JPS5978551A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置

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JPS5978551A
JPS5978551A JP57188721A JP18872182A JPS5978551A JP S5978551 A JPS5978551 A JP S5978551A JP 57188721 A JP57188721 A JP 57188721A JP 18872182 A JP18872182 A JP 18872182A JP S5978551 A JPS5978551 A JP S5978551A
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JP
Japan
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leadframe
lead frame
resin
semiconductor device
semiconductor element
Prior art date
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Pending
Application number
JP57188721A
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English (en)
Inventor
Ryoichi Yokoyama
良一 横山
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 樹脂封止型半導体装置に用いられるリードフレームの索
胴は一般にはＣｕやＦｅであるが、これらは酸化しやす
く、この酸化膜が半導体素子を固定するためのろう材と
リードフレーム素材間、あるいけ金属細線とリードフレ
ーム素材間に介在すると、各々の金属間の合金層の形成
を邦害し十分な結合強度を得ることが出来なし・。この
ため従来はリードフレーム表面には熱ンＺどのエネルギ
ーを与えることにより他の金属に拡散しやすく、かつ酸
化しにく（・金Ｅ↓例えばＡｇ−、　Ａ　ｕなどのメッ
キ層を形成しメツ■され１こ金属とろう材あるいは金属
細線との間に合金層を成形し結合させていた。
この方法ではリードフレームにメッキするためのコスト
が高くつき、又Ａ７をメッキした場合、Ａ．７がマイグ
レーションを起し、半導体素子まで到達し半導体素子を
劣化させる等の欠点があった。
本発明はかかる欠点を解消し安価にかつ信頼性の高（・
半導体装置と提供するものである。本発明で用（・られ
るリードフレーム素材の主成分は一般的なＣｕやＦｅ等
でも良くその表面には一切のメッキを施こして（・ない
が次に述べる方法で、ろう材や金属細線との合金層を形
成し、高い信頼性を維持するに充分な結合強度を得るこ
とが出来る。
まず、リードフレーム素材表面の酸化膜をユッザング等
の方法で除去した後、完全な不活性ガス内にて、リード
フレームに半導体素子をろうゼにより固定し、半導体素
子とリードフレームとを金属細線で熱圧着等の方法によ
り接続する。高温で行なわれるリードフレームへの半導
体素子の固定及び金属細線の接続は、不活性ガス内で行
なわれるため、リードフレーム上に酸化膜は生成されず
リードフレーム・素材とろう材及び金属細線との間に合
金属を形成することが出来る。
次に本発明の一実施例を示す。
Ｃｕを主成分とする素材からなりメッキを施こさな（・
リードフレームの表面の酸化膜を酸によるエツチングで
除去した後、純水及び有機容剤により洗浄する。洗浄さ
れたリードフレームは次工程に入るまでＮ２などの不活
性ガス中又は真空中に保管される。
次にこのリードフレームにＮ２又はアルゴン等の不活性
ガス中にてＰｂを主成分とするろう材により半導体素子
を固定する。次に同じく不活性ガス内にて半導体素子と
リードフレームにＡｕを主成分とする細線を熱圧着の方
法で接続する。前記不活性ガス中に０．が混入してしま
う湯治は不活性ガス中にＮ７を混合し、水素還元によっ
てＣｕの酸化膜を除去しても良（・。この様に本発明に
よれば、リードフレームにメッキを施こさなくともその
表面に酸化膜を生成しない様にすることで充分な信頼性
をもった半導体装置を製造出来、その結果半導体装置の
コストを大幅に低減することができる。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. リードフレームに半導体素子を固定し、半導体素子とリ
    ードフレームとを金属細線によって接続した後、前記半
    導体素子を含む主要部分を樹脂により封止してなる半導
    体装置にお（・て、前記リードフレームに一切のメッキ
    を施こさな（・ものを用（・ることを特徴とする半導体
    装置。
JP57188721A 1982-10-27 1982-10-27 樹脂封止型半導体装置 Pending JPS5978551A (ja)

Priority Applications (1)

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JP57188721A JPS5978551A (ja) 1982-10-27 1982-10-27 樹脂封止型半導体装置

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JP57188721A JPS5978551A (ja) 1982-10-27 1982-10-27 樹脂封止型半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS5978551A true JPS5978551A (ja) 1984-05-07

Family

ID=16228615

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JP57188721A Pending JPS5978551A (ja) 1982-10-27 1982-10-27 樹脂封止型半導体装置

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JP (1) JPS5978551A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59195853A (ja) * 1983-04-21 1984-11-07 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JPH04162555A (ja) * 1990-10-25 1992-06-08 Mitsubishi Materials Corp リードフレームとその製造方法及び半導体装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59195853A (ja) * 1983-04-21 1984-11-07 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JPS6349381B2 (ja) * 1983-04-21 1988-10-04 Tokyo Shibaura Electric Co
JPH04162555A (ja) * 1990-10-25 1992-06-08 Mitsubishi Materials Corp リードフレームとその製造方法及び半導体装置

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