JPH09275177A - 半導体装置 - Google Patents
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 モールド樹脂面と同一面でアウターリードを
露出させた半導体装置の半田接合強度、熱的信頼性、及
び樹脂封止性が低下する。 【解決手段】 アウターリード６の露出基部６Ｃをモー
ルド樹脂７の底面と同一面となるように露出させ、折り
曲げ部６Ａを半導体装置の底面の方向に折り曲げて露出
基部６Ｃに密着して重ねる。
露出させた半導体装置の半田接合強度、熱的信頼性、及
び樹脂封止性が低下する。 【解決手段】 アウターリード６の露出基部６Ｃをモー
ルド樹脂７の底面と同一面となるように露出させ、折り
曲げ部６Ａを半導体装置の底面の方向に折り曲げて露出
基部６Ｃに密着して重ねる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は大規模集回路のＬＯ
Ｃ（Lead ON Chip）構造の半導体装置に関し、特に、プ
リント基板等へ実装する際の接合強度、及び信頼性に優
れ、かつ、小型化を可能とする半導体装置に関する。
Ｃ（Lead ON Chip）構造の半導体装置に関し、特に、プ
リント基板等へ実装する際の接合強度、及び信頼性に優
れ、かつ、小型化を可能とする半導体装置に関する。
【０００２】
【従来技術】従来、半導体装置は半導体チップを保護す
るためにモールド樹脂によって封止されており、半導体
チップはアウターリードを介してエポキシ基板等に形成
される外部の電気回路と接続される。
るためにモールド樹脂によって封止されており、半導体
チップはアウターリードを介してエポキシ基板等に形成
される外部の電気回路と接続される。
【０００３】一般に、アウターリードは樹脂で封止され
たパッケージの内部に配置されるインナーリードと一体
的に形成されており、インナーリードと半導体チップの
電極端子とをＡｕ線等でワイヤボンディングすることに
よって電気的に接続される。このアウターリードをモー
ルド樹脂の外側に沿わせた後に下側に配置するＳＯＪ
（Small Outline J-Band）構造の半導体装置や、外側に
配置するＳＯＰ（SmallOutline Package ）構造の半導
体装置が提案されている。
たパッケージの内部に配置されるインナーリードと一体
的に形成されており、インナーリードと半導体チップの
電極端子とをＡｕ線等でワイヤボンディングすることに
よって電気的に接続される。このアウターリードをモー
ルド樹脂の外側に沿わせた後に下側に配置するＳＯＪ
（Small Outline J-Band）構造の半導体装置や、外側に
配置するＳＯＰ（SmallOutline Package ）構造の半導
体装置が提案されている。
【０００４】このような半導体装置において、モールド
樹脂の外側に露出したアウターリードやＡｕ線を介して
環境中に存在する汚染物質が侵入し、その結果、半導体
チップの電極端子を腐食させるという問題がある。
樹脂の外側に露出したアウターリードやＡｕ線を介して
環境中に存在する汚染物質が侵入し、その結果、半導体
チップの電極端子を腐食させるという問題がある。
【０００５】図３は、従来のＬＯＣ（Lead On Chip）構
造の半導体装置を示し、エポキシ樹脂等のモールド樹脂
１３で保護される半導体チップ１４と、半導体チップ１
４の電極端子１４Ａとインナーリード１５とを接続する
Ａｕ線１６と、インナーリード１５と電極端子１４Ａと
の間に配置される共用インナーリード１７と、インナー
リード１５及び共用インナーリード１７を半導体チップ
１４に固定する絶縁性の接着フィルム１８と、モールド
樹脂１３の側面に露出して外部の電気回路と接続される
アウターリード１９とを有し、アウターリード１９は、
モールド樹脂１３の側面で折り曲げられており、外部の
電気回路との接続部が下側に配置された構造を有してい
る。
造の半導体装置を示し、エポキシ樹脂等のモールド樹脂
１３で保護される半導体チップ１４と、半導体チップ１
４の電極端子１４Ａとインナーリード１５とを接続する
Ａｕ線１６と、インナーリード１５と電極端子１４Ａと
の間に配置される共用インナーリード１７と、インナー
リード１５及び共用インナーリード１７を半導体チップ
１４に固定する絶縁性の接着フィルム１８と、モールド
樹脂１３の側面に露出して外部の電気回路と接続される
アウターリード１９とを有し、アウターリード１９は、
モールド樹脂１３の側面で折り曲げられており、外部の
電気回路との接続部が下側に配置された構造を有してい
る。
【０００６】上記した構成の半導体装置では、半導体チ
ップ１４の電極端子１４Ａからアウターリード１９の接
続部までのリード長を長くすることによって、汚染物質
が電極端子に到達しにくくなるようにしているが、アウ
ターリード１９がモールド樹脂１３の側面より取り出さ
れ、外側に沿って半導体装置の下部に導かれているた
め、半導体装置が大きくなるという問題がある。
ップ１４の電極端子１４Ａからアウターリード１９の接
続部までのリード長を長くすることによって、汚染物質
が電極端子に到達しにくくなるようにしているが、アウ
ターリード１９がモールド樹脂１３の側面より取り出さ
れ、外側に沿って半導体装置の下部に導かれているた
め、半導体装置が大きくなるという問題がある。
【０００７】図４は、従来の他の半導体装置を示し、半
導体チップ２０の電極端子２０Ａが配置される面には絶
縁性の接着フィルム２１によってインナーリード２２及
び共用インナーリード２３が接着されており、電極端子
２０Ａとインナーリード２２とをＡｕ線２４でワイヤボ
ンディングした後に電極端子２０Ａが配置される面をモ
ールド樹脂２５によって封止している。
導体チップ２０の電極端子２０Ａが配置される面には絶
縁性の接着フィルム２１によってインナーリード２２及
び共用インナーリード２３が接着されており、電極端子
２０Ａとインナーリード２２とをＡｕ線２４でワイヤボ
ンディングした後に電極端子２０Ａが配置される面をモ
ールド樹脂２５によって封止している。
【０００８】この半導体装置では、インナーリード２２
を半導体チップ２０の接着部分で折り曲げており、イン
ナーリード２２と連続しているアウターリード２６の半
田接合面２６Ａは、モールド樹脂２５で構成される底面
と連続するように所定の長さで露出して設けられてい
る。
を半導体チップ２０の接着部分で折り曲げており、イン
ナーリード２２と連続しているアウターリード２６の半
田接合面２６Ａは、モールド樹脂２５で構成される底面
と連続するように所定の長さで露出して設けられてい
る。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の半導体
装置によると、半導体装置の樹脂封止面と同一面でアウ
ターリードを露出させているため、以下のような問題が
ある。 (1) アウターリードの半田接合面が樹脂によって汚染さ
れたり、覆われることによって半田接合性の低下が生じ
る。 (2) プリント基板やガラスエポキシ基板等に設けられる
電気回路と接続される際に、基板面との間隔が殆ど得ら
れないことから、半田接合性の良否を検査することが困
難であり、更に、半田接合時に加わる熱を吸収しにくい
ことから熱歪みが生じ易く、最悪の場合には半田接合部
が剥離する。 (3) アウターリードからインナーリードまでの距離が短
いことから、アウターリードと半田接合される基板の応
力がインナーリードに加わって樹脂とリードの剥離を起
こすことがあり、樹脂封止性を低下させるという問題が
ある。 従って、本発明の目的は、樹脂による汚染や半田接合性
の低下を防ぎ、半田接合強度及び熱的信頼性に優れ、樹
脂封止性が良好でコンパクトな半導体装置を提供するこ
とにある。
装置によると、半導体装置の樹脂封止面と同一面でアウ
ターリードを露出させているため、以下のような問題が
ある。 (1) アウターリードの半田接合面が樹脂によって汚染さ
れたり、覆われることによって半田接合性の低下が生じ
る。 (2) プリント基板やガラスエポキシ基板等に設けられる
電気回路と接続される際に、基板面との間隔が殆ど得ら
れないことから、半田接合性の良否を検査することが困
難であり、更に、半田接合時に加わる熱を吸収しにくい
ことから熱歪みが生じ易く、最悪の場合には半田接合部
が剥離する。 (3) アウターリードからインナーリードまでの距離が短
いことから、アウターリードと半田接合される基板の応
力がインナーリードに加わって樹脂とリードの剥離を起
こすことがあり、樹脂封止性を低下させるという問題が
ある。 従って、本発明の目的は、樹脂による汚染や半田接合性
の低下を防ぎ、半田接合強度及び熱的信頼性に優れ、樹
脂封止性が良好でコンパクトな半導体装置を提供するこ
とにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は樹脂による汚染
や半田接合性の低下を防ぎ、半田接合強度及び熱的信頼
性に優れ、樹脂封止性が良好でコンパクト化を実現する
ため、リードフレームのアウターリードは、インナーリ
ードに続き、封止体に封入された封止部と、封止部に続
き、封止体の表面に露出した露出基部と、露出基部に続
き、封止体の表面で露出基部に密着して折り曲げられた
折り曲げ部を有する半導体装置を提供する。
や半田接合性の低下を防ぎ、半田接合強度及び熱的信頼
性に優れ、樹脂封止性が良好でコンパクト化を実現する
ため、リードフレームのアウターリードは、インナーリ
ードに続き、封止体に封入された封止部と、封止部に続
き、封止体の表面に露出した露出基部と、露出基部に続
き、封止体の表面で露出基部に密着して折り曲げられた
折り曲げ部を有する半導体装置を提供する。
【００１１】上記の半導体装置において、折り曲げ部
は、露出基部と半田で一体化されていても良く、或い
は、露出基部と接着剤で一体化されていることが好まし
い。
は、露出基部と半田で一体化されていても良く、或い
は、露出基部と接着剤で一体化されていることが好まし
い。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の半導体装置を図面
を参照しつつ説明する。
を参照しつつ説明する。
【００１３】図１及び図２は、本発明の実施の形態にお
ける半導体装置の構成を示し、ＤＲＡＭの半導体チップ
１の電極端子１Ａが配置される底面に絶縁性の接着剤２
によって接着されるインナーリード３と、電極端子１Ａ
とインナーリード３のＡｇめっき面３Ａをワイヤボンデ
ィングするＡｕ線４と、電極端子１Ａとインナーリード
３との間に設けられる共用インナーリード５と、インナ
ーリード３と連続的に設けられ、露出基部６Ｃと表面６
Ｂに半田めっき層６Ｄを設けた折り曲げ部６Ａを有する
アウターリード６と、半導体チップ１の底面に設けられ
るインナーリード３、ボンディングワイヤ４、共用イン
ナーリード５、及びアウターリード６を封止するモール
ド樹脂７を有する。
ける半導体装置の構成を示し、ＤＲＡＭの半導体チップ
１の電極端子１Ａが配置される底面に絶縁性の接着剤２
によって接着されるインナーリード３と、電極端子１Ａ
とインナーリード３のＡｇめっき面３Ａをワイヤボンデ
ィングするＡｕ線４と、電極端子１Ａとインナーリード
３との間に設けられる共用インナーリード５と、インナ
ーリード３と連続的に設けられ、露出基部６Ｃと表面６
Ｂに半田めっき層６Ｄを設けた折り曲げ部６Ａを有する
アウターリード６と、半導体チップ１の底面に設けられ
るインナーリード３、ボンディングワイヤ４、共用イン
ナーリード５、及びアウターリード６を封止するモール
ド樹脂７を有する。
【００１４】アウターリード６の露出基部６Ｃは、モー
ルド樹脂７の底面において所定の長さで露出しており、
樹脂面とリード面とが同一面となるように形成されてい
る。折り曲げ部６Ａは、半導体装置の側面から取り出さ
れるとともに底面の方向に折り曲げられて露出基部６Ｃ
に半田めっき層６Ｄを介して密着して重ねられている。
この半田めっき層は、少なくとも２μｍの厚さを有する
ことが好ましい。
ルド樹脂７の底面において所定の長さで露出しており、
樹脂面とリード面とが同一面となるように形成されてい
る。折り曲げ部６Ａは、半導体装置の側面から取り出さ
れるとともに底面の方向に折り曲げられて露出基部６Ｃ
に半田めっき層６Ｄを介して密着して重ねられている。
この半田めっき層は、少なくとも２μｍの厚さを有する
ことが好ましい。
【００１５】以下に、本発明の半導体装置の製造方法を
説明する。まず、リードフレーム材の素子搭載部に絶縁
性の接着剤２を塗布して半導体チップ１を接着し、半導
体チップ１の電極端子１Ａとインナーリード３のＡｇめ
っき面３Ａをボンディングワイヤ４でワイヤボンディン
グする。
説明する。まず、リードフレーム材の素子搭載部に絶縁
性の接着剤２を塗布して半導体チップ１を接着し、半導
体チップ１の電極端子１Ａとインナーリード３のＡｇめ
っき面３Ａをボンディングワイヤ４でワイヤボンディン
グする。
【００１６】ボンディング後、リードフレーム材及び半
導体チップ１をモールド樹脂７で封止する。このとき、
アウターリード６の露出基部６Ｃはモールド樹脂７の底
面と同一面で、所定の長さで露出するように封止され
る。
導体チップ１をモールド樹脂７で封止する。このとき、
アウターリード６の露出基部６Ｃはモールド樹脂７の底
面と同一面で、所定の長さで露出するように封止され
る。
【００１７】次に、モールド樹脂７から露出して伸びて
いるアウターリード６に電気半田めっき層６Ｄを形成し
た後、アウターリード６を切断してリードフレーム材か
ら切り離す。そして、各リードを保持しているダムバー
を切断し、アウターリード６の折り曲げ部６Ａを半導体
装置の底面の方向に折り曲げて、モールド樹脂７の底面
と同一面で露出している露出基部６Ｃに密着して重ね
る。
いるアウターリード６に電気半田めっき層６Ｄを形成し
た後、アウターリード６を切断してリードフレーム材か
ら切り離す。そして、各リードを保持しているダムバー
を切断し、アウターリード６の折り曲げ部６Ａを半導体
装置の底面の方向に折り曲げて、モールド樹脂７の底面
と同一面で露出している露出基部６Ｃに密着して重ね
る。
【００１８】更に、完成した半導体装置に半田融点以上
の温度を加え、アウターリード６の露出基部６Ｃと折り
曲げ部６Ａを融着させて一体化する。
の温度を加え、アウターリード６の露出基部６Ｃと折り
曲げ部６Ａを融着させて一体化する。
【００１９】上記した半導体装置によると、半導体チッ
プの樹脂封止後に半導体装置の底面に露出したアウター
リードに折り曲げ部を折り重ねることから、半田接合時
に生じる応力を折り曲げ部の曲げ方向に逃がすことが可
能となり、アウターリードの剥離による樹脂封止性の低
下が防止される。
プの樹脂封止後に半導体装置の底面に露出したアウター
リードに折り曲げ部を折り重ねることから、半田接合時
に生じる応力を折り曲げ部の曲げ方向に逃がすことが可
能となり、アウターリードの剥離による樹脂封止性の低
下が防止される。
【００２０】折り曲げ部に形成された半田めっき層は、
融点以上の温度を与えられることによって溶融し、折り
曲げ部と露出基部を一体化する。このことによって、ア
ウターリードが半導体装置の底面からリードの厚さだけ
突出するので、樹脂による汚染や樹脂に覆われることに
よる半田接合性の低下が防止される。また、半田接合時
に半田が吸い上げられてフィレットを形成することから
半田接合強度が向上する。
融点以上の温度を与えられることによって溶融し、折り
曲げ部と露出基部を一体化する。このことによって、ア
ウターリードが半導体装置の底面からリードの厚さだけ
突出するので、樹脂による汚染や樹脂に覆われることに
よる半田接合性の低下が防止される。また、半田接合時
に半田が吸い上げられてフィレットを形成することから
半田接合強度が向上する。
【００２１】また、リードの厚さに応じてプリント基板
等との間に接合高さが与えられることから接続の可否を
容易に確認することができる。更に、接合部分の面積が
拡大することによって放熱性が向上し、半田接合時に生
じる熱応力を緩和するので、熱的信頼性が向上する。
等との間に接合高さが与えられることから接続の可否を
容易に確認することができる。更に、接合部分の面積が
拡大することによって放熱性が向上し、半田接合時に生
じる熱応力を緩和するので、熱的信頼性が向上する。
【００２２】上記した半導体装置では、プリント基板等
との半田接合時における半田濡れエリアを拡大しながら
も半導体チップのサイズと略同等のサイズとすることが
でき、半田接合強度及び熱的信頼性に優れ、樹脂封止性
が良好でコンパクトな半導体装置を形成することができ
る。
との半田接合時における半田濡れエリアを拡大しながら
も半導体チップのサイズと略同等のサイズとすることが
でき、半田接合強度及び熱的信頼性に優れ、樹脂封止性
が良好でコンパクトな半導体装置を形成することができ
る。
【００２３】上記した実施の形態では、リードフレーム
材として銅、或いは銅合金を用いているがこれに限定さ
れず、アウターリードに折り曲げ部を折り曲げ加工する
際に破断をきたすことのない厚さ、及び硬さを有するこ
とが好ましい。例えば、板厚として０．１５ｍｍ以下
で、４２％Ｎｉ−Ｆｅより銅系の材料であることが好ま
しい。
材として銅、或いは銅合金を用いているがこれに限定さ
れず、アウターリードに折り曲げ部を折り曲げ加工する
際に破断をきたすことのない厚さ、及び硬さを有するこ
とが好ましい。例えば、板厚として０．１５ｍｍ以下
で、４２％Ｎｉ−Ｆｅより銅系の材料であることが好ま
しい。
【００２４】また、折り曲げ部に設ける半田めっき層の
代わりに、折り曲げ部に接着剤を塗布して折り曲げ接着
しても良く、接着剤についても絶縁性の接着フィルム、
或いは接着性のインクを用いて接着層を形成しても良
い。
代わりに、折り曲げ部に接着剤を塗布して折り曲げ接着
しても良く、接着剤についても絶縁性の接着フィルム、
或いは接着性のインクを用いて接着層を形成しても良
い。
【００２５】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明の半導体装置
によると、リードフレームのアウターリードをモールド
樹脂の表面或いは側面に近接して露出させるようにした
ため、樹脂による汚染や半田接合性の低下を防ぎ、半田
接合性及び熱的信頼性に優れ、樹脂封止性が良好でコン
パクト化を実現することができる。
によると、リードフレームのアウターリードをモールド
樹脂の表面或いは側面に近接して露出させるようにした
ため、樹脂による汚染や半田接合性の低下を防ぎ、半田
接合性及び熱的信頼性に優れ、樹脂封止性が良好でコン
パクト化を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施の形態における半導体装置を示す説
明図である。
明図である。
【図２】第１の実施の形態における半導体装置を示す説
明図である。
明図である。
【図３】従来の半導体装置を示す説明図である。
【図４】従来の他の半導体装置を示す説明図である。
１，半導体チップ １Ａ，電極端子 ２，接着剤 ３，インナーリード ３Ａ，Ａｇめっき面 ４，Ａｕ線 ５，共用インナーリード ６，アウターリード ６Ａ，折り曲げ部 ６Ｂ，表面 ６Ｃ，露出基部 ６Ｄ，半田めっき層 ７，モールド樹脂 １３，モールド樹脂 １４，半導体チップ １４Ａ，電極端子 １５，インナーリード １６，Ａｕ線 １７，共用インナーリード １８，接着フィルム １９，アウターリード ２０，半導体チップ ２０Ａ，電極端子 ２１，接着フィルム ２２，インナーリード ２３，共用インナーリード ２４，Ａｕ線 ２５，モールド樹脂 ２６，アウターリード
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 村上 元 茨城県日立市助川町３丁目１番１号 日立 電線株式会社電線工場内
Claims (3)
- 【請求項１】 リードフレームのインナーリードに半導
体チップの電極端子を有する面を接着し、前記インナー
リードと前記電極端子をワイヤボンディングし、前記半
導体チップの前記電極端子を有する面をモールド樹脂の
封止体で封止した半導体装置において、 前記リードフレームのアウターリードは、前記インナー
リードに続き、前記封止体に封入された封止部と、前記
封止部に続き、前記封止体の表面に露出した露出基部
と、前記露出基部に続き、前記封止体の表面で前記露出
基部に密着して折り曲げられた折り曲げ部を有すること
を特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 前記折り曲げ部は、前記露出基部と半田
で一体化されている請求項第１項記載の半導体装置。 - 【請求項３】 前記折り曲げ部は、前記露出基部と接着
剤で一体化されている請求項第１項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8013896A JPH09275177A (ja) | 1996-04-02 | 1996-04-02 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8013896A JPH09275177A (ja) | 1996-04-02 | 1996-04-02 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09275177A true JPH09275177A (ja) | 1997-10-21 |
Family
ID=13709904
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8013896A Pending JPH09275177A (ja) | 1996-04-02 | 1996-04-02 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09275177A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0860877A3 (en) * | 1997-02-25 | 2001-02-28 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device and method for producing thereof |
| JP2007266385A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Denso Corp | 電子装置の実装構造 |
| JP2022059117A (ja) * | 2020-10-01 | 2022-04-13 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造方法及び電力変換装置 |
-
1996
- 1996-04-02 JP JP8013896A patent/JPH09275177A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0860877A3 (en) * | 1997-02-25 | 2001-02-28 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device and method for producing thereof |
| EP1577944A1 (en) * | 1997-02-25 | 2005-09-21 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device and method for production thereof |
| JP2007266385A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Denso Corp | 電子装置の実装構造 |
| JP4561670B2 (ja) * | 2006-03-29 | 2010-10-13 | 株式会社デンソー | 電子装置の実装構造および電子装置の実装方法 |
| JP2022059117A (ja) * | 2020-10-01 | 2022-04-13 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造方法及び電力変換装置 |
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