JP2958098B2 - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

Info

Publication number
JP2958098B2
JP2958098B2 JP2297909A JP29790990A JP2958098B2 JP 2958098 B2 JP2958098 B2 JP 2958098B2 JP 2297909 A JP2297909 A JP 2297909A JP 29790990 A JP29790990 A JP 29790990A JP 2958098 B2 JP2958098 B2 JP 2958098B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wire
chip
semiconductor chip
die mount
fixing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2297909A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH04171735A (ja
Inventor
隆史 吉田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP2297909A priority Critical patent/JP2958098B2/ja
Publication of JPH04171735A publication Critical patent/JPH04171735A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2958098B2 publication Critical patent/JP2958098B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49171—Fan-out arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85009—Pre-treatment of the connector or the bonding area
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01028—Nickel [Ni]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3011—Impedance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3011—Impedance
    • H01L2924/30111—Impedance matching

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 半導体チップを溶着固定するためのダイマウント部上
に、半導体チップの電極とワイヤ付けを行なうためのワ
イヤ付け部を設けられた半導体装置に関し、 ダイボンディング時においてロウ付けの流出を少なく
し、ダイマウント部と半導体チップ電極とを確実にワイ
ヤ付けできる半導体装置を提供することを目的とし、 ダイマウント部の表面中、ワイヤ付け部を形成する部
分、及び、半導体チップを固定する部分に、夫々ワイヤ
付け及びチップ固定を良好に行なうための表面処理を施
し、両部分を該表面処理を施さない部分により分離した
構成とする。
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体チップを溶着固定するためのダイマ
ウント部上に、半導体チップの電極とワイヤ付けを行な
うためのワイヤ付け部を設けられた半導体装置に関す
る。
半導体装置の製造に際して行なうボンディング工程に
は、半導体チップをパッケージ基板上のダイマウント部
に半田等のロウ材にて溶着固定するボンディング工程
（ダイボンディング）、及び、半導体チップの電極とイ
ンナリードとを接続したり、半導体チップの電極とダイ
マウント部上のワイヤ付け部とインナリードとを接続し
てチップ付け面のグランドをとるボンディング工程（ワ
イヤボンディング）がある。前者は、半導体チップをパ
ッケージに固定することによって半導体チップ内に発生
した熱をパッケージを介して放出するために必要であ
り、後者は、半導体チップと外部との電気的接続及びイ
ンピーダンス整合をとるために必要であり、いずれも半
導体装置の製造工程において重要な工程である。
〔従来の技術〕
第２図は従来の半導体装置の一例の構成図を示し、同
図（Ａ）は平面図、同図（Ｂ）は同図（Ａ）のＢ−Ｂ線
に沿った断面図、同図（Ｃ）は同図（Ａ）のＣ−Ｃ線に
沿った断面図である。同図中、１はダイマウント部で、
パッケージ基板２上に設けられている。３は半導体チッ
プで、ダイマウント部３上に半田等のロウ材にて溶着固
定されている、４はセラミック枠で、基板２上に設けら
れており、外部リード５及びインナリード６を取付けら
れている。7,8はワイヤで、特にワイヤ７は半導体チッ
プ３の電極とインナリード６とを接続し、ワイヤ８は半
導体チップ３の電極とダイマウント部１の表面のワイヤ
付け部1aとを接続している。
〔発明が解決しようとする課題〕
ところで、ワイヤ８をワイヤ付け部1aに確実にボンデ
ィングするために、又、半導体チップ３をダイマウント
部１上にロウ材によって気泡を生じることなく確実に固
定するために、ダイマウント部１の表面には金メッキが
施されている。一方、これとは別に、ダイマウント部１
に半導体チップ３を固定する場合（ダイボンディン
グ）、チップ３の背面に気泡が残っているとチップ３の
放熱効果が小さくなるので、チップ３をスクラブ（ダイ
マウント部１上で上下左右に動かす）して気泡を追出
す。
この場合、チップ３のスクラブによって半田等のロウ
材がチップ３の外側にはみ出るが、従来装置は、ダイマ
ウント部１の表面全体に金メッキを施した構成であるた
め、チップ３の外側にはみ出たロウ材はそのまま金メッ
キ部分（加熱によっても表面があまり酸化されず、表面
の摩擦抵抗が小さいままになっている）を流れてワイヤ
付け部1aに到達してここを覆ってしまう。このため、こ
の従来装置は、ワイヤ８及びインナリード６のワイヤ付
け部1aに対するワイヤ付けを行なうことができない問題
点があった。
本発明は、ダイボンディング時においてロウ材の流出
を少なくし、ダイマウント部と半導体チップ電極とを確
実にワイヤ付けできる半導体装置を提供することを目的
とする。
〔課題を解決するための手段〕
本発明は、ダイマウント部の表面中、ワイヤ付け部を
形成する部分、及び、半導体チップを固定する部分に、
夫々ワイヤ付け及びチップ固定を良好に行なうための表
面処理を施し、両部分を該表面処理を施さない部分によ
り分離した構成とする、この場合、ワイヤ付け部を形成
する部分の表面、及び、半導体チップを固定する部分の
表面を、半導体チップのダイマウント部への固定の際の
加熱によって酸化されにくい材料、表面処理を施さない
部分の表面を、該加熱によって酸化される材料で構成す
る。
上記のように構成される本発明の半導体装置は、半導
体チップの電極とワイヤ付けを行なうためのワイヤ付け
部が３個所以上設けられたダイマウント部と、該ワイヤ
付け部とワイヤ付けを行うためのインナリードとを有す
る。
〔作用〕
本発明では、ワイヤ付け部及びチップ固定部に前記表
面処理を施し、その他の部分には該表面処理を施さな
い。このため、ダイボンディングの際のスクラブによっ
てチップの外側にはみ出たロウ材は表面処理を施されて
いない（つまり、摩擦抵抗が大きい）部分によってその
流出を抑えられ、ワイヤ付け部に到達することはない。
従って、ワイヤ付け部におけるワイヤ付けを良好に行な
うことができる。
〔実施例〕
第１図は本発明の一実施例の構成図を示し、同図中、
第２図と同一構成部分には同一番号を付してその説明を
省略する。同図（Ａ）は平面図、同図（Ｂ）は同図
（Ａ）のＢ−Ｂ線に沿った断面図、同図（Ｃ）は同図
（Ａ）のＣ−Ｃ線に沿った断面図である。同図中、10は
ダイマウント部で、パッケージ基板２上に設けられてお
り、その表面には前述のインピーダンス整合のためのワ
イヤ８をボンディングするためのワイヤ付け部の部分及
び半導体チップ３を固定する部分に金メッキ部11a,11b
（斜線で示す）が設けられている。この場合、金メッキ
部11a,11bを良好に形成するためにダイマウント部10の
表面全面にニッケルメッキを施してから金メッキ部分11
a,11bを形成する。金メッキ部11a,11bの大きさは、チッ
プ３をダイマウント部10に確実に溶着固定できる程度の
大きさ、ワイヤ８を確実にボンディングできる程度の大
きさに夫々設定されている。なお、同図（Ａ）において
は、半導体チップ３固定のための金メッキ部11bを明確
に図示するために半導体チップ３を破線にて示す。
本発明では、金メッキ部11a,11bをダイマウント10の
表面に部分的（ワイヤ付け部11a及びチップ固定部11b）
に設けたため、その残りの部分にはニッケルメッキ部12
が露出している。ここで、ダイマウント部10上にチップ
３をロウ材で溶着固定するに際し、前述のようにスクラ
ブを行なう。ニッケルメッキ部12は加熱によって表面が
酸化され易いので、この表面の摩擦抵抗が金メッキ部よ
りも大きい。この場合、本発明ではダイマウント部10上
に部分的にニッケルメッキ部12が露出しているため、ス
クラブによってロウ材がチップ３の外側にはみ出てもニ
ッケルメッキ部12の表面の大きな摩擦抵抗によってロウ
材の流出を少なくすることができる。
従って、ロウ材は従来例のようにワイヤ付け部（金メ
ッキ部11a）に到達することはなく、この部分を覆って
しまうようなことはないので、ワイヤ８及びインナリー
ド６のワイヤ付け部（金メッキ部11a）に対するワイヤ
付けを良好に行なうことができ、信頼性及び生産性を夫
々向上できる。
なお、ワイヤ付け部11a,チップ固定部11bは金メッキ
の他、銀メッキ等で構成してもよい。
〔発明の効果〕
以上説明した如く、本発明によれば、ダイマウント部
の表面中、ワイヤ付け部及びチップ固定部以外には表面
処理を施されていないので、スクラブによってチップの
外側にはみ出したロウ材はこの表面処理を施されていな
い部分の大きな摩擦抵抗でその流出を抑えられ、ワイヤ
付け部がロウ材で覆われてしまうことはなく、従来例に
比してワイヤ付けを良好に行なうことができ、信頼性及
び生産性を夫々向上できる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例の構成図、 第２図は従来の一例の構成図である。 図において、 ２はパッケージ基板、 ３は半導体チップ、 ６はインナリード、 7,8はワイヤ、 10はダイマウント部、 11aは金メッキ部（ワイヤ付け部）、 11bは金メッキ部（チップ固定部）、 12はニッケルメッキ部 を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/52,21/60

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】半導体チップ（３）の電極とワイヤ付けを
    行なうためのワイヤ付け部（11a）が３個所以上設けら
    れたダイマウント部（10）と、該ワイヤ付け部とワイヤ
    付けを行うためのインナリード（６）とを有する半導体
    装置であって、 上記ダイマウント部（10）の表面中、上記ワイヤ付け部
    （11a）を形成する部分、及び、上記半導体チップ
    （３）を固定する部分（11b）に、夫々ワイヤ付け及び
    チップ固定を良好に行なうために、上記半導体チップ
    （３）の上記ダイマウント部（10）への固定の際の加熱
    によって酸化されにくい材料で表面処理を施し（11a,11
    b）、両部分（11a,11b）を該加熱によって酸化される材
    料からなりかつ該表面処理を施さない部分により分離し
    た構成としてなることを特徴とする半導体装置。
JP2297909A 1990-11-02 1990-11-02 半導体装置 Expired - Lifetime JP2958098B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2297909A JP2958098B2 (ja) 1990-11-02 1990-11-02 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2297909A JP2958098B2 (ja) 1990-11-02 1990-11-02 半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH04171735A JPH04171735A (ja) 1992-06-18
JP2958098B2 true JP2958098B2 (ja) 1999-10-06

Family

ID=17852667

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2297909A Expired - Lifetime JP2958098B2 (ja) 1990-11-02 1990-11-02 半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2958098B2 (ja)

Also Published As

Publication number Publication date
JPH04171735A (ja) 1992-06-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9905497B2 (en) Resin sealing type semiconductor device and method of manufacturing the same, and lead frame
JP3780122B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2958098B2 (ja) 半導体装置
JP2569400B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JPH05218129A (ja) 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
JP3555062B2 (ja) 半導体装置の構造
JP3183063B2 (ja) 半導体装置
JP2003209132A (ja) リードフレーム組立体及びそれを使用した半導体装置
JPH08236665A (ja) 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
JPH04155854A (ja) 半導体集積回路装置およびそれに用いるリードフレーム
JPS5948947A (ja) 半導体装置
JPH0732216B2 (ja) 半導体装置
JP2788011B2 (ja) 半導体集積回路装置
JP2830221B2 (ja) ハイブリッド集積回路のマウント構造
JP3112113B2 (ja) 半導体装置
JP2975783B2 (ja) リードフレームおよび半導体装置
JPH09275177A (ja) 半導体装置
JPS6060743A (ja) リ−ドフレ−ム
JPH04155949A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPH05335437A (ja) 半導体装置
JPH02100356A (ja) 半導体リードフレーム
JPS6244545Y2 (ja)
JPH08227903A (ja) 半導体装置
JPH09246290A (ja) 半導体装置
JPS63178554A (ja) 半導体装置