JPH02280366A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、リードフレームを有するパッケージの半導体
装置に関する。
装置に関する。
従来の技術
従来のダイパットを有するリードフレームを利用したプ
ラスチックパッケージ式の半導体装置では、第4図に示
すように、リードフレームのダイパット1に半導体素子
のチップ4を銀ペースト5や金−シリコン共晶法にて接
着し、金線6をリードフレームのインナーリード3に接
続していた。
ラスチックパッケージ式の半導体装置では、第4図に示
すように、リードフレームのダイパット1に半導体素子
のチップ4を銀ペースト5や金−シリコン共晶法にて接
着し、金線6をリードフレームのインナーリード3に接
続していた。
発明が解決しようとする課題
ところで、上記方法は、最も簡素で一般的であるが、近
年チップサイズが小さくなり、また多ビン化の方向にな
るにつれ、チップ4とリードフレームのインナーリード
3とを結ぶ金線6の長さがダイパット1とインナーリー
ド3との間の間隔に比べて長くなってきた。金線6が長
くなると金線6が垂れてダイパット1に接触してショー
ト不良になることが多くあった。
年チップサイズが小さくなり、また多ビン化の方向にな
るにつれ、チップ4とリードフレームのインナーリード
3とを結ぶ金線6の長さがダイパット1とインナーリー
ド3との間の間隔に比べて長くなってきた。金線6が長
くなると金線6が垂れてダイパット1に接触してショー
ト不良になることが多くあった。
金線6の垂れを少なくする方法として、金線6のループ
高さを高くする方法があるが5ループを高くすると、樹
脂封止時に樹脂が金線6を押し倒してループ変形が生じ
やすくなり、インナーリード3間のショート不良が発生
する。
高さを高くする方法があるが5ループを高くすると、樹
脂封止時に樹脂が金線6を押し倒してループ変形が生じ
やすくなり、インナーリード3間のショート不良が発生
する。
本発明は上記問題を解決するもので、ショート不良を生
じることのない半導体装置を提供することを目的とする
ものである。
じることのない半導体装置を提供することを目的とする
ものである。
課題を解決するための手段
上記問題を解決するために本発明は、チップを搭載する
リードフレームのダイパットの上面周辺部に絶縁シート
や絶R塗料からなる絶縁材を設けたものである。
リードフレームのダイパットの上面周辺部に絶縁シート
や絶R塗料からなる絶縁材を設けたものである。
作用
上記構成により、ダイパットの上面周辺部が絶縁材によ
り絶縁されているため、チップからインナーリードにボ
ンディングした金線が垂れてダイパット上の絶縁材に接
触しても、金線とダイパットとは電気的に絶縁された状
態に保たれ、ショート不良は生じなくなる。
り絶縁されているため、チップからインナーリードにボ
ンディングした金線が垂れてダイパット上の絶縁材に接
触しても、金線とダイパットとは電気的に絶縁された状
態に保たれ、ショート不良は生じなくなる。
実施例
以下、本発明の一実施例を図面に基づき説明する。
第1図は本発明の一実施例を示す半導体装置の断面図、
第2図および第3図は同半導体装置のリードフレームの
平面図および断面図であり、従来のものと同じ部材には
同一番号を付し、第1図〜第3図において、QFP10
0ピン型パッケージの半導体装置の場合について説明す
る。第1図〜第3図に示すように、鉄−ニッケル(42
70イ)製のリードフレームのサイズ8.5 X 8.
5mmのダイパット1における上面周辺部には、ポリイ
ミド製の絶縁テープ2が、内寸7.OX 7.Om、外
寸8.8X8.8mmの額縁状に切断されてアクリル系
接着剤を介して接着されている。ダイパット1の上面中
央部には銀ペースト5がデイスペンサにて塗布され、チ
ップサイズ6.5X6.5nwaのシリコンチップ4が
ダイボンドされている。シリコンチップ4のボンディン
グパットとインナーリード3とは直径35μm、長さ3
.3mmの金線6により接続されている。
第2図および第3図は同半導体装置のリードフレームの
平面図および断面図であり、従来のものと同じ部材には
同一番号を付し、第1図〜第3図において、QFP10
0ピン型パッケージの半導体装置の場合について説明す
る。第1図〜第3図に示すように、鉄−ニッケル(42
70イ)製のリードフレームのサイズ8.5 X 8.
5mmのダイパット1における上面周辺部には、ポリイ
ミド製の絶縁テープ2が、内寸7.OX 7.Om、外
寸8.8X8.8mmの額縁状に切断されてアクリル系
接着剤を介して接着されている。ダイパット1の上面中
央部には銀ペースト5がデイスペンサにて塗布され、チ
ップサイズ6.5X6.5nwaのシリコンチップ4が
ダイボンドされている。シリコンチップ4のボンディン
グパットとインナーリード3とは直径35μm、長さ3
.3mmの金線6により接続されている。
上記構成において、金線6はダイパット1の上面周辺箇
所に垂れて接触することがあるが、この箇所には絶縁テ
ープ2が設けられているため、金線6とダイパット1と
のショート不良は生じない。
所に垂れて接触することがあるが、この箇所には絶縁テ
ープ2が設けられているため、金線6とダイパット1と
のショート不良は生じない。
発明の効果
以上のように、本発明によれば、ダイパット上面の周辺
部を絶縁材によって絶縁することにより、ワイヤーボン
ドの金線が垂れてダイパットに接触しても電気的なショ
ート不良とはならない。これにより、半導体装置の信頼
性が向上する。
部を絶縁材によって絶縁することにより、ワイヤーボン
ドの金線が垂れてダイパットに接触しても電気的なショ
ート不良とはならない。これにより、半導体装置の信頼
性が向上する。
第1図は本発明の一実施例を示す半導体Mllの断面図
、第2図および第3図は同半導体装置のリードフレーム
の平面図および断面図、第4図は従来の半導体装置を示
す断面図である。 1・・・ダイパット、2・・・絶縁テープ、3・・・イ
ンナーリード、4・・・シリコンチップ、6・・・金線
。 代理人 森 本 義 弘 インチ一り−V゛ り 第4図
、第2図および第3図は同半導体装置のリードフレーム
の平面図および断面図、第4図は従来の半導体装置を示
す断面図である。 1・・・ダイパット、2・・・絶縁テープ、3・・・イ
ンナーリード、4・・・シリコンチップ、6・・・金線
。 代理人 森 本 義 弘 インチ一り−V゛ り 第4図
Claims (1)
- 1、チップを搭載するリードフレームのダイパットの上
面周辺部に絶縁材を設けた半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1102841A JPH02280366A (ja) | 1989-04-20 | 1989-04-20 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1102841A JPH02280366A (ja) | 1989-04-20 | 1989-04-20 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02280366A true JPH02280366A (ja) | 1990-11-16 |
Family
ID=14338199
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1102841A Pending JPH02280366A (ja) | 1989-04-20 | 1989-04-20 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02280366A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20030075788A (ko) * | 2002-03-20 | 2003-09-26 | 세미웰반도체 주식회사 | 반도체 패키지 구조 |
-
1989
- 1989-04-20 JP JP1102841A patent/JPH02280366A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20030075788A (ko) * | 2002-03-20 | 2003-09-26 | 세미웰반도체 주식회사 | 반도체 패키지 구조 |
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