JPH03248309A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPH03248309A JPH03248309A JP4521990A JP4521990A JPH03248309A JP H03248309 A JPH03248309 A JP H03248309A JP 4521990 A JP4521990 A JP 4521990A JP 4521990 A JP4521990 A JP 4521990A JP H03248309 A JPH03248309 A JP H03248309A
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
- Adjustment Of The Magnetic Head Position Track Following On Tapes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、スライダに薄膜磁気変換素子及びその読み書
き回路を備える薄膜磁気ヘッドに関し、スライダをサフ
ァイヤ基体上にシリコン層を有する構成とし、シリコン
層上に読み書き回路を集積することにより、薄膜磁気変
換素子から読み書き回路に至るリードインダクタンスが
ぎわめて小さく、高周波応答性に優れ、ノイズが入りに
くく、しかも耐摩耗性に冨む小型の薄膜磁気ヘッドが得
られるようにしたものである。
き回路を備える薄膜磁気ヘッドに関し、スライダをサフ
ァイヤ基体上にシリコン層を有する構成とし、シリコン
層上に読み書き回路を集積することにより、薄膜磁気変
換素子から読み書き回路に至るリードインダクタンスが
ぎわめて小さく、高周波応答性に優れ、ノイズが入りに
くく、しかも耐摩耗性に冨む小型の薄膜磁気ヘッドが得
られるようにしたものである。
〈従来の技術〉
従来より、磁気ディスク装置には、磁気記録媒体の走行
によって生じる動圧を利用して、例えば磁気ディスク等
の磁気記録媒体との間に微小な空気ベアリングによる間
隙を保フて浮上する薄膜磁気ヘッドが用いられている。
によって生じる動圧を利用して、例えば磁気ディスク等
の磁気記録媒体との間に微小な空気ベアリングによる間
隙を保フて浮上する薄膜磁気ヘッドが用いられている。
浮上型の薄膜磁気ヘッドの一般的な構造は、例えば特公
昭５８−２１３２９号、特公昭５８−２８６５０号各公
報等に開示される如く、Ａ１２０３−Ｔｉｃなどのセラ
ミック構造体でなるスライダの空気流入端に、薄膜磁気
変換素子を有する構造である。薄膜磁気変換素子はＩＣ
製造テクノロジと同様のプロセスにしたがって形成され
た薄膜素子である。
昭５８−２１３２９号、特公昭５８−２８６５０号各公
報等に開示される如く、Ａ１２０３−Ｔｉｃなどのセラ
ミック構造体でなるスライダの空気流入端に、薄膜磁気
変換素子を有する構造である。薄膜磁気変換素子はＩＣ
製造テクノロジと同様のプロセスにしたがって形成され
た薄膜素子である。
磁気ディスク装置として使用する場合は、薄膜磁気ヘッ
ドは、磁気記録媒体との間に微小な空気ベアリングによ
る間隙を保ちながら追従できるように、ジンバル系ヘッ
ド支持装置に取付けられる。薄膜磁気ヘッドは、スライ
ダが第１軸に関してピッチ運動を行ない、第２軸に関し
てロール運動を行ない、更に偏揺れを防止するように、
ヘッド支持装置に取付けられる。
ドは、磁気記録媒体との間に微小な空気ベアリングによ
る間隙を保ちながら追従できるように、ジンバル系ヘッ
ド支持装置に取付けられる。薄膜磁気ヘッドは、スライ
ダが第１軸に関してピッチ運動を行ない、第２軸に関し
てロール運動を行ない、更に偏揺れを防止するように、
ヘッド支持装置に取付けられる。
薄膜磁気ヘッドは、リード線を通して読み書き回路に接
続される。読み書き回路は、一般には、薄膜磁気ヘッド
とは独立して外部に設けられており、読み書き素子で得
られた読み出し信号を増幅して外部に出力すると共に、
書き込み信号を所要の信号に変換して薄膜磁気ヘッドに
供給する。
続される。読み書き回路は、一般には、薄膜磁気ヘッド
とは独立して外部に設けられており、読み書き素子で得
られた読み出し信号を増幅して外部に出力すると共に、
書き込み信号を所要の信号に変換して薄膜磁気ヘッドに
供給する。
〈発明が解決しようとする課題〉
上述したように、従来の薄膜磁気ヘッド及びこれを用い
た磁気ディスク装置では、読み書き回路は薄膜磁気ヘッ
ドから独立してその外部に設けられており、両者間をリ
ード線によって接続する構成であった。このため、リー
ド線によるリードインダクタンス分が大きくなり、高周
波応答性が悪くなると共に、外部からノイズが入り易く
なるという問題点かありた。高周波応答性の改善は高速
読み書き、高速データ処理のために欠くことのできない
事項である。
た磁気ディスク装置では、読み書き回路は薄膜磁気ヘッ
ドから独立してその外部に設けられており、両者間をリ
ード線によって接続する構成であった。このため、リー
ド線によるリードインダクタンス分が大きくなり、高周
波応答性が悪くなると共に、外部からノイズが入り易く
なるという問題点かありた。高周波応答性の改善は高速
読み書き、高速データ処理のために欠くことのできない
事項である。
高周波応答性を改善しようとした従来技術としては、例
えば特開昭５８−１１８０１７号公報で開示された技術
が知られている。この従来技術においては、読み書き用
集積回路素子を、薄膜磁気ヘッドに直接に貼り付けてリ
ードインダクタンスを減少させるようにしてあった。
えば特開昭５８−１１８０１７号公報で開示された技術
が知られている。この従来技術においては、読み書き用
集積回路素子を、薄膜磁気ヘッドに直接に貼り付けてリ
ードインダクタンスを減少させるようにしてあった。
しかしながら、上記従来−技術では、薄膜磁気ヘッドの
小型化のために、薄膜磁気ヘッドに読み書き用集積回路
素子を貼り付けることが物理的に困難になりつつある。
小型化のために、薄膜磁気ヘッドに読み書き用集積回路
素子を貼り付けることが物理的に困難になりつつある。
この種の薄膜磁気ヘッドは、磁気記録の高密度化及び高
速化に対応するため、ますます、小型化される傾向にあ
る。小型化は、高密度記録を達成するのに必要な浮上量
減少及びスペーシングロス低下に有効である上に、ジン
バルとの組合せにおいて、共振周波数を高め、クラッシ
ュ防止及び耐久性向上に効果があり、しかも、動圧と支
持バネ圧との間の適正なバランスを保ち、フライト姿勢
を良好に保ち、安定な浮上特性が得られるからである。
速化に対応するため、ますます、小型化される傾向にあ
る。小型化は、高密度記録を達成するのに必要な浮上量
減少及びスペーシングロス低下に有効である上に、ジン
バルとの組合せにおいて、共振周波数を高め、クラッシ
ュ防止及び耐久性向上に効果があり、しかも、動圧と支
持バネ圧との間の適正なバランスを保ち、フライト姿勢
を良好に保ち、安定な浮上特性が得られるからである。
更に、小形化によるヘッドの質量減少は、ジンバルを支
持するアームのアクセス運動の高速化をもたらす。
持するアームのアクセス運動の高速化をもたらす。
そこで、本発明の課題は、上述する従来の問題点を解決
し、薄膜磁気変換素子から読み書き回路に至るリードイ
ンダクタンスがきわめて小さく、高周波応答性に優れ、
ノイズが入りにくく、小型化にも充分に対応できる薄膜
磁気ヘッドを提供することである。
し、薄膜磁気変換素子から読み書き回路に至るリードイ
ンダクタンスがきわめて小さく、高周波応答性に優れ、
ノイズが入りにくく、小型化にも充分に対応できる薄膜
磁気ヘッドを提供することである。
く課題を解決するための手段〉
上述する課題解決のため、本発明は、スライダに薄膜磁
気変換素子及びその読み書き回路を備える薄膜磁気ヘッ
ドであって、 前記スライダは、サファイヤ基体上にシリコン層を有し
ており、 前記読み書き回路は、前記スライダを構成する前記シリ
コン層を利用して集積された集積回路となっていること を特徴とする。
気変換素子及びその読み書き回路を備える薄膜磁気ヘッ
ドであって、 前記スライダは、サファイヤ基体上にシリコン層を有し
ており、 前記読み書き回路は、前記スライダを構成する前記シリ
コン層を利用して集積された集積回路となっていること を特徴とする。
〈作用〉
フ −？ ７ 々ｌ’ｊ ＋Ｍ 寸 ノ 七ｊ
仁！士 ロ け ぐノ ＩＩ Ｍ −ｔ ＋冨九有
しており、読み書き回路はスライダを構成するシリコン
層を利用して集積された集積回路となっているので、薄
膜磁気変換素子及び読み書き回路の両者を周知のＩＣ製
造テクノロジによって製造できる。このため、スライダ
をより一層小型化できるようになると共に、薄膜磁気変
換素子から読み書き回路に至るリードインダクタンスが
きわめて小さく、高周波応答性に優れ、ノイズの入りに
くい薄膜磁気ヘッドが得られる。
仁！士 ロ け ぐノ ＩＩ Ｍ −ｔ ＋冨九有
しており、読み書き回路はスライダを構成するシリコン
層を利用して集積された集積回路となっているので、薄
膜磁気変換素子及び読み書き回路の両者を周知のＩＣ製
造テクノロジによって製造できる。このため、スライダ
をより一層小型化できるようになると共に、薄膜磁気変
換素子から読み書き回路に至るリードインダクタンスが
きわめて小さく、高周波応答性に優れ、ノイズの入りに
くい薄膜磁気ヘッドが得られる。
スライダは、サファイヤ基体を有するので、媒体対向面
に耐摩耗性保護膜等を設けるまでもなく、充分な耐摩耗
性を確保できる。
に耐摩耗性保護膜等を設けるまでもなく、充分な耐摩耗
性を確保できる。
〈実施例〉
第１図は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの斜視図である。
１はスライダ、２は薄膜磁気変換素子、３は読み書ぎ回
路、４．５は取出電極である。
路、４．５は取出電極である。
スライダ１は従来多用されているＡｈａ３−ＴｉＣなど
のセラミック構造体に代えて、サファイヤ（Ａ１２０３
）基体１１０上にシリコン層１１１を有すス旙；失イ″
に−ｒ−堆甜六引てぃス ７ ／７”ｌ ）らｂ博浩ル
甘するものはＳ ＯＳ （Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ ５ａ
ｐｈｉｒｅ）基板と称されている。シリコン層１１１は
液相成長等の手段によフて薄い層としてサファイヤ基体
１１０の面上に一体的に付着されている。スライダ１は
、媒体対向面１０１がレール部及びテーパ面を持つ通常
タイプでもよいし、レール部及びテーパ面を持たない平
面状のものでもよい。実施例では、媒体対向面１０１が
レール部及びテーパ面を持たない平面状となっていて、
この面１０１の全体をＡＢＳ面として作用させるように
した構造のもを示しである。かかる構成の薄膜磁気ヘッ
ドは、スライダ１の媒体対向面１０１がレール部のない
単純な平面状となっているため、小形化が容易である。
のセラミック構造体に代えて、サファイヤ（Ａ１２０３
）基体１１０上にシリコン層１１１を有すス旙；失イ″
に−ｒ−堆甜六引てぃス ７ ／７”ｌ ）らｂ博浩ル
甘するものはＳ ＯＳ （Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ ５ａ
ｐｈｉｒｅ）基板と称されている。シリコン層１１１は
液相成長等の手段によフて薄い層としてサファイヤ基体
１１０の面上に一体的に付着されている。スライダ１は
、媒体対向面１０１がレール部及びテーパ面を持つ通常
タイプでもよいし、レール部及びテーパ面を持たない平
面状のものでもよい。実施例では、媒体対向面１０１が
レール部及びテーパ面を持たない平面状となっていて、
この面１０１の全体をＡＢＳ面として作用させるように
した構造のもを示しである。かかる構成の薄膜磁気ヘッ
ドは、スライダ１の媒体対向面１０１がレール部のない
単純な平面状となっているため、小形化が容易である。
空気流出方向ａで見た媒体対向面１０１の端縁（イ）、
（ロ）は、コンタクト、スタート時における磁気ディス
クの表面との引掛りをなくすため、弧状に形成するのが
望ましい。他の端縁（ハ）、（ニ）も弧状に形成できる
。
（ロ）は、コンタクト、スタート時における磁気ディス
クの表面との引掛りをなくすため、弧状に形成するのが
望ましい。他の端縁（ハ）、（ニ）も弧状に形成できる
。
薄膜磁気変換素子２は、磁気ディスク等の磁気記録媒体
との組合せにおいて、空気流出端部側となる端面に付着
させである。実施例において、薄膜磁気変換素子２は１
個であり、幅方向の略中間部に配置されている。媒体対
向面１０１にレール部を有するタイプのものでは、薄膜
磁気変換素子２はレール毎に２個備えられる。
との組合せにおいて、空気流出端部側となる端面に付着
させである。実施例において、薄膜磁気変換素子２は１
個であり、幅方向の略中間部に配置されている。媒体対
向面１０１にレール部を有するタイプのものでは、薄膜
磁気変換素子２はレール毎に２個備えられる。
読み書き回路３は、シリコン層１１１を利用してＩＣ製
造テクノロジに従って、所定の回路構成となるように集
積された集積回路となフている。
造テクノロジに従って、所定の回路構成となるように集
積された集積回路となフている。
読み書き回路３の回路構成は当業者にとって周知である
ので、詳細は省略する。
ので、詳細は省略する。
取出電極４．５は読み書き回路３の出力端であり、外部
から導かれたリード線が接続される。その個数は読み書
き回路３の出力数に応じた数となる。実施例においては
、媒体対向面１０１と対向する面１０２に設けられてい
るが、薄膜磁気変換素子２及び読み書き回路３を配置し
た端面１０３または両側面１０４．１０５の一方または
両方に導出してもよい。
から導かれたリード線が接続される。その個数は読み書
き回路３の出力数に応じた数となる。実施例においては
、媒体対向面１０１と対向する面１０２に設けられてい
るが、薄膜磁気変換素子２及び読み書き回路３を配置し
た端面１０３または両側面１０４．１０５の一方または
両方に導出してもよい。
上述のように、読み書き回路３はシリコン層１１１を利
用して集積されているので、スライダ１を小型化した場
合でも、その制限を殆ど受けることなく、周知のＩＣ製
造テクノロジに従って容易に製造できる。
用して集積されているので、スライダ１を小型化した場
合でも、その制限を殆ど受けることなく、周知のＩＣ製
造テクノロジに従って容易に製造できる。
薄膜磁気変換素子２もｒｃ製造テクノロジと同様のプロ
セスに従って形成されるから、両者２．３の製造工程が
近似したものとなり、両者２．３をスライダ１の同一の
面上に形成することによって、リードインダクタンスを
最小にし、高周波応答性を向上させた小型の薄膜磁気ヘ
ッドを実現できる。
セスに従って形成されるから、両者２．３の製造工程が
近似したものとなり、両者２．３をスライダ１の同一の
面上に形成することによって、リードインダクタンスを
最小にし、高周波応答性を向上させた小型の薄膜磁気ヘ
ッドを実現できる。
しかも、スライダ１はサファイヤ基体１１０を有するの
で、充分な耐摩耗性を確保できる。
で、充分な耐摩耗性を確保できる。
本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、サファイヤ基体１１０
の上にシリコン層１１１を有するウェハを使用し、シリ
コン層１１１上にフォトリソグラフィ等の高精度パター
ン形成技術を駆使して、薄膜磁気変換素子２及び読み書
き回路３を有する薄膜磁気ヘッド要素を多数個整列して
形成した後、各薄膜磁気ヘッド要素毎に分割することに
よって容易に製造できる。このＩＣ製造工程等は当業者
にとって自明であるので、詳細は省略する。
の上にシリコン層１１１を有するウェハを使用し、シリ
コン層１１１上にフォトリソグラフィ等の高精度パター
ン形成技術を駆使して、薄膜磁気変換素子２及び読み書
き回路３を有する薄膜磁気ヘッド要素を多数個整列して
形成した後、各薄膜磁気ヘッド要素毎に分割することに
よって容易に製造できる。このＩＣ製造工程等は当業者
にとって自明であるので、詳細は省略する。
第２図は要部の拡大部分断面図である。図において、２
０は５ｉｎ２等でなる絶縁膜、２１は下部磁性膜、２２
はＳｉｎ、等でなるギャップ膜、２３は上部磁性膜、２
４は導体コイル膜、２５はノボラック樹脂等の有機樹脂
で構成された絶縁膜、２６．２７はリード電極（第１図
参照）、２８は保護膜である。
０は５ｉｎ２等でなる絶縁膜、２１は下部磁性膜、２２
はＳｉｎ、等でなるギャップ膜、２３は上部磁性膜、２
４は導体コイル膜、２５はノボラック樹脂等の有機樹脂
で構成された絶縁膜、２６．２７はリード電極（第１図
参照）、２８は保護膜である。
下部磁性膜２１及び上部磁性膜２３の先端部は、微小厚
みのギャップ膜２２を隔てて対向するボール部２１１．
２３１となっており、ボール部２１１．２３１に形成さ
れた変換ギャップおいて読み書きを行なう。２１２．２
３２はヨーク部であり、ボール部２１１．２３１とは反
対側にあるパックギャップ部で互いに結合されている。
みのギャップ膜２２を隔てて対向するボール部２１１．
２３１となっており、ボール部２１１．２３１に形成さ
れた変換ギャップおいて読み書きを行なう。２１２．２
３２はヨーク部であり、ボール部２１１．２３１とは反
対側にあるパックギャップ部で互いに結合されている。
絶縁膜２５は複数層の絶縁膜２５１〜２５３から構成さ
れていて、絶縁膜２５１．２５２の上に、ヨーク部２１
２．２３２のバックギャップ部のまわりを渦巻状にまわ
るように、導体コイル膜２４を形成しである。
れていて、絶縁膜２５１．２５２の上に、ヨーク部２１
２．２３２のバックギャップ部のまわりを渦巻状にまわ
るように、導体コイル膜２４を形成しである。
リード電極２６．２７は、〜端側が導体コイル［２４の
両端にそれぞれ導通接続されており、他端側は読み書き
回路３に接続されている。
両端にそれぞれ導通接続されており、他端側は読み書き
回路３に接続されている。
上記各実施例では、面内記録再生用の薄膜磁気ヘッドを
示したが、垂直磁気記録再生用の薄膜磁気ヘッドにも、
本発明は適用できる。更に、実施例に示す２端子型の薄
膜磁気ヘッドに限らず、センタータップを有する３端子
型の薄膜磁気ヘッドにも、本発明は通用できる。
示したが、垂直磁気記録再生用の薄膜磁気ヘッドにも、
本発明は適用できる。更に、実施例に示す２端子型の薄
膜磁気ヘッドに限らず、センタータップを有する３端子
型の薄膜磁気ヘッドにも、本発明は通用できる。
〈発明の効果〉
以上述べたように、本発明によれば、次のような効果が
得られる。
得られる。
（ａ）スライダはサファイヤ基体上にシリコン層を有し
ており、読み書き回路はスライダを構成するシリコン層
を利用して集積された集積回路となっているので、薄膜
磁気変換素子から読み書き回路に至るリードインダクタ
ンスがきわめて小さく、高周波応答性に優れ、ノイズの
影響を受けにくい薄膜磁気ヘッドを提供できる。
ており、読み書き回路はスライダを構成するシリコン層
を利用して集積された集積回路となっているので、薄膜
磁気変換素子から読み書き回路に至るリードインダクタ
ンスがきわめて小さく、高周波応答性に優れ、ノイズの
影響を受けにくい薄膜磁気ヘッドを提供できる。
（ｂ）読み書き回路は、スライダに集積されているので
、高密度記録、高速追従及び高速アクセスに通した小型
のＦｉｔ膜磁気ヘッドを提供できる。
、高密度記録、高速追従及び高速アクセスに通した小型
のＦｉｔ膜磁気ヘッドを提供できる。
（Ｃ）スライダは、サファイヤ基体を有するので、耐摩
耗性に優れた薄膜磁気ヘッドを提供できる。
耗性に優れた薄膜磁気ヘッドを提供できる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの斜視図、第２図
は同しく要部の拡大部分断面図である。 １・・・スライダ ２・・・薄膜磁気変換素子３・・
・読み書き回路 １１０・・・サファイヤ基体 １１１・・・シリコン層 第 ２ 閃 ５１ １ ２ １２ ０
は同しく要部の拡大部分断面図である。 １・・・スライダ ２・・・薄膜磁気変換素子３・・
・読み書き回路 １１０・・・サファイヤ基体 １１１・・・シリコン層 第 ２ 閃 ５１ １ ２ １２ ０
Claims (1)
- （１）スライダに薄膜磁気変換素子及びその読み書き回
路を備える薄膜磁気ヘッドであつて、前記スライダは、
サファイヤ基体上にシリコン層を有しており、 前記読み書き回路は、前記スライダを構成する前記シリ
コン層を利用して集積された集積回路となっていること を特徴とする薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4521990A JPH03248309A (ja) | 1990-02-26 | 1990-02-26 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4521990A JPH03248309A (ja) | 1990-02-26 | 1990-02-26 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03248309A true JPH03248309A (ja) | 1991-11-06 |
Family
ID=12713158
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4521990A Pending JPH03248309A (ja) | 1990-02-26 | 1990-02-26 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03248309A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7239488B2 (en) * | 2004-03-09 | 2007-07-03 | Sae Magnetics (H.K.), Ltd. | MR sensor on an insulating substrate and method of manufacture |
-
1990
- 1990-02-26 JP JP4521990A patent/JPH03248309A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7239488B2 (en) * | 2004-03-09 | 2007-07-03 | Sae Magnetics (H.K.), Ltd. | MR sensor on an insulating substrate and method of manufacture |
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