JPH0974159A - 鉄系リードフレームの処理方法及びリードフレーム - Google Patents
鉄系リードフレームの処理方法及びリードフレームInfo
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- JPH0974159A JPH0974159A JP7254491A JP25449195A JPH0974159A JP H0974159 A JPH0974159 A JP H0974159A JP 7254491 A JP7254491 A JP 7254491A JP 25449195 A JP25449195 A JP 25449195A JP H0974159 A JPH0974159 A JP H0974159A
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- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 比較的簡単な処理により、部分銀めっき処理
等に対応でき、半導体装置（パッケージ）使用に耐える
鉄材を素材としたリードフレームの処理方法を提供す
る。 【解決手段】 鉄系の素材から外形加工されて作製され
たリードフレームに対する処理方法であって、少なくと
も、順に、（Ａ）外形加工されたリードフレームの表面
全面に銅めっきを施す電解めっき工程と、（Ｂ）銅めっ
きされたリードフレームの所定領域に銀めっきを施す部
分銀めっき工程と、（Ｃ）所定量の銀とモレを生じた銀
を除去するため、ないし銅めっき表面を清浄化するため
の電解剥離処理工程と、（Ｄ）電解剥離処理工程後、引
続き、露出している銅表面に対してのみ、酸化、水酸化
等を防止する為に保護膜を塗膜する表面処理を行う工程
とを有する。
等に対応でき、半導体装置（パッケージ）使用に耐える
鉄材を素材としたリードフレームの処理方法を提供す
る。 【解決手段】 鉄系の素材から外形加工されて作製され
たリードフレームに対する処理方法であって、少なくと
も、順に、（Ａ）外形加工されたリードフレームの表面
全面に銅めっきを施す電解めっき工程と、（Ｂ）銅めっ
きされたリードフレームの所定領域に銀めっきを施す部
分銀めっき工程と、（Ｃ）所定量の銀とモレを生じた銀
を除去するため、ないし銅めっき表面を清浄化するため
の電解剥離処理工程と、（Ｄ）電解剥離処理工程後、引
続き、露出している銅表面に対してのみ、酸化、水酸化
等を防止する為に保護膜を塗膜する表面処理を行う工程
とを有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，リードフレームの処理
方法とリードフレームに関し、特に、鉄系の素材から外
形加工されたリードフレームに対する処理方法に関す
る。
方法とリードフレームに関し、特に、鉄系の素材から外
形加工されたリードフレームに対する処理方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来より用いられている樹脂封止型の半
導体装置（プラスチックリードフレームパッケージ）
は、一般に図４（ａ）に示されるような構造であり、半
導体装置４０は、半導体素子を４２合金（４２％ニッケ
ル−鉄合金）等からなるリードフレームに搭載した後
に、樹脂４８により封止してパッケージとしたもので、
半導体素子４１の電極パッド４１ａに対応できる数のイ
ンナーリード４４を必要とするものである。そして、半
導体素子４１を搭載するダイパッド部４３や周囲の回路
との電気的接続を行うためのアウターリード部４５、ア
ウターリード部４５に一体となったインナーリード部４
４、該インナーリード部４４の先端部と半導体素子４１
の電極パッド４１ａとを電気的に接続するためのワイヤ
４９、半導体素子４１を封止して外界からの応力、汚染
から守る樹脂４８等からなっていた。そして、半導体装
置４０に使用されるリードフレーム４２は、一般には、
図４（ｂ）に示すような形状をしていた。尚、４６はダ
ムバー、４７は枠（フレーム）部である。
導体装置（プラスチックリードフレームパッケージ）
は、一般に図４（ａ）に示されるような構造であり、半
導体装置４０は、半導体素子を４２合金（４２％ニッケ
ル−鉄合金）等からなるリードフレームに搭載した後
に、樹脂４８により封止してパッケージとしたもので、
半導体素子４１の電極パッド４１ａに対応できる数のイ
ンナーリード４４を必要とするものである。そして、半
導体素子４１を搭載するダイパッド部４３や周囲の回路
との電気的接続を行うためのアウターリード部４５、ア
ウターリード部４５に一体となったインナーリード部４
４、該インナーリード部４４の先端部と半導体素子４１
の電極パッド４１ａとを電気的に接続するためのワイヤ
４９、半導体素子４１を封止して外界からの応力、汚染
から守る樹脂４８等からなっていた。そして、半導体装
置４０に使用されるリードフレーム４２は、一般には、
図４（ｂ）に示すような形状をしていた。尚、４６はダ
ムバー、４７は枠（フレーム）部である。
【０００３】このような半導体装置に用いられる、半導
体素子と外部回路とを電気的に結線するためのリードフ
レームとしては、高強度、良導電性、高放熱性や加工
性、耐熱性が要求され、銅合金や４２合金（４２％ニッ
ケル−鉄合金）がその素材として使用されていた。銅合
金は高い熱放散性、導電性をもっているが、熱膨張係数
がシリコンチップに比較して大きいためワイヤ（金線）
破断が生じる危険性も多く、決して満足できる材料とは
言えなかった。これに対し、４２合金は、銅合金に比
べ、熱膨張の点や強度的に優れているが、ニッケルを含
有して使用するため価格が高くなってしまうと言う問題
があった。
体素子と外部回路とを電気的に結線するためのリードフ
レームとしては、高強度、良導電性、高放熱性や加工
性、耐熱性が要求され、銅合金や４２合金（４２％ニッ
ケル−鉄合金）がその素材として使用されていた。銅合
金は高い熱放散性、導電性をもっているが、熱膨張係数
がシリコンチップに比較して大きいためワイヤ（金線）
破断が生じる危険性も多く、決して満足できる材料とは
言えなかった。これに対し、４２合金は、銅合金に比
べ、熱膨張の点や強度的に優れているが、ニッケルを含
有して使用するため価格が高くなってしまうと言う問題
があった。
【０００４】一方、リードフレームに要求される諸特性
を有し、かつ安価である素材としては、９７重量％以上
の鉄（Ｆｅ）成分を含む純鉄や炭素鋼等の鉄系の素材
（鉄材）が知られていたが、鉄系の素材（鉄材）は大気
中に放置すると錆を生じ易く、表面処理なしで放置した
場合には表面に点状の錆が発生するため、その扱いは難
しく、従来、殆どリードフレーム素材としては使用され
ていなかった。特に、表面実装に使用するリードフレー
ム材料としては、鉄系の素材（鉄材）は実用に至らなか
った。鉄材がリードフレーム材料として実用に至らなか
ったわけは、簡単には、鉄材で防錆めっきなどの表面処
理なしでリードフレームを製造した場合には、リードフ
レームの外観不良の問題や耐蝕性不足による半導体パッ
ケージの信頼性低下の問題が発生し、これを防ぐことが
できなかったことに加え、鉄材で防錆めっきなどの表面
処理を施してリードフレームを製造しようとした場合に
は、工程が複雑となり、部分銀めっきに対応した適当な
処理方法が見つからなかったことによる。尚、鉄材に厚
い防錆めっきを施す方法は、処理時間が長くなり、めっ
き材料を大量に必要とし高価となるという問題があるた
め実施されていない。また、気化性防錆剤などで鉄材の
錆発生を防止する方法は、防錆剤が銀めっき処理部を汚
染してワイヤボンディング性を劣化させる問題があるた
め実施されていない。しかし、最近のリードフレーム部
材への低価格化要求は厳しく、リードフレーム素材とし
て、銅合金や４２合金（４２％ニッケル−鉄合金）に代
わる素材として、鉄系の素材（鉄材）の使用が、再度検
討されるようになってきた。
を有し、かつ安価である素材としては、９７重量％以上
の鉄（Ｆｅ）成分を含む純鉄や炭素鋼等の鉄系の素材
（鉄材）が知られていたが、鉄系の素材（鉄材）は大気
中に放置すると錆を生じ易く、表面処理なしで放置した
場合には表面に点状の錆が発生するため、その扱いは難
しく、従来、殆どリードフレーム素材としては使用され
ていなかった。特に、表面実装に使用するリードフレー
ム材料としては、鉄系の素材（鉄材）は実用に至らなか
った。鉄材がリードフレーム材料として実用に至らなか
ったわけは、簡単には、鉄材で防錆めっきなどの表面処
理なしでリードフレームを製造した場合には、リードフ
レームの外観不良の問題や耐蝕性不足による半導体パッ
ケージの信頼性低下の問題が発生し、これを防ぐことが
できなかったことに加え、鉄材で防錆めっきなどの表面
処理を施してリードフレームを製造しようとした場合に
は、工程が複雑となり、部分銀めっきに対応した適当な
処理方法が見つからなかったことによる。尚、鉄材に厚
い防錆めっきを施す方法は、処理時間が長くなり、めっ
き材料を大量に必要とし高価となるという問題があるた
め実施されていない。また、気化性防錆剤などで鉄材の
錆発生を防止する方法は、防錆剤が銀めっき処理部を汚
染してワイヤボンディング性を劣化させる問題があるた
め実施されていない。しかし、最近のリードフレーム部
材への低価格化要求は厳しく、リードフレーム素材とし
て、銅合金や４２合金（４２％ニッケル−鉄合金）に代
わる素材として、鉄系の素材（鉄材）の使用が、再度検
討されるようになってきた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このように、リードフ
レーム部材への低価格化要求に伴い、銅合金や４２合金
（４２％ニッケル−鉄合金）に代わる素材として、鉄系
の素材（鉄材）の使用が検討されるようになってきて、
部分銀めっき処理等に対応でき、且つ、半導体装置（パ
ッケージ）使用にも耐える、鉄系リードフレームの処理
方法が求められるようになってきた。本発明は、このよ
うな状況のもと、比較的簡単な処理により、部分銀めっ
き処理等に対応でき、半導体装置（パッケージ）使用に
耐える鉄材を母材としたリードフレームを提供しようと
するものである。同時にその方法を提供しようとするも
のである。
レーム部材への低価格化要求に伴い、銅合金や４２合金
（４２％ニッケル−鉄合金）に代わる素材として、鉄系
の素材（鉄材）の使用が検討されるようになってきて、
部分銀めっき処理等に対応でき、且つ、半導体装置（パ
ッケージ）使用にも耐える、鉄系リードフレームの処理
方法が求められるようになってきた。本発明は、このよ
うな状況のもと、比較的簡単な処理により、部分銀めっ
き処理等に対応でき、半導体装置（パッケージ）使用に
耐える鉄材を母材としたリードフレームを提供しようと
するものである。同時にその方法を提供しようとするも
のである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の鉄系リードフレ
ームの処理方法は、鉄系の素材から外形加工されて作製
されたリードフレームに対する処理方法であって、少な
くとも、順に、（Ａ）外形加工されたリードフレームの
表面全面に銅めっきを施す電解めっき工程と、（Ｂ）銅
めっきされたリードフレームの所定領域に銀めっきを施
す部分銀めっき工程と、（Ｃ）所定量の銀とモレを生じ
た銀を除去するため、ないし銅めっき表面を清浄化する
ための電解剥離処理工程と、（Ｄ）電解剥離処理工程
後、引続き、露出している銅表面に対してのみ、酸化、
水酸化等を防止する為に保護膜を塗膜する表面処理を行
う工程とを有することを特徴とするものである。そし
て、上記において、電解剥離処理工程後、引続き、露出
している銅表面に対してのみ、酸化物、水酸化物等を除
去するための酸洗浄を施してから酸化、水酸化等を防止
する為に保護膜を塗膜する表面処理を行う工程を有する
ことを特徴とするものである。そして、上記において、
銅めっきの厚さが０．１μｍ〜１．５μｍであることを
特徴とするものである。そしてまた、上記において、酸
化、水酸化等を防止する為に保護膜を塗膜する表面処理
を行う工程が、ベンゾトリアゾール誘導体の水溶液ない
し不飽和脂肪族アミン類の水溶液を、浸漬ないしスプレ
ーにて塗膜するものであることを特徴とするものであ
る。本発明のリードフレームは、上記の処理方法にて処
理されたことを特徴とするものである。
ームの処理方法は、鉄系の素材から外形加工されて作製
されたリードフレームに対する処理方法であって、少な
くとも、順に、（Ａ）外形加工されたリードフレームの
表面全面に銅めっきを施す電解めっき工程と、（Ｂ）銅
めっきされたリードフレームの所定領域に銀めっきを施
す部分銀めっき工程と、（Ｃ）所定量の銀とモレを生じ
た銀を除去するため、ないし銅めっき表面を清浄化する
ための電解剥離処理工程と、（Ｄ）電解剥離処理工程
後、引続き、露出している銅表面に対してのみ、酸化、
水酸化等を防止する為に保護膜を塗膜する表面処理を行
う工程とを有することを特徴とするものである。そし
て、上記において、電解剥離処理工程後、引続き、露出
している銅表面に対してのみ、酸化物、水酸化物等を除
去するための酸洗浄を施してから酸化、水酸化等を防止
する為に保護膜を塗膜する表面処理を行う工程を有する
ことを特徴とするものである。そして、上記において、
銅めっきの厚さが０．１μｍ〜１．５μｍであることを
特徴とするものである。そしてまた、上記において、酸
化、水酸化等を防止する為に保護膜を塗膜する表面処理
を行う工程が、ベンゾトリアゾール誘導体の水溶液ない
し不飽和脂肪族アミン類の水溶液を、浸漬ないしスプレ
ーにて塗膜するものであることを特徴とするものであ
る。本発明のリードフレームは、上記の処理方法にて処
理されたことを特徴とするものである。
【０００７】尚、上記における鉄系の素材（鉄材）と
は、９７重量％以上の鉄成分を含む、純鉄や炭素鋼で、
素材にニッケル、クロム、コバルトなどの添加元素を合
計で３重量％以上の加えたものはこれに入らない。
は、９７重量％以上の鉄成分を含む、純鉄や炭素鋼で、
素材にニッケル、クロム、コバルトなどの添加元素を合
計で３重量％以上の加えたものはこれに入らない。
【０００８】
【作用】本発明のリードフレームの処理方法は、上記の
ような構成にすることにより、比較的簡単な処理で、部
分銀めっき処理等に対応でき、半導体装置（パッケー
ジ）使用に耐える鉄材を素材としたリードフレームの製
造を可能としている。詳しくは、外形加工されたリード
フレームの表面全面に銅めっきを施す電解めっき工程を
有することにより、鉄材からなるリードフレーム母材を
防錆することを可能としている。また、電解剥離処理工
程の後に、引続き、露出している銅表面に対してのみ、
酸化、水酸化等を防止する為に保護膜を塗膜する表面処
理を行う工程を有することにより、銅めっき部表面の酸
化物や水酸化物等による変色部の発生を防止しており、
この結果、半導体装置（パッケージ）に組み込まれた場
合にも、鉄材の錆の発生や、酸化物や水酸化物等による
変色部に起因した不良を引き起こすことがなく、使用に
耐えるものとしており、且つ、銀（Ａｇ）めっき上には
保護膜を設けないためボンディング性を損なわないもの
としている。更に、電解剥離処理工程の後に、引続き、
露出している銅表面に対してのみ、酸化物、水酸化物等
を除去するための酸洗浄を施してから酸化、水酸化等を
防止する為に保護膜を塗膜する表面処理を行う工程を有
することにより銅めっき部表面の酸化物や水酸化物等に
よる変色部の発生防止をより確実なものとしている。ま
た、銅めっきの厚さが０．１μｍ以上とすることより、
鉄系の素材（鉄材）の防錆を十分なものとしており、銅
めっきの厚さが１．５μｍ以下とすることより、めっき
に要する時間を実用範囲とするとともに、後工程処理で
の鉄材と銅の剥離が起こりにくくしている。また、酸
化、水酸化等を防止する為に保護膜を塗膜する表面処理
を行う工程が、ベンゾトリアゾール誘導体の水溶液ない
し不飽和脂肪族アミン類の水溶液を、浸漬ないしスプレ
ーにて塗膜するものであることにより、処理工程全体を
簡単な工程としている。そして、これらの水溶液は、銅
（Ｃｕ）表面のみに吸着し、変色防止膜を形成するとい
う特徴があり、銀（Ａｇ）めっき表面には吸着せず、銀
（Ａｇ）を汚染することはない為、ワイヤボンディング
性を損なうこともないものとしている。
ような構成にすることにより、比較的簡単な処理で、部
分銀めっき処理等に対応でき、半導体装置（パッケー
ジ）使用に耐える鉄材を素材としたリードフレームの製
造を可能としている。詳しくは、外形加工されたリード
フレームの表面全面に銅めっきを施す電解めっき工程を
有することにより、鉄材からなるリードフレーム母材を
防錆することを可能としている。また、電解剥離処理工
程の後に、引続き、露出している銅表面に対してのみ、
酸化、水酸化等を防止する為に保護膜を塗膜する表面処
理を行う工程を有することにより、銅めっき部表面の酸
化物や水酸化物等による変色部の発生を防止しており、
この結果、半導体装置（パッケージ）に組み込まれた場
合にも、鉄材の錆の発生や、酸化物や水酸化物等による
変色部に起因した不良を引き起こすことがなく、使用に
耐えるものとしており、且つ、銀（Ａｇ）めっき上には
保護膜を設けないためボンディング性を損なわないもの
としている。更に、電解剥離処理工程の後に、引続き、
露出している銅表面に対してのみ、酸化物、水酸化物等
を除去するための酸洗浄を施してから酸化、水酸化等を
防止する為に保護膜を塗膜する表面処理を行う工程を有
することにより銅めっき部表面の酸化物や水酸化物等に
よる変色部の発生防止をより確実なものとしている。ま
た、銅めっきの厚さが０．１μｍ以上とすることより、
鉄系の素材（鉄材）の防錆を十分なものとしており、銅
めっきの厚さが１．５μｍ以下とすることより、めっき
に要する時間を実用範囲とするとともに、後工程処理で
の鉄材と銅の剥離が起こりにくくしている。また、酸
化、水酸化等を防止する為に保護膜を塗膜する表面処理
を行う工程が、ベンゾトリアゾール誘導体の水溶液ない
し不飽和脂肪族アミン類の水溶液を、浸漬ないしスプレ
ーにて塗膜するものであることにより、処理工程全体を
簡単な工程としている。そして、これらの水溶液は、銅
（Ｃｕ）表面のみに吸着し、変色防止膜を形成するとい
う特徴があり、銀（Ａｇ）めっき表面には吸着せず、銀
（Ａｇ）を汚染することはない為、ワイヤボンディング
性を損なうこともないものとしている。
【０００９】本発明のリードフレームは、上記の本発明
のリードフレームの処理方法にて施されたもので、比較
的簡単な構造で、これを使用して樹脂封止型の半導体装
置を作製した場合には充分、実使用に耐えるものとして
いる。
のリードフレームの処理方法にて施されたもので、比較
的簡単な構造で、これを使用して樹脂封止型の半導体装
置を作製した場合には充分、実使用に耐えるものとして
いる。
【００１０】
【実施例】本発明のリードフレームの処理方法の実施例
を以下、図にそって説明する。図１は実施例のリードフ
レームの処理方法の工程図である。先ず、鉄系の素材
（鉄材）からなる、外形加工されたリードフレームを脱
脂等の洗浄処理した（Ｓ１）後に、表面全面に銅（Ｃ
ｕ）めっきを０．３μｍの厚さに施した。（Ｓ２） 銅めっきにはシアン浴による電解めっきを用いると、膜
厚の管理は容易で、めっき時間も短時間で済む。銅めっ
き厚としては、鉄系の素材（鉄材）完全に覆うために
０．１μｍ以上必要で、半導体装置作製のための後工程
で銅めっき部が鉄系の素材（鉄材）１１から剥離しない
ため、およびめっき作業性からは１．５μｍ以下である
ことが好ましい。次いで、部分銀めっきを行い、リード
フレームの所定の領域のみに銀（Ａｇ）を付着させた。
（Ｓ３） 部分銀めっきは、治具を用いリードフレームの所定の領
域を覆い、治具から露出した部分にノズル等からめっき
液を噴出させてかけて行った。この際、ノズル側を陽極
（アノード）、リードフレーム側を陰極として行った。
この後、薄く付いた銀（Ａｇ）モレ部分の銀（Ａｇ）を
除去するため、電解剥離処理を行った。（Ｓ４） 電解剥離液としは、日本高純度化学株式会社製のシルバ
ーストリッパーＤ−２３を用いたが、他には株式会社ジ
ヤパンエナジー製のＫＳ−５００、日本リーロナール株
式会社製のロナストリップＡＧ−Ｍ等が用いられる。リ
ードフレーム側に正電荷をかけて処理することにより銀
（Ａｇ）を溶かし、リードフレーム表面銀（Ａｇ）めっ
きの所定量及び薄くついた銀（Ａｇ）モレ部分の銀（Ａ
ｇ）を除去させるが、若干の銅（Ｃｕ）が溶解される。
この若干の銅（Ｃｕ）の溶解と処理後の水洗により銅
（Ｃｕ）めっき表面は清浄化されるものと考えられる。
次いで、電解剥離処理されたリードフレームの銅（Ｃ
ｕ）部表面の、酸化、水酸化等による変色を防止する為
にベンゾトリアゾール誘導体の水溶液にリードフレーム
全体を浸漬し、変色防止膜を銅（Ｃｕ）部表面に形成し
た。（Ｓ５） 酸化、水酸化等を防止する為の変色防止膜（保護膜）
は、ベンゾトリアゾール誘導体のＨＫ−２０００（ジュ
パンエナジー株式会社製）の水溶液（濃度１０％）を用
いて数Åの厚さに塗膜したものである。ベンゾトリアゾ
ール誘導体のＣＢブライト（メック株式会社）の水溶液
の濃度としては、０．５〜２０重量％で、５〜１２０秒
間の処理が適当である。電解剥離工程の後の、酸化物、
水酸化物等の生成による銅表面の変色防止膜（保護膜）
作製には、ベンゾトリアゾール誘導体の水溶液ないし不
飽和脂肪族アミン類の水溶液が用いられるが、これら
は、銅（Ｃｕ）表面のみに吸着し、変色防止膜を形成す
るという特徴があるため、ベンゾトリアゾール系（誘導
体）や不飽和脂肪族アミン類は銀（Ａｇ）めっき表面に
は吸着せず、銀（Ａｇ）を汚染することはない。ＨＫ−
２０００（ジャパンエナジー株式会社製）の他には、メ
ック株式会社製のＣＢブライトや日本高純度化学株式会
社製のカッパープロテクターＤＪ−２が知られている。
尚、必要に応じて、変色防止膜を塗膜する前に、酢酸な
ど、水酸化物、酸化物を溶解させるような無機酸、有機
酸を用い酸洗い（Ｓ５１）を施すと良い。濃度は５〜１
５重量％で、処理時間は５〜１２０秒間程度が好まし
い。
を以下、図にそって説明する。図１は実施例のリードフ
レームの処理方法の工程図である。先ず、鉄系の素材
（鉄材）からなる、外形加工されたリードフレームを脱
脂等の洗浄処理した（Ｓ１）後に、表面全面に銅（Ｃ
ｕ）めっきを０．３μｍの厚さに施した。（Ｓ２） 銅めっきにはシアン浴による電解めっきを用いると、膜
厚の管理は容易で、めっき時間も短時間で済む。銅めっ
き厚としては、鉄系の素材（鉄材）完全に覆うために
０．１μｍ以上必要で、半導体装置作製のための後工程
で銅めっき部が鉄系の素材（鉄材）１１から剥離しない
ため、およびめっき作業性からは１．５μｍ以下である
ことが好ましい。次いで、部分銀めっきを行い、リード
フレームの所定の領域のみに銀（Ａｇ）を付着させた。
（Ｓ３） 部分銀めっきは、治具を用いリードフレームの所定の領
域を覆い、治具から露出した部分にノズル等からめっき
液を噴出させてかけて行った。この際、ノズル側を陽極
（アノード）、リードフレーム側を陰極として行った。
この後、薄く付いた銀（Ａｇ）モレ部分の銀（Ａｇ）を
除去するため、電解剥離処理を行った。（Ｓ４） 電解剥離液としは、日本高純度化学株式会社製のシルバ
ーストリッパーＤ−２３を用いたが、他には株式会社ジ
ヤパンエナジー製のＫＳ−５００、日本リーロナール株
式会社製のロナストリップＡＧ−Ｍ等が用いられる。リ
ードフレーム側に正電荷をかけて処理することにより銀
（Ａｇ）を溶かし、リードフレーム表面銀（Ａｇ）めっ
きの所定量及び薄くついた銀（Ａｇ）モレ部分の銀（Ａ
ｇ）を除去させるが、若干の銅（Ｃｕ）が溶解される。
この若干の銅（Ｃｕ）の溶解と処理後の水洗により銅
（Ｃｕ）めっき表面は清浄化されるものと考えられる。
次いで、電解剥離処理されたリードフレームの銅（Ｃ
ｕ）部表面の、酸化、水酸化等による変色を防止する為
にベンゾトリアゾール誘導体の水溶液にリードフレーム
全体を浸漬し、変色防止膜を銅（Ｃｕ）部表面に形成し
た。（Ｓ５） 酸化、水酸化等を防止する為の変色防止膜（保護膜）
は、ベンゾトリアゾール誘導体のＨＫ−２０００（ジュ
パンエナジー株式会社製）の水溶液（濃度１０％）を用
いて数Åの厚さに塗膜したものである。ベンゾトリアゾ
ール誘導体のＣＢブライト（メック株式会社）の水溶液
の濃度としては、０．５〜２０重量％で、５〜１２０秒
間の処理が適当である。電解剥離工程の後の、酸化物、
水酸化物等の生成による銅表面の変色防止膜（保護膜）
作製には、ベンゾトリアゾール誘導体の水溶液ないし不
飽和脂肪族アミン類の水溶液が用いられるが、これら
は、銅（Ｃｕ）表面のみに吸着し、変色防止膜を形成す
るという特徴があるため、ベンゾトリアゾール系（誘導
体）や不飽和脂肪族アミン類は銀（Ａｇ）めっき表面に
は吸着せず、銀（Ａｇ）を汚染することはない。ＨＫ−
２０００（ジャパンエナジー株式会社製）の他には、メ
ック株式会社製のＣＢブライトや日本高純度化学株式会
社製のカッパープロテクターＤＪ−２が知られている。
尚、必要に応じて、変色防止膜を塗膜する前に、酢酸な
ど、水酸化物、酸化物を溶解させるような無機酸、有機
酸を用い酸洗い（Ｓ５１）を施すと良い。濃度は５〜１
５重量％で、処理時間は５〜１２０秒間程度が好まし
い。
【００１１】図２は、上記実施例のリードフレームの処
理方法によって得られた、本発明のリードフレームの実
施例の一部断面を示したものである。図２中、１０はイ
ンナーリード、１１は鉄系の素材（鉄材）、１２銅（Ｃ
ｕ）めっき、１３は銀（Ａｇ）めっき、１４は変色防止
膜（保護膜）、２０はアウターリードである。本実施例
のリードフレームは、鉄系の素材（鉄材）１１を母材と
するもので、母材である鉄系の素材（鉄材）１１の表面
全面に銅（Ｃｕ）めっき１２を施してあることにより、
鉄系の素材（鉄材）１１表面の錆の発生を防止してい
る。そして、銅（Ｃｕ）めっき１２上に銀（Ａｇ）めっ
き１２を所定の領域のみに設け、露出している銅（Ｃ
ｕ）めっき１２表面をベンゾトリアゾール誘導体の変色
防止膜（保護膜）１４で覆っている。図２（ａ）（イ）
はワイヤボンディングのための銀（Ａｇ）めっき１２を
設けたインナーリード１０の断面を示したもので、図２
（ａ）（ロ）は銀（Ａｇ）めっきを設けない箇所におけ
るインナーリード１０の断面を示している。図２（ｂ）
はアウターリード２０の断面を示している。銀（Ａｇ）
めっき１３表面には、変色防止膜（保護膜）はないた
め、ワイヤボンディング性を損なうこともない。 銅
（Ｃｕ）めっき１２の厚さについては、０．１μｍ以上
の銅厚は鉄系の素材（鉄材）１１を完全に覆うためには
必要で、１．０μｍと超える厚さにすると、半導体装置
（パッケージ）作製のための後工程で、銅めっき部が鉄
系の素材（鉄材）１１から剥離し易くなるため、０．１
μｍ〜１．０μｍの範囲の厚さに抑えることが必要であ
る。尚、インナーリード１０上の銀（Ａｇ）めっき１３
はワイヤボンディングのためのめっきである。
理方法によって得られた、本発明のリードフレームの実
施例の一部断面を示したものである。図２中、１０はイ
ンナーリード、１１は鉄系の素材（鉄材）、１２銅（Ｃ
ｕ）めっき、１３は銀（Ａｇ）めっき、１４は変色防止
膜（保護膜）、２０はアウターリードである。本実施例
のリードフレームは、鉄系の素材（鉄材）１１を母材と
するもので、母材である鉄系の素材（鉄材）１１の表面
全面に銅（Ｃｕ）めっき１２を施してあることにより、
鉄系の素材（鉄材）１１表面の錆の発生を防止してい
る。そして、銅（Ｃｕ）めっき１２上に銀（Ａｇ）めっ
き１２を所定の領域のみに設け、露出している銅（Ｃ
ｕ）めっき１２表面をベンゾトリアゾール誘導体の変色
防止膜（保護膜）１４で覆っている。図２（ａ）（イ）
はワイヤボンディングのための銀（Ａｇ）めっき１２を
設けたインナーリード１０の断面を示したもので、図２
（ａ）（ロ）は銀（Ａｇ）めっきを設けない箇所におけ
るインナーリード１０の断面を示している。図２（ｂ）
はアウターリード２０の断面を示している。銀（Ａｇ）
めっき１３表面には、変色防止膜（保護膜）はないた
め、ワイヤボンディング性を損なうこともない。 銅
（Ｃｕ）めっき１２の厚さについては、０．１μｍ以上
の銅厚は鉄系の素材（鉄材）１１を完全に覆うためには
必要で、１．０μｍと超える厚さにすると、半導体装置
（パッケージ）作製のための後工程で、銅めっき部が鉄
系の素材（鉄材）１１から剥離し易くなるため、０．１
μｍ〜１．０μｍの範囲の厚さに抑えることが必要であ
る。尚、インナーリード１０上の銀（Ａｇ）めっき１３
はワイヤボンディングのためのめっきである。
【００１２】上記、図２に示す本実施例のリードフレー
ムと、図３に示す各種表面処理がなされた比較例リード
フレームについて、各々１００枚について錆発生率を比
較した。尚、比較例は簡単のため銀（Ａｇ）めっきは施
さずに比較した。表１は、温度４０°Ｃ、相対湿度９３
％の環境（大気中）での放置時間（日数）に対する錆発
生率を示したものであり、表２は、温度２５°Ｃ、相対
湿度５０％の環境（大気中）での放置時間（日数））に
対する錆発生率を示したものである。 上記、表１、表２に示すように、比較例１、比較例２、
比較例３に錆発生が見られるのに対し、本発明のリード
フレームには、錆発生が見られなかった。この理由は、
電解剥離処理をされて清浄化された銅めっき表面上に変
色防止膜（保護膜）を設けたことにより、銅めっきが保
護され、この結果、鉄系の素材（鉄材）の表面の保護が
完全となり、錆発生を防止しているためと思われる。電
解剥離処理がなされていない比較例３のリードフレーム
の場合には、清浄化がなされていないため、清浄化され
ていない銅めっき表面の状態に起因して、変色防止膜を
設けているにもかかわらず錆が発生するものと思われ
る。
ムと、図３に示す各種表面処理がなされた比較例リード
フレームについて、各々１００枚について錆発生率を比
較した。尚、比較例は簡単のため銀（Ａｇ）めっきは施
さずに比較した。表１は、温度４０°Ｃ、相対湿度９３
％の環境（大気中）での放置時間（日数）に対する錆発
生率を示したものであり、表２は、温度２５°Ｃ、相対
湿度５０％の環境（大気中）での放置時間（日数））に
対する錆発生率を示したものである。 上記、表１、表２に示すように、比較例１、比較例２、
比較例３に錆発生が見られるのに対し、本発明のリード
フレームには、錆発生が見られなかった。この理由は、
電解剥離処理をされて清浄化された銅めっき表面上に変
色防止膜（保護膜）を設けたことにより、銅めっきが保
護され、この結果、鉄系の素材（鉄材）の表面の保護が
完全となり、錆発生を防止しているためと思われる。電
解剥離処理がなされていない比較例３のリードフレーム
の場合には、清浄化がなされていないため、清浄化され
ていない銅めっき表面の状態に起因して、変色防止膜を
設けているにもかかわらず錆が発生するものと思われ
る。
【００１３】
【発明の効果】本発明のリードフレームの処理方法は、
上記のように、比較的簡単な処理で、ワイヤボンディン
グなどのための部分銀めっき処理等に対応でき、半導体
装置（パッケージ）使用に耐える、鉄系の素材（鉄材）
を母材とするリードフレームの処理方法の提供を可能と
している。結果として、このような処理が施された本発
明のリードフレームを用いることにより、リードフレー
ムの低価格化要求に絶えるものとしている。詳しくは、
リードフレームの母材である鉄系の素材（鉄材）の表面
全体に銅（Ｃｕ）めっきを施した後に、必要領域のみ銀
（Ａｇ）めっきを施し、更に、露出した銅（Ｃｕ）めっ
き表面のみに、酸化、水酸化による変色を防止するため
の変色防止膜（保護膜）を設けることにより、安価であ
る鉄系の素材（鉄材）からなるリードフレームに錆を発
生させることなく、半導体装置への使用を可能としてい
る。
上記のように、比較的簡単な処理で、ワイヤボンディン
グなどのための部分銀めっき処理等に対応でき、半導体
装置（パッケージ）使用に耐える、鉄系の素材（鉄材）
を母材とするリードフレームの処理方法の提供を可能と
している。結果として、このような処理が施された本発
明のリードフレームを用いることにより、リードフレー
ムの低価格化要求に絶えるものとしている。詳しくは、
リードフレームの母材である鉄系の素材（鉄材）の表面
全体に銅（Ｃｕ）めっきを施した後に、必要領域のみ銀
（Ａｇ）めっきを施し、更に、露出した銅（Ｃｕ）めっ
き表面のみに、酸化、水酸化による変色を防止するため
の変色防止膜（保護膜）を設けることにより、安価であ
る鉄系の素材（鉄材）からなるリードフレームに錆を発
生させることなく、半導体装置への使用を可能としてい
る。
【図１】本発明のリードフレームの処理方法の実施例の
工程図
工程図
【図２】実施例のリードフレームの一部断面図
【図３】比較例リードフレームの一部断面図
【図４】半導体装置及びリードフレームを説明するため
の図
の図
１０ インナーリード ２０、２０Ａ、２０Ｂ ２０Ｃ アウターリード １１ 鉄系の素材（鉄材） １２ 銅（Ｃｕ）めっき １３ 銀（Ａｇ）めっき １４ 変色防止膜（保護膜） ４０ 半導体装置 ４１ 半導体素子 ４１ａ 電極パッド ４２ リードフレーム ４３ ダイパッド ４４ インナーリード ４５ アウターリード ４６ ダムバー ４７ 枠（フレーム）部 ４８ 樹脂 ４９ ワイヤ
Claims (5)
- 【請求項１】 鉄系の素材から外形加工されて作製され
たリードフレームに対する処理方法であって、少なくと
も、順に、（Ａ）外形加工されたリードフレームの表面
全面に銅めっきを施す電解めっき工程と、（Ｂ）銅めっ
きされたリードフレームの所定領域に銀めっきを施す部
分銀めっき工程と、（Ｃ）所定量の銀とモレを生じた銀
を除去するため、ないし銅めっき表面を清浄化するため
の電解剥離処理工程と、（Ｄ）電解剥離処理工程後、引
続き、露出している銅表面に対してのみ、酸化、水酸化
等を防止する為に保護膜を塗膜する表面処理を行う工程
とを有することを特徴とする鉄系リードフレームの処理
方法。 - 【請求項２】 請求項１において、電解剥離処理工程
後、引続き、露出している銅表面に対してのみ、酸化
物、水酸化物等を除去するための酸洗浄を施してから酸
化、水酸化等を防止する為に保護膜を塗膜する表面処理
を行う工程を有することを特徴とするリードフレームの
処理方法。 - 【請求項３】 請求項１において、銅めっきの厚さが
０．１μｍ〜１．５μｍであることを特徴とする鉄系リ
ードフレームの処理方法。 - 【請求項４】 請求項１ないし２において、酸化、水酸
化等を防止する為に保護膜を塗膜する表面処理を行う工
程が、ベンゾトリアゾール誘導体の水溶液ないし不飽和
脂肪族アミン類の水溶液を、浸漬ないしスプレーにて塗
膜するものであることを特徴とするリードフレームの処
理方法。 - 【請求項５】 請求項１ないし４に記載の処理方法にて
処理されたことを特徴とするリードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7254491A JPH0974159A (ja) | 1995-09-07 | 1995-09-07 | 鉄系リードフレームの処理方法及びリードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7254491A JPH0974159A (ja) | 1995-09-07 | 1995-09-07 | 鉄系リードフレームの処理方法及びリードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0974159A true JPH0974159A (ja) | 1997-03-18 |
Family
ID=17265798
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7254491A Withdrawn JPH0974159A (ja) | 1995-09-07 | 1995-09-07 | 鉄系リードフレームの処理方法及びリードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0974159A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6853056B2 (en) | 2001-12-25 | 2005-02-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device having a base metal lead frame |
| CN100392850C (zh) * | 2006-05-29 | 2008-06-04 | 朱冬生 | 一种引线框架以及具有所述引线框架的半导体器件 |
-
1995
- 1995-09-07 JP JP7254491A patent/JPH0974159A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6853056B2 (en) | 2001-12-25 | 2005-02-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device having a base metal lead frame |
| CN100392850C (zh) * | 2006-05-29 | 2008-06-04 | 朱冬生 | 一种引线框架以及具有所述引线框架的半导体器件 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20021203 |