JPH02100356A - 半導体リードフレーム - Google Patents
半導体リードフレームInfo
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- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 2
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- H01L2924/01082—Lead [Pb]
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、半導体チップを実装するために使用され゛る
半導体リードフレームに関する。
半導体リードフレームに関する。
(従来の技術)
一般に、半導体チッズと半導体リードフレームを接続す
る方法としては、ワイヤボンディング法が広く利用され
ている。
る方法としては、ワイヤボンディング法が広く利用され
ている。
第3図はワイヤボンディング法に利用されている、従来
の半導体リードフレーム(10)を示すものである9 この半導体リードフレーム(10)は、鋼合金、42ア
ロイなどの金属からなっている。
の半導体リードフレーム(10)を示すものである9 この半導体リードフレーム(10)は、鋼合金、42ア
ロイなどの金属からなっている。
ワイヤボンディング法は、第4図に示すように、半導体
リードフレーム(10)のダイパット部分(11)に半
導体チップ(20)をグイボンドした後、半導本チップ
(20)の電極部(21)と半導体リードフレーム(1
0)のインナーリード(12)との間を、適当な太さの
金線等からなるワイヤ(30)・・・で接続するもので
ある。
リードフレーム(10)のダイパット部分(11)に半
導体チップ(20)をグイボンドした後、半導本チップ
(20)の電極部(21)と半導体リードフレーム(1
0)のインナーリード(12)との間を、適当な太さの
金線等からなるワイヤ(30)・・・で接続するもので
ある。
なお、ワイヤボンディング法には、金線を主体とした熱
圧着法、アルミニウム線を主体とした超音波ボンディン
グ法、両者を組み合わせたサーモソニック法などがある
。
圧着法、アルミニウム線を主体とした超音波ボンディン
グ法、両者を組み合わせたサーモソニック法などがある
。
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら、半導体チップ(20)のパッド数が多く
なるに連れてワイヤ(30)・・・が長くなるので、従
来の半導体リードフレーム(10)を利用したワイヤボ
ンディング法では、第5図に示すようにワイヤ(30)
同志が接触してショートしたり、ワイヤ(30)が垂れ
下がり、半導体リードフレーム(10)のグイバット部
分(11)に接触してショートを起こすという問題が発
生する。
なるに連れてワイヤ(30)・・・が長くなるので、従
来の半導体リードフレーム(10)を利用したワイヤボ
ンディング法では、第5図に示すようにワイヤ(30)
同志が接触してショートしたり、ワイヤ(30)が垂れ
下がり、半導体リードフレーム(10)のグイバット部
分(11)に接触してショートを起こすという問題が発
生する。
本発明の目的は、以上の技術的課題を解決し、ワイヤ同
志がショートしたり、垂れ下って、グイバット部分とシ
ョートすることのない半導体リードフレームを縄供する
ことにある。
志がショートしたり、垂れ下って、グイバット部分とシ
ョートすることのない半導体リードフレームを縄供する
ことにある。
(課題を解決するための手段)
以上の技術的課題を解決するために、半導体リードフレ
ームにおいて、リードフレームのダイパット周縁にフィ
ルムを配設するように構成した。
ームにおいて、リードフレームのダイパット周縁にフィ
ルムを配設するように構成した。
(作用)
以上のように構成された本発明の半導体リードフレーム
にあっては、半導体チップの電極部と半導体リードフレ
ームのインナーリードとの間を接続するワイヤが、グイ
バット周縁ζ;配設されたフィルムに係止される。
にあっては、半導体チップの電極部と半導体リードフレ
ームのインナーリードとの間を接続するワイヤが、グイ
バット周縁ζ;配設されたフィルムに係止される。
従って、ふらついてワイヤ同志がショートしたり、垂れ
下がってグイバット部分とショートすることがない。
下がってグイバット部分とショートすることがない。
(実施例)
以下、図面を基にして本発明の詳細な説明する。
第1図は、本発明にかかる半導体リードフレーム(1)
を示している。
を示している。
(2)は、下面に接着剤層(3)が形成されたフィルム
である。
である。
このフィルム(2)は、下面の接着剤層(3)によって
半導体リードフレーム(1)のダイパット部分(4)周
縁に接着されている。
半導体リードフレーム(1)のダイパット部分(4)周
縁に接着されている。
フィルム(2)には、接着剤付きの、ポリイミド、PE
T等からなるプラスチック製フィルムなどが好適に使用
される。
T等からなるプラスチック製フィルムなどが好適に使用
される。
また、フィルム(2)の中央には角形の窓孔(2′)が
穿設されており、フィルム(2)をダイパット部分(4
)に接着したときにこの窓孔(2′)からダイパット部
分(4)上面が露呈している。
穿設されており、フィルム(2)をダイパット部分(4
)に接着したときにこの窓孔(2′)からダイパット部
分(4)上面が露呈している。
このようにフィルム(2)が貼付けられた本発明の半導
体リードフレーム(1)のその他の点については、先に
第3図で説明した従来の半導体リードフレーム(lO)
と同様であり、フィルム(2)の窓孔(2′)から露呈
するグイバット部分(4)に、ワイヤボンディング法に
よって半導体チップ(20)をグイボンドした後、半導
体チップ(20)の電極部(21)と半導体リードフレ
ーム(1)のインナーリード(5)との間をワイヤ(3
0)で接続して半導体を構成する。
体リードフレーム(1)のその他の点については、先に
第3図で説明した従来の半導体リードフレーム(lO)
と同様であり、フィルム(2)の窓孔(2′)から露呈
するグイバット部分(4)に、ワイヤボンディング法に
よって半導体チップ(20)をグイボンドした後、半導
体チップ(20)の電極部(21)と半導体リードフレ
ーム(1)のインナーリード(5)との間をワイヤ(3
0)で接続して半導体を構成する。
第2図は、本発明にかかる半導体リードフレーム(1)
を使用して構成された半導体の一部分を示している。
を使用して構成された半導体の一部分を示している。
以上のものにあっては、ワイヤ(30ンがフィルム(2
)に係止されるので、ワイヤ(30)同志がふらついて
接触しあったり、ワイヤ(30)が垂れ下がってダイパ
ット部分(4)に接触したすせず、従って、ショートす
る心配がない。
)に係止されるので、ワイヤ(30)同志がふらついて
接触しあったり、ワイヤ(30)が垂れ下がってダイパ
ット部分(4)に接触したすせず、従って、ショートす
る心配がない。
(発明の効果)
以上何れにしても本発明の半導体リードフレームによ・
れば、半導体チップと半導体リードフレームをワイヤで
接続した際、ワイヤが長くなって垂れ下がってもワイヤ
がフィルム上に接触してワイヤ同志の接触や半導体リー
ドフレームのダイパット部分との電気的ショートを防ぐ
ことができる。
れば、半導体チップと半導体リードフレームをワイヤで
接続した際、ワイヤが長くなって垂れ下がってもワイヤ
がフィルム上に接触してワイヤ同志の接触や半導体リー
ドフレームのダイパット部分との電気的ショートを防ぐ
ことができる。
従って、本発明の半導体リードフレームを用いることに
よって、ワイヤのショートのない信傾性の高いワイヤボ
ンディングを行うことができる。
よって、ワイヤのショートのない信傾性の高いワイヤボ
ンディングを行うことができる。
第1図(イ)、(ロ)は本発明にかかる半導体リードフ
レームの平面図と拡大図、 第2図は本発明の半導体リードフレームで構成された半
導体の一部断面図、 第3図(力、(ロ)は従来の半導体リードフレームの平
面図と拡大図、 第4.5図は何れも従来の半導体リードフレームで構成
した半導体の一部断面図を表す。 1.10・・・半導体リードフレーム 2・・・フィルム 2′・・・窓孔 3・・・接着剤層 4.11・・・ダイパット部分 12・・・インナーリード 20・・・半導体チップ 21・・・電極部 30・・・ワイヤ #導体リードフレーム1 / (イ) (イ) 第 図
レームの平面図と拡大図、 第2図は本発明の半導体リードフレームで構成された半
導体の一部断面図、 第3図(力、(ロ)は従来の半導体リードフレームの平
面図と拡大図、 第4.5図は何れも従来の半導体リードフレームで構成
した半導体の一部断面図を表す。 1.10・・・半導体リードフレーム 2・・・フィルム 2′・・・窓孔 3・・・接着剤層 4.11・・・ダイパット部分 12・・・インナーリード 20・・・半導体チップ 21・・・電極部 30・・・ワイヤ #導体リードフレーム1 / (イ) (イ) 第 図
Claims (2)
- (1)リードフレームのダイパット周縁にフィルムを配
設したことを特徴とする半導体リードフレーム - (2)上記フィルムは接着剤付きのプラスチックフィル
ムであることを特徴とする請求項第1項に記載の半導体
リードフレーム
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63253415A JPH02100356A (ja) | 1988-10-07 | 1988-10-07 | 半導体リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63253415A JPH02100356A (ja) | 1988-10-07 | 1988-10-07 | 半導体リードフレーム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02100356A true JPH02100356A (ja) | 1990-04-12 |
Family
ID=17251072
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63253415A Pending JPH02100356A (ja) | 1988-10-07 | 1988-10-07 | 半導体リードフレーム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02100356A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5359224A (en) * | 1990-09-24 | 1994-10-25 | Texas Instruments Incorporated | Insulated lead frame for integrated circuits and method of manufacture thereof |
KR20030075788A (ko) * | 2002-03-20 | 2003-09-26 | 세미웰반도체 주식회사 | 반도체 패키지 구조 |
-
1988
- 1988-10-07 JP JP63253415A patent/JPH02100356A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5359224A (en) * | 1990-09-24 | 1994-10-25 | Texas Instruments Incorporated | Insulated lead frame for integrated circuits and method of manufacture thereof |
KR20030075788A (ko) * | 2002-03-20 | 2003-09-26 | 세미웰반도체 주식회사 | 반도체 패키지 구조 |
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