JPH04171735A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH04171735A
JPH04171735A JP2297909A JP29790990A JPH04171735A JP H04171735 A JPH04171735 A JP H04171735A JP 2297909 A JP2297909 A JP 2297909A JP 29790990 A JP29790990 A JP 29790990A JP H04171735 A JPH04171735 A JP H04171735A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 半導体チップを溶着固定するためのダイマウント部上に
、半導体チップの電極とワイヤ付けを行なうためのワイ
ヤ付け部を設けられた半導体装置に閤し、 ダイポンディング時においてロウ付けの流出を少なくし
、ダイマウント部と半導体チップ電極とを確実にワイヤ
付けできる半導体装置を提供することを目的とし、 ダイマウント部の表面中、ワイヤ付け部を形成する部分
、及び、半導体チップを固定する部分に、夫々ワイヤ付
け及びチップ固定を良好に行なうための表面処理を施し
、両部分を該表面処理を施さない部分により分離した構
成とする。
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体チップを溶着固定するためのダイマウ
ント部上に、半導体チップの電極とワイヤ付けを行なう
だめのワイヤ付け部を設けられた半導体装置に関する。
半導体装置の製造に際して行なうボンディング工程には
、半導体チップをパッケージ基板上のダイマウント部に
半田等のロウ材にて溶着固定するボンディング工程（ダ
イボンディング）、及び、半導体チップの電極とインナ
リードとを接続したり、半導体チップの電極とダイマウ
ント部上のワイヤ付け部とインナリードとを接続してチ
ップ付け面のグランドをとるボンディング工程（ワイヤ
ボンディング）かある。前者は、半導体チップをパッケ
ージに固定することによって半導体チップ内に発生した
熱をパッケージを介して放出するために必要であり、後
者は、半導体チップと外部との電気的接続及びインピー
ダンス整合をとるために必要であり、いずれも半導体装
置の製造工程において重要な工程である。
〔従来の技術〕 第２図は従来の半導体装置の一例の構成図を示し、同図
（Ａ）は平面図、同図（Ｂ）は同図（Ａ）のＢ−Ｂ線に
沿った断面図、同図（Ｃ）は同図（Ａ）のＣ−Ｃ線に沿
った断面図である。同図中、１はダイマウント部で、パ
ッケージ基板２上に設けられている。３は半導体チップ
で、ダイマウント部３上に半田等のロウ材にて溶着固定
されている。４はセラミック枠で、基板２上に設けられ
ており、外部リード５及びインナリード６を取付けられ
ている。７．８はワイヤで、特にワイヤ７は半導体チッ
プ３の電極とインナリード６とを接続し、ワイヤ８は半
導体チップ３の電極とダイマウント部ｌの表面のワイヤ
付け部１ａとを接続している。
〔発明が解決しようとする課題〕
ところで、ワイヤ８をワイヤ付け部１ａに確実にボンデ
ィングするために、又、半導体チップ３をダイマウント
部１上にロウ材によって気泡を生じることなく確実に固
定するために、ダイマウント部１の表面には金メツキが
施されている。一方、これとは別に、ダイマウント部ｌ
に半導体チップ３を固定する場合（ダイボンディング）
、チップ３の背面に気泡か残っているとチップ３の放熱
効果が小さくなるので、チップ３をスクラブ（ダイマウ
ント部ｌ上で上下左右に動かす）して気泡を追出す。
この場合、チップ３のスクラブによって半田等のロウ材
かチップ３の外側にはみ出るか、従来装置は、ダイマウ
ント部１の表面全体に金メツキを施した構成であるため
、チップ３の外側にはみ出たロウ材はそのまま金メツキ
部分（加熱によっても表面かあまり酸化されず、表面の
摩擦抵抗か小さいままになっている）を流れてワイヤ付
け部１ａに到達してここを覆ってしまう。このため、こ
の従来装置は、ワイヤ８及びインナリード６のワイヤ付
け部１ａに対するワイヤ付けを行なうことができない問
題点かあった。
本発明は、ダイボンディング時においてロウ材の流出を
少なくし、ダイマウント部と半導体チップ電極とを確実
にワイヤ付けできる半導体装置を提供することを目的と
する。
〔課題を解決するための手段〕
本発明は、ダイマウント部の表面中、ワイヤ付け部を形
成する部分、及び、半導体チップを固定する部分に、夫
々ワイヤ付け及びチップ固定を良好に行なうための表面
処理を施し、両部分を該表面処理を施さない部分により
分離した構成とする。
この場合、ワイヤ付け部を形成する部分の表面、及び、
半導体チップを固定する部分の表面を、半導体チップの
ダイマウント部への固定の際の加熱によって酸化されに
くい材料、表面処理を施さない部分の表面を、該加熱に
よって酸化される材料で構成する。
〔作用〕
本発明では、ワイヤ付け部及びチップ固定部に前記表面
処理を施し、その他の部分には該表面処理を施さない。
このため、ダイボンディングの際のスクラブによってチ
ップの外側にはみ出たロウ材は表面処理を施されていな
い（つまり、摩擦抵抗が大きい）部分によρてその流出
を抑えられ、ワイヤ付け部に到達することはない。従っ
て、ワイヤ付け部におけるワイヤ付けを良好に行なうこ
とができる。
〔実施例〕
第１図は本発明の一実施例の構成図を示し、同図中、第
２図と同一構成部分には同一番号を付してその説明を省
略する。同図（Ａ）は平面図、同図（Ｂ）は同図（Ａ）
のＢ−Ｂ線に沿った断面図、同図（Ｃ）は同図（Ａ）の
Ｃ−Ｃ線に沿った断面図である。同図中、１０はダイマ
ウント部で、パッケージ基板２上に設けられており、そ
の表面には前述のインピーダンス整合のためのワイヤ８
をボンディングするためのワイヤ付け部の部分及び半導
体チップ３を固定する部分に金メツキ部１１ａ、ｌ１ｂ
（斜線で示す）が設けられている。−この場合、金メツ
キ部１１ａ、Ｉｌｂを良好に形成するためにダイマウン
ト部１０の表面全面にニッケルメッキを施してから金メ
ツキ部分１１ａ。
１１ｂを形成する。金メツキ部１１ａ、１１ｂの大きさ
は、チップ３をダイマウント部１０に確実に溶着固定で
きる程度の大きさ、ワイヤ８を確実にボンディングでき
る程度の大きさに夫々設定されている。なお、同図（Ａ
）においては、半導体チップ３固定のための金メツキ部
１１ｂを明確に図示するために半導体チップ３を破線に
て示す。
本発明では、金メツキ部１１ａ、１１ｂをダイマウント
部１０の表面に部分的（ワイヤ付け部１１ａ及びチップ
固定部１１ｂ）に設けたため、その残りの部分にはニッ
ケルメッキ部１２か露出している。ここで、ダイマウン
ト部ｌＯ上にチップ３をロウ材て溶着固定するに際し、
前述のようにスクラブを行なう。ニッケルメッキ部１２
は加熱によって表面が酸化され易いので、この表面の摩
擦抵抗が金メツキ部よりも大きい。この場合、本発明で
はダイマウント部１０上に部分的にニッケルメッキ部１
２が露出しているため、スクラブによってロウ材がチッ
プ３の外側にはみ出てもニッケルメッキ部１２の表面の
大きな摩擦抵抗によってロウ材の流出を少なくすること
ができる。
従って、ロウ材は従来例のようにワイヤ付け部（金メツ
キ部１１ａ）に到達することはなく、この部分を覆って
しまうようなことはないので、ワイヤ８及びインナリー
ド６のワイヤ付け部（金メツキ部１１ａ）に対するワイ
ヤ付けを良好に行なうことができ、信頼性及び生産性を
夫々向上できる。
なお、ワイヤ付け部１１ａ、チップ固定部１１ｂは金メ
ツキの他、銀メツキ等で構成してもよい。
〔発明の効果〕
以上説明した如く、本発明によれば、ダイマウント部の
表面中、ワイヤ付け部及びチップ固定部以外には表面処
理を施されていないので、スクラブによってチップの外
側にはみ出したロウ材はこの表面処理を施されていない
部分の大きな摩擦抵抗でその流出を抑えられ、ワイヤ付
け部がロウ材で覆われてしまうことはなく、従来例に比
してワイヤ付けを良好に行なうことができ、信頼性及び
生産性を夫々向上できる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例の構成図、 第２図は従来の一例の構成図である。 図において、 ２はパッケージ基板、 ３は半導体チップ、 ６はインナリード、 ７．８はワイヤ、 １０はダイマウント部、 １１ａは金メツキ部（ワイヤ付け部）、１１ｂは金メツ
キ部（チップ固定部）、１２はニッケルメッキ部 を示す。 特許出願人　富　士　通　株式会社

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）ダイマウント部（１０）上に、半導体チップ（３
    ）の電極とワイヤ付けを行なうためのワイヤ付け部（１
    １ａ）が設けられた半導体装置において、 上記ダイマウント部（１０）の表面中、上記ワイヤ付け
    部（１１ａ）を形成する部分、及び、上記半導体チップ
    （３）を固定する部分（１１ｂ）に、夫々ワイヤ付け及
    びチップ固定を良好に行なうための表面処理を施し（１
    １ａ、１１ｂ）、両部分（１１ａ、１１ｂ）を該表面処
    理を施さない部分により分離した構成としてなることを
    特徴とする半導体装置。
  2. （２）上記ワイヤ付け部を形成する部分（１１ａ）の表
    面、及び、上記半導体チップ（３）を固定する部分（１
    １ｂ）の表面を、上記半導体チップ（３）の上記ダイマ
    ウント部（１０）への固定の際の加熱によって酸化され
    にくい材料、 上記表面処理を施さない部分（１２）の表面を、該加熱
    によって酸化される材料で構成してなることを特徴とす
    る請求項１記載の半導体装置。
JP2297909A 1990-11-02 1990-11-02 半導体装置 Expired - Lifetime JP2958098B2 (ja)

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