JPH0145936B2 - - Google Patents
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- JPH0145936B2 JPH0145936B2 JP60095132A JP9513285A JPH0145936B2 JP H0145936 B2 JPH0145936 B2 JP H0145936B2 JP 60095132 A JP60095132 A JP 60095132A JP 9513285 A JP9513285 A JP 9513285A JP H0145936 B2 JPH0145936 B2 JP H0145936B2
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- vane
- strap ring
- vanes
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- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J23/00—Details of transit-time tubes of the types covered by group H01J25/00
- H01J23/02—Electrodes; Magnetic control means; Screens
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J23/00—Details of transit-time tubes of the types covered by group H01J25/00
- H01J23/16—Circuit elements, having distributed capacitance and inductance, structurally associated with the tube and interacting with the discharge
- H01J23/18—Resonators
- H01J23/22—Connections between resonators, e.g. strapping for connecting resonators of a magnetron
-
- H—ELECTRICITY
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- H01J23/18—Resonators
- H01J23/20—Cavity resonators; Adjustment or tuning thereof
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- Microwave Tubes (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
本発明はマグネトロンに関し、特にその陽極構
体に係る。
体に係る。
(ロ) 従来の技術
第2図及び第3図は例えば実公昭58−55562号
公報に見られる典型的なマグネトロンの陽極構体
を示す。1は陽極筒体、2は該陽極筒体の内壁に
放射状に外端部が固着された複数の板状ベイン、
3,4は該ベインの上下端に夫々固着され、各ベ
イン2を交互に電気的に結合する一対の内側スト
ラツプリング及び外側ストラツプリング、5は各
ベイン2の先端部に近接して立設された陰極構
体、6は各ベイン2と陰極構体5との間に形成さ
れた作用空間である。なお、内側ストラツプリン
グ3は、ベイン長に対してベイン2の外端部から
87%の位置に配設されている。
公報に見られる典型的なマグネトロンの陽極構体
を示す。1は陽極筒体、2は該陽極筒体の内壁に
放射状に外端部が固着された複数の板状ベイン、
3,4は該ベインの上下端に夫々固着され、各ベ
イン2を交互に電気的に結合する一対の内側スト
ラツプリング及び外側ストラツプリング、5は各
ベイン2の先端部に近接して立設された陰極構
体、6は各ベイン2と陰極構体5との間に形成さ
れた作用空間である。なお、内側ストラツプリン
グ3は、ベイン長に対してベイン2の外端部から
87%の位置に配設されている。
斯る構成において、作用空間6には、陰極構体
5の軸方向と平行に、一様な直流磁界が与えられ
ており、また、陰極構体5と各ベイン2との間に
は、直流もしくは低周波数の高電圧が印加されて
いる。一方、隣り合うベイン2は空胴共振器を形
成し、斯る空胴共振器に生じる高周波電界は各ベ
イン2の先端部に集中し、その一部は作用空間6
に漏洩する。また、内側ストラツプリング3及び
外側ストラツプリング4がベイン2を交互に結合
しているので、隣り合うベイン2は高周波的に逆
電位となつている。従つて、陰極構体5から放射
された電子群が陰極構体5を中心に作用空間6内
を回転し、これら電子群と高周波電界との間で相
互作用が生じ、その結果、マイクロ波が発振す
る。
5の軸方向と平行に、一様な直流磁界が与えられ
ており、また、陰極構体5と各ベイン2との間に
は、直流もしくは低周波数の高電圧が印加されて
いる。一方、隣り合うベイン2は空胴共振器を形
成し、斯る空胴共振器に生じる高周波電界は各ベ
イン2の先端部に集中し、その一部は作用空間6
に漏洩する。また、内側ストラツプリング3及び
外側ストラツプリング4がベイン2を交互に結合
しているので、隣り合うベイン2は高周波的に逆
電位となつている。従つて、陰極構体5から放射
された電子群が陰極構体5を中心に作用空間6内
を回転し、これら電子群と高周波電界との間で相
互作用が生じ、その結果、マイクロ波が発振す
る。
(ハ) 発明が解決しようとする問題点
ところで、マグネトロンは2450MHzの基本周波
数のマイクロ波のみを発振するのが理想的である
が、現実には種々の高調波を発生する。斯る高調
波の中で12.25GHzの周波数を有する第5高調波
は、最近実用化されつつある衛星放送の使用周波
数帯域と重なり問題視されている。
数のマイクロ波のみを発振するのが理想的である
が、現実には種々の高調波を発生する。斯る高調
波の中で12.25GHzの周波数を有する第5高調波
は、最近実用化されつつある衛星放送の使用周波
数帯域と重なり問題視されている。
従つて、本発明の目的は、不所望な高調波、特
に第5高調波の発生を抑制することにある。
に第5高調波の発生を抑制することにある。
(ニ) 問題点を解決するための手段
本発明のマグネトロンは、陽極筒体と、該陽極
筒体の内壁に放射状に外端部が固着された複数の
板状ベインと、該ベインの上下端に配設され上記
ベインを交互に電気結合する一対の内側ストラツ
プリング並びに外側ストラツプリングと、上記ベ
インの各先端部に近接して立設された陰極構体と
を備えたマグネトロンにおいて、上記内側ストラ
ツプリングを上記ベインの外端部から見た場合の
ベイン長に対して65%以上87%未満の範囲に配設
したことを特徴とする。
筒体の内壁に放射状に外端部が固着された複数の
板状ベインと、該ベインの上下端に配設され上記
ベインを交互に電気結合する一対の内側ストラツ
プリング並びに外側ストラツプリングと、上記ベ
インの各先端部に近接して立設された陰極構体と
を備えたマグネトロンにおいて、上記内側ストラ
ツプリングを上記ベインの外端部から見た場合の
ベイン長に対して65%以上87%未満の範囲に配設
したことを特徴とする。
(ホ) 作用
本考案によれば、特に第5高調波の発生を抑制
することができる。
することができる。
(ヘ) 実施例
本発明者は、上述の如き高調波の発生原因の一
つとして各ストラツプリングの配設位置が考えら
れることを見い出した。例えば内側ストラツプリ
ングの電位について考えると、このストラツプリ
ングの電位は、これが接合されているベインのそ
れと同電位となる。ここで、従来、ストラツプリ
ングはベインの先端部に近接して配設されている
ので、このストラツプリングがこれと逆電位のベ
イン(即ち、このストラツプリングが結合されて
いないベイン)の近傍の高周波電界に悪影響を及
ぼす。
つとして各ストラツプリングの配設位置が考えら
れることを見い出した。例えば内側ストラツプリ
ングの電位について考えると、このストラツプリ
ングの電位は、これが接合されているベインのそ
れと同電位となる。ここで、従来、ストラツプリ
ングはベインの先端部に近接して配設されている
ので、このストラツプリングがこれと逆電位のベ
イン(即ち、このストラツプリングが結合されて
いないベイン)の近傍の高周波電界に悪影響を及
ぼす。
従つて、本発明は、ストラツプリングの配設位
置をベインの先端部から離間せしめることによつ
て、上記悪影響を緩和し、高調波の発生を抑制し
たものである。
置をベインの先端部から離間せしめることによつ
て、上記悪影響を緩和し、高調波の発生を抑制し
たものである。
第1図は、第2図及び第3図に示したマグネト
ロンにおいて、内側ストラツプリング3及び外側
ストラツプリング4の配設位置に変化せしめた場
合の第2乃至第5高調波の放射レベルを示す。同
図において、A,B,C及びDは夫々第2、第
3、第4及び第5高調波を示し、横軸はベイン長
Lと、ベイン2の外端部から内側ストラツプリン
グ3の内周面(即ち、陰極構体5と対向する面)
までの距離lとの距離割合l/L×100〔%〕を示
し、縦軸は斯る割合が87%の時(即ち、従来例)
の各高調波の放射レベルを基準とした相対値を示
している。なお、本実施例において、内側ストラ
ツプリング3と外側ストラツプリング4との間隔
は、常に一定である。
ロンにおいて、内側ストラツプリング3及び外側
ストラツプリング4の配設位置に変化せしめた場
合の第2乃至第5高調波の放射レベルを示す。同
図において、A,B,C及びDは夫々第2、第
3、第4及び第5高調波を示し、横軸はベイン長
Lと、ベイン2の外端部から内側ストラツプリン
グ3の内周面(即ち、陰極構体5と対向する面)
までの距離lとの距離割合l/L×100〔%〕を示
し、縦軸は斯る割合が87%の時(即ち、従来例)
の各高調波の放射レベルを基準とした相対値を示
している。なお、本実施例において、内側ストラ
ツプリング3と外側ストラツプリング4との間隔
は、常に一定である。
第1図は、
対向するベイン間の距離A=10.0mm
ベインの高さB=9.0mm
内側ストラツプリング3内周面と外側ストラツ
プリング4内周面との間隔C=1.5mm ベインの長さL=14.25mmとし、 を変化させたときのデータである。
プリング4内周面との間隔C=1.5mm ベインの長さL=14.25mmとし、 を変化させたときのデータである。
尚、対向するベイン間の距離A=9.0mm
ベインの高さB=8.8mm
内側ストラツプリング3内周面と外側ストラツ
プリング4内周面との間隔C=1.4mm ベインの長さL=13.0mmとし、 を変化させたときのデータも第1図と同様であつ
た。
プリング4内周面との間隔C=1.4mm ベインの長さL=13.0mmとし、 を変化させたときのデータも第1図と同様であつ
た。
而して、同図から明らかな如く、内側ストラツ
プリング3の配設位置がベイン2の外端部に近づ
くに従い、各高調波に放射レベルは従来例に比し
て低下しており、特に第5高調波は大きく低下し
ている。
プリング3の配設位置がベイン2の外端部に近づ
くに従い、各高調波に放射レベルは従来例に比し
て低下しており、特に第5高調波は大きく低下し
ている。
従つて、内側ストラツプリング3の配設位置
が、ベイン2の外端部からベイン長に対して65%
以上87%未満の範囲であれば、従来例に比して高
調波の発生を抑制できる。尚、斯る範囲は72%以
上79%以下が好適である。
が、ベイン2の外端部からベイン長に対して65%
以上87%未満の範囲であれば、従来例に比して高
調波の発生を抑制できる。尚、斯る範囲は72%以
上79%以下が好適である。
(ト) 発明の効果
本発明によれば、不所望な高調波、特に第5高
調波の発生を抑制することができる。
調波の発生を抑制することができる。
第1図は本発明の種々の実施例の高調波の放射
レベルを示す特性図、第2図及び第3図はマグネ
トロンの典型例を示す横断面図及び縦断面図であ
る。 2……ベイン、3……内側ストラツプリング、
4……外側ストラツプリング。
レベルを示す特性図、第2図及び第3図はマグネ
トロンの典型例を示す横断面図及び縦断面図であ
る。 2……ベイン、3……内側ストラツプリング、
4……外側ストラツプリング。
Claims (1)
- 1 陽極筒体と、該陽極筒体の内壁に放射状に外
端部が固着された複数の板状ベインと、該ベイン
の上下端に配設され上記ベインを交互に電気結合
する一対の内側ストラツプリング並びに外側スト
ラツプリングと、上記ベインの各先端部に近接し
て立設された陰極構体とを備えたマグネトロンに
おいて、上記内側ストラツプリングを上記ベイン
の外端部から見た場合のベイン長に対して65%以
上87%未満の範囲に配設したことを特徴とするマ
グネトロン。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60095132A JPS61281435A (ja) | 1985-05-02 | 1985-05-02 | マグネトロン |
US06/856,956 US4720659A (en) | 1985-05-02 | 1986-04-28 | Magnetron |
KR1019860003299A KR900001495B1 (ko) | 1985-05-02 | 1986-04-29 | 마그네트론 |
GB8610453A GB2176049B (en) | 1985-05-02 | 1986-04-29 | Magnetron |
DE19863614852 DE3614852A1 (de) | 1985-05-02 | 1986-05-02 | Magnetron |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60095132A JPS61281435A (ja) | 1985-05-02 | 1985-05-02 | マグネトロン |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61281435A JPS61281435A (ja) | 1986-12-11 |
JPH0145936B2 true JPH0145936B2 (ja) | 1989-10-05 |
Family
ID=14129292
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60095132A Granted JPS61281435A (ja) | 1985-05-02 | 1985-05-02 | マグネトロン |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4720659A (ja) |
JP (1) | JPS61281435A (ja) |
KR (1) | KR900001495B1 (ja) |
DE (1) | DE3614852A1 (ja) |
GB (1) | GB2176049B (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2594262B2 (ja) * | 1986-10-16 | 1997-03-26 | 松下電器産業株式会社 | マグネトロン |
JPH0230036A (ja) * | 1988-02-03 | 1990-01-31 | Sanyo Electric Co Ltd | マグネトロン |
US5146136A (en) * | 1988-12-19 | 1992-09-08 | Hitachi, Ltd. | Magnetron having identically shaped strap rings separated by a gap and connecting alternate anode vane groups |
US5045814A (en) * | 1990-03-14 | 1991-09-03 | Litton Systems, Inc. | High impedance circuit for injection locked magnetrons |
US5422542A (en) * | 1993-02-09 | 1995-06-06 | Litton Systems, Inc. | Low power pulsed anode magnetron for improving spectrum quality |
US5680012A (en) * | 1993-04-30 | 1997-10-21 | Litton Systems, Inc. | Magnetron with tapered anode vane tips |
US5483123A (en) * | 1993-04-30 | 1996-01-09 | Litton Systems, Inc. | High impedance anode structure for injection locked magnetron |
JP2000077004A (ja) * | 1998-08-28 | 2000-03-14 | Sanyo Electric Co Ltd | マグネトロン |
US6373194B1 (en) * | 2000-06-01 | 2002-04-16 | Raytheon Company | Optical magnetron for high efficiency production of optical radiation |
JP2004103550A (ja) * | 2002-07-18 | 2004-04-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マグネトロン |
KR20040011638A (ko) * | 2002-07-27 | 2004-02-11 | 삼성전자주식회사 | 마그네트론 |
JP2005259508A (ja) * | 2004-03-11 | 2005-09-22 | Toshiba Hokuto Electronics Corp | 電子レンジ用マグネトロン |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB590547A (en) * | 1942-09-08 | 1947-07-22 | Ralph Herbert Vernon Mordaunt | Improvements in high frequency electrical oscillators |
GB588916A (en) * | 1941-10-03 | 1947-06-06 | James Sayers | Improvements in high frequency electrical oscillators |
US2417789A (en) * | 1941-12-01 | 1947-03-18 | Raytheon Mfg Co | Magnetron anode structure |
US2984764A (en) * | 1948-12-20 | 1961-05-16 | Raytheon Co | Electron discharge devices of the magnetron type |
US2649556A (en) * | 1950-05-13 | 1953-08-18 | Charles V Litton | Magnetron strapping arrangement |
US3069595A (en) * | 1960-08-22 | 1962-12-18 | Sylvania Electric Prod | Detuning interfering magnetron modes |
US3176188A (en) * | 1960-10-28 | 1965-03-30 | Gen Electric | Mixed lines crossed fields oscillator or amplifier |
NL7502972A (nl) * | 1975-03-13 | 1976-09-15 | Philips Nv | Trilholtemagnetron voorzien van een magneet- systeem en magnetron bestemd voor een derge- lijke kombinatie. |
JPS55104051A (en) * | 1979-02-01 | 1980-08-09 | Toshiba Corp | Magnetron |
GB2087143B (en) * | 1980-11-10 | 1984-07-18 | M O Valve Co Ltd | Magnetrons |
-
1985
- 1985-05-02 JP JP60095132A patent/JPS61281435A/ja active Granted
-
1986
- 1986-04-28 US US06/856,956 patent/US4720659A/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-04-29 GB GB8610453A patent/GB2176049B/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-04-29 KR KR1019860003299A patent/KR900001495B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1986-05-02 DE DE19863614852 patent/DE3614852A1/de active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB8610453D0 (en) | 1986-06-04 |
KR860009465A (ko) | 1986-12-23 |
GB2176049A (en) | 1986-12-10 |
GB2176049B (en) | 1990-01-17 |
US4720659A (en) | 1988-01-19 |
KR900001495B1 (ko) | 1990-03-12 |
DE3614852C2 (ja) | 1989-02-09 |
JPS61281435A (ja) | 1986-12-11 |
DE3614852A1 (de) | 1986-11-06 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |