 방전시키기에 충분한 레벨까지 중찹체의 도전성을 증가시키기 위해 중합체에 양성자 도핑을 야기시피고, 양성자산을 방출시키는 광-산 생성물과 용매에 좋은 용해도를 갖는 도체 또는 반도체 중합체나 비전도 선구체로 이루어진 조성물에서의 전기 도전층의 형성, 그의 중합체의 도전성의 증가를 일으키기 위하여 자외선에 전기 도전층을 노출, 레지스트층에 인접한 전기 도전층의 존재에 전자비임으로 전자 비임 센서티브 레지스트층의 패턴형 노출의 단계로 이루어진 전자비임 리소그래픽 공정으로 레지스트 패턴을 형성하기 위한 공정.
  12. 청구범위 제11항에 있어서, 용매 가용성 중합체가 대치된 아세틸렌 중합체, 아세틸렌 공중합체 및 아크릴로니트릴로 이루어진 기로부터 선택된 결합 중합체인 공정.
  13. 청구범위 제11항에 있어서, 용매 가용성 중합체의 선구체자 화학식,
    Figure kpo00017
    이고, 여기서 R1과 Ra는 동일하거나 다르며, 하나 이상의 할로겐원자로 대치되거나 대치되지 않는 저알킬기를 나타내고, R1과 R2는 일괄적으로 생각하면 방향즉 환을 완성시키기에 필요한 원자를 나타내고, R3, R4및 R5는 동일하거나 다르며 저 알킬기를 각각 나타내며, X는 할로겐원자를 나타내고, n은 100,000보다 적은 분자량를 얻기에 필요한 중합 정도를 나타내는 공정.
  14. 청구범위 제11항에 있어서, 광-산 생성물이 화학식,
    Figure kpo00018
    의 트리아릴설포늄 솔트이고, 여기서 Ar은 동일하거나 다르며 대치되거나 대치되지 않는 방향족 기을 나타내고, Y는 BF4, SbF6, PF6또는 AsF6를 나타내는 공정.
  15. 청구범위 제11항에 있어서, 광-산 생성물이 0.05 내지 2.0몰/ℓ의 양으로 사용되는 공정.
  16. 청구범위 제11항에 있어서, 전기 도전층이 하부층 위에 조성물의 용액을 코팅함으로써 제공되는 공정.
  17. 청구범위 제11항에 있어서, 전기 도전층이 하부층 위에 미리 형성된 용매 가용성 중합체나 그의 선구체의 코팅에 광-산 생성물의 용액을 코팅함으로써 제공되는 공정.
  18. 청구범위 제11항에 있어서, 전기 도전층이 단일층 구조의 전자비팀 레지스트 위의 오버코팅으로 형성 되는 공정.
  19. 청구범위 제19항에 있어서, 하부 층위의 전자비임 레지스트의 층형성, 전자비임 레지스트층 위의 전자 도전층의 형성, 자외선에 전기 도전층을 노출, 전자비임으로 인하여 전기 도전층을 통하는 전자비임 레지스트의 패턴형 노출, 현상액으로 노출된 레지스트층의 현상의 단계로 이루어진 공정.
  20. 청구범위 제11항에 있어서, 전기 도전층이 2개의 층으로 된 구조의 전자비임 레지스트의 하부 레지스트층으로 헝성되는 공정.
  21. 청구범위 제21항에 있어서, 밑에 있는 층, 하부 레지스트층으로서의 전기 도전층으로 형성, 자외선에 전기 도전층을 노출, 전기 도전층 위,상부 레지스트층으로서의 전자피임 레지스트층의 형성, 전자비임으로 인한 전자비임 레지스트층의 패턴형 노출, 현상액으로 노출된 레지스트층의 현상, 전기 도전층에 레지스트층의 패턴을 이동시키는 마스크로서 현상된 레지스트층을 통하는 전기도전층의 건조 에칭의 단계로 이루어진 공정.
  22. 청구범위 제11항에 있어서, 이 공정이 반도체장치의 제조에 사용되는 공정.
  23. 청구범위 제23항에 있어서, 하부층이 반도체장치의 일부를 형성하는 마스크로서 패턴으로된 레지스트층을 통하여 에칭되는 공정.
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Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6331356B1 (en) * 1989-05-26 2001-12-18 International Business Machines Corporation Patterns of electrically conducting polymers and their application as electrodes or electrical contacts
US5252430A (en) * 1989-10-25 1993-10-12 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Fine pattern forming method
JP2586692B2 (ja) * 1990-05-24 1997-03-05 松下電器産業株式会社 パターン形成材料およびパターン形成方法
JP3019506B2 (ja) * 1991-08-13 2000-03-13 東レ株式会社 二層構造感放射線性レジストおよびその製造方法
JPH05226238A (ja) * 1991-10-31 1993-09-03 Internatl Business Mach Corp <Ibm> Ｅ−ビームレジスト用の塩基現像可能な放電トップ層
US5654354A (en) * 1991-11-14 1997-08-05 E. I. Du Pont De Nemours And Company Compositions for diffusion patterning
JPH05343308A (ja) * 1992-06-09 1993-12-24 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法
EP0615256B1 (en) * 1993-03-09 1998-09-23 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method of manufacturing a pattern of an electrically conductive polymer on a substrate surface and method of metallizing such a pattern
EP0615257B1 (en) * 1993-03-09 1999-06-02 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method of manufactoring a laminated structure of a metal layer on a conductive polymer layer
KR100380546B1 (ko) * 1994-02-24 2003-06-25 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 반도체집적회로장치의제조방법
US5879863A (en) * 1997-01-22 1999-03-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Pattern forming method
US20010044077A1 (en) * 1999-04-16 2001-11-22 Zoilo Chen Ho Tan Stabilization of chemically amplified resist coating
US6727047B2 (en) 1999-04-16 2004-04-27 Applied Materials, Inc. Method of extending the stability of a photoresist during direct writing of an image upon the photoresist
US6969569B2 (en) 1999-04-16 2005-11-29 Applied Materials, Inc. Method of extending the stability of a photoresist during direct writing of an image
US6479820B1 (en) * 2000-04-25 2002-11-12 Advanced Micro Devices, Inc. Electrostatic charge reduction of photoresist pattern on development track
JP3760086B2 (ja) * 2000-07-07 2006-03-29 株式会社ルネサステクノロジ フォトマスクの製造方法
US6586158B2 (en) 2001-05-25 2003-07-01 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Anti-charging layer for beam lithography and mask fabrication
JP4606136B2 (ja) 2004-06-09 2011-01-05 富士通株式会社 多層体、レジストパターン形成方法、微細加工パターンを有する装置の製造方法および電子装置
KR20060088976A (ko) * 2005-02-03 2006-08-08 김봄 분비물 배출 생리용품
KR101182435B1 (ko) * 2005-02-03 2012-09-12 삼성디스플레이 주식회사 전도성 고분자 패턴막 및 이를 패터닝 하는 방법 그리고 이를 이용하는 유기전계 발광소자 및 그 제조방법
CN101622580B (zh) * 2007-02-27 2013-12-25 日产化学工业株式会社 形成电子束光刻用抗蚀剂下层膜的组合物
JP5830444B2 (ja) 2012-07-02 2015-12-09 信越ポリマー株式会社 導電性高分子組成物、該組成物より得られる帯電防止膜が設けられた被覆品、及び前記組成物を用いたパターン形成方法。

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5443681A (en) * 1977-09-13 1979-04-06 Mitsubishi Electric Corp Electron beam light-exposing method
JPS54116883A (en) * 1978-03-02 1979-09-11 Mitsubishi Electric Corp Electron beam exposure method
JPS56114323A (en) * 1980-02-15 1981-09-08 Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai Method for electron beam lighography
JPS56125834A (en) * 1980-03-07 1981-10-02 Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai Exposing method for electron beam
JPS56125833A (en) * 1980-03-07 1981-10-02 Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai Exposing method for electron beam
JPS5854633A (ja) * 1981-09-29 1983-03-31 Toshiba Corp 微細加工方法
JPH0629968B2 (ja) * 1982-02-08 1994-04-20 日本電信電話株式会社 パタ−ン形成法
JPS5993441A (ja) * 1982-11-19 1984-05-29 Hitachi Ltd レジスト
JPS59104126A (ja) * 1982-12-07 1984-06-15 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 四層パタ−ン化方法
JPS59132124A (ja) * 1983-01-17 1984-07-30 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法
US4528118A (en) * 1983-04-28 1985-07-09 Agency Of Industrial Science And Technology Highly electroconductive conjugated polymer composition and process for producing the same
JPS62202518A (ja) * 1986-02-03 1987-09-07 Fujitsu Ltd Ｘ線露光用マスク
US4939070A (en) * 1986-07-28 1990-07-03 Brunsvold William R Thermally stable photoresists with high sensitivity
JPH0766189B2 (ja) * 1986-09-26 1995-07-19 住友化学工業株式会社 レジスト材料
JPS63181428A (ja) * 1987-01-23 1988-07-26 Matsushita Electronics Corp レジストパタ−ンの形成方法
JP2502564B2 (ja) * 1987-02-20 1996-05-29 松下電子工業株式会社 レジストパタ−ンの形成方法
JPH0795509B2 (ja) * 1987-04-10 1995-10-11 松下電子工業株式会社 レジストパタ−ンの形成方法
JPH081884B2 (ja) * 1987-04-10 1996-01-10 松下電子工業株式会社 レジストパタ−ンの形成方法
US4935094A (en) * 1989-05-26 1990-06-19 At&T Bell Laboratories Negative resist with oxygen plasma resistance

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