JPH01502376A - コンピュータ大容量記憶装置用のソレノイド形薄膜読取/書込ヘッド及びその製造方法 - Google Patents

コンピュータ大容量記憶装置用のソレノイド形薄膜読取/書込ヘッド及びその製造方法

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JPH01502376A
JPH01502376A JP63506051A JP50605188A JPH01502376A JP H01502376 A JPH01502376 A JP H01502376A JP 63506051 A JP63506051 A JP 63506051A JP 50605188 A JP50605188 A JP 50605188A JP H01502376 A JPH01502376 A JP H01502376A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 薄膜読取/書込ヘッド及びその製造方法光」L皇」L量 玉丈ユ生立互 本発明は一般にデジタルデータ処理システム用の大容量記憶装置で使われる読取 /書込ヘッドの分野に関し、特に薄膜技術によって製造されるようなヘッドに関 する0本発明は、ソレノイド形付勢コイルを具備した新規な薄膜ヘッドと、新規 ヘッドの製造方法に関する。
又l米技歪皇脱夙 典型的な最新のデジタルデータ処理システムは、比較的小容量の半導体形主メモ リと、主メモリよりはるかに大きい容量を有するが、相対的にかなり速度の遅い 1つ以上の大容量記憶装置とを含む、メモリ装置の階層を備えている。大容量記 憶装置は、主メモリ内にあるデータ用のバックアンプ記憶を与えると共に、主メ モリ内へは記憶しきれないが必要なときプロセンサによって呼び出し可能とした い大きい容量のデータ用のバックアンプも与える。
プロセッサは一般に主メモリから直接情報を得るだけなので、大容量記憶装置内 にだけある情報を必要とするときは、大容量記憶装置が情報を主メモリへとコピ ーするのを可能とする。またプロセッサは、情報を処理した後ある時点で、処理 された情報を大容量記憶装置内へと記憶可能とする。これによって主メモリ内の 記憶容量が空くので、他の情報をそこへ記憶させることができる。
典型的な大容量記憶装置は磁気ディスク上に情報を記憶し、情報は読取/書込ヘ ッドによって発生される磁気媒体内での磁束の遷移の形で記録される。情報は、 各々ディスクの中心から所定の半径距離にある複数のトランク内に発生され、各 トラックは複数”のセクターに分割され、各セクターがディスクの所定の角度範 囲を見込んでいる。読取/書込ヘッドがアームから懸架され、アームは一般に“ シーク′動作時にディスクの表面上を半径方向に移動して、読取/書込ヘッドを 選ばれたディスクトランクと整合させる。ディスクは“サーチ“動作時に回転さ れて、所望の情報を含むセクターを読取/書込ヘッドと周方向に沿って整合させ 、読取/書込ヘッドがセクター内に含まれている情報を読み取るか、あるいはセ クター内の記録媒体上に情報を書き込む。
当初、読取/書込ヘッドは一般にカントつまりギャップを持つドーナッツ状で、 ギャップを挾んだドーナツツ(トロイド)体の両端が磁極片になっていた。そし て、ワイヤコイルがドーナッツ体の周囲に巻かれ、磁束を発生するように付勢さ れる。磁束は磁極片間に広がり、ディスクの磁気材料に当たる、データを書き込 み可能な密度は、ヘッドが単位時間毎に与えることができる磁束遷移の数、つま り磁束方向の変化の数に直接関連している。これらヘッドは比較的高い電気イン ダクタンスを有するので、充分満足できる速度の磁束遷移を得るためには、高価 な駆動回路が必要である。また、高いインダクタンスは1リンギング(ring ing :入力の急激な変化で出力に生じる振動状B)′を増大させる結果、信 号は急峻な遷移において所望の信号レベルを中心に変動し昌い。
リンギングが太き(なりすぎると、信号レベルに不確実性を生じる時間が長くな りすぎ、これは速度の低下を必要とする。
さらに最近、従来の読取/書込ヘッドよりもはるかに低いインダクタンスを有す る薄膜形読取/書込ヘッドが開発されてきた。
薄膜形読取/書込ヘンドは、集積回路チップを製造するのに使われている技術と ほぼ同様なリングラフインク技術によって製造される。かかるリングラフインク 技術では、まず平面(ブレーナ)状の磁極片が形成され、絶縁物質によって被覆 される0次いで、磁極片の一部上で且つ絶縁物質の上に平面ラセンの形でコイル が形成され、絶縁物質をラセンコイル上に被着した後、別の磁極片が絶縁物質の 上面に形成される。
しかし、典型的な薄膜形読取/書込ヘンドのコイルは平面ラセンの形状を有する ので、書込動作時に所望の磁場を発生したり、あるいは読取動作時にヘッドによ って検知される磁場を遮ったりする必要なコイルの巻回数を与えるのに、比較的 長い導体が必要である。平面ラセン形状では、導体の長さが巻線の数よりも速く 増加するので、長いラセン導体は比較的長い抵抗となり、それに応じて顕著な量 の熱の発生を生じる。コイルの抵抗の増加は、それに伴って読取動作時における 信号のノイズ増大ももたらす。
また、コイルがラセン形状を存すると、巻線間の相互インダクタンスも巻線の数 より速く増加するので、充分な数の巻線を持つ平面コイルは比較的高いインダク タンスも有する。高いインダクタンスは比較的低い実効共鳴周波数を生じ、これ はコイルに印加される信号で発生する望ましくないリンギングの量を増大する。
さらに、コイルが比較的高いインダクタンスを有するため、必要な書込を流を与 えるのに、書込動作時に高い駆動電圧が必要である。
1972年5月9日付けでり、 Romanki−他に発行された米国特許第3 ,662.119号、名称「薄膜形磁気トランスデユーサヘッド」は、ヘッドの 両磁極片の周囲に形成されたソレノイド(筒)形コイルを有し、コイルを付勢す る電流用の供給路と戻り路両方を与える薄膜ヘッドを開示している。コイルは複 雑な製造方法を用いて、各磁極片の周囲の一層内に形成される。しかし、両方の 磁極片の周囲にコイル層が必要なので、この種のコイルは、現在開発されつつあ り、ディスクの表面に水平でな(垂直にデータが記録される垂直記録方式で用い るのに適さない。
又m豆 本発明は、付勢コイルが少な(とも一方の磁極片の周囲にソレノイドの形で形成 されるような、デジタルデータ処理システムにおけるディスク記憶装置用の新規 で改良された薄膜形読取/書込ヘンド、及び該ヘッドの製造方法を提供する。
要約すれば、新規な本ヘッドは一対の平面状磁極片を含む、ソレノイド形コイル が少なくとも一方の磁極片の周囲に形成され、ソレノイド形コイルは磁極片の対 向両側で導電性物質からなる数列の平面状トレースの形状をなし、絶縁物質の平 面状層によって磁極片から離間されている。トレースは、磁極片の縦軸に対して 全体的に斜めの方向に延びる。磁極片の対向両側に位置した数個のトレースの端 部が相互に重なり合い、通路を介し相互に接続されてコイル層を形成し、通路に よって相互接続された平面状トレースで連続状の回路を実質的に形成する。電流 が印加されると、磁束が磁極片内に発生される。一方の磁極片の周囲にコイルを 形成した後、その片側に第2の磁極片を形成することができる。各トレースの斜 めの方向によって、印加電流はトレースと通路を通って磁極片の周囲を流れなが ら、磁極片の縦軸に沿った移動の方向を持つことができる。
改良態様において、コイルは磁極片の周囲で、磁極片の各側に位置して2層のコ イルを実質的に形成する2層のトレースと、内側層と、外側層とを備えることが できる。2つのコイル層が、コイル層の一方を介してヘッドに印加された電流用 の戻り路を効率的に与える。内側のコイル層は、磁極片の各側において縦軸に間 し外側のコイル層と反対の方向に斜めに延びたトレースによって形成され、内側 コイル層を形成するトレースの方が外側コイル層のトレースより幾分短く、磁極 片により接近している。また、内側コイル層を形成するトレースの端部は相互に 重なり合い、通路を介して相互接続される。短い方のトレースが一方のコイルを 形成し、これは他方の外側コイルの内側に位置する。外側及び内側コイルは、そ れらの各一端で相互に接続される。
新規な本ヘッドを製造する方法では、平面状のベースがまず形成され、次に後で 形成される磁極片の縦軸に選定された方向に対して斜めのほぼ平行な方向に、一 連の導電性トレースが形成される。トレースは、周知のリングラフイック法で形 成できる0次いでその上に、第2の絶縁層が被着される。第2のコイル層を形成 すべきときは、第2のトレース層が第2の絶縁層上に、磁極片軸の選定方向に関 して第1のトレース層の方向と反対の方向に斜めに形成される。
第2のコイル層の形成後、同じくリングラフイック技術によって、第3の絶縁層 が形成され、磁極片が形成される0次いで、第4の絶縁層が形成され、内側コイ ルと関連した第3層のトレースが形成される。第3層のトレースの端部は第2層 のトレースの端部とほぼ重なり合い、また第3層のトレースは磁極片の縦軸に関 して第2層のトレースに対し全体的に反対方向に斜めである。このプロセス中に 、第2及び第3層のトレースの端部間に通路が形成され、この通路に導電性物質 が被着されて内側コイルを完成する0通路は、米国特許出ItlI(代理人取扱 番号83−367)に記述された方法によって形成し得る。
内部コイルの完成後、第5の絶縁層が被着され、外側コイルと関連した第4層の トレースが形成される。第4層のトレースの端部は、第2層のトレースの一つの 端部と重なり合う端部を除き、第1層のトレースの端部とほぼ重なり合う、下側 の各端部に至る通路が形成され、通路内部にalt性物質物質着される。これに よって、外側コイル、及び内側コイルへの接続が完成する。
′ の ゛なi゛ 本発明は、添付の請求の範囲で厳密に記述される6本発明の上記及びその他の利 点は、添付の図面に関連した以下の説明を参照することによってより明瞭に理解 されよう。
第1A図は、本発明に従って構成された読取/書込ヘッドの一部を形成する磁極 片と各トレース(配線パターン)の概略レイアウトを示す図; 第1B図は、第1A図を理解するのに役立つ表;及び第1C図は、第1A図に概 略的に示したヘッドの一部の、IC−IC線に沿った概略側断面図である。
貰示ス11屑且亙星翌所 図面を参照すると、本発明に従って構成された新規な読取/書込ヘッド10は、 磁極片12と、ハードベークしたフォトレジスト、二酸化シリコン(Si(h) 及びアルミナ(A j! 宜0*)など絶縁物質の層上に形成された導電物質の 複数のトレースとを含む、各トレースは、磁極片12の縦軸13に対して所定の 角度で形成され、後述するように、絶縁物質内の通路(バイア)に被着された導 電物質によって相互接続される。導電性トレース及び通路の構成、すなわちそれ らの相互及び磁極片12に対する配置と向きは、磁極片の周囲にソレノイド形コ イルを形成するように選ばれる。
ヘッド10は絶縁物質の平面層上にそれぞれ形成された4層の導電性トレースを 含み、そのうち2層が磁極片12の下側に位置し、残り2層が磁極片12の上側 に位置する。すなわち、トレース層のうち2つは3つのトレース14.16及び 18を含む下方の第1トレース層と、3つのトレース20.22及び24を含む 上方の第4トレース層とからなる。第1B図にまとめたように、トレース14. 16及び18は全て第1八図中実線で示してあり、各一対の実線が一つのトレー スを表す、同じく、トレース20.22及び24は全て第1A図中点線で示して あり、各一対の点線が一つのトレースを表す。
トレースの残り2つの層は、第1トレース層と磁極片12の間に位置した3つの トレース26.28及び30からなる第2トレース層と、(上方の)第4トレー ス層と磁極片120間に位置した2つのトレース32及び34からなる第3トレ ース層とを含む。
第1B図にまとめたように、トレース26.28及び30は全て第1A図中一点 鎖線で示してあり、またトレース32及び34は第1A図中二点鎖線で示しであ る。
第1C図に示すように、磁極片12と全てのトレースは絶縁物の各層上に形成さ れ且つ埋め込まれている。6層の絶縁物質、すなわち層36.38.40.42 .44及び46が第1C図に示しである。後で詳述するように、絶縁層36とト レース14.16及び18を形成した後、絶縁層38.40.42及び44が逐 次被着され、各トレースまたは磁極片12がそれぞれの上に形成される。各トレ ース層のトレース端部は後述するように適切な方法で相互に接続され、ソレノイ ド形コイルを形成する。すなわち、選定対のトレースの端部が相互に重なり合う 関係で位置し、重なり合う両端部が通路を介して相互に接続される。最上のトレ ース層、つまりトレース20.22及び24が形成され、通路を介した全ての接 続が形成された後、絶縁層46が施されトレースを被覆する。その後、第2の磁 極片(不図示)をベンド10上に適宜形成することができる。
符表千1−502376 (4) 上述したように、各トレースは、トレースの端部間で絶縁層を貫いて形成された 該当の通路によって相互に接続される。これらの相互接続が連続状の回路を形成 し、トレースと通路が協働して磁極片12の周囲に、(第1A図において)上端 から先端74へと向かうコイル状の電気路を実際上形成する。このような一つの 通路、すなわち通路48は、最下トレース層のトレース14の(第1A図におい て)右端を、最上トレース層のトレース24の右端に接続する。同じく、通路5 0と52が、それぞれ最下及び最上トレース層の残りのトレース16と22及び 18と20の各右端を相互に接続する。同じく、通路54と56が、それぞれ第 1 (最下)及び第4(最上)トレース層間で、トレース18と22及び16と 24の各対の左端を相互に接続する。この結果、(第1A図において)磁極片1 2の頂部に近いトレース14の最左端から、磁極片12の底部に近いトレース2 0の最左端へと延びるソレノイドコイルが、磁極片12の周囲に形成される。
第2及び第3のトレース層も同じく、通路58(トレース34と28の右端)、 通路60(トレース32と26の右端)、通路62(トレース30と24の左端 )、及び通路64 (トレース28と32の左端)によって相互に接続される。
この結果、(第1A図において)磁極片12の頂部に近いトレース30の最左端 から、磁極片12の底部に近いトレース26の最左端へと延びるソレノイドコイ ルが、磁極片12の周囲に形成される。この第2及び第3のトレース層から形成 されたソレノイドコイルは一般に、前記第1及び第4のトレース層から形成され たソレノイドコイルの内側に位置する。
これら2つのソレノイドコイルは、トレースの最上層内のトレース20の最左端 をトレースの第2層内のトレース26の最左端へと接続する通路66によって相 互に接続される。この結果、付勢電流用の供給路と戻り路の両方を有し、両路が 一方の磁極片12の周囲に形成された単一のソレノイドコイルが得られる。従っ て、新規な本ヘッドは戻り電流路を与えるため他方の磁極片の周囲に形成される コイルを必要とせず、従って本ヘッドは垂直記録方式で用いるのに特に適するこ とが明かであろう、しかし、垂直記録方式が使われないときは、第2の磁極片( 不図示)の周囲に別のコイルを形成してもよいことが明かであろう。
第1AIJに戻れば、トレース14の最左端とトレース30の最右端とは、例え ば絶縁層46の最上(第1C図において最古)面上に配置し得るボンディングバ ンド70と72へ、それぞれ通路74と76を介して接続される。書込電流を発 生したり、あるいはヘッドで発生した読取電流を検知する通常の読取/書込信号 発生及び検知回路(不図示)が、周知の方法でポンディングパッドに接続されて いる。ポンディングパッドは任意の箇所に配置し得るが、読取/書込信号発生及 び検知回路からのライン間通路の抵抗を最小とするため、接続すべきトレースの 端部近くに形成するのが望ましい。
新規な本読取/書込ヘッドを製造する方法は、次の通りである。
まず、第1の絶縁層36がトレース14.16及び18用のペースとして形成さ れ、これらトレースが通常のリソグラフインク及び金属被着技術を用いて絶縁層 36上に形成される0次いで、第2の絶縁層38が通常の技術を用いて形成され 、その上面(第1C図では右側の面)が滑らかにされる。絶縁層38の上面がト レース26.28及び30用のベースとなり、これらのトレースがその上に形成 される0次いで、第3の絶縁層40を形成した後、磁極片12が形成される。磁 極片も同様のリソグラフインク技術を用いて形成できるが、磁極片はトレースよ りも幾分厚めとする。
磁極片の形成後、第4の絶縁層42が形成され、またトレースの第2層に至る通 路が形成される0次いで、金属層が被着されてトレースの第3層を形成すると共 に、通路がNLt性物質で満たされることによって、内側のソレノイドコイルを 形成する。同時に、後述するようにトレースの第1層とトレースの第4層とを相 互に接続するのに後で使われる通路を形成し、導電性物質で満たしておいてもよ い、これらの通路を形成するには、前記の米国特許出@(代理人取扱番号83− 367)、名称「電子部品等の製造にレーザを用いたミクロリソグラフインク技 術」に開示の方法が使える。
トレースの第3層を形成し、トレースの第2及び第3層間の通路を介して相互接 続を形成した後、第5層の絶縁層である層44が形成され、トレースの第1層に 至る通路が形成される0次いで、金属層が被着されトレースの第4層、すなわち トレース20.22及び24を形成すると共に、通路が導電性物質で満たされ外 側のソレノイドコイルを与える。その後、最上の絶縁層46が被着される。
トレース14.30の各端とボンディングバンド70.72との間の接続は、各 トレースの端部を相互接続した上記と同じ方法を用いて形成し得る。この接続は 、プロセス中任意の適宜時点で行える。
以上述べたように、本発明に従って構成された前記のごとき磁極片と導体を含む ヘッドは、水平または垂直どちらの記録方式を採用したディスクドライブにおい ても有用である。これは、一方の磁極片の周囲に形成され、内外両側のコイル層 を含むソレノイドコイルが、付勢電流用の供給路と戻り路の両方を与えるという 事実に基づいている。従って、本ヘッドは戻りt流路を与えるのに、他方の磁極 片の周囲に第2のコイルを形成する必要がない。
また、ヘッドを製造する新規な本方法は、ヘッドの製作を容易とする。
尚、読取/書込ヘッドが一般に2つの磁極片を含むことは明かであろう、垂直記 録で使われるヘッドでは一般に、一方の磁極片にだけコイルが巻かれる。しかし 、ヘッドを水平記録で使用するときは、一方だけまたは両方共のどちらで磁極片 の周囲にコイルを巻いてもよい。
上記の説明は、本発明の特定の実施例に限定して行った。しかし、本発明の利点 の一部または全部を達成しつつ、各種の変形及び変更を本発明についてなし得る ことは自明であろう、従って、添付の請求の範囲の記載は、本発明の真の精神及 び範囲内に入るかかる全ての変形及び変更を包含するものである。
手続補正書(方式) %式% 3、補正をする者 事件との関係 出願人 4、代理人 5、補正命令の日付 平成1年4月25日国際調査報告 −m−−1^紳−ww−m、PCτ/US 8g102243国際調査報告 US 8802243 S^ 23359

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.デジタルデータ処理システムの磁気記憶装置で使われる読取/書込ヘッドに おいて、少なくとも一方の磁極片が記憶媒体に隣接する一端と反対側の遠方端と を有し、前記磁極片が前記両端間での縦軸を限定し、また前記磁極片が、磁極片 の周囲に隣接して形成され且つほぼ平面状の対向外側表面を有する絶縁手段によ って磁極片から離間されたソレノイド形コイル手段を有し、該ソレノイド形コイ ル手段が、前記絶縁手段の外側表面上に形成され、前記縦軸に対して斜めの方向 に延びた複数の導電性トレース手段と、前記絶縁手段を貫いて形成され、前記絶 縁手段の対向表面上で前記トレース手段の少なくとも一部の端部を相互接続して 前記トレース手段を通る連続状の電気回路を形成し、前記磁極片の周囲に連続状 のソレノイド形コイルを形成する通路と、前記磁極片に隣接して位置し、信号源 に接続されて前記コイルから該信号源へ電流を戻すのに適した戻り路手段とを備 えた読取/書込ヘッド。
  2. 2.前記戻り路手段が、前記ソレノイド形コイル手段の内側に形成された第2の ソレノイド形コイル手段からなる請求の範囲第1項記載の読取/書込ヘッド。
  3. 3.前記第2のソレノイド形コイル手段が、前記磁極片の対向両側で前記絶縁手 段内に形成された複数のほぼ平面状の導電性トレース手段を備え、前記第2のソ レノイド形コイル手段が前記第1のソレノイド形コイル手段により全体的に短く 、さらに前記磁極片の両側における前記第2のソレノイド形コイル手段が前記縦 軸に対して斜めの方向をなすと共に通路によって相互接続された複数の端部を有 し、一つの通路が前記第1及び第2のソレノイド形コイル手段の各々のトレース 手段の各一端を相互接続する請求の範囲第2項記載の読取/書込ヘッド。
  4. 4.前記第1及び第2ソレノイド形コイルのトレース手段の各々に、前記遠方端 の近くで接続された第1及び第2の接続手段をさらに備え、該各接続手段が信号 源に接続されるポンディングパッド手段からなる請求の範囲第3項記載の読取/ 書込ヘッド。
  5. 5.デジタルデータ処理システムの磁気記憶装置で使われる薄膜読取/書込ヘッ ドを製造する方法で、該ヘッドが、記憶媒体に隣接する一端と反対側の遠方端と を有する少なくとも1つの磁極片を含み、該磁極片が前記両端間での縦軸を限定 するものにおいて: A.絶縁基板を用意する工程; B.前記基板上に第1の導電性トレース手段を被着する工程で、該トレース手段 が前記縦軸に対して第1の斜めの方向をなす;C.前記基板と第1のトレース手 段の上に第1の絶縁層を被着する工程; D.前記第1の絶縁層上に磁極片を形成する工程;E.前記磁極片と第1の絶縁 層の上に第2の絶縁層を被着する工程; F.前記第2の絶縁層上に第2の導電性トレース手段を被着する工程で、該第2 のトレース手段が前記縦軸に対して第2の斜めの方向をなし、該第2の斜めの方 向が前記第1の斜めの方向に対し前記縦軸に関して反対方向に斜めとなっている :G.前記第1及び第2のトレース手段の端部間に通路を形成し、前記磁極片の 周囲にソレノイドの形で両トレース手段を相互接続する工程;を含む方法。
  6. 6.前記第1及び第2のトレース手段が複数のトレースを含み、前記第2トレー ス手段のトレースの端部の少なくとも一部が前記第1トレース手段のトレースの 端部と重なり合うように前記第2トレース手段が被着される請求の範囲第5項記 載の方法。
  7. 7.A.前記第1のトレース手段を接着する工程が:i.第1の複数のほぼ平行 な導電性トレースを、前記縦軸に対して斜めの第1の方向で前記基板上に形成す る工程;ii.前記第1のトレース層上に絶縁物質の層を被着する工程;iii .第2の複数のほぼ平行な導電性トレースを、前記縦軸に対して斜めの第2の方 向で前記絶縁物質層上に形成する工程で、該第2の方向が前記第1の方向に対し 前記縦軸に関して反対方向に斜めであり、該第2の複数のトレースが前記第1の 複数のトレースより全体的に短い;を含み、B.前記第2のトレース手段を被著 する工程が:i.第3の複数のほぼ平行な導電性トレースを、前記縦軸に対して 斜めで前記第1の方向とほぼ平行な方向で前記絶縁物質層上に形成する工程で、 該第3の複数のトレースが前記第2の複数のトレースとほぼ同様な長さである; ii.前記第3のトレース層上に絶縁物層の層を被着する工程;iii.第4の 複数のほぼ平行な導電性トレースを、前記縦軸に対して斜めで前記第2の方向と ほぼ平行な方向で前記絶縁物層上に形成する工程で、該第4の複数のトレースが 前記第1の複数のトレースとほぼ同様の長さである;を含む請求の範囲第5項記 載の方法。
  8. 8.前記第3の複数のトレースの端部の少なくとも一部が前記第2の複数のトレ ースの端部と重なり合い、前記第4の複数のトレースの端部の少なくとも一部が 前記第1の複数のトレースの端部と重なり合い、さらに前記第4の複数のトレー スの端部の少なくとも1つが前記第2の複数のトレースの1つの端部と重なり合 い、それぞれ対応して上方に位置する端部と下方に位置する端部との間に通路が 形成されて2つのソレノイド形コイルを形成し、第1のコイルが前記第1及び第 4の複数のトレースからなり、第2のコイルが前記第2及び第3の複数のトレー スからなり、前記第2のコイルが全体的に第1のコイルの内側に位置すると共に 、第1及び第2のコイルが相互に接続されている請求の範囲第7項記載の方法。
  9. 9.前記通路がレーザ放射によって形成され、前記トレース手段がレーザ放射の 波長に対して反射性で、前記絶縁物層がレーザ放射の波長に対して非反射性であ り、前記通路が:A.通路を形成すべき箇所に反射マスクを形成する工程で、該 マスクがトレース手段上方で通路を形成すべき箇所に開口を画成する; B.前記マスクにレーザを照明し、前記開口を介して露出された絶縁物質を除去 して前記トレース手段の選定部分を露出させ、前記開口を介して露出された絶縁 物質のトレース手段上方に位置する絶縁物質がトレース手段に達するまで除去さ れたとき、該トレース手段がレーザ放射を止めることによって凹部を形成する工 程; C.前記凹部内に導零性物質を被着する工程;によって形成される請求の範囲第 5項記載の方法。
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