JPH087858B2

JPH087858B2 - 薄膜磁気ヘッド

Info

Publication number: JPH087858B2
Application number: JP2126464A
Authority: JP
Inventors: 幹男松崎
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1990-05-16
Filing date: 1990-05-16
Publication date: 1996-01-29
Anticipated expiration: 2011-01-29
Also published as: JPH0421919A

Description

【発明の詳細な説明】＜産業上の利用分野＞本発明は、薄膜磁気ヘッドに関し、スライダの媒体対
向面側に設けられる２本のレール部の一方にのみ薄膜磁
気変換素子を設けると共に、薄膜磁気変換素子の取出電
極を横並びに配置することにより、磁気記録の高密度化
及び高速化に極めて有用な小型、薄型の薄膜磁気ヘッド
を提供できるようにしたものである。

＜従来の技術＞従来より、磁気ディスク装置には、磁気記録媒体の走
行によって生じる動圧を利用して、磁気記録媒体との間
に微小な空気ベアリングによる間隙を保って浮上する薄
膜磁気ヘッドが用いられている。その基本的な構成は、
磁気記録媒体と対向する面側に浮上面を有するスライダ
の空気流出端部側に薄膜磁気変換素子を備える構造とな
っている。第７図は米国特許第4,856,181号等で知られ
たこの種の薄膜磁気ヘッドの基本的な構造を示し、セラ
ミック構造体でなるスライダ１の媒体対向面側に、間隔
をおいて２本のレール部101、102を突設し、レール部10
1、102の表面を高度の平面度を有する浮上面103、104と
すると共に、レール部101、102の空気流出方向ａの端部
のそれぞれに薄膜磁気変換素子2A、2Bを設けてある。

41A、42Aは薄膜磁気変換素子2Aの取出電極、41B、42B
は薄膜磁気変換素子2Bの取出電極であり、薄膜磁気変換
素子2A、2Bを設けた端面と同一の端面105において、厚
み方向に縦並びに配置されている。取出電極（41A、42
A）、（41B、42B）は薄膜磁気変換素子2A、2Bのコイル
（図示しない）に導通接続されていて、磁気ディスク装
置のリード導体が接続固定される。

磁気ディスク装置に装着して使用する場合、２つの薄
膜磁気変換素子2A、2Bが同時に使用される訳ではなく、
何れか一方だけが使用される。薄膜磁気変換素子2A、2B
のどちらを使用するかは、主として、磁気ディスク装置
側の要求によって定まる。例えば磁気ディスクの両面側
で記録再生を行なう場合、表側の記録再生時には薄膜磁
気変換素子2Aを使用し、裏側の記録再生には薄膜磁気変
換素子2Bを使用する。そこで、薄膜磁気変換素子2A、2B
が何れが要求された場合でも対応できるように、レール
部101、102の両者に薄膜磁気変換素子2A、2Bを設けてあ
る。

薄膜磁気変換素子2A、2BはIC製造テクノロジと同様の
プロセスにしたがって形成された薄膜素子である。

＜発明が解決しようとする課題＞この種の薄膜磁気ヘッドは、磁気記録の高密度化及び
高速化に対応するため、ますます、小型化される傾向に
ある。小型化のメリットに関しては、特開昭64−21713
号公報に詳しく述べられており、高密度記録を達成する
のに必要な浮上量減少及びスペーシングロス低下に有効
であること、ジンバルとの組合せにおいて、共振周波数
を高め、クラッシュ防止及び耐久性向上に効果があるこ
と、動圧と支持バネ圧との間の適正なバランスを保ち、
フライト姿勢を良好に保ち、安定な浮上特性が得られる
こと、小型化によるヘッドの質量減少はアームのアクセ
ス運動の高速化をもたらすこと等の種々のメリットが得
られる。

更に、薄膜磁気ヘッドの小型化のうちでも、薄型化
は、磁気ディスク装置のヘッドディスクアセンブリにお
いて、薄膜磁気ヘッドの配置される磁気ディスク間の間
隔を小さくし、磁気ディスクの枚数を増大させ、記憶容
量を増大させるのに有効である。

＜発明が解決しようとする課題＞しかし、第７図に示した従来技術及び特開昭64−2171
3号公報に開示された薄膜磁気ヘッドには、次のような
問題点があった。

（Ａ）薄膜磁気変換素子2A、2Bを有する端面105上にお
いて、取出電極（41A、42A）、（41B、42B）を厚み方向
に縦並びに配置してあったため、スライダ１をある厚み
以下には薄くすることができない。このため、小型化及
び薄型化に限界を生じていた。

（Ｂ）小型化を図った場合、取出電極（41A、42A）、
（41B、42B）の面積も小さくなるのは当然である。この
ため、ヘッド支持装置と組合せて薄膜磁気ヘッド装置を
構成する場合、磁気ディスク装置に導かれるリード導体
を接続するための面積が小さくなり、リード導体接続作
業がしにくくなると共に、取出電極間の距離が短くな
り、半田ブリッジ等を生じ易くなる。

（Ｃ）磁気ディスク装置に装着して使用する場合、２つ
の薄膜磁気変換素子2A、2Bの何れか一方だけが使用され
る。それにも拘わらず、２つの薄膜磁気変換素子2A、2B
を備えているため、薄膜磁気変換素子に起因するトラブ
ル発生の確率が高くなる。例えば、浮上面103、104の平
面度を出すための研磨工程における割れ、クラック等の
発生確率は薄膜磁気変換素子の数が多い程、高くなる。
これらの欠陥は歩留りを低下させ、浮上特性及び読み書
き動作に悪影響を与えることがある。

（Ｄ）１個の薄膜磁気変換素子があればよいのに、２個
の薄膜磁気変換素子2A、2Bを備え、薄膜磁気変換素子2
A、2B毎に引出端子導体（41A、42A）、（41B、42B）を
形成していたため、引出端子導体（41A、42A）、（41
B、42B）を形成するのに必要な面積以下には小型化でき
ない。このため、高密度記録対応の小型の磁気ヘッドを
得ることが困難になっている。

別の従来技術として、特開昭62−8307号公報には、ス
ライダの浮上面とは反対側の面を部分的に削除して質量
を小さくし、磁気ディスクの面ぶれに対する追従性を向
上させる技術が開示されている。しかし、この従来技術
では、スライダの形状が複雑化するため、薄膜磁気ヘッ
ドに対するヘッド支持装置の取付けが不安定になり易
い。また、薄膜磁気変換素子の取出電極を厚み方向に縦
並びに配置してあったので、上記した問題点を解決する
ことができない。

そこで、本発明の課題は、上述する従来の問題点を解
決し、磁気記録の高密度化、高速化及び記憶容量の増大
化に極めて有用な小型、薄型の薄膜磁気ヘッドを提供す
ることである。

＜課題を解決するための手段＞上述した課題解決のため、本発明に係る薄膜磁気ヘッ
ドは、レール部を有するスライダと、前記スライダに備
えられた薄膜磁気変換素子とを有する。前記レール部
は、少なくとも２本であって、それぞれは前記スライダ
の厚さ方向の一面に設けられ、前記スライダの幅方向に
互いに間隔を隔てて対向し、前記スライダの長さ方向に
延び、少なくとも一つは前記スライダの幅方向の一端縁
に沿って備えられている。前記薄膜磁気変換素子は、前
記長さ方向に位置する前記スライダの一端面において、
前記レール部のうち、前記スライダの幅方向の一端縁に
沿って備えられた前記レール部の一方にのみ備えられて
いる。前記薄膜磁気変換素子の取出電極は、少なくとも
２つであって、前記薄膜磁気変換素子から見て、近い位
置と遠い位置の２つの配置位置を生じる関係で、前記幅
方向に横並びに配置されている。取出電極は、更に、前
記薄膜磁気変換素子を構成するコイルに接続されるリー
ド導体の上に形成されている。前記リード導体のうち、
前記薄膜磁気変換素子から遠い方の取出電極を形成すべ
きリード導体は、近い方の取出電極の下を通って導かれ
ている。

＜作用＞スライダに設けられる２本のレール部の一方にのみ、
薄膜磁気変換素子を備えるので、１個の薄膜磁気変換素
子に必要なスペースまで小型化でき、高密度記録及び高
速化に対応した小型の薄膜磁気ヘッドが得られる。

また、薄膜磁気変換素子が従来の２個から１個になる
ので、薄膜磁気変換素子に起因するトラブル発生の確率
が低下し、歩留りが向上すると共に、安定した浮上特性
及び磁気記録再生特性が得られる。

更に、薄膜磁気変換素子の取出電極は、レール部の長
さ方向と直交する幅方向に横並びに配置されているの
で、スライダが１つの取出電極の幅に対応した厚みまで
薄型化できる。このため、一層小型で、高密度記録及び
高速化に対応した小型の薄膜磁気ヘッドが得られる。

また、薄型になるため、磁気ディスク装置のヘッドデ
ィスクアセンブリにおいて、薄膜磁気ヘッドの配置され
る磁気ディスク間の間隔を小さくし、磁気ディスクの枚
数を増大させ、記憶容量を増大させることができる。

しかも、取出電極を横並びに配置してあるので、スラ
イダの厚み方向に一致する取出電極の幅を増大できる。
このため、取出電極に対する外部のリード導体接続が容
易になる。

＜実施例＞第１図は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの斜視図であ
る。第７図と同一の参照符号は同一性ある構成部分を示
している。スライダ１は、Al₂O₃・TiC等で構成される基
体部分110に、Al₂O₃等でなる絶縁膜120をスパッタ等の
手段によって付着させた構造となっていて、絶縁膜120
の上に薄膜磁気変換素子２を設けてある。

スライダ１に形成された２本のレール部101、102のう
ち、レール部101の空気流出端部にのみ薄膜磁気変換素
子２を備えさせ、レール部102には薄膜磁気変換素子は
備えない。図示とは逆に、レール部102にのみ、薄膜磁
気変換素子２を備えさせ、レール部101には薄膜磁気変
換素子２を備えない構成であってもよい。レール部10
1、102のどちらに薄膜磁気変換素子２を設けるかは、前
述したように、磁気ディスク装置の要求によって定ま
る。

上述のように、薄膜磁気変換素子２は、レール部10
1、102の長さ方向に位置するスライダ１の一端面105に
おいて、２本のレール部101、102の一方にのみ備えられ
ているので、スライダ１の端面105の面積を、１個の薄
膜磁気変換素子２に必要なスペースまで小型化でき、高
密度記録及び高速化に対応した小型の薄膜磁気ヘッドが
得られる。また、薄膜磁気変換素子２が従来の２個から
１個になるので、薄膜磁気変換素子２に起因するトラブ
ル発生の確率が低下し、歩留りが向上すると共に、安定
した浮上特性及び磁気記録再生特性が得られる。

薄膜磁気変換素子２の取出電極41、42は、レール部10
1、102の長さ方向と直交する幅方向に横並びに配置され
ている。スライダ１の厚みＴは、１つの取出電極41また
は42の幅Ｗに応じた厚みまで薄型化できる。このため、
一層小型で、高密度記録及び高速化に対応した小型の薄
膜磁気ヘッドが得られる。また、薄くなるため、磁気デ
ィスク装置のヘッドディスクアセンブリにおいて、磁気
ディスク間の間隔を小さくし、磁気ディスクの枚数を増
大させ、記憶容量を増大させることができる。

しかも、取出電極41、42を横並びに配置してあるの
で、スライダ１の厚み方向に一致する取出電極の幅Ｗを
増大できる。このため、取出電極41、42に対する外部の
リード導体接続が容易になる。

第２図は面内記録再生用の薄膜磁気変換素子２の付近
の拡大斜視図、第３図は同じく拡大断面図、第４図は取
出電極付近の拡大断面図である。スライダ１は、アルテ
ィック等で構成される基体部分110に、Al₂O₃等でなる絶
縁膜120をスパッタ等の手段によって付着させた構造と
なっていて、絶縁膜120の上に薄膜磁気変換素子２を設
けてある。

21はパーマロイ等でなる下部磁性膜、22はAl₂O₃等で
形成されたギャップ膜、23はコイル膜、241〜243はフォ
トレジスト等で形成された層間絶縁膜、25はパーマロイ
等でなる上部磁性膜である。26はAl₂O₃等の保護膜、2
7、28はリード導体である。

下部磁性膜21及び上部磁性膜25は、先端部がギャップ
膜22を介して対向するポール部211、251となっていて、
ポール部211、ギャップ膜22及びポール部251により、変
換ギャップを構成している。ポール部211、251にはヨー
ク部212、252が連続しており、ヨーク部212、252は後方
の結合部213、253において磁気回路を完成するように互
いに結合されている。コイル膜23は結合部213、253のま
わりを渦巻状にまわるように形成されている。コイル膜
23の両端はリード導体27、28に接続されている。

リード導体27、28は取出電極41、42を形成する領域ま
で導出され、その端部に取出電極41、42が形成されてい
る。リード導体27、28は、具体的には、パーマロイ／銅
／チタンのメッキ膜として形成する。

取出電極41、42は、通常は、銅メッキ膜等として構成
され、第４図に示すように、その表面には金等の保護膜
43が付着される。銅メッキ膜の代りに半田メッキ膜とし
て設けられることもある。また、取出電極41、42の周り
は薄膜磁気変換素子２の全体を保護する保護膜26によっ
て覆われている。

第５図は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの更に別の実施
例における要部の斜視図、第６図は同じく取出電極付近
の拡大断面図を示している。この実施例の特徴は、リー
ド導体27、28のうち、薄膜磁気変換素子２から遠い方の
取出電極42を形成すべきリード導体28は、近い方の取出
電極41の下を通って導かれていることである。このよう
な構造であると、更に小型化、薄型化が可能になると共
に、取出電極41、42の面積拡大が可能になる。第５図及
び第６図に示す構造の取出電極41、42は、メッキ組成浴
に添加されるレベリング剤の量をコントロールすること
によって、容易に得ることができる。

図示は省略するが、本発明は垂直記録再生用の薄膜磁
気ヘッドにも適用が可能である。

＜発明の効果＞以上述べたように、本発明によれば、次のような効果
が得られる。

（ａ）スライダに設けられる２本のレール部の一方にの
み、薄膜磁気変換素子を備えるので、１個の薄膜磁気変
換素子に必要なスペースまで小型化でき、高密度記録及
び高速化に対応した小型の薄膜磁気ヘッドを提供でき
る。

（ｂ）薄膜磁気変換素子が＜従来の２個から１個になる
ので、薄膜磁気変換素子に起因するトラブル発生の確率
が低下し、歩留りが向上すると共に、安定した浮上特性
及び磁気記録再生特性を有する薄膜磁気ヘッドを提供で
きる。

（ｃ）薄膜磁気変換素子の取出電極は、レール部の長さ
方向と直交する幅方向に横並びに配置されているので、
スライダが１つの取出電極の幅に対応した厚みまで薄型
化でき、高密度記録、高速化及び記憶容量の増大化に極
めて有効な小型、かつ薄型の薄膜磁気ヘッドを提供でき
る。

（ｄ）取出電極を横並びに配置してあるので、スライダ
の厚み方向で見た取出電極の幅を増大させ、取出電極に
対する外部のリード導体接続の容易な薄膜磁気ヘッドを
提供できる。

（ｅ）ヘッド支持装置に対する取付け安定性の良好な薄
膜磁気ヘッドを提供できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの斜視図、第２図
は面内記録再生用の薄膜磁気変換素子２の付近の拡大斜
視図、第３図は同じく拡大断面図、第４図は取出電極付
近の拡大断面図、第５図は本発明に係る薄膜磁気ヘッド
の更に別の実施例における要部の斜視図、第６図は同じ
く取出電極付近の拡大断面図、第７図は従来の薄膜磁気
ヘッドの斜視図である。１……スライダ２……薄膜磁気変換素子 101、102……レール部 41、42……取出電極

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】レール部を有するスライダと、前記スライ
ダに備えられた薄膜磁気変換素子とを有する薄膜磁気ヘ
ッドであって、前記レール部は、少なくとも２本であって、それぞれは
前記スライダの厚さ方向の一面に設けられ、前記スライ
ダの幅方向に互いに間隔を隔てて対向し、前記スライダ
の長さ方向に延び、少なくとも一つは前記スライダの幅
方向の一端縁に沿って備えられており、前記薄膜磁気変換素子は、前記長さ方向に位置する前記
スライダの一端面において、前記レール部のうち、前記
スライダの幅方向の一端縁に沿って備えられた前記レー
ル部の一方にのみ備えられており、前記薄膜磁気変換素子の取出電極は、少なくとも２つで
あって、前記薄膜磁気変換素子から見て、近い位置と遠
い位置の２つの配置位置を生じる関係で、前記幅方向に
横並びに配置され、前記薄膜磁気変換素子を構成するコ
イルに接続されるリード導体の上に形成されており、前記リード導体のうち、前記薄膜磁気変換素子から遠い
方の取出電極を形成すべきリード導体は、近い方の取出
電極の下を通って導かれていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。