JPH0146833B2 - - Google Patents

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JPH0146833B2
JPH0146833B2 JP58180838A JP18083883A JPH0146833B2 JP H0146833 B2 JPH0146833 B2 JP H0146833B2 JP 58180838 A JP58180838 A JP 58180838A JP 18083883 A JP18083883 A JP 18083883A JP H0146833 B2 JPH0146833 B2 JP H0146833B2
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Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は半導体装置の試験方法に関し、詳し
くは、誘電体包囲容器を有する半導体装置の静電
気破壊現象を正しくモニターするための半導体装
置の静電気破壊試験方法に関するものである。
（従来の技術） 上記試験方法の従来例の一つとして特開昭57−
80577号公報に開始されるものがある。それは、
第２図に示すように、被試験半導体装置１の誘電
体包囲容器２に接する電極３と直流電源４により
前記誘電体包囲容器２の表面に所定の電荷を帯電
させ、それを、スイツチ５の閉成にともない前記
半導体装置１の入出力端子６を経由して放電させ
るものであり、その後、半導体装置１が静電破壊
を生じているかどうかを適宜な手段で確認するも
のである。
この方法によれば、人体放電法やチヤージデバ
イス法に比較して実用条件に近い試験ができる。
（発明が解決しようとする課題） しかるに、一般に、誘電体包囲容器は絶縁体で
あるため摩擦静電気を発生させると帯電分布を持
ち、抵抗体あるいは導体のように均一帯電分布と
はならない。上記従来の方法では、上記帯電分
布、すなわち、局部的に帯電した場合まで考慮し
て試験を行うことができず、いま一歩実際の条件
からは遠かつた。
この発明は上記の点に鑑みなされたもので、極
めて実際に近い条件で正確に静電気破壊現象の試
験を行うことのできる半導体装置の試験方法を提
供することを目的とする。
（課題を解決するための手段） この発明では、帯電手段を次の通りとする。す
なわち、被試験半導体装置の誘電体包囲容器の選
択された表面と接触する第１金属電極と、残与の
選択された表面と接触し且つ前記第１金属電極と
所定の間隔をもつて配置された第２金属電極と、
前記第１金属電極に電源電位側が接続され、前記
第２金属電極に基準電位側が接続された直流電圧
源とからなるものとする。
（作用） 上記方法では、第１金属電極に接触している半
導体装置の誘電体包囲容器表面のみ、すなわち、
局部的に誘電体包囲容器表面を保証電圧まで上昇
できる（帯電できる）。したがつて、摩擦帯電す
る時の誘電体包囲容器表面の帯電分布を測定して
おき、この帯電分布形状に応じて前記第１金属電
極と、残余の容器表面に接する第２金属電極を製
作しておけば、実際と同様に誘電体包囲容器表面
に局部的に帯電した時の放電破壊現象を試験する
ことができ、誘電体包囲容器に発生した摩擦静電
気による半導体装置の静電気破壊現象を正確に試
験できる。
（実施例） 以下この発明の一実施例を図面を参照して説明
する。第１図はこの発明の一実施例を示す構成図
である。この図において、１０は帯電手段、１１
は静電気破壊を生じていないことを確認した半導
体装置、１１ａは半導体装置１１のパツケージ
（誘電体包囲容器）表面、１１ｂは半導体装置１
１の入出力端子、１２は電気的短絡か開放かを決
定する手段としてのスイツチ（スイツチ手段）、
１３は被放電物体の等価インピーダンス手段（負
荷手段）をそれぞれ示している。スイツチ１２と
等価インピーダンス手段１３は半導体装置１１の
入出力端子１１ｂとGND電位間に直列接続され
る。また、帯電手段１０は次のように構成され
る。すなわち、パツケージ表面１１ａの選択され
た部分と接触する第１金属電極１０ｅと、残与の
選択されたパツケージ表面１１ａと接触する第２
金属電極１０ｆの２つの電極を用いる。第１金属
電極１０ｅは直流電圧源１０ｂ（可変電圧源）の
電源電位側端子に接続し、第２金属電極１０ｆは
GND電位（直流電圧源１０ｂの基準電位）に接
続するものとする。
この一実施例においては、第１金属電極１０ｅ
に接している半導体装置１１のパツケージ表面１
１ａのみ、即ち局部的にパツケージ表面１１ａを
保証電圧まで上昇できる（帯電できる）。そして、
パツケージ表面１１ａを局部的に保証電圧まで上
昇させた状態で、スイツチ１２を閉じることによ
り、半導体装置１１の人出力端子１１ｂを通して
放電させ、その後半導体装置１１が静電破壊を生
じているか例えば入出力リークチエツク法で確認
することにより、静電気破壊現象をモニターでき
る。
そして、上記のように第１金属電極１０ｅによ
りパツケージ表面１１ａを局部的に保証電圧まで
上昇できれば、実際に摩擦帯電する時のパツケー
ジ表面１１ａの帯電分布を測定しておき、この帯
電分布形状に応じて前記第１金属電極１０ｅと、
残余のパツケージ表面１１ａに接する第２金属電
極１０ｆを製作することにより、実際の場合と同
様にパツケージ表面１１ａを局部的に帯電させて
（帯電分布をもたせて）、その時の放電破壊現象を
試験することができ、パツケージ表面１１ａに発
生した摩擦静電気による半導体装置１１の静電気
破壊現象を正確に試験できる。
なお、第１図において、ｔで示される間隔は第
１金属電極１０ｅと第２金属電極１０ｆの距離を
表し、この距離によつて電極間パツケージ表面１
１ａの電位勾配を決定する。ただし、第１金属電
極１０ｅと第２金属電極１０ｆとの間で放電が発
生しないように、印加される電圧値に応じてｔの
最小値は設定されるものである。
（発明の効果） 以上詳細に説明したように、この発明の方法に
よれば、誘電体包囲容器の選択された表面に接し
て直流電圧源の電源電位側に接続される第１金属
電極と、残余の選択された容器表面と接して直流
電圧源の基準電位側に接続される第２金属電極に
より、半導体装置の誘電体包囲容器表面に帯電分
布をもたせて（局部的に帯電させて）、摩擦静電
気による半導体装置の静電気破壊現象を試験でき
る。したがつて、実際の条件に極く近似させて正
確に静電気破壊現象を試験することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の半導体装置の試験方法の一
実施例を示す構成図、第２図は従来の方法を示す
構成図である。 １０……帯電手段、１０ｂ……直流電圧源、１
０ｅ……第１金属電極、１０ｆ……第２金属電
極、１１……半導体装置、１１ａ……パツケージ
表面、１１ｂ……入出力端子、１２……スイツ
チ、１３……等価インピーダンス手段。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 被試験半導体装置の入力又は出力端子と基準
    電位源との間にスイツチ手段と負荷手段を直列に
    接続し、前記スイツチ手段を開路にした状態で前
    記被試験半導体装置の誘電体包囲容器に所定の電
    荷を帯電させた後、この帯電を付勢したまま前記
    スイツチ手段を閉路することにより前記誘電体包
    囲容器に蓄積された電荷を前記入力又は出力端子
    を経由して放電させるようにした半導体装置の試
    験方法において、 前記誘電体包囲容器に所定の電荷を帯電させる
    手段は、前記誘電体包囲容器の選択された表面と
    接触する第１金属電極と、残余の選択された表面
    と接触し且つ前記第１金属電極と所定の間隔をも
    つて配置された第２金属電極と、前記第１金属電
    極に電源電位側が接続され、前記第２金属電極に
    基準電位側が接続された直流電圧源とからなるこ
    とを特徴とする半導体装置の試験方法。 ２ 前記直流電圧源は可変電圧源であることを特
    徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置
    の試験方法。
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