JPH0151A - テトラキス〔3−(3,5−ジ第3級ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオニルオキシメチル〕メタンの製造法 - Google Patents
テトラキス〔3−(3,5−ジ第3級ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオニルオキシメチル〕メタンの製造法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野〕
本発明は、ポリオレフィンなどの酸化防止剤として賞月
されているテトラキス(3−(3,5−ジ第3級ブチル
−4−ヒドロキシフェニル)プロピオニルオキシメチル
コメタン〔以下、化合物(1)と略することもある〕の
製造法に関する。
されているテトラキス(3−(3,5−ジ第3級ブチル
−4−ヒドロキシフェニル)プロピオニルオキシメチル
コメタン〔以下、化合物(1)と略することもある〕の
製造法に関する。
化合物(1)はペンタエリスリトールと、少なくともペ
ンタエリスリトールに対して化学量論量以上の、すなわ
ち、少なくともペンタエリスリトール1モルに対して4
モル以上の3−(3,5−ジ第3級ブチル−4−ヒドロ
キシフェニル)プロピオン酸アルキルエステル〔以下、
化合物(II)と略することもある〕とを、たとえばア
ルカリ金属低級アルコキシドなどの触媒の存在下にエス
テル交換反応を行なうことにより製造し得ることは公知
である(特公昭42−19083号公報明細書)。
ンタエリスリトールに対して化学量論量以上の、すなわ
ち、少なくともペンタエリスリトール1モルに対して4
モル以上の3−(3,5−ジ第3級ブチル−4−ヒドロ
キシフェニル)プロピオン酸アルキルエステル〔以下、
化合物(II)と略することもある〕とを、たとえばア
ルカリ金属低級アルコキシドなどの触媒の存在下にエス
テル交換反応を行なうことにより製造し得ることは公知
である(特公昭42−19083号公報明細書)。
この方法により、化合物(1)を製造する際に前記公報
明細書に記載されるように、不純物として、特にペンタ
エリスリトールの水酸基が置換不完了の生成物、すなわ
ち式 で表わされるペンタエリスリトールのトリ置換物〔以下
、副生物と略することもある〕が副生し混入する。
明細書に記載されるように、不純物として、特にペンタ
エリスリトールの水酸基が置換不完了の生成物、すなわ
ち式 で表わされるペンタエリスリトールのトリ置換物〔以下
、副生物と略することもある〕が副生し混入する。
この副生物(III)の副生は、当然のことながら目的
とする化 合物(1)の収率を低下させる。さらに、本
発明者らの知見に よれば副生物(I[[)は単なる再
結晶法によっては、化合物(I)との分離が困難であり
、化合物(1)の純度を向上できなかった。したがって
、副生物(III)の生成を抑制させることは工業上極
めて好ましいことである。
とする化 合物(1)の収率を低下させる。さらに、本
発明者らの知見に よれば副生物(I[[)は単なる再
結晶法によっては、化合物(I)との分離が困難であり
、化合物(1)の純度を向上できなかった。したがって
、副生物(III)の生成を抑制させることは工業上極
めて好ましいことである。
一方、当該公報明細書では化合物(It)を化学量論量
より最大15%までの過剰量、すなわち、ペンタエリス
リトール1モルに対して、該化合物(n)を最大4.6
モルまで使用して副生物(III)の生成を抑制する旨
の示唆が記載されている0本発明者らは、この示唆に基
づき化合物(If)とペンタエリスリトールとのモル比
と副生物(I[)生成量との関係を詳細に調べたところ
、ペンタエリスリトール1モルに対して化合物(II)
を4.6モル以上使用すれば、副生物(III)の生成
量をペンタエリスリトールを基準として約10%、好ま
しくは約5%以下の収率に抑制でき、その後の精製工程
を終えることにより、実質的に副生物(III)の存在
しない目的物(1)が得られることを知ったが、この方
法では高価な化合物(■)を未反応のままに損失せざる
を得なく、製品コストが高いものであった。
より最大15%までの過剰量、すなわち、ペンタエリス
リトール1モルに対して、該化合物(n)を最大4.6
モルまで使用して副生物(III)の生成を抑制する旨
の示唆が記載されている0本発明者らは、この示唆に基
づき化合物(If)とペンタエリスリトールとのモル比
と副生物(I[)生成量との関係を詳細に調べたところ
、ペンタエリスリトール1モルに対して化合物(II)
を4.6モル以上使用すれば、副生物(III)の生成
量をペンタエリスリトールを基準として約10%、好ま
しくは約5%以下の収率に抑制でき、その後の精製工程
を終えることにより、実質的に副生物(III)の存在
しない目的物(1)が得られることを知ったが、この方
法では高価な化合物(■)を未反応のままに損失せざる
を得なく、製品コストが高いものであった。
(課題を解決するための手段)
以上の課題を解決すべく本発明者らは、原料として化合
物(II)とペンタエリスリトールとを使用して、化合
物(1)を製造する際に高価な化合物(II)を多量に
使用することなく、副生物(I[)の生成量を少量とし
て、収率よく純度の高い化合物N)を製造する方法を提
供することを目的として、鋭意研究を重ねた結果、本発
明を完成させるに至った。
物(II)とペンタエリスリトールとを使用して、化合
物(1)を製造する際に高価な化合物(II)を多量に
使用することなく、副生物(I[)の生成量を少量とし
て、収率よく純度の高い化合物N)を製造する方法を提
供することを目的として、鋭意研究を重ねた結果、本発
明を完成させるに至った。
すなわち、本発明者らは化合物(It)とペンタエリス
リトールとをエステル交換反応させる際、式で表わされ
るビス(2,2,2−トリス(ヒドロキシメチル)エト
キシコメタン(ペンタエリスリトールのビス体と略する
こともある)をペンタエリスリトールに対して、好まし
くは少量、就中0.05〜1.5重量%反応系に共存さ
せると、副生物(rl)の生成を少量とすることができ
、しかも、収率よく目的物(1)を得ることができると
いう驚くべき事実を見出した。
リトールとをエステル交換反応させる際、式で表わされ
るビス(2,2,2−トリス(ヒドロキシメチル)エト
キシコメタン(ペンタエリスリトールのビス体と略する
こともある)をペンタエリスリトールに対して、好まし
くは少量、就中0.05〜1.5重量%反応系に共存さ
せると、副生物(rl)の生成を少量とすることができ
、しかも、収率よく目的物(1)を得ることができると
いう驚くべき事実を見出した。
したがって、本発明は塩基性触媒の存在下、化合物(I
I)とペンタエリスリトールとをエステル交換反応させ
るに際し、ビス(2,2,2−)リス(ヒドロキシメチ
ル)エトキシコメタンの存在下に反応を行なうことを特
徴とするテトラキス(3−(3゜5−ジ第3級ブチル−
4−ヒドロキシフェニル)プロピオニルオキシメチルコ
メタンの製造法に関する。
I)とペンタエリスリトールとをエステル交換反応させ
るに際し、ビス(2,2,2−)リス(ヒドロキシメチ
ル)エトキシコメタンの存在下に反応を行なうことを特
徴とするテトラキス(3−(3゜5−ジ第3級ブチル−
4−ヒドロキシフェニル)プロピオニルオキシメチルコ
メタンの製造法に関する。
本発明の方法に従えば、高価な化合物(II)の使用量
がペンタエリスリトール1モルに対して、4.2〜4.
4モルとわずかな過剰量であっても、副生物(■)の生
成量をペンタエリスリトール基準で収率約10%以下、
好ましくは約5%以下とすることができ、しかも収率よ
く化合物(1)を得ることができ、単純な再結晶法によ
る精製を適用するだけで高純度の化合物(1)を得るこ
とができる。なお、化合物(II)とペンタエリスリト
ールのビス体とは、一部属応し、ペンタエリスリトール
のビス体のジまたはトリ置換体が副生ずるが、その量は
わずかであるので、化合物(n)の損失は少な(、また
再結晶法により当該副生物を容易に除去できるので化合
物(1)の純度を下げることはない。
がペンタエリスリトール1モルに対して、4.2〜4.
4モルとわずかな過剰量であっても、副生物(■)の生
成量をペンタエリスリトール基準で収率約10%以下、
好ましくは約5%以下とすることができ、しかも収率よ
く化合物(1)を得ることができ、単純な再結晶法によ
る精製を適用するだけで高純度の化合物(1)を得るこ
とができる。なお、化合物(II)とペンタエリスリト
ールのビス体とは、一部属応し、ペンタエリスリトール
のビス体のジまたはトリ置換体が副生ずるが、その量は
わずかであるので、化合物(n)の損失は少な(、また
再結晶法により当該副生物を容易に除去できるので化合
物(1)の純度を下げることはない。
以下、本発明を詳述するが、これにより本発明の構成、
利点がよりよく理解されるであろう。
利点がよりよく理解されるであろう。
本発明では、化合物(II)のアルキルエステルとして
は、特に炭素数1〜4のアルキルエステル、具体的には
メチルエステルまたはエチルエステルが好ましい。
は、特に炭素数1〜4のアルキルエステル、具体的には
メチルエステルまたはエチルエステルが好ましい。
化合物(n)は、ペンタエリスリトールに対して化学量
論量よりやや過剰、すなわち、ペンタエリスリトール1
モル部に対して、約4.2〜4.4モル部使用すること
が好ましいが、それ以上使用してもよい。
論量よりやや過剰、すなわち、ペンタエリスリトール1
モル部に対して、約4.2〜4.4モル部使用すること
が好ましいが、それ以上使用してもよい。
従来法では、この程度の過剰量では、前記副生物(■)
が相当量生成し、再結晶によっても除去されないので、
目的物(I)の純度が低かうたが、本発明の方法では副
生物(III)の副生量が少なく、後記する単純な再結
晶法により除去できるので、高純度の製品として化合物
(1)が得られる。
が相当量生成し、再結晶によっても除去されないので、
目的物(I)の純度が低かうたが、本発明の方法では副
生物(III)の副生量が少なく、後記する単純な再結
晶法により除去できるので、高純度の製品として化合物
(1)が得られる。
本発明の方法にあっては、エステル交換反応触媒を使用
する。その塩基性触媒としては、従来公知の触媒が使用
できる。具体的には、水素化ナトリウム、水素化カルシ
ウム、水素化リチウムなどのアルカリ金属またはアルカ
リ土類金属の水素化物;リチウムメトキシド、ナトリウ
ムメトキシド、カリウムメトキシド、リチウムエトキシ
ド、ナトリウム第3級ブトキシド、カリウム第3級ブト
キシドなどのアルカリ金属低級アルコキシド;金属ナト
リウム、金属カリウムなどのアルカリ金属;ジブチル錫
オキシド、モノブチル錫オキシド、トリブチル錫オキシ
ドなどの有機錫酸化物などを例示できるが、なかでも有
機錫酸化物の使用が好ましい、このような触媒は、従来
公知の量を使用すれば充分であり、通常、化合物(II
)100重量部に対して0.1〜10重量部、好まし、
くは0.3〜3重量部使用する。また、本発明のエステ
ル交換反応においては、溶媒を使用することが好ましい
、使用される溶媒としてはジメチルスルホキシド、ジメ
チルホルムアミド、テトラヒドロフラン、ジオキサン、
ジグライム、ジメチルアセトアミド、ヘキサメチルホス
ホアミド、1.2−ジメトキシエタン、アセトニトリル
、第3級ブタノール、トルエン、キシレン、ヘキサン、
ヘプタンなどを例示することができるが、なかでもトル
エン、キシレンの使用が好ましい、溶媒は、化合物(■
)1重量部に対して最大5重量部使用され、好ましくは
0.1〜10重量部使用される。
する。その塩基性触媒としては、従来公知の触媒が使用
できる。具体的には、水素化ナトリウム、水素化カルシ
ウム、水素化リチウムなどのアルカリ金属またはアルカ
リ土類金属の水素化物;リチウムメトキシド、ナトリウ
ムメトキシド、カリウムメトキシド、リチウムエトキシ
ド、ナトリウム第3級ブトキシド、カリウム第3級ブト
キシドなどのアルカリ金属低級アルコキシド;金属ナト
リウム、金属カリウムなどのアルカリ金属;ジブチル錫
オキシド、モノブチル錫オキシド、トリブチル錫オキシ
ドなどの有機錫酸化物などを例示できるが、なかでも有
機錫酸化物の使用が好ましい、このような触媒は、従来
公知の量を使用すれば充分であり、通常、化合物(II
)100重量部に対して0.1〜10重量部、好まし、
くは0.3〜3重量部使用する。また、本発明のエステ
ル交換反応においては、溶媒を使用することが好ましい
、使用される溶媒としてはジメチルスルホキシド、ジメ
チルホルムアミド、テトラヒドロフラン、ジオキサン、
ジグライム、ジメチルアセトアミド、ヘキサメチルホス
ホアミド、1.2−ジメトキシエタン、アセトニトリル
、第3級ブタノール、トルエン、キシレン、ヘキサン、
ヘプタンなどを例示することができるが、なかでもトル
エン、キシレンの使用が好ましい、溶媒は、化合物(■
)1重量部に対して最大5重量部使用され、好ましくは
0.1〜10重量部使用される。
本発明において最も重要な要件は、エステル交換反応時
にペンタエリスリトールのビス体を反応系内に存在させ
ることであり、かつ、その量をペンタエリスリトールに
対して、好ましくは0.05〜1.5重量%とすること
である。このような手段を採用することにより、前記副
生物(III)の副生量をペンタエリスリトール基準で
約lO%、好ましく約5%以下の収率とすることが可能
となる。ペンタエリスリトールのビス体の量が0.05
重量%未満では副生物(I)の生成量が多く、1.5重
量%を越えるとペンタ ・エリスリトールのビス体と化
合物(II)との反応が無視できない程進行し、高価な
化合物(II)を無駄に損失するとともに、後記する精
製工程で目的物(I)の再結晶率が著しく低下するなど
の欠点を有する。
にペンタエリスリトールのビス体を反応系内に存在させ
ることであり、かつ、その量をペンタエリスリトールに
対して、好ましくは0.05〜1.5重量%とすること
である。このような手段を採用することにより、前記副
生物(III)の副生量をペンタエリスリトール基準で
約lO%、好ましく約5%以下の収率とすることが可能
となる。ペンタエリスリトールのビス体の量が0.05
重量%未満では副生物(I)の生成量が多く、1.5重
量%を越えるとペンタ ・エリスリトールのビス体と化
合物(II)との反応が無視できない程進行し、高価な
化合物(II)を無駄に損失するとともに、後記する精
製工程で目的物(I)の再結晶率が著しく低下するなど
の欠点を有する。
本発明のエステル交換反応は、実質的にメタノール、エ
タノールなどのアルコールの生成が終了するまで行なわ
れ、通常80〜200℃の温度で5〜20時間実施され
る。該生成アルコールは反応系から除去される。除去方
法は、エステル交換反応を行なう際の通常の手段が採用
され、たとえば5〜50mmHgの減圧下で留出させる
方法などがあげられる。
タノールなどのアルコールの生成が終了するまで行なわ
れ、通常80〜200℃の温度で5〜20時間実施され
る。該生成アルコールは反応系から除去される。除去方
法は、エステル交換反応を行なう際の通常の手段が採用
され、たとえば5〜50mmHgの減圧下で留出させる
方法などがあげられる。
その際、特別な装置は必要とせず撹拌装置、加熱装置、
上記アルコールの留出装置を付した反応容器であれば、
いずれも使用できる。
上記アルコールの留出装置を付した反応容器であれば、
いずれも使用できる。
次に、エステル交換反応終了後の反応生成物から化合物
(1)が精製分離される。この精製分離手段としては、
好ましくは再結晶法が採用される。このとき使用される
溶媒としては、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタン、
メタノール、エタノール、プロパツール、イソプロパツ
ール、ブタノール、イソブタノールなどを例示できるが
、好ましくはメタノールまたはエタノールが使用される
。再結晶法に使用される溶媒は純粋である必要はなく、
たとえば市販のエタノールは約5%の水分を含有してい
るが、これでも充分使用可能である。
(1)が精製分離される。この精製分離手段としては、
好ましくは再結晶法が採用される。このとき使用される
溶媒としては、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタン、
メタノール、エタノール、プロパツール、イソプロパツ
ール、ブタノール、イソブタノールなどを例示できるが
、好ましくはメタノールまたはエタノールが使用される
。再結晶法に使用される溶媒は純粋である必要はなく、
たとえば市販のエタノールは約5%の水分を含有してい
るが、これでも充分使用可能である。
この再結晶法による精製分離操作では、前記反応生成物
中に化合物(1)が高収率で存在し、しかも副生物が少
ないので損失が少ない。
中に化合物(1)が高収率で存在し、しかも副生物が少
ないので損失が少ない。
以上、詳述した本発明の方法により製造される化合物(
1)は、前記副反応物(Ill)などの副生物の含量が
少なく高純度であり、たとえば酸化防止剤として優れて
いる。
1)は、前記副反応物(Ill)などの副生物の含量が
少なく高純度であり、たとえば酸化防止剤として優れて
いる。
以下、具体的に実施例にまり本発明を説明するが、本発
明はこれにより限定されるものではない。
明はこれにより限定されるものではない。
実施例!
撹拌機、還流冷却器、温度計および窒素導入管を備えた
lj!容40フラスコにトルエン300 g、ジブチル
錫オキシドλOg、ペンタエリスリトール44.2g、
純度99%以上の3−(3,5−ジ第3級ブチル−4−
ヒドロキシフェニル)プロピオン酸メチル420 g、
ビス(2,2,2−トリス(ヒドロキシメチル)エトキ
シコメタン0.11 gを加え、170〜175°Cで
12時間加熱撹拌しながら、生成するメタノールおよび
トルエンを留去した0反応終了後、トルエン300g、
シュウ酸2.0gおよびツルカフロック12gを加え、
還流下に脱水した。
lj!容40フラスコにトルエン300 g、ジブチル
錫オキシドλOg、ペンタエリスリトール44.2g、
純度99%以上の3−(3,5−ジ第3級ブチル−4−
ヒドロキシフェニル)プロピオン酸メチル420 g、
ビス(2,2,2−トリス(ヒドロキシメチル)エトキ
シコメタン0.11 gを加え、170〜175°Cで
12時間加熱撹拌しながら、生成するメタノールおよび
トルエンを留去した0反応終了後、トルエン300g、
シュウ酸2.0gおよびツルカフロック12gを加え、
還流下に脱水した。
トルエンに不溶のジブチル錫オキシドのシュウ酸塩およ
びツルカフロックを濾過して除き、次いでトルエンを減
圧下に留去したところ、淡黄色飴状物質420gを得た
。この飴状物質を分析した結果、テトラキス(3−(3
,5−ジ第3級ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロ
ピオニルオキシメチルコメタンがペンタエリスリトール
基準で、理論収率97.0%で生成していることおよび
副生物がペンタエリスリトール基準で、理論収率2.8
%で生成していることが認められた。
びツルカフロックを濾過して除き、次いでトルエンを減
圧下に留去したところ、淡黄色飴状物質420gを得た
。この飴状物質を分析した結果、テトラキス(3−(3
,5−ジ第3級ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロ
ピオニルオキシメチルコメタンがペンタエリスリトール
基準で、理論収率97.0%で生成していることおよび
副生物がペンタエリスリトール基準で、理論収率2.8
%で生成していることが認められた。
続いて、飴状物質を95%メタノール−水で再結晶する
と、白色結晶として97%の得率で目的物を得た。この
結晶の純度は99%以上であり、前記副生物の含量は1
重量%以下であった。
と、白色結晶として97%の得率で目的物を得た。この
結晶の純度は99%以上であり、前記副生物の含量は1
重量%以下であった。
実施例2〜4
実施例1において、ビス(2,2,2−)リス(ヒドロ
キシメチル)エトキシコメタンの使用量をペンタエリス
リトールに対して各々0.5重量%(実施例2)、0.
05重量%(実施例3)、1.5重量%(実施例4)と
する以外は、実施例1と同一の操作を行なった。
キシメチル)エトキシコメタンの使用量をペンタエリス
リトールに対して各々0.5重量%(実施例2)、0.
05重量%(実施例3)、1.5重量%(実施例4)と
する以外は、実施例1と同一の操作を行なった。
化合物(1)の収率、得率、副生物の収率および純度に
関する結果を、実施例1とあわせて第1表に示した。
関する結果を、実施例1とあわせて第1表に示した。
なお、実施例3.4で得られた結晶をイソプロパツール
を用いて再度再結晶を行なったが純度は第1表に示され
た値と同一であった。
を用いて再度再結晶を行なったが純度は第1表に示され
た値と同一であった。
第 1 表
〔発明の効果〕
本発明方法によると、目的とするテトラキス[3−(3
,5−ジ第3級ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロ
ピオニルオキシメチルコメタンが高収率、かつ高純度に
製造される。
,5−ジ第3級ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロ
ピオニルオキシメチルコメタンが高収率、かつ高純度に
製造される。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 塩基性触媒の存在下に、3−(3,5−ジ第3級ブチル
−4−ヒドロキシフェニル)プロピオン酸アルキルエス
テルとペンタエリスリトールをエステル交換反応させる
に際し、ビス〔2,2,2−トリス(ヒドロキシメチル
)エトキシ〕メタンの存在下に反応を行なうことを特徴
とするテトラキス〔3−(3,5−ジ第3級ブチル−4
−ヒドロキシフェニル)プロピオニルオキシメチル〕メ
タンの製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63021626A JPH0751536B2 (ja) | 1987-02-03 | 1988-02-01 | テトラキス〔3−(3,5−ジ第3級ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオニルオキシメチル〕メタンの製造法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62-24163 | 1987-02-03 | ||
JP2416387 | 1987-02-03 | ||
JP63021626A JPH0751536B2 (ja) | 1987-02-03 | 1988-02-01 | テトラキス〔3−(3,5−ジ第3級ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオニルオキシメチル〕メタンの製造法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6451A JPS6451A (en) | 1989-01-05 |
JPH0151A true JPH0151A (ja) | 1989-01-05 |
JPH0751536B2 JPH0751536B2 (ja) | 1995-06-05 |
Family
ID=12130672
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63021626A Expired - Lifetime JPH0751536B2 (ja) | 1987-02-03 | 1988-02-01 | テトラキス〔3−(3,5−ジ第3級ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオニルオキシメチル〕メタンの製造法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4883902A (ja) |
EP (1) | EP0300056B1 (ja) |
JP (1) | JPH0751536B2 (ja) |
DE (1) | DE3868164D1 (ja) |
WO (1) | WO1988005773A1 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH085844B2 (ja) * | 1989-06-08 | 1996-01-24 | 吉富製薬株式会社 | 流動性の優れたα晶テトラキス〔3―(3,5―ジ―t―ブチル―4―ヒドロキシフェニル)プロピオニルオキシメチル〕メタンおよびその製造方法 |
US5136082A (en) * | 1990-08-03 | 1992-08-04 | Himont Incorporated | Process for preparing organic esters and amides and catalyst system therefor |
TW289752B (ja) * | 1994-03-11 | 1996-11-01 | Ciba Geigy Ag | |
GB0324964D0 (en) * | 2003-10-27 | 2003-11-26 | Great Lakes Chemical Europ | Preparation of hydroxyphenyl carboxylic acid esters |
CN104768915B (zh) * | 2012-10-24 | 2016-05-04 | Kh新化株式会社 | 双季戊四醇单缩甲醛的六酯 |
CN104822808B (zh) * | 2012-10-24 | 2016-07-20 | Kh新化株式会社 | 双季戊四醇单缩甲醛的六酯 |
CN104230705A (zh) * | 2013-06-08 | 2014-12-24 | 中国石油化工股份有限公司 | 一种季戊四醇四羧酸酯的制备方法 |
JP6888324B2 (ja) * | 2017-02-23 | 2021-06-16 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミック電子部品の製造方法 |
JP7109697B1 (ja) * | 2022-04-27 | 2022-07-29 | 株式会社Adeka | テトラキス[メチレン-3-(3’,5’-tert-ブチル-4’-ヒドロキシフェニル)プロピオネート]メタンの製造方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3779945A (en) * | 1961-10-30 | 1973-12-18 | Geigy Ag J R | Mixtures of 3-(3,5-dialkyl-4-hydroxyphenyl)-propionic acid esters of alkanediols |
US4396552A (en) * | 1980-02-08 | 1983-08-02 | Ciba-Geigy Corporation | Novel metal mercaptides of esters of β-mercaptoalkanols |
JPS57197245A (en) * | 1981-05-28 | 1982-12-03 | Mitsui Petrochem Ind Ltd | Tetrakis(3-(3,5-dibutyl-4-hydroxyphenyl) propionyloxymethyl)methane |
US4511491A (en) * | 1982-07-26 | 1985-04-16 | Sumitomo Chemical Co., Ltd. | Stabilizers for synthetic resins |
US4594444A (en) * | 1983-12-22 | 1986-06-10 | Ciba-Geigy Corporation | Process for the preparation of sterically hindered hydroxyphenylcarboxylic acid esters |
US4716244A (en) * | 1985-05-02 | 1987-12-29 | Ciba-Geigy Corporation | Process for the preparation of sterically hindered hydroxyphenylcarboxylic acid esters |
US4683326A (en) * | 1985-07-19 | 1987-07-28 | Ciba-Geigy Corporation | Solvent-free crystallization of pentaerythritol tetrakis-[3-(3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl)propionate] and the novel alpha-crystalline form thereof |
KR910003810B1 (ko) * | 1988-12-31 | 1991-06-12 | 삼성전관 주식회사 | 플라즈마 표시소자의 구조 및 그 구동방법 |
JP3633673B2 (ja) * | 1995-07-11 | 2005-03-30 | 三菱瓦斯化学株式会社 | プリプレグ及び積層板 |
-
1988
- 1988-02-01 US US07/275,175 patent/US4883902A/en not_active Expired - Fee Related
- 1988-02-01 EP EP88901318A patent/EP0300056B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-02-01 JP JP63021626A patent/JPH0751536B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1988-02-01 WO PCT/JP1988/000088 patent/WO1988005773A1/ja active IP Right Grant
- 1988-02-01 DE DE8888901318T patent/DE3868164D1/de not_active Expired - Fee Related
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