JPH04162555A - リードフレームとその製造方法及び半導体装置 - Google Patents
リードフレームとその製造方法及び半導体装置Info
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 26
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims abstract description 11
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 10
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims abstract description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 9
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 6
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 14
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229920006280 packaging film Polymers 0.000 claims description 7
- 239000012785 packaging film Substances 0.000 claims description 7
- 238000004080 punching Methods 0.000 claims description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 claims description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 claims 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 claims 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 abstract description 9
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 abstract description 3
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 abstract description 3
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 2
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 abstract 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 5
- 235000014593 oils and fats Nutrition 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trichloroethane Chemical compound CC(Cl)(Cl)Cl UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000014121 butter Nutrition 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 1
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000003925 fat Substances 0.000 description 1
- 235000019197 fats Nutrition 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 238000005554 pickling Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85009—Pre-treatment of the connector or the bonding area
- H01L2224/8501—Cleaning, e.g. oxide removal step, desmearing
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85009—Pre-treatment of the connector or the bonding area
- H01L2224/8501—Cleaning, e.g. oxide removal step, desmearing
- H01L2224/85011—Chemical cleaning, e.g. etching, flux
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/852—Applying energy for connecting
- H01L2224/85201—Compression bonding
- H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
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Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
の表面にメツキを施すことなく金属細線を直接接合する
ことを可能とするリードフレームの製造方法に関するし
のである。
は、ボンディングワイヤを接合する部分にAu 、Ag
等の貴金属のメツキを施し、この部分にAu 、Cu等
の金属細線を超音波併用熱圧着により接合している。
可能である。また、最近のデノくイスは、多ビン化によ
りインナーリードのビンピッチ間隔が狭くなっているた
め、銀メツキの場合、モールド樹脂中で銀かマイグレー
ノヨンを起こし、隣接するリード間の短絡をもたらして
信頼性を低下させる問題がある。また、銅メツキでは、
従来の表面洗浄、梱包技術では酸化の影響で1週間以上
保管しておくと接合性か劣化する等の問題か発生するし
、また、ダイレクトボンディングに比較するとメツキコ
ストの点て高価になる。
細線を接合しようとすると、υ−Fフレームのプレス打
抜き時に付着した油脂類や、リードフレーム表面の酸化
膜あるいは酸化防止の1こめに塗布されている防錆剤等
の影響で接合性か悪く、実用化には至っていなかっ1こ
。
課題を解決し、リードフレーム表面にメツキを施すこと
なく金属細線を直接接合することを可能とし、乙って低
価格で信頼性の高いリードフレームを供給することを目
的とするしのである。
となく金属細線を接合することを可能とするリードフレ
ームを得べく研究を行っr二結果、所定のパターンに形
成されたり−トフレーム素体の表面にエツチングを施し
、洗浄した後梱包するようにして、−貫した工程により
、清浄な表面をそのまま保持することを骨子とするダイ
レクトボンディング用リードフレームの製造方法を発明
し、また、その各工程をそれぞれさらに効果音らしめる
ような方法を発明した。
ディング用リードフレームを用い、Au。
を含む合金より盛る金属細線を直接ボンディングして製
造した半導体装置を発明し1こ。
れたリードフレーム素体の表面は、プレス打抜き時に付
着した油脂類や、リードフレーム表面の酸化膜等で覆わ
れている。このリードフレーム表面にホンディングワイ
ヤを直接接合しようとすると、上記の付着物の影響で良
好な接合性は得られない。これらリードフレーム表面の
付着物を脱脂、酸洗等の方法で除去すると、処理直後の
リードフレームは良好な接合性を示すか、処理後数日経
過すると、再び表面か酸化してしまうため接合性か劣化
してしまう。そこで、この酸化を防止する1こめに処理
直後のリードフレームに防錆剤を塗布すると、酸化は防
止できろか、この防錆剤の影響でやはり良好な接合性は
得られない。
いる油脂類や酸化膜等を除去し、清浄な金属表面を得た
後、この面に防錆剤等を塗布することなく清浄な金属表
面を長期間保持すべく研究を行った結果、プレス打抜き
等により所定のバター7に形成されfこリードフレーム
素体の表面にエツチングを施し、洗浄しfニ後乾燥し、
梱包することによりリードフレーム表面へホンディング
ワイヤの接合性を長期間良好に保つことを見い出した。
またはメタノール中にHCIを0 、 l vo1%以
上含有する溶液を用い、洗浄液にアセトン、エタノール
、メタノール等揮発性の親水性有機溶媒を用い、この洗
浄液中で超音波洗浄を行い、ドライエアーもしくは窒素
によるブローを行うかまf二は圧力かI O−’tor
r以下の真空中での保持を行った後、リードフレームを
袋状の包装用フィルム内に、酸素吸着剤まには/および
吸湿剤と共に収め、アルゴン等の不活性ガスまf岨よ窒
素等、銅と反応性をほとんど有しない気体を封入して密
封することにより、長期間リードフレーム表面の酸化膜
厚を極めて薄く保ち、良好なワイヤボッディング性、半
田付性を得ることかできる。
1.た理由は、HCI の濃変かOlνOI%未満ては
リードフレーム表面の酸化膜を充分に除去てこないfこ
めワイヤ接合性、半田付性とらに満足できない。まfこ
、純水にHCIを溶解しf二溶液ではプレス打抜き時に
付着した油脂類を除去できないr二め、エツチングか不
均一となり同様に接合性を害する。従って、リードフレ
ーム表面に付着している油脂類と酸化膜をともに除去で
き、且つ洗浄または揮発することにより容易に除去でき
るエツチング剤として請求項2に記載のものを選定した
。
由は、洗浄方法か超音波洗浄によらず単に洗浄液中に浸
漬する場合には、エツチング時にリードフレーム表面に
付着したHCI成分を完全に除去しきれないため、これ
かリードフレーム表面に残留し、接合性を害する。また
、洗浄液かトリクロルエタンのように疎水性の有機溶媒
では、エツチング剤中にHCI と共に混入している水
分を除去できないため、リードフレーム表面が再び酸化
されてしま0、同様に、接合性を害する。洗浄液に純水
を使用して乙、この水分かり−トフレーム表面に酸化膜
を生成させろため接合性を害する。従って、エツチング
時にリードフレーム表面に付着したHCI成分と水分を
完全に除去でき、且つ洗浄液自身は乾燥により容易に除
去できろ洗浄方法として請求項3に記載の方法を選定し
た。
由は、真空乾燥時、圧力かI O−’torrより高い
場合、リードフレームの乾燥が不充分なまま包装用フィ
ルム中に密封されてしまうため、これを長期間保存して
おくとり−トフレーム表面に残留していた洗浄液の影響
で接合性か劣化してくる。また、通常の大気でブローし
L場合、大気中の酸素と水分の影響で乾燥中にリードフ
レーム表面が再び酸化されてしまうため、接合性を害す
る。
液を完全に除去し、且つ乾燥中にリードフレーム表面を
酸化することない乾燥方法として請求項4に記載の方法
を選定した。
由は、リードフレームを包装用フィルム内に酸素吸着剤
と通常の大気とともに密封しん場合には、酸素吸着剤か
密封した袋内の大気中の酸素を全部吸着するのに数日間
を要する1こめに、梱包初期にリードフレーム表面に酸
化膜を生成してしまうため接合性を害する。ま1こ、酸
素吸着剤や吸湿剤を使用せず、リードフレームを包装用
フィルム内にN、とともに密封した場合には、包装用フ
ィルムを透過して徐々に混入してくる酸素や水分のfこ
めに密封後長期間経過するとリードフレーム表面か酸化
され、同様に接合性を害する。また・リードフレームを
防錆紙で包んで包装用フィルム内にN、と共に密封した
場合、酸化膜厚は成長しないか、防錆剤の影響でやはり
接合性を害する。
付着させることなく長期間酸化を防止する梱包方法とし
て請求項5に記載の方法を選定した。
す成分組成の合金条(0,25m+a)を打抜いて、連
続したIC用リードフレームにし、それを第1表中No
、、1〜28に示す方法でエツチング、洗浄、乾燥、梱
包を行い、気温25℃、相対湿度30%の大気中に1日
間、7日間及び60日間保持しfこ。これを開封し、リ
ードフレーム表面の酸化膜厚、金属細線とのワイヤホン
ディング性及び半田付性を評価した。
φの各種金属細線を50本ずつポールーウェツノボンデ
ィングJ二よ:ン接合し、その引張り強度により評価し
た。半田付性は、該リードフレームを配合比が錫6、鉛
4の半田を溶かした温度230℃の半円槽に5秒間浸漬
し、その時の外観状況をもって評価した。
ように、No、1〜16に示す本発明リードフレームは
No、17〜28に示す比較例に比し長wIMIにわた
り酸化膜厚か薄いままであり、ワイヤボンディング性半
田付性いずれら良好でうつfコ。
のような高価で複雑な工程を必要とする貴金属メツキを
施すことなく、素体に金属細線を直接接合することを可
能とし、ICやLSIの製造工程を大巾に合理化でき、
低価格で信頼性の高い半導体装置の供給を可能としたも
のである。
Claims (8)
- (1)プレス打抜き等により所定のパターンに形成され
たリードフレーム素体の表面にエッチングを施し、洗浄
した後、乾燥し、梱包することを特徴とするリードフレ
ームの製造方法。 - (2)上記のエッチング剤として、エタノール中または
メタノール中にHClを0.1vol%以上含有させる
ことを特徴とする請求項1に記載のリードフレームの製
造方法。 - (3)上記の洗浄方法として、アセトン、エタノール、
メタノール等の揮発性の親水性有機溶媒中でリードフレ
ームを超音波洗浄することを特徴とする請求項1または
2に記載のリードフレームの製造方法。 - (4)上記の乾燥方法として、ドライエアーもしくは窒
素によるブローを行うことまたは圧力が10^−^1t
orr以下の真空中に保持することを特徴とする請求項
1ないし3に記載のリードフレームの製造方法。 - (5)上記の梱包方法として、リードフレームを、袋状
の包装用フィルム内に、酸素吸着剤または/および吸湿
材と共に収め、アルゴン等の不活性ガスまたは窒素等、
銅と室温において反応性を有しない気体を封入して密封
することを特徴とする請求項1ないし4に記載のリード
フレームの製造方法。 - (6)上記リードフレーム素体の表面の組成が銅または
銅合金からなることを特徴とする請求項1ないし5に記
載のリードフレームの製造方法。 - (7)請求項1ないし6に記載の製造方法により製造さ
れたリードフレーム。 - (8)請求項7に記載のリードフレームに、Au、Cu
又はAl及びこれらの金属のうち少なくとも一種を含む
合金より成る金属細線を直接ボンディングすることを特
徴とする半導体装置。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2287878A JP2539093B2 (ja) | 1990-10-25 | 1990-10-25 | リ―ドフレ―ムとその製造方法及び半導体装置 |
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JP2287878A JP2539093B2 (ja) | 1990-10-25 | 1990-10-25 | リ―ドフレ―ムとその製造方法及び半導体装置 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04162555A true JPH04162555A (ja) | 1992-06-08 |
JP2539093B2 JP2539093B2 (ja) | 1996-10-02 |
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JP2287878A Expired - Fee Related JP2539093B2 (ja) | 1990-10-25 | 1990-10-25 | リ―ドフレ―ムとその製造方法及び半導体装置 |
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JP (1) | JP2539093B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0847232A3 (en) * | 1996-11-12 | 1999-12-29 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Method for drying resin-used electronic parts |
JP2014516478A (ja) * | 2011-04-25 | 2014-07-10 | エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッド | ワイヤーボンディング法を改良するためのリードフレームのクリーニング |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5718330A (en) * | 1980-07-10 | 1982-01-30 | Toshiba Corp | Method of and apparatus for soldering semiconductor device |
JPS5978551A (ja) * | 1982-10-27 | 1984-05-07 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
-
1990
- 1990-10-25 JP JP2287878A patent/JP2539093B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5718330A (en) * | 1980-07-10 | 1982-01-30 | Toshiba Corp | Method of and apparatus for soldering semiconductor device |
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JP2539093B2 (ja) | 1996-10-02 |
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