KR20030075788A - 반도체 패키지 구조 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 리드프레임을 구조를 개선하여 와이어의 늘어짐을 방지하도록 하는 반도체 패키지 구조에 관한 것이다.
종래 기술은 특히 금선(Au Wire)의 경우 그 무른 특성으로 인하여 와이어가 늘어지는 늘어짐(Sagging) 현상이 발생, 반도체칩의 다른 부분이나 히트싱크에 접속됨으로서 제품의 불량을 초래하게 되는 심각한 문제점이 있었다.
본 발명은 반도체칩이 탑재되며 열방출을 위한 히트싱크와, 상기 히트싱크의 일측에 리드를 포함하는 리드프레임이 구비되고, 상기 반도체칩과 리드 사이에 와이어(Wire)가 연결되며, 몰딩되는 반도체 패키지에 있어서,
상기 리드프레임은 상기 와이어의 늘어짐을 방지하기 위하여 일측에 소정 높이의 받침턱을 형성하여 됨을 특징으로 하는 것으로서,
상기 리드프레임의 받침턱은 리드프레임의 일측을 벤딩가공하거나, 스템핑 가공시 버(Burr)를 조성하여 형성되는 것이다.

Description

반도체 패키지 구조{A Semiconductor Package Structure}
본 발명은 반도체 패키지 구조에 관한 것으로서, 특히 리드프레임을 구조를 개선하여 와이어의 늘어짐을 방지하도록 하는 반도체 패키지 구조에 관한 것이다.
종래 기술의 반도체 패키지(100)는 도 1에 도시된 바와 같이, 열방출을 위한 히트 싱크(120)와, 이 히트싱크(120)에 탑재되는 반도체칩(110), 그리고 히트싱크(120)의 일측에 상기 반도체칩과 금(Au) 또는 알미늄(Al)의 가느다란 와이어(Wire)(140)를 연결하는 리드가 포함되는 리드프레임(130) 및 상기 히트싱크(120)와 반도체칩(110)을 감싸 보호하기 위한 몰드물질로 되어 있다.
그런데 와이어에 있어서 금선(Au Wire)은 알미늄선(Al Wire)에 비하여 자체가 상당히 무른 특성을 갖고 있기 때문에 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이 와이어가 늘어지는 늘어짐(Sagging) 현상이 발생된다.
따라서, 패키지 조립과정에서 와이어(40)의 늘어짐 현상이 발생, 반도체칩(10)의 다른 부분이나 히트싱크(120)에 접속됨으로서 제품의 불량을 초래하게 되는 심각한 문제점이 있었다.
본 발명은 상기한 문제점을 해소하기 위하여 안출된 것으로서,
본 발명의 목적은, 리드프레임을 벤딩시키거나 스템핑 기술을 활용하여 패키지 외관은 동일하게 유지하면서 리드프레임에 와이어의 늘어짐을 방지하기 위한 소정 높이의 받침턱을 형성함으로써,
와이어의 늘어짐을 최소화시키고 이에 따라 제품의 불량발생을 최소화하도록 하는 반도체 패키지 구조를 제공함에 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 구성도.
도 2는 종래 기술에 따른 일부 단면도,
도 3은 종래 기술에 따른 일부 단면도.
도 4는 본 발명에 따른 일 실시예의 구성도.
도 5는 본 발명에 따른 일 실시예의 구성도.
도 6은 본 발명에 따른 일 실시예의 구성도.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
1: 본 발명에 따른 반도체 패키지 10: 반도체칩
20: 히트싱크 30: 리드프레임
31: 받침턱 40; 와이어
100: 종래 기술의 반도체 패키지 110: 반도체칩
120: 히트싱크 130: 리드프레임
140: 와이어
상기한 목적을 달성하는 본 발명에 따른 반도체 패키지 구조는,
반도체칩이 탑재되며 열방출을 위한 히트싱크와, 상기 히트싱크의 일측에 리드를 포함하는 리드프레임이 구비되고, 상기 반도체칩과 리드 사이에 와이어( Wire)가 연결되며, 몰딩되는 반도체 패키지에 있어서,
상기 리드프레임은 상기 와이어의 늘어짐을 방지하기 위하여 일측에 소정 높이의 받침턱을 형성하여 됨을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 일 실시예로서,
상기 리드프레임의 받침턱은 리드프레임의 일측을 벤딩가공하여 형성됨을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 일 실시예로서,
상기 리드프레임의 받침턱은 리드프레임의 스템핑 가공시 버(Burr)를 조성하여 형성됨을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 일 실시예로서,
상기 리드프레임은 그 재질이 구리(Cu)로 구성됨을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 일 실시예로서,
상기 와이어는 금선(Au Wire)으로 됨을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 일 실시예로서,
상기 리드프레임의 받침턱은 벤딩 각도가 90도 이하로 됨을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 일 실시예로서,
상기 리드프레임의 버(Burr)는 높이가 리드 두께의 2배 ∼ 4배 전후로 형성됨을 특징으로 한다.
이하 본 발명의 반도체 패키지 구조에 대한 일 실시예를 첨부도면을 참조하여 보다 상세히 설명한다.
도 4는 본 발명에 따른 일 실시예의 반도체 패키지(1) 구조의 구성도이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 패키지(1)의 구조는,
반도체칩(10)이 탑재되며 열방출을 위한 히트싱크(20)와, 상기 히트싱크(20)의 일측에 리드를 포함하는 리드프레임(30)이 구비되고, 상기 반도체칩(110)과 리드 사이에 와이어( Wire)(40)가 연결되며, 몰딩되는 반도체 패키지에 있어서,
상기 리드프레임(30)은 상기 와이어(30)의 늘어짐을 방지하기 위하여 일측에 소정 높이의 받침턱(31)을 형성하여 된 것이다.
도 5는 본 발명에 따른 일 실시예의 구성도이다.
도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 일 실시예로서,
일방향 본딩(Bonding) 패키지의 경우, 상기 리드프레임(30)의 받침턱(31)은본딩이 되는 리드프레임(30)의 끝부분을 벤딩가공하여 형성하였다.
상기 리드프레임의 받침턱(31)은 벤딩 각도가 90도 이하로 됨이 바람직하다.
도 6은 본 발명에 따른 일 실시예의 구성도이다.
도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 일 실시예로서,
양방향 본딩인 경우, 상기 리드프레임의 받침턱(31)은 리드프레임(30)의 스템핑 가공시 버(Burr)를 소정 높이로 형성되도록 조절하여 조성하여도 무방하다.
상기 리드프레임(30)의 버(Burr)는 높이가 리드 두께의 2배 ∼ 4배 전후로 형성됨이 바람직하다.
상기 리드프레임(30)은 그 재질이 구리(Cu)로 구성됨이 바람직하다.
상기 와이어(40)는 금선(Au Wire)으로 됨이 바람직하다.
본 발명에 따른 상기 받침턱(31)이 형성된 리드프레임이 포함된 반도체 패키지(1)는 MOSET.BJT.Diode.IC 제품에 적용됨이 바람직하다.
이와 같은 구성을 지닌 본 발명에 따른 반도체 패키지(1) 구조는 리드프레임에 형성되는 받침턱(31)이 와이어(40)가 늘어지지 않도록 받혀줌으로써 와이어의 늘어짐 현상을 방지하여 제품의 품질특성을 확보하도록 함과 아울러 불량발생을 최소화하도록 한다.
본 발명은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하므로, 전술한 실시예 및 도면에 한정되는 것은 아니다.
이상에서 상세히 살펴 본 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 패키지 구조는,
반도체 패키지의 리드프레임에 와이어의 늘어짐을 방지하기 위한 받침턱을 형성하여 줌으로써,
제품의 특성을 확보하고 불량발생을 최소화하게 하는 잇점을 갖는 기술이다.

Claims (7)

  1. 반도체칩이 탑재되며 열방출을 위한 히트싱크와, 상기 히트싱크의 일측에 리드를 포함하는 리드프레임이 구비되고, 상기 반도체칩과 리드 사이에 와이어( Wire)가 연결되며, 몰딩되는 반도체 패키지에 있어서,
    상기 리드프레임은 상기 와이어의 늘어짐을 방지하기 위하여 일측에 소정 높이의 받침턱을 형성하여 됨을 특징으로 하는 반도체 패키지 구조.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 리드프레임의 받침턱은 리드프레임의 일측을 벤딩가공하여 형성됨을 특징으로 하는 반도체 패키지 구조.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 리드프레임의 받침턱은 리드프레임의 스템핑 가공시 버(Burr)를 조성하여 형성됨을 특징으로 하는 반도체 패키지 구조.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 리드프레임은 그 재질이 구리(Cu)로 구성됨을 특징으로 하는 반도체 패키지 구조.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 와이어는 금선(Au Wire)으로 됨을 특징으로 하는,
  6. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 리드프레임의 받침턱은 벤딩 각도가 90도 이하로 됨을 특징으로 하는 반도체 패키지 구조.
  7. 제 1항 또는 제 3항에 있어서,
    상기 리드프레임의 버(Burr)는 높이가 리드 두께의 2배 ∼ 4배 전후로 형성됨을 특징으로 하는 반도체 패키지 구조.
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